每经AI快讯，1月12日，拓荆科技公告称，2025年12月25日至2026年1月12日，股东国家集成电路基金 通过大宗交易减持261.21万股。2026年1月9日公司完成第二类限制性股票归属登记，总股本增加致其持 股被动稀释。综上，国家集成电路基金持股比例由18.92%降至17.92%，触及1%刻度。本次变动系履行 减持计划，未实施完毕，不影响公司治理等，也无违规。 （文章来源：每日经济新闻） ...

股东持股变动 - 国家集成电路产业投资基金于2025年12月25日至2026年1月12日期间，通过大宗交易方式减持拓荆科技股份261.21万股 [1] - 2026年1月9日，公司完成第二类限制性股票归属登记，总股本增加导致国家集成电路产业投资基金持股比例被动稀释 [1] - 综合上述两项变动，国家集成电路产业投资基金在拓荆科技的持股比例从18.92%下降至17.92%，变动幅度达到1% [1] 变动性质与影响 - 本次持股比例变动系国家集成电路产业投资基金履行其已披露的减持计划，且该减持计划尚未实施完毕 [1] - 公司公告称，本次变动不影响公司的治理结构和持续经营，也不存在违规情形 [1]

证券代码：688072 证券简称：拓荆科技 公告编号：2026-004 拓荆科技股份有限公司 关于 2022 年限制性股票激励计划第三个归属期第一批次 归属结果暨股份上市公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示： 本次股票上市类型为股权激励股份；股票认购方式为网下，上市股数为 1,180,972股。 本次股票上市流通总数为1,180,972股。 本次股票上市流通日期为2026 年 1 月 15 日。 5、2022 年 10 月 28 日，公司于上海证券交易所网站（www.sse.com.cn）披露 了《关于公司 2022 年限制性股票、股票增值权激励计划内幕信息知情人及激励对 象买卖公司股票情况的自查报告》（公告编号：2022-028）。 6、2022 年 11 月 22 日，公司召开第一届董事会第十七次会议与第一届监事会 第十次会议，审议通过了《关于向激励对象授予限制性股票的议案》。公司独立董 事对前述事项发表了同意的独立意见，监事会对前述事项进行核实并发表了核查 意见。 7、2023 年 11 ...

文章核心观点 - AI算力需求驱动半导体产业变革，半导体设备作为上游“卖铲子”的赛道迎来确定性爆发 [1] - 全球半导体设备销售额预计将持续创纪录增长，主要受AI相关投资、存储技术升级及厂商扩产推动 [2] - 存储芯片技术向3D堆叠演进，对刻蚀、薄膜沉积、混合键合等核心设备的需求激增，并带动国产设备厂商在多个细分领域取得进展 [5][6][13] 全球半导体设备市场增长趋势 - 预计2025年全球半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元，同比增长13.7% [2] - 预计2026年和2027年销售额将分别达到1450亿美元和1560亿美元，增长主要受AI相关投资推动 [2] - 晶圆制造设备（WFE）领域2025年预计增长11.0%，达到1157亿美元，较此前预测上调，反映DRAM和HBM领域投资超预期 [2] - 预计2026年韩国将重回全球芯片设备支出第二位，达到约296.6亿美元，较2025年预计的233.2亿美元增长27.2% [4] - 预计2026年中国大陆在半导体设备领域的投入将稳居全球首位，达到约392.5亿美元 [4] 存储市场与厂商扩产驱动设备需求 - 2025年存储市场涨价潮、HBM与DDR5需求爆发及全球巨头扩产，共同拉动半导体设备需求 [2] - 长鑫募集资金重点投向存储器技术升级等项目，拟投入205亿元人民币，直接带动设备市场需求 [3] - 三星电子提高DRAM和NAND生产线效率，专注HBM制造，并重启平泽第五工厂建设，计划2028年量产 [3] - SK海力士清州M15X新工厂准备投产，专注DRAM及AI存储方案，并计划在2027年前完成龙仁园区内大规模晶圆厂建设 [4] - 三星电子DRAM月产能为65万片晶圆，SK海力士月产能为50万片，加上M15X芯片后为55万片 [4] 存储技术升级驱动的核心设备需求 - 3D NAND层数突破400层并向1000层迈进，DRAM向垂直通道晶体管（VCT）演进，HBM通过硅通孔（TSV）技术实现垂直互联，对设备提出颠覆性要求 [5] - 3D NAND扩产和DRAM技术演进对刻蚀和沉积设备拉动最强，HBM扩产额外提升光刻、原子层沉积（ALD）、混合键合等设备需求 [6] - 刻蚀设备：在3D NAND制造中加工极深沟道孔洞、台阶等结构，层数增加使刻蚀设备用量占比从34.9%升至48.4%；单步刻蚀时间随深宽比提升而翻倍，设备数量需求增加；加工HBM的TSV（HBM4达2048个接口）使刻蚀工序增多 [8] - 薄膜沉积设备（含CVD、PVD、ALD等）：3D NAND层数增加使沉积步骤同步增加，设备需求翻倍；ALD设备在3D NAND产线资本开支占比从2D时代的18%升至26%；HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积 [8] - 混合键合设备：HBM堆叠层数提升（未来向24+层迈进）推动需求；HBM3/3E（8~12层）已推动热压键合设备需求，未来HBM4+（16+层）需依赖混合键合技术；3D IC和先进封装技术普及及异质集成需求增长 [8] - SEMI预测2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元，其中3D NAND相关投资占比超40% [10] 关键设备技术细节与市场影响 - 3D NAND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4% [10] - 随着堆叠层数升高，沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍，导致工艺设备数量需求增加 [10] - 从24层到232层3D NAND，每层均需薄膜沉积工艺步骤，催生更多薄膜沉积设备需求 [11] - 东京电子披露，在Flash芯片产线资本开支占比中，薄膜沉积设备在2D时代占比为18%，在3D时代占比为26% [11] - HBM对光刻设备需求升级：DRAM第六代制程（D1c）规模化应用EUV光刻；HBM的TSV接口倍增与线路微米级间距推高EUV光刻需求优先级 [12] - 混合键合设备是HBM制造关键：现阶段HBM3/3E主要依赖热压键合设备；未来层数进一步增加及总高受限将推动混合键合技术成为关键 [12] 中国半导体设备国产化进展 - 刻蚀设备主要代表厂商有中微公司、北方华创、屹唐半导体等 [14] - 中微公司CCP设备覆盖28纳米以上大部分应用，在28纳米及以下节点取得进展，其3D NAND高深宽比刻蚀技术被全球顶级芯片制造商采用 [14] - 北方华创CCP设备在8英寸产线硅刻蚀、介质刻蚀中占主导地位，并成功应用于12英寸产线关键非核心步骤 [14] - 薄膜沉积设备厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等 [15] - 拓荆科技形成PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列产品，客户覆盖中芯国际、华虹集团等 [15] - 中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [15] - 北方华创是国内PVD龙头，在LPCVD、APCVD、ALD领域有布局 [15] - 微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD应用于28nm节点前道生产线的国产设备公司 [15] - 键合设备方面，青禾晶元2025年发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列，并完成交付验证 [16] - 拓荆科技开发Dione 300系列晶圆对晶圆键合设备，其Dione 300 eX用于W2W高精度混合键合已发货验证；还推出芯片对晶圆混合键合设备Pleione 300，应用于HBM领域 [16] - 迈为股份成功开发晶圆混合键合、晶圆临时键合、D2W TCB键合等设备 [16] - 热压键合设备方面，青禾晶元SAB6310已成功导入头部客户CIS产线 [17] - 引线键合设备厂商如奥特维、新益昌、微宸科技等占据国内中小封测厂主要市场 [17] - 芯源微的临时键合机及解键合机专为Chiplet技术打造，可适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求 [17]

证券日报网讯 1月9日，拓荆科技发布公告称，公司将于2026年1月26日召开2026年第一次临时股东会。 （文章来源：证券日报） ...

责任编辑：小浪快报 第1笔成交价格为356.35元，成交33.00万股，成交金额11,759.55万元，溢价率为-0.90%，买方营业部为 机构专用，卖方营业部为华泰证券股份有限公司北京分公司。 进一步统计，近3个月内该股累计发生14笔大宗交易，合计成交金额为14.07亿元。该股近5个交易日累 计上涨8.96%，主力资金合计净流出5309.58万元。 炒股就看金麒麟分析师研报，权威，专业，及时，全面，助您挖掘潜力主题机会！ 1月9日，拓荆科技收跌0.31%，收盘价为359.58元，发生1笔大宗交易，合计成交量33万股，成交金额 1.18亿元。 ...

证券代码：688072 证券简称：拓荆科技 公告编号：2026-002 拓荆科技股份有限公司 关于变更公司董事的公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 重要内容提示： 拓荆科技股份有限公司（以下简称"公司"）董事会于近日收到齐雷先生的 书面辞职报告，齐雷先生由于个人工作原因，申请辞去公司第二届董事会董事及 第二届董事会审计委员会、董事会战略规划委员会委员职务。 根据《拓荆科技股份有限公司章程》（以下简称"《公司章程》"）的相关 规定，公司股东国投（上海）科技成果转化创业投资基金企业（有限合伙）提名 张憬怡女士为公司第二届董事会非独立董事候选人。公司于 2026 年 1 月 9 日召 开第二届董事会第二十二次会议，审议通过了《关于补选公司第二届董事会非独 立董事并相应调整董事会专门委员会委员的议案》，具体情况如下： 一、董事离任情况 (二) 离任对公司的影响 齐雷先生辞任公司董事不会导致公司董事会人数低于法定最低人数，不会影 响公司董事会正常运行。根据《中华人民共和国公司法》（以下简称"《公司法》"） 等相关法律法 ...

证券代码：688072 证券简称：拓荆科技 公告编号：2026-003 拓荆科技股份有限公司 关于召开2026年第一次临时股东会的通知 本公司董事会及全体董事保证公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或 者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 重要内容提示： 一、 召开会议的基本情况 （一） 股东会类型和届次 2026年第一次临时股东会 （二） 股东会召集人：董事会 （三） 投票方式：本次股东会所采用的表决方式是现场投票和网络投票相结合 的方式 （四） 现场会议召开的日期、时间和地点 召开日期时间：2026 年 1 月 26 日 14 点 00 分 召开地点：辽宁省沈阳市浑南区水家 900 号拓荆科技股份有限公司会议室 （五） 网络投票的系统、起止日期和投票时间。 网络投票系统：上海证券交易所股东会网络投票系统 网络投票起止时间：自2026 年 1 月 26 日 至2026 年 1 月 26 日 采用上海证券交易所网络投票系统，通过交易系统投票平台的投票时间为股 股东会召开日期：2026年1月26日 本次股东会采用的网络投票系统：上海证券交易所股东会网络投票系统 东会召开当日的交易时 ...

核心观点 报告认为，在AI浪潮驱动下，中国半导体行业正迎来由“国产替代”和“AI算力需求”双轮驱动的黄金发展期[4][5][6] 行业将沿着“算力芯片自主可控”、“制造环节自主可控”、“底层硬科技自主可控”三个层次递进发展[5][6] 在政策强力支持与外部技术封锁的背景下，国产AI芯片、先进制造、存储、设备材料等全产业链将迎来历史性机遇[4][6][7] 半导体板块行情回顾 - 2025年初至10月28日，国内电子与半导体指数在“国补刺激+AI算力+国产替代”驱动下显著跑赢沪深300，累计涨幅分别达54.46%和54.51%[16] - 同期，费城半导体指数和台湾半导体指数涨幅分别为44.5%和31.4%[16] - 细分板块中，数字芯片设计（+75.3%）和半导体设备（+56.3%）领涨[21] - 2025年上半年，数字芯片设计板块收入同比增长30.0%，归母净利润同比增长44.0%，毛利率达36.3%[28][30] - 半导体设备行业在2025年Q1和Q2收入分别创历史同期新高，同比增长37.6%和33.5%[31] AI算力：云侧AI芯片 - **市场空间**：根据弗若斯特沙利文预测，中国AI芯片市场规模将从2024年的1,425.37亿元激增至2029年的13,367.92亿元，2025-2029年CAGR为53.7%[4][42] 2024年中国GPU市场规模约1,073亿元，同比增长32.96%[40] - **全球需求**：2024年全球GPU市场规模为773.9亿美元，预计2030年达4,724.5亿美元，2024-2030年CAGR为35.19%[37] 2026财年Q1英伟达数据中心业务收入同比增长69%至441亿美元[37] - **资本开支**：北美四大云服务提供商（亚马逊、谷歌、微软、Meta）2025年资本支出计划合计突破3,150亿美元[44] 国内云厂商与运营商算力投资占比显著提升，如阿里巴巴计划未来三年投入3,800亿元用于云计算和AI基础设施[45] - **竞争格局**：国产AI芯片从华为、寒武纪、海光信息“三足鼎立”向沐曦股份、摩尔线程等“群雄逐鹿”演变[7][55] 2025年10月，黄仁勋称英伟达中国市场份额从95%降到0%[55] - **公司进展**：华为已规划昇腾950PR、960、970等多款芯片路线图[58] 寒武纪2025年上半年营收28.81亿元，同比增长4,347.82%，实现扭亏为盈[59] 海光信息DCU已在智算中心、AI等领域实现规模化应用[59] AI算力：端侧AI芯片与交换芯片 - **端侧AI芯片**：受益于智能家居、智能电车等AI终端需求，国内AIoT芯片企业（如瑞芯微、恒玄科技、晶晨股份）业绩进入高速增长阶段[62] - **交换芯片**：超节点+大集群推动运力市场规模提升，Scale-up交换芯片已成为数据中心主力需求，预计2030年全球市场规模接近180亿美元，2022-2030年CAGR约28%[64][66] 目前交换芯片国产化率极低，博通、Marvell占据全球90%以上份额，国产厂商（如数渡科技、盛科通信）正从产品化走向商业化[69] AI存力：存储产业链 - **需求驱动**：AI Capex投入推动服务器需求，同时HDD缺货涨价加速企业级SSD在冷存储领域占比提升[70][72] Offloading技术将部分KV-cache卸载到SSD中成为未来趋势，进一步拉动SSD需求[75] - **市场规模**：测算2025年AI Capex水平可带来约213亿美元DRAM增量市场（不含HBM）和约366亿美元NAND增量市场[76] - **国产模组**：2023年全球DRAM模组市场营收125亿美元，前十大厂商占93%份额，金士顿以68.8%市占率排名第一[79][83] 国产模组厂商市场占比仍低，替代空间广阔[82] - **技术趋势**：HBM是目前主流的近存计算方案[86] 华邦Cube方案有望在端侧算力中应用[90] DRAM架构正从2D转向3D，以提升存储密度和性能[92] - **国产存储**：长鑫存储2025年预计DRAM产量273万片（以晶圆计），同比增长68%，年底市场份额有望增至12%[98] 长江存储总产能约14万片/月，占全球3D NAND市场份额约12%，规划产能达30万片/月[98] AI电力：供电系统 - **GPU功耗**：英伟达GPU功率持续提升，从A100的400W升至B200的1000W，超级芯片GB200功率最高达2700W[101] - **供电架构**：AI服务器需要4颗1800W高功率电源，远超通用服务器的2颗800W电源[101] 英伟达引导数据中心向800V DC供电架构升级，SST（固态变压器）是终极技术形态[105] 巴拿马电源等方案亦为发展方向[106] - **板卡供电**：由多相控制器和DrMOS组成的拓扑架构是GPU/CPU供电的最佳解决方案，可提升供电功率并优化能耗[112] AI底座：晶圆制造与先进封装 - **先进制程**：AI算力扩张是对先进晶圆代工需求的长期、确定性拉动[7][114] 2026年中国智能算力规模预计达1,460.3 EFLOPS，为2024年的两倍[114] - **产能状况**：成熟节点产能利用率企稳回升，行业景气度进入复苏通道[7] “China For China”趋势下，大陆半导体产能扩张已进入快车道[7] - **先进封装**：CoWoS工艺将继续升级，CoWoS-L或成为重要技术路径[7] 高端先进封装是助力算力跃迁的关键[7] AI底层硬科技：设备、材料与EDA/IP - **半导体设备**：国产替代仍是行业大趋势，当前国产化率约21%[7][38] 干法刻蚀、薄膜沉积及CMP或将成为未来4年国产化率迅速提升的领域[6] - **半导体材料**：景气度、自主可控与下游扩产共同推动各领域突破，12英寸硅片、高端光刻胶等材料国产化率亟待提升[7] - **EDA与IP**：作为“芯片之母”，国产化正撕开海外巨头垄断缺口[7] 华大九天、概伦电子等公司有望通过差异化方式竞争[45] RISC-V架构增速将远超传统架构[46]

格隆汇1月8日｜拓荆科技(688072.SH)现跌4.31%报364.58元。拓荆科技公告称，股东中微半导体设备 （上海）股份有限公司因自身经营发展资金需要，计划自公告披露之日起15个交易日后的3个月内，通 过集中竞价及大宗交易方式减持公司股份不超过365.51万股，占公司总股本的1.3%。(格隆汇) ...