减持计划执行情况 - 截至2025年12月17日，拓荆科技相关股东的减持计划时间区间已届满 [1] - 股东CHANGHSIAO-YUNG(张孝勇)通过集中竞价交易方式合计减持股份2.5万股，占公司当前总股本的比例约为0.0089% [1] - 股东刘静通过集中竞价交易方式合计减持股份3万股，占公司当前总股本的比例约为0.0107% [1] - 股东陈新益通过集中竞价交易方式合计减持股份1.02万股，占公司当前总股本的比例约为0.0036% [1] - 股东宁建平通过集中竞价交易方式合计减持股份9580股，占公司当前总股本的比例约为0.0034% [1] - 股东牛新平通过集中竞价交易方式合计减持股份8000股，占公司当前总股本的比例约为0.0028% [1] - 股东许龙旭通过集中竞价交易方式合计减持股份9856股，占公司当前总股本的比例约为0.0035% [1] - 股东赵曦通过集中竞价交易方式合计减持股份1.6万股，占公司当前总股本的比例约为0.0057% [1] - 股东杨小强通过集中竞价交易方式合计减持股份2880股，占公司当前总股本的比例约为0.0010% [1] 减持合规性 - 本次减持符合相关法律法规的规定 [1] - 本次减持不存在违规减持的情况 [1]

公司股东减持计划完成 - 截至2025年12月17日，拓荆科技相关股东的减持计划时间区间届满并实施完毕 [1] - 股东CHANG HSIAO-YUNG（张孝勇）通过集中竞价交易方式合计减持约2.5万股，占公司当前总股本约0.0089% [1] - 股东刘静合计减持3万股，占公司当前总股本约0.0107% [1] - 股东陈新益合计减持约1.02万股，占公司当前总股本约0.0036% [1] - 股东宁建平合计减持9580股，占公司当前总股本约0.0034% [1] - 股东牛新平合计减持8000股，占公司当前总股本约0.0028% [1] - 股东许龙旭合计减持9856股，占公司当前总股本约0.0035% [1] - 股东赵曦合计减持约1.6万股，占公司当前总股本约0.0057% [1] - 股东杨小强合计减持2880股，占公司当前总股本约0.001% [1] 公司市值 - 截至新闻发稿时，拓荆科技市值为948亿元 [2]

证券代码：688072 证券简称：拓荆科技 公告编号：2025-088 重要内容提示： 股东及董事、高级管理人员持股的基本情况 本次减持计划实施前，拓荆科技股份有限公司（以下简称"公司"）股东 CHANG HSIAO-YUNG（张孝勇）先生直接持有公司股份 388,796 股，占公司当 前总股本的 0.1383%，其中持有公司首次公开发行前股份 328,560 股，持有公司 股权激励计划获得股份 60,236 股，均为无限售流通股； 本次减持计划实施前，公司董事、总经理刘静女士直接持有公司股份 120,472 股，占公司当前总股本的 0.0428%；公司副总经理陈新益先生直接持有公司股份 40,808 股，占公司当前总股本的 0.0145%；公司副总经理宁建平女士直接持有公 司股份 38,332 股，占公司当前总股本的 0.0136%；公司副总经理牛新平先生直接 持有公司股份 32,856 股，占公司当前总股本的 0.0117%；公司副总经理许龙旭先 生直接持有公司股份 39,427 股，占公司当前总股本的 0.0140%；公司副总经理、 董事会秘书赵曦女士直接持有公司股份 64,290 股，占公司当前总股本 ...

拓荆科技公告，截至2025年12月17日，公司股东及董监高减持计划时间区间届满。张孝勇通过集中竞价 减持25000股，占总股本的0.0089%；刘静减持30000股，占总股本的0.0107%；陈新益减持10200股，占 总股本的0.0036%；宁建平减持9580股，占总股本的0.0034%；牛新平减持8000股，占总股本的 0.0028%；许龙旭减持9856股，占总股本的0.0035%；赵曦减持16000股，占总股本的0.0057%；杨小强 减持2880股，占总股本的0.0010%。本次减持符合相关法律法规的规定，不存在违规减持的情况。 ...

涉及的行业与公司 * **行业**：半导体行业，具体聚焦于存储产业（DRAM、NAND Flash）及上游的半导体设备、材料、代工与封测环节[1] * **公司**： * **存储原厂**：长鑫存储、长江存储[1][4] * **设备厂商**：拓荆科技、微导纳米、北方华创、中微公司、百奥化学[1][5][11] * **代工厂商**：晶合集成[1][7] * **封测厂商**：新封科技（华东科技）[3][7] * **光刻机产业链**：茂莱光学、波长光电、福晶科技、阿石创、汇成真空[12] 存储行业市场供需与价格趋势 * **供需格局**：预计2026年整体存储需求将超过供给，行业维持供不应求和大缺货状态[1][2] * **价格走势**：2025年9月初起，现货价格大幅上涨；四季度存储合约价格预期涨幅上修，且实际报价超出预期；预计2026年第一季度合约价格将继续超出预期[1][2] * **需求驱动**：预计2026年全球CSP（云服务提供商）相关服务器存储器需求增速至少达到30%[1][2] 国内存储产业链扩产影响 * **扩产规模**：预计长鑫存储和长江存储到2026年的扩产量约为10-11万片[1][5] * **投资强度**：以长鑫为例，每万片扩产投资额约为95亿元；长江存储每万片投资约为70-80亿元[4] * **对设备商影响**：扩产将带来额外订单，例如拓荆科技每多扩产1万片，将带来小10亿左右的额外订单，对其股价弹性有显著帮助[4]；美系供应设备逐步影响后，国产化率提升也会带来相应收益[4] * **订单确定性**：存储设备板块订单确定性较高，如2026年的订单可能在2026年初就能确定，有利于对营收和利润做出较准确预测[6] 存储设备板块市场表现与前景 * **市场表现**：今年以来半导体设备指数增长56%，其中拓荆科技增长120%，微导纳米增长140%[5]；自9月初以来，因存储涨价催化及产品上市预期强化，拓荆科技股价进一步上涨77%，微导纳米上涨52%[5] * **估值与弹性**：以当前市场估值看，每1万片扩产带来的订单弹性可达10%左右[5]；北方华创等公司PE较低，有望通过EPS稳步增长推动市值上升[6] * **时间节点**：每年初设备板块胜率较高，是值得关注的重要时间点[6] 存储技术发展趋势与产业链机会 * **技术方向**：国产DRAM未来技术趋势包括CBA（Chip Bonding Array/Architecture）及CF Square（Cross-point Field Square）[3][8][10] * **技术原理**：这些创新架构将分离逻辑电路与存储单元阵列，通过混合键合等方式进行最终产品组装，以提高生产效率和存储密度[8][9][10]；4A SQUARE技术通过将晶体管改为垂直方向，在光刻节点未显著提升的情况下大幅提高存储密度[9] * **国产化动因**：国产原厂在CF Square和CBA技术方向上比海外更为激进，主要原因是受限于无法获得先进制程设备，尝试以此实现弯道超车[10] * **对代工环节影响**：技术发展将DRAM阵列与CMOS外围电路分开制造，从而产生外包需求[7]；例如28纳米节点代工价格每片2,500-3,000美元，一万片月产能可带来21亿元营收增量；若合作体量达2-3万片，则可分别带来40亿和60多亿营收增量，对晶合集成等公司是巨大机会[7] * **具体合作**：晶合集成有望承接长鑫未来拆分后的逻辑晶圆部分代工业务[11] * **对设备材料影响**：新技术带来了对混合键合及解键合相关设备的需求，利好拓荆科技、百奥化学等设备厂商[11] 封测环节发展 * **公司能力**：新封科技通过参股方式（持有27.5%股权）深耕DRAM封装，其母公司华东科技在该领域积累深厚；目前新封科技具备LPDDR5量产封装能力，并计划到2024年底将产能提升至6万片/月[3][7] * **应用前景**：合作模式不仅在传统DRAM领域，还将在3D GLAM虚拟现实技术应用中发挥作用，为相关企业带来收益[3][7] 其他重要信息（光刻机国产化） * **发展现状**：光刻机是半导体设备中国产化率最低、技术壁垒最高的一类；国产光刻机在精度方面正快速推进，产业层面一直有突破[12] * **市场表现**：光刻机板块股价整体较之前高点下跌了20%~30%[12] * **核心瓶颈**：目前核心瓶颈主要集中在光学零部件，包括镜片、镜头和光源等[12] * **关注标的**：重点推荐茂莱光学、波长光电、福晶科技、阿石创和汇成真空等核心标的[12]

拓荆科技股份有限公司 2025 年第五次临时股东会会议资料 证券代码：688072 证券简称：拓荆科技 拓荆科技股份有限公司 2025 年第五次临时股东会会议资料 2025 年 12 月 拓荆科技股份有限公司 2025 年第五次临时股东会会议资料 拓荆科技股份有限公司 拓荆科技股份有限公司 2025 年第五次临时股东会会议资料 2025 年第五次临时股东会会议须知 目 录 为维护全体股东的合法权利，确保股东会的正常秩序和议事效率，保证股东 会的顺利进行，根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上 市公司股东会规则》以及《拓荆科技股份有限公司章程》《拓荆科技股份有限公 司股东会议事规则》等相关规定，拓荆科技股份有限公司（以下简称"公司"）特 制定 2025 年第五次临时股东会会议须知： | 拓荆科技股份有限公司 | 年第五次临时股东会会议须知 1 2025 | | --- | --- | | 拓荆科技股份有限公司 | 2025 年第五次临时股东会会议议程 3 | | 拓荆科技股份有限公司 | 2025 年第五次临时股东会会议议案 5 | | 议案一：关于公司与关联方共同投资暨关联交易的议案 5 | ...

市场表现与宏观事件 - 本周（2025.12.8-2025.12.12）电子行业指数上涨1.36%，其中半导体子板块领涨3.30%，而光学光电子和消费电子子板块分别下跌1.23%和1.39% [1][2] - 美联储宣布降息25个基点，将联邦基金利率目标区间降至3.50%-3.75%，符合市场预期 [1][2] - 受甲骨文和博通业绩交流不及预期影响，海外科技股大幅下跌，其中费城半导体指数下跌3.58%，英伟达下跌4.05%，博通下跌7.77%，Meta下跌4.33%，苹果下跌0.18%，特斯拉则上涨0.87% [1][2] 行业动态：AI终端与算力 - AI端侧产品呈现井喷式增长，谷歌展示了与XREAL合作的智能眼镜Project Aura，并公布硬件规划：2025年推出与三星等合作的AI眼镜，2026年推出单目光波导AR眼镜，2027年推出双目AR眼镜 [3] - TCL在全球技术创新大会上展示了雷鸟智能眼镜X3Pro、小蓝翼新风AI空调、AI陪伴机器人等产品 [3] - 美国商务部有望允许英伟达向中国出售H200芯片，但将对每颗芯片收取一定费用 [3] - 博通发布第四季度财报，营收达180.2亿美元，同比增长28%，其AI半导体收入预计翻倍至82亿美元 [3] - 甲骨文公布2026财年第二财季业绩，营收与云业务收入均低于市场预期，同时公司上调全年资本开支指引，预计将比此前预期多支出约150亿美元 [3] 行业动态：存储芯片 - 存储芯片供需紧张情况持续，CFM预计2026年第一季度服务器DDR5价格涨幅超40%，其中96GB及以上容量涨幅更为突出 [3] - CFM预计2026年第一季度企业级固态硬盘（eSSD）价格上涨20%至30%，移动端eMMC/UFS价格上涨25%至30%，LPDDR4X/5X价格上涨30%至35% [3] - CFM预计2026年第一季度PC端DDR5/LPDDR5X价格上涨30%至35%，客户端固态硬盘（cSSD）价格上涨25%至30% [3] - 存储模组厂透露，目前NAND缺货程度远超以往，多家同行手中库存仅能维持到2026年第一季度 [4] 投资建议与受益标的 - 合肥长鑫已于今年7月进入辅导期，预计明年长鑫长存的扩产将有较高的同比增速 [5] - 结合先进逻辑厂商的持续扩产，建议关注半导体设备的投资机会 [5] - 报告列举的受益标的包括：北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、迈为股份、中科飞测、精测电子、长川科技、精智达、矽电股份等 [5]

行业核心驱动因素 - 全球半导体行业进入复苏快车道，2025年上半年全球半导体市场规模达3460亿美元，同比增长18.9%，全年预计增长15.4%至7280亿美元 [3] - 半导体设备作为产业先行指标迎来爆发，SEMI预测2025年全球设备出货金额近1000亿美元，2026年将飙升至1381亿美元，连续三年增长，核心驱动力是AI与HBM带来的高性能需求 [3] - AI算力爆发、存储周期上行、国产替代提速形成“三重buff”叠加，半导体设备行业正站在业绩兑现的风口上 [2] 全球市场动态与扩产 - 海外存储大厂开启“扩产竞赛”，三星、SK海力士、美光三大存储原厂2025年资本开支同比增幅超80% [5] - SK海力士全年资本开支上调至203亿美元，重点布局HBM3E与3D DRAM [5] - 技术升级驱动设备需求“量价齐升”，泛林半导体测算，NAND堆叠层数从1yy层提升至5xx层，相关设备市场规模将增长1.8倍 [8] 国内市场与国产替代 - 中国大陆是全球最大单一半导体设备市场，2025年上半年市场规模达216.2亿美元，占全球33.2% [8] - 国内存储厂商扩产提速，长鑫存储完成IPO辅导，此前估值达1400亿元，长江存储三期项目注册资本207.2亿元，表明产能扩充加速 [8] - 国家集成电路产业投资基金三期注册资本3440亿元，重点支持设备和材料，深圳等地方政府出台专项政策支持国产设备 [8] - 核心设备国产化率仍处低位，替代空间巨大，例如光刻机国产化率不足1%，量测设备不足5%，刻蚀、薄膜沉积设备仅10-30% [11][12] 存储周期与设备需求 - AI大模型是存储需求的“超级发动机”，美光数据显示，AI服务器的DRAM容量是普通服务器的8倍，NAND容量是3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB [9] - HBM已成为高端AI芯片标配，2024-2030年全球HBM收入CAGR达33%，未来在DRAM市场的份额有望突破50% [9] - 存储行业进入“量价齐升”超级周期，需求端受AI服务器、数据中心、消费电子复苏三重拉动，供给端海外原厂将产能向高毛利的HBM和Server DRAM倾斜 [9] - 国内存储芯片长期存在15-20%的贸易逆差，扩产紧迫性高，一条12英寸存储产线的设备投资超50亿美元，前道设备占比80%以上，设备采购规模有望超百亿美元 [9][11] 投资主线与公司机会 - **核心设备主线**：刻蚀、光刻、薄膜沉积设备是核心，合计占晶圆制造设备价值量超60% [14] - 刻蚀设备领域，中微公司累计装机超4500腔，北方华创ICP/CCP刻蚀全系列布局 [16] - 薄膜沉积设备领域，拓荆科技PECVD/ALD设备国内市占第一，微导纳米High-k ALD设备产业化，盛美上海电镀设备全球市占率8.2%位列第三 [16] - **平台化龙头主线**：北方华创作为平台型龙头，涵盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等前道核心工艺，控股芯源微完善涂胶显影短板，2025年前三季度营收同比增长33% [17] - **细分赛道机会**：量测设备等领域国产化率低、增长快 - 中科飞测缺陷检测设备累计交付超700台，HBM量测设备优势显著 [18] - 精测电子14nm先进制程明场缺陷检测设备已交付 [18] - 芯源微临时键合机获多家客户订单，步入放量阶段 [18] 行业长期展望 - 半导体设备行业将是“技术迭代+国产替代”双轮驱动，AI和存储技术持续变革催生新设备需求 [13] - 国产设备从成熟制程向先进制程、从单点突破向平台化发展，逐步实现全面替代，成长空间巨大 [13] - 随着2026年全球设备市场突破1300亿美元大关，行业将迈入“量价齐升+份额提升”的黄金增长期 [19]

行业投资评级 - 报告对电子行业给予“买入”评级 [2] 核心观点 - 核心观点：存储是Tokens的积分，AI推理驱动存储需求快速增长，产业链空间广阔 [1][5] - AI服务器中的存储主要包括HBM、DRAM、SSD等，呈现性能逐级下降、容量逐级增加、成本逐级降低的特征 [13] - AI推理驱动存储快速增长，内存受益于超长上下文和多模态推理需求，SSD和HDD是Tokens的积分 [5][23] - AI推理驱动存储需求增长，产业链空间广阔，具体体现在eSSD、MRDIMM、SPD&VPD芯片以及CXL存储池化等领域 [5][25] - 投资建议：AI推理驱动存储周期持续向上，建议关注存储产业链相关标的，包括存储原厂、设备、代工、接口芯片等环节 [5][79] 根据相关目录分别总结 一、存储是TOKENS的积分，推理驱动AI存储快速增长 - AI服务器中的存储主要包括HBM、DRAM、SSD等，构成分级存储体系以支撑高效计算 [13][17] - 内存受益于超长上下文和多模态推理需求，高带宽与大容量内存可降低访问延迟、提升并行效率 [5][23] - SSD和HDD是Tokens的积分，用于存储推理生成的数据，预计未来整体需求将激增至数百EB级别 [5][23] - 基于关键假设测算，2026年10个谷歌级推理应用所需存储容量为49 EB，并预计2029年需求将达到55,367 EB [23][24] 二、AI推理驱动存储需求增长，产业链空间广阔 （一）AI&存储服务器用eSSD空间广阔 - eSSD在AI应用中主要用于训练、推理及数据存储三大场景，长上下文推理、RAG数据库及tokens规模增长将持续增强对其需求 [25] - 基于NVIDIA NVL72参考设计等假设测算，2024、2025、2026年AI服务器用eSSD理论最大市场空间分别为59 EB、89 EB、120 EB [27][30] - 从市场结构看，存储服务器用eSSD出货量增速最为明显，预计2024-2030年CAGR达54%，2030年市场规模将达614 EB [34][36] - AI服务器用eSSD同期CAGR预计为20%，2030年市场规模将达134 EB [34][36] （二）MRDIMM有望应用于大模型推理 - MRDIMM在大模型推理的KV Cache场景下可提供并发更高、上下文更长、端到端时延更低的确定性增益 [5][38] - 根据相关报告，MRDIMM Gen2在AI负载下相对DDR5 RDIMM带宽可提升2.3倍 [38][39] - MRDIMM单条支持最高128GB容量，并适配CPU侧KV Cache卸载，有助于缓解GPU显存压力并优化资源利用 [38][43] （三）SPD&VPD芯片空间广阔 - 随DDR5渗透率提升，SPD芯片技术规格和单价较DDR4世代更高，市场在价值量与需求量双重驱动下快速发展 [5][45] - DDR5 SPD容量从DDR4的512字节升级至1024字节，并集成I2C/I3C总线集线器，增加PMIC和温度传感器配置 [45] - SSD性能提升推动VPD EEPROM产品技术规格升级，其价值量有望随存储容量从4Kbit向上提升及总线从I2C升级至I3C而增加 [5][46] （四）CXL存储池化助力AI推理 - CXL协议可实现存储池化，显著提升计算效率，在KV Cache密集型推理中能形成显著的TCO优势 [5][53][56] - 案例显示，在DeepSeek-1.73B量化模型推理中，采用“1x CPU + CXL内存”配置与“2x CPU”配置性能基本持平，但成本、功耗和发热更低 [56][58] - 英伟达通过入股英特尔和收购Enfabrica布局CXL能力，旨在优化GPU与扩展内存的互连，提升计算效率 [59][61] - 阿里云推出了基于CXL 2.0 Switch技术的PolarDB数据库专用服务器，可实现百纳秒级延迟和数TB/s带宽的远程内存访问，提升推理吞吐 [67][68] - CXL互连芯片（包括MXC和Switch芯片）是技术落地的核心载体，随CXL内存池在服务器中渗透，其市场将进入爆发增长通道 [74][75]

文章核心观点 - 半导体设备行业正迎来由AI算力爆发、存储周期上行和国产替代提速驱动的业绩兑现期，行业成长确定性高，资金重新回流该赛道 [2] - 全球半导体市场复苏与国内扩产提速的核心逻辑清晰，半导体设备作为产业“先行指标”将迎来爆发式增长 [2] 海内外共振，设备市场升温 - 全球半导体市场进入复苏快车道，2025年上半年市场规模达3460亿美元，同比增长18.9%，全年预计增长15.4%至7280亿美元 [3] - 全球半导体设备出货金额2025年预计近1000亿美元，2026年将飙升至1381亿美元，连续三年增长，核心驱动力是AI与HBM带来的高性能需求 [3] - 海外存储大厂开启扩产竞赛，三星、SK海力士、美光三大原厂2025年资本开支同比增幅超80%，重点投向DDR5、HBM及先进结构优化 [5] - 技术升级驱动设备需求“量价齐升”，3D NAND堆叠层数向5xx层甚至1000层突破，相关设备市场规模将增长1.8倍 [8] - 国内市场双线发力：长鑫存储完成IPO辅导，估值达1400亿元；长江存储三期项目注册资本207.2亿元，产能扩充加速 [8] - 政策与资本加码护航，国家集成电路产业投资基金三期注册资本3440亿元，重点支持设备和材料 [8] - 2025年上半年，中国大陆半导体设备市场规模达216.2亿美元，占全球市场的33.2%，为全球最大单一市场 [8] 存储周期启动，设备需求迎爆发 - AI大模型是存储需求的“超级发动机”，AI服务器的DRAM容量是普通服务器的8倍，NAND容量是3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB [8] - HBM作为解决“内存墙”的核心方案，2024-2030年全球收入CAGR达33%，未来在DRAM市场份额有望突破50% [9] - 存储行业进入“量价齐升”超级周期，需求端受AI服务器、数据中心、消费电子复苏三重拉动，供给端原厂向高毛利产品倾斜导致供需缺口扩大 [9] - 国内存储芯片长期存在15-20%的贸易逆差，扩产具有紧迫性，长鑫存储与长江存储的扩产旨在填补国内空白并参与全球竞争 [9] - 一条12英寸存储产线的设备投资超50亿美元，前道设备占比80%以上，随着扩产推进，设备采购规模有望超百亿美元 [12] - 核心设备国产化率仍处低位，替代空间巨大：光刻机国产化率不足1%，量测设备不足5%，刻蚀与薄膜沉积设备仅10-30% [12] 淘金攻略：三条主线锁定产业红利 - 半导体设备行业长期由“技术迭代+国产替代”双轮驱动，晶圆制造设备占比90%，其中刻蚀、光刻、薄膜沉积设备为核心，合计占比超60% [15] - **核心设备主线**：技术迭代驱动量价齐升。中微公司刻蚀设备累计装机超4500腔；北方华创ICP/CCP刻蚀全系列布局；拓荆科技PECVD/ALD设备国内市占第一，HBM混合键合设备突破；微导纳米High-k ALD设备产业化；盛美上海电镀设备全球市占率8.2% [18] - **平台化龙头主线**：满足一站式采购需求，客户粘性强。北方华创作为平台型龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等前道核心工艺，2025年前三季度营收同比增长33% [18] - **细分赛道主线**：国产化率低、增长快的“小而美”机会。中科飞测量测设备累计交付超700台；精测电子14nm先进制程明场缺陷检测设备已交付；芯源微临时键合机获多家订单 [19] 结语 - 半导体设备板块表现从“短期承压”向“成长确定性兑现”价值回归 [20] - 随着2026年全球设备市场突破1300亿美元大关，行业将迈入“量价齐升+份额提升”的黄金增长期，结构性机会值得长期布局 [20]