Feb. 2, 2026 根据Tr e n dFo r c e集邦咨询最新存储器产业调查，2 0 2 6年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球 存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，Tr e n dFo r c e集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、 NAND Fl a s h各产品价格季成长幅度， 预估整体Conv enti ona l DRAM合约价将从一月初公布 的 季 增 5 5 - 6 0% ， 改 为 上 涨 9 0 - 9 5% ， NAND Fl a sh 合 约 价 则 从 季 增 3 3 - 3 8% 上 调 至 5 5 - 6 0% ， 并且不排除仍有进一步上修空间。 产业洞察 上 调 1Q2 6 Co n v e n ti o n a l DRAM 合 约 价 至 季 增 9 0 - 9 5% ， NAND Fl a s h 合 约 价 季 增 5 5 - 6 0%； CSP 、 Se r v e r OEM 、 PC OEM 普 遍 面 临 DRAM 供 给 缺 口 ， 预 估 第 一 季 PC DRAM 价 格 将至少季增一倍； 北 美 CSP 需 求 带 动 En t e r p ...

2026年第一季度存储芯片市场展望 - 预计2026年第一季度，整体DRAM合约价将季增55%至60%，其中HBM（高带宽存储器）价格季增50%至55% [1] - 预计2026年第一季度，整体NAND Flash合约价将季增33%至38% [1] DRAM市场动态 - 尽管PC整机出货下修，但原厂收紧供应，导致PC OEM需向模组厂高价采购，预计将大幅推升PC DRAM价格 [2] - AI推理带动服务器建设，美系云端服务业者持续提前拉货或追加Server DRAM需求，加剧供不应求，预计第一季度Server DRAM价格季增逾60% [3] - 手机品牌在淡季维持较强拉货力道，LPDDR4X与LPDDR5X供不应求且资源分配不均，价格走强 [3] - 尽管Graphics DRAM需求动能转趋保守，但其产能受DDR5排挤，供应偏紧带动价格上涨 [3] - Consumer DRAM客户愿以较高价格换取优先供应，但供给仍低于需求，支撑价格上涨 [3] NAND Flash市场动态 - 预计2026年Enterprise SSD（企业级SSD）需求将首度超越手机应用，成为NAND Flash最大应用 [4] - 尽管Client SSD（客户端SSD）需求受笔电出货季减及部分SSD容量降级影响，但因供给受数据中心SSD排挤，预计第一季度合约价仍将季增至少40%，涨幅为各类NAND Flash产品之最 [4] - 北美云端服务业者加码AI基础建设，带动Enterprise SSD需求，但供应商因产能有限采取控制出货策略，供给紧缩推升价格 [4] - eMMC/UFS需求因手机出货季减而疲弱，但原厂产能占比缩减导致整体供不应求 [5] - NAND Flash Wafer因消费市场低迷需求走弱，但原厂优先保障高毛利产品线，压缩对模组厂供应，价格持续上涨 [5]

半导体行业价格动态 - 半导体晶圆代工开启新一轮涨价，中芯国际已向下游客户发布涨价通知，此次涨价主要集中于8英寸BCD工艺平台，涨价幅度在10%左右 [1][3] - 存储芯片涨价潮蔓延，三星电子、SK海力士等存储供应商已上调明年HBM3E价格，涨幅接近20% [1] - 供给侧产能缺口叠加AI等需求增长，半导体释放价格周期上行信号，代工价格、存储芯片、模拟芯片纷纷开启涨价计划 [3] 半导体细分市场与需求驱动 - 5G、人工智能和新能源等行业快速增长拉动了成熟制程的刚性需求，中芯国际、华虹公司等晶圆厂产能利用率保持较高水位 [3] - 存储芯片受益于AI需求，多家机构持续看好这轮存储行业上行周期 [3] - 2025年第四季Server DRAM合约价涨势转强，预计DRAM价格环比增长18-23%，HBM的ASP增长23%-28% [5] 半导体设备与国产化机遇 - 半导体设备自主可控或是当下强确定性与弹性兼具的科技主线，2026年先进逻辑扩产大概率会迎来爆发，存储高景气已为明年半导体设备公司订单奠定基底 [5] - 半导体设备是半导体产业链的基石，存储扩产与自主可控共振，国产化空间广阔，随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇 [5] - 寒武纪、海光信息、摩尔线程、沐曦股份等国内厂商推出多款AI智算芯片产品，并逐步追赶国际领先标准，GPU是国内人工智能发展的基础，国产算力芯片自主可控迫在眉睫 [5] 相关指数与ETF表现 - 半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导，标的指数中“设备”含量超54%，半导体设备+材料+集成电路设计三行业占比超72%，聚焦中微公司、北方华创、寒武纪、中芯国际、海光信息、拓荆科技、南大光电等细分龙头，前十大集中度近8成 [4] - 该指数2025年年内涨幅超过65%，区间最大上涨超80%，在中证全指半导体、中华半导体芯片、国证芯片等主流半导体指数中均位列第一 [8] - 本周半导体设备ETF（561980）录得4连阳，成分股涨跌互现：珂玛科技、有研硅涨超2%，富创精密、华海清科、寒武纪、中船特气等飘红，中芯国际、海光信息等震荡回调 [1]

行业整体表现 - 隔夜美股存储板块股价大幅上涨，闪迪涨幅超过16%，西部数据涨幅超过13%，希捷科技涨幅超过19%，美光科技涨幅超过2% [1] - SK海力士在首尔股市股价涨幅高达5% [2] - 人工智能基础设施建设大幅提升整个存储芯片行业的需求 [1] 公司财务与运营 - SK海力士第三季度营业利润达到11.4万亿韩元（约合80亿美元），创历史新高，同比增长62%，略高于分析师预期 [1] - SK海力士第三季度销售额达到24.5万亿韩元 [1] - SK海力士透露其明年全系列存储芯片订单已售罄 [1] 市场前景与价格预测 - 摩根士丹利预测在人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来"超级周期" [3] - 受益于全球云端供应商扩充数据中心规模，2025年第四季Server DRAM合约价涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬 [2] - 展望2026年，Server需求预计维持强劲，DDR5合约价可能在2026全年呈上涨态势 [2] - 随着DDR5价格持续上涨缩小与HBM3e的价差，预计从2026年第一季起，DDR5的获利表现有望优于HBM3e [2] 相关公司列表 - 存储芯片相关概念港股包括：佰维存储（IPO递表中）、晶存科技（IPO递表）、中芯国际（00981）、华虹半导体（01347）、上海复旦（01385） [4]

美股存储板块市场表现 - 隔夜美股存储板块股价大幅上涨，其中闪迪涨幅超过16%，西部数据涨幅超过13%，希捷科技涨幅超过19%，美光科技涨幅超过2% [1] SK海力士财务与运营表现 - SK海力士第三季度营业利润达到11.4万亿韩元（约合80亿美元），创历史新高，同比增长62%，略高于分析师预期平均值 [1] - 第三季度销售额达到24.5万亿韩元 [1] - 公司透露明年全系列存储芯片订单已售罄 [1] - 周三上午在首尔，SK海力士股票涨幅高达5% [2] 存储芯片行业需求与价格展望 - 全球人工智能基础设施建设大幅提升整个存储行业的需求 [1] - 2025年第四季Server DRAM合约价涨势转强，受惠于全球云端供应商扩充数据中心规模，并带动整体DRAM价格上扬 [2] - 展望2026年，Server需求预估维持强劲，DDR5合约价或于全年呈上涨态势 [2] - 随着DDR5价格持续走扬缩小与HBM3e的价差，2026年第一季起，DDR5的获利表现有望优于HBM3e [2] - 摩根士丹利预测，在人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来"超级周期" [3] 相关上市公司 - 存储芯片相关概念港股包括佰维存储（IPO递表中）、晶存科技（IPO递表）、中芯国际（00981）、华虹半导体（01347）、上海复旦（01385） [4]

2025年第四季及2026年DRAM市场展望 - 2025年第四季Server DRAM合约价涨势转强，受全球云端供应商扩充数据中心规模推动，并带动整体DRAM价格上扬 [1] - 2025年第四季一般型DRAM合约价涨幅预估从原先的8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修 [1] - 2025年第四季HBM混合合约价涨幅预估为23-28% [2] 2026年DRAM需求与价格趋势 - 预估2026年服务器整机出货量年增幅度将扩大至4%左右 [4] - 因云端供应商积极导入高效能运算架构支持大型模型运算，服务器单机DRAM搭载容量将提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续 [4] - 预期DDR5合约价于2026全年呈上涨态势，尤其以上半年较为显著 [4] DDR5与HBM3e的获利表现对比 - 2025年第二季时，HBM3e和DDR5仍有四倍以上价差，HBM3e能为供应商带来较佳获利 [4] - 随着DDR5价格持续走扬，两者价差将于2026年明显收敛，预计从2026年第一季起，DDR5的获利表现将优于HBM3e [1][4] - 对比2026年HBM议价情况，随着三大原厂于HBM3e竞争格局形成且买方有一定库存水位，预计HBM3e合约价将转为年减 [4] 供应商未来产能与价格策略 - 由于HBM3e和DDR5产能互相竞争，预期获利结构翻转后，供应商可能选择进一步增加Server DDR5供给量以巩固获利基础 [5] - 因HBM3e价格渐趋稳定且需求动能仍强，供应商可能争取提高HBM3e平均销售单价来平衡产品组合获利 [5] - 未来原厂在DDR5与HBM之间的产能配置与价格策略将成为影响下阶段市场走向的变量 [5]

全球半导体设备市场展望 - 2025年全球半导体设备总销售额预计将达1255亿美元 创历史新高 [1][2] - 增长主要受支持人工智能应用的先进逻辑和存储端产能扩张 以及各细分领域工艺迭代影响 [1][2] - 中国大陆预计将继续领先全球300mm设备支出 2026至2028年间投资总额将达940亿美元 [1][2] 技术迭代驱动的设备需求 - 逻辑制程向更先进节点演进 将拉动对刻蚀 薄膜沉积 键合 涂胶显影设备的需求 [2] - HBM兴起带动晶圆减薄 TSV刻蚀填充 晶圆堆叠封装等环节的设备需求 [2] - NAND领域层数增加将持续带来沉积设备投入 高深宽比刻蚀技术及先进封装/键合设备的需求增长 [2] AI基础设施投资与存储市场动态 - 从2020年到2028年 数据中心投资预计从170亿美元增长到453亿美元 [3] - 从2020年到2030年 AI半导体整体收入预计将从82亿美元增长到413亿美元 年均增长率24.4% [3] - AI推理服务器部署量快速增长直接拉动企业级SSD需求 三大DRAM原厂优先分配产能给高阶Server DRAM和HBM 导致第四季旧制程DRAM价格涨幅可观 [3] 供应链安全与国产化机遇 - 美国国会议员调查显示 中国能够购买近400亿美元的尖端芯片制造设备 新提议包括对华出售芯片制造工具实施更广泛禁令 [4] - 英伟达创始人称由于美国出口管制 公司100%退出中国市场 市场份额从95%降为0% [5] - 随着国内算力基建推进 对国产AI芯片的需求有望进一步增加 [5] 投资关注领域与公司 - 刻蚀 沉积 键合设备 CMP设备用量增加 建议关注中微公司 拓荆科技 华海清科等 [5] - 国产算力测试机配套方面 关注长川科技 精智达 华峰测控 [5] - 量检测设备仍是国产化率较低环节 关注精测电子 中科飞测 骄成超声 苏大维格 离子注入设备关注万业企业 华海清科 [5]

内存芯片行业价格动态 - 三星电子与SK海力士在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调最高达30% [1] - 新的价格体系已传导至客户，标志着内存价格上涨周期正式开启 [1] - 隔夜美股存储公司股价对此作出积极反应，闪迪涨超13%，美光、西部数据涨超4% [1] 行业周期驱动因素 - 分析师预测当前短缺状况可能持续三到四年，周期强度和长度将超过以往 [1] - 主要驱动因素包括价值数百万亿韩元的新增AI服务器投资 [1] - 通用服务器为支持AI应用而进行的内存升级，以及智能手机、PC等设备上“端侧AI”功能的普及亦是关键驱动 [1] 细分市场需求与供给 - AI推理应用推升实时存取、高速处理海量数据需求，促使HDD与SSD供应商积极扩大供给大容量存储产品 [1] - 全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线，无法及时满足AI刺激的突发性、巨量储存需求 [1] - Server DRAM因云端服务供应商建置动能回温，DDR5产品需求持续增强 [2] - HBM需求持续扩张，市场预计在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50% [2] 相关公司 - 上海证券提及的公司主要包括兆易创新、佰维存储、普冉股份等 [3]

整体DRAM市场趋势 - 三大DRAM原厂优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤了PC、Mobile和Consumer应用的产能 [1] - 第四季旧制程DRAM价格涨幅可观，新世代产品涨势相对温和，整体一般型DRAM价格预计季增8-13% [1] - 若加计HBM，第四季整体DRAM价格涨幅将扩大至13-18% [1] - 预计2025年第四季整体DRAM价格（含HBM）将上涨13-18%，其中HBM渗透率预计达到11% [2] PC DRAM - 第四季PC OEM的DRAM位元采购量预计将呈季减，主要因PC促销和铺货动能趋缓导致整机出货量减少 [3] - 三大原厂积极转移产能至Server DDR5，导致PC DDR5和PC DDR4供应规模受限 [3] - 供应受限推动第四季整体PC DRAM价格持续小幅上涨 [3] Server DRAM - 云端服务供应商建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，美系和中系CSP在2026年的DRAM采购需求有望大幅成长 [3] - 美系业者为确保供给，计划提前于2025年第四季启动采购，对价格态度较开放 [3] - 原厂2026年上半年优先提供产能给HBM4，给DDR5供给带来变量，预期第四季Server DRAM价格维持上涨 [3] - 尽管部分原厂延后Server DDR4停产，因采购热度延续，预料第四季DDR4价格仍有相当涨幅 [3] Mobile DRAM - 用于中低端智能手机的LPDDR4X因全球总供应位元持续削减，品牌厂加强备货导致供需失衡加剧 [4] - LPDDR4X价格在第四季预计再有10%以上季增 [4] - LPDDR5X除用于高端手机外，也在其他终端应用中扩大使用，预计第四季价格维持上扬走势 [4] Graphics DRAM - 第四季PC应用备货潮及市场对NVIDIA RTX6000系列的期待，延续Graphics GDDR7的拉货动能 [4] - 原厂预期GDDR7将供不应求，对涨幅坚持，其价格上升幅度将较前一季扩大 [4] - 旧制程GDDR6因上一代显卡保有采用比例，采购量维持，但供给明显受限，预计第四季价格涨幅持续高于GDDR7 [4] Consumer DRAM - 原厂对Consumer DDR4供给量非常有限且涨价态度坚定，但买方追货力道已放缓 [5] - 因终端产品销售未转强且第三季价格接近翻倍，预期第四季DDR4价格涨幅将会收敛 [5] - DDR3因有提前备货需求，叠加产能受排挤和原厂快速去化库存，预期第四季价格将持续上涨 [5]

DRAM市场趋势 - 2025年Q1下游品牌厂提前出货加速DRAM库存去化，Q2常规DRAM价格跌幅预计收敛至0%-5%，若计入HBM则均价季增3%-8% [1] - HBM3e 12hi逐步放量推动HBM渗透率从Q1的8%升至Q2的9%，带动整体DRAM均价上行 [2] 分品类价格预测 PC DRAM - Q1 DDR4/DDR5价格分别下跌13-18%/10-15%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - 三星HBM认证延迟但未大幅转产常规DRAM，SK海力士侧重Server/Mobile DRAM导致PC DDR5供给受限 [4] Server DRAM - Q1 DDR4/DDR5价格下跌10-15%/3-8%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - 北美三大CSP扩大通用服务器采购，中国CSP聚焦AI服务器推动DDR5位元需求显著增长 [4] Mobile DRAM - Q1 LPDDR4X/LPDDR5X价格下跌8-13%/3-8%，Q2转为下跌0-5%/上涨0-5% [2] - 中国手机补贴政策提升高端机型占比，LPDDR5X因供应紧缺获主力厂商控价支撑 [6] Graphics DRAM - Q1 GDDR6/GDDR7价格下跌8-13%/0-5%，Q2跌幅收窄至3-8%/基本持平 [2] - GDDR7供应不稳定，原厂采取搭售DDR6策略以稳定价格并去库存 [6] Consumer DRAM - Q1 DDR3/DDR4价格下跌3-8%/10-15%，Q2转为持平/上涨0-5% [2] - 4G/5G基站扩建推动需求回暖，原厂2024H2已收缩DDR3/4产出 [7] 供给端动态 - 原厂加速DDR4转DDR5产能但初期存在瓶颈，英伟达B200/B300系列加剧HBM产能调配压力 [5] - GDDR7生产启动但供货不稳，三大原厂通过搭售策略平衡供需 [6]