公开资料显示，作为碳化硅半导体材料行业领军企业，天岳先进目前已实现全系列12英寸碳化硅衬底的 技术攻关，把碳化硅衬底行业带入12英寸时代。据五矿证券研报，碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导 体，凭借其在击穿电场、禁带宽度、热导率、电子饱和漂移速度和折射率等方面的突出优势，正全面渗 透新能源、AI、通信、AR四大产业，成为推动技术升级与效率革命的关键支撑。 五矿证券认为，需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张，预计2027年碳化硅衬底供需紧平衡，甚至存 在出现产能供应紧张的可能性；2030年，全球1676万片的衬底需求量，较2025年的供给，存在约1200万 片的产能缺口。其中，AI中介层、新能源汽车、AR眼镜是三大核心增长点，该行预计到2030年需求占 比分别为37%、26%、23%；其中SiC在AI芯片先进封装散热材料的运用上，若能实现在"基板层"、"中 介层"和"热沉"三个环节的产业化，2030E，全球碳化硅衬底需求量有望达到约3000万片。 天岳先进(02631)涨超7%，截至发稿，涨7.01%，报59.55港元，成交额1.88亿港元。 ...

公司股价与市场表现 - 天岳先进股价上涨7.01%，报59.55港元，成交额达1.88亿港元 [1] 公司技术与行业地位 - 天岳先进是碳化硅半导体材料行业领军企业，已实现全系列12英寸碳化硅衬底的技术攻关，将行业带入12英寸时代 [1] 碳化硅材料优势与应用前景 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体，在击穿电场、禁带宽度、热导率、电子饱和漂移速度和折射率等方面具有突出优势 [1] - 碳化硅正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大产业，成为推动技术升级与效率革命的关键支撑 [1] 行业供需与市场规模预测 - 预计2027年碳化硅衬底将处于供需紧平衡状态，甚至可能出现产能供应紧张 [1] - 预计到2030年，全球衬底需求量将达到1676万片，较2025年的供给存在约1200万片的产能缺口 [1] - 若碳化硅在AI芯片先进封装的“基板层”、“中介层”和“热沉”三个环节实现产业化，2030年全球碳化硅衬底需求量有望达到约3000万片 [1] 核心需求增长点 - AI中介层、新能源汽车、AR眼镜是三大核心增长点，预计到2030年需求占比分别为37%、26%和23% [1]

半导体板块12日盘中强势上扬，截至发稿，晶丰明源20%涨停，燕东微涨近17%，华海诚科、天岳先 进、中科飞测等涨超10%， 行业方面，根据WSTS 2025年秋季发布的最新预测，2025年全球半导体市场规模预计同比增长22.5%， 其中受大型IT企业数据中心投资加速驱动，存储器和逻辑芯片增长尤为强劲。WSTS预计2026年全球半 导体市场规模同比增速或将达到26.3%，数据中心投资有望继续成为市场增长的主要推动力。 华泰证券指出，2025年三季度中国及海外半导体设备企业中国区收入合计145亿美元，同比增长8%；国 产化率22%，同比增长6个百分点。展望2026年，预计中国市场规模同比或将增长2%达到510亿美元； 随着长鑫科技等企业推进上市辅导进程、中芯国际和华虹公司完成收并购动作，预计2026年中国市场先 进工艺逻辑和存储相关投资有望提速。此外，除本土企业有望实现份额提升以外，部分非美企业中国区 市占率或将保持稳定。 ...

全球半导体行业营收里程碑与增长动力 - 2025年第三季度全球半导体营收达到2163亿美元，首次突破单季2000亿美元大关，预计全年将站上8000亿美元 [1] - 行业增长强劲与AI先进工艺扩产和存储超级周期密切相关 [2] - 2025年逻辑芯片收入预计增长37.1%，先进制程与封装持续拉动设备需求 [2] - 2026年全球存储市场规模增速预计达39.4%，同比增速超过2025年的27.8%，有望推动行业规模加速增长 [2] 半导体设备市场表现与国产机遇 - 市场对行业数据反应迅速，半导体设备板块午后拉升，热门半导体设备ETF（561980）盘中涨超3% [1] - 半导体设备ETF成份股表现突出，华海诚科涨超12%，中科飞测、拓荆科技、天岳先进涨超11% [1] - 半导体设备位于产业链上游，是支撑芯片制造与封测的核心产业 [2] - 2025年或是国产半导体设备订单增长与业绩兑现的大年 [2] - 随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇 [2] 细分市场结构与指数表现 - 存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场，其历史表现与整个半导体周期走势一致，大市场与强周期属性并存 [2] - 半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导体产业指数，设备含量超50%，前十大成分股集中于中微公司、北方华创等龙头 [2] - 标的指数年内涨幅超55%，超过芯片产业等同类指数，在新一轮半导体周期中弹性突出 [2]

公司技术路线与产品定位 - 天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅衬底供应商，其产品传统上主要应用于5G通信、雷达等射频领域，为高频、高功率器件提供基础材料支撑 [3] - 公司指出，半绝缘碳化硅衬底是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料 [3] - 公司正积极推进碳化硅导电型器件在机器人领域的产业化合作，并将在碳化硅材料及相关应用方向上持续深化布局 [1] 行业技术路径对比分析 - 从行业技术逻辑看，GaN-on-Si目前多用于消费电子及中低压功率器件领域，具有成本优势 [3] - GaN-on-SiC技术路线结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常应用于对散热和稳定性要求更高的射频或高端功率领域 [3] - SiC导电型器件在频率和散热性能方面具有优势 [1] 新兴应用场景与市场机遇 - 随着人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升，相关应用场景正逐步拓展，有望为公司带来新的增长机遇 [3] - 若下游人形机器人等高端智能装备为追求更高功率密度、更小体积及更优散热性能而采用GaN-on-SiC技术路线制造伺服电机驱动器，将直接增加对半绝缘碳化硅衬底的需求 [3] - 公司将在既有5G通信、雷达等射频应用基础上，继续结合人形机器人、低空经济等新兴场景推动半绝缘碳化硅衬底的产业化落地 [4] 公司发展战略与客户合作 - 公司围绕相关高端功率及射频器件客户，探索更多合作机会，以把握新一轮技术升级和应用拓展带来的市场机会 [4]

格隆汇12月11日丨天岳先进(688234.SH)在互动平台表示，从SiC技术路线本身来看，SiC导电型器件的 频率和散热性能均非常优秀，SiC导电型器件也有在相关机器人领域方向进行应用拓展，公司目前也正 在积极推进相关产业化合作。 关于您提及的具体问题： 1.关于具体产品的技术路线 对于宏微科技、英 诺赛科等友商在特定领域（如人形机器人伺服电机）的具体产品技术路线（是采用GaN-on-Si还是GaN- on-SiC），属于相关公司的具体经营细节，建议您以相关公司官方披露的信息为准。 2.从行业技术逻辑 来看： GaN-on-Si（硅基氮化镓）： 目前在消费电子、中低压功率器件领域应用较多，具有成本优势。 GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）： 结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常用于对散热 要求极高、稳定性要求严苛的射频（RF）领域或高端功率领域。 天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅 衬底供应商。首先，传统意义上来看，半绝缘碳化硅衬底主要应用于5G通信、雷达等射频领域，随着 人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升，确实有助于拓宽公司半绝缘产品的下 游应用场景，为公司带来新的增长 ...

业内人士对21世纪经济报道记者分析，虽然今年碳化硅衬底价格依然在下滑，但态势已经与2024年有所不同。而在应用层面， 除了新能源汽车依然是碳化硅当前最大应用市场之外，AI数据中心和AR眼镜等新场景也在静待爆发，有望打开行业新的成长曲 线。逐渐筑底 从宏观来看，碳化硅衬底领域公司依然面临价格竞争带来的阶段性压力，但相比前一年似乎已经有所改善。 国内碳化硅衬底头部企业天岳先进此前发布的三季度财报显示，期内公司实现营业收入3.18亿元，同比下降13.76%，前三个季 度营收合计下降13.21%；三季度公司实现归母净利润为亏损976万元，同比下滑123.72%，前三个季度合计下滑99.22%。 公告指出，营收下降的原因在于，为应对激烈的市场竞争，扩大碳化硅产品的市场应用，争取更高市场份额，公司战略性调降 了产品销售价格。 净利润下行，则是主要受到产品销售价格下降影响，营业收入及毛利减少；同时新产品客户测试送样使销售费用增加，大尺 寸、新应用产品研发投入使研发费用增加，外汇汇率变动产生汇兑损益使财务费用同比增长。 天岳先进的表现也是当前碳化硅衬底行业普遍面临的竞争情况缩影。 21世纪经济报道记者骆轶琪 经历2024年产 ...

半导体板块市场表现 - 2023年12月8日，半导体板块整体表现强劲，较上一交易日上涨2.82%，领涨A股市场[1] - 同日，上证指数上涨0.54%，深证成指上涨1.39%，半导体板块涨幅显著跑赢大盘指数[1] - 板块内个股普涨，涨幅前十的个股涨幅均超过8.40%，其中赛微微电以18.82%的涨幅领涨[1] 领涨个股详情 - **赛微微电**收盘价101.20元，上涨18.82%，成交4.75万手，成交额4.60亿元[1] - **长光华芯**收盘价148.48元，上涨15.26%，成交24.68万手，成交额34.62亿元[1] - **江波龙**收盘价273.00元，上涨14.64%，成交25.21万手，成交额65.41亿元[1] - **源杰科技**收盘价668.00元，上涨11.54%，成交5.02万手，成交额33.06亿元[1] - **赛微电子**收盘价53.65元，上涨11.35%，成交129.50万手，成交额67.69亿元[1] - 其他涨幅居前的个股包括德明利(涨10.00%)、东芯股份(涨9.70%)、佰维存储(涨8.85%)、神工股份(涨8.71%)和炬光科技(涨8.40%)[1] 下跌个股表现 - 板块内部分个股出现下跌，跌幅最大的是航宇微，下跌2.63%，收盘价17.00元，成交175.19万手，成交额31.06亿元[2] - 其他下跌个股包括宏微科技(跌1.97%)、天岳先进(跌1.64%)、纳芯微(跌1.60%)、臻镭科技(跌1.54%)等，跌幅均小于2.63%[2] 板块资金流向 - 当日半导体板块获得主力资金大幅净流入，净流入金额达44.29亿元[2] - 游资资金呈现净流出状态，净流出21.82亿元[2] - 散户资金同样为净流出，净流出22.47亿元[2]

文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际半导体巨头（如安森美、意法半导体、英飞凌等）正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC/GaN）领域展开联合研发、产能共建、供应链绑定等全方位合作，这成为中国产业实力崛起的重要佐证 [2][3][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场牵引、赛道机遇、政策与生态保障共同作用的结果，产业已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并开始主动嵌入全球价值链 [11][12][14] 关键合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方将依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、电信、消费电子和AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，计划于2026年上半年推出样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，预计总投资约230亿元人民币，规划年产能达数十万片，计划2025年第四季度投产，2028年达产，将形成完整的本地化8英寸碳化硅供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得高质量且有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，未来也将提供200mm材料，天科合达的供应量预计将占英飞凌长期需求量的两位数份额 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆（ROHM）与天科合达签署长期战略协作协议，将天科合达的6英寸导电型碳化硅衬底纳入其供应链 [7]；松下与比亚迪联合研发基于GaN技术的高效电源模块 [7]；恩智浦（NXP）与斯达半导在车规级IGBT和功率模块领域深化合作 [7] 产业现状与数据 - **市场规模**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，持续稳居全球最大消费市场 [10] - **国产化率**：中低端功率器件（如二极管、三极管）国产化率已超80% [10]；国内SiC厂商的市占率有望在2024年底同比增加10~15个百分点，国产化率最高可达20%，并有望在未来3~5年突破50% [10] - **技术领先案例**： - **英诺赛科（GaN）**：是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率已突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片 [11]；2025年8月，作为唯一中国芯片企业打入英伟达800V直流电源架构供应链，为其Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案 [1][11] - **天域半导体（SiC外延片）**：2024年在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一，市场占有率分别达到30.6%和32.5%，在全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入欧美、日韩等国际领先IDM的供应链体系 [10] - **市场预测**：预计到2030年，GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024-2030年期间复合年增长率预计达42% [3] 崛起核心逻辑 - **庞大市场需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代 [11] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC/GaN）产业全球起步较晚，中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [12] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链，高效协同降低了创新与制造成本，打造自主可控产业生态 [12][13] 本土企业崛起与全球化 - **本土企业群体加速崛起**：芯联集成、士兰微、杨杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件设计、制造、封装测试等环节逐渐实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占市场份额 [9] - **出海与全球化布局**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场 [13]；宁波奥拉半导体将自主研发的多相电源技术授权给安森美 [13]；天岳先进实现“A+H”双上市，境外营收占比已达47.53% [13]

文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际功率半导体巨头正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC、GaN）领域展开从联合研发、产能共建到供应链绑定的全方位合作，这成为中国产业实力最直接的背书 [2][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场、赛道与生态三重因素共同作用的结果：庞大终端市场需求牵引、精准把握第三代半导体“换道超车”机遇、政策与完整产业链生态保障 [10][12][13] - 中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并正从满足国内替代转向主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段 [12][14][15] 巨头“抢滩”与合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，安森美提供系统集成、驱动器及封装技术，合作旨在建立高产能、成本优化的全球GaN制造体系，安森美计划于2026年上半年推出相关样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，采用意法半导体专有工艺，预计总投资约230亿元人民币，规划2025年第四季度投产，2028年达产，年产能达数十万片，将形成国内首条8英寸车规级SiC规模化量产线及完整的本地化供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，天科合达供应量预计占其长期需求量的两位数份额，未来也将提供200mm材料，形成“国内高端材料+国际先进制造”的互补格局 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆将天科合达的6英寸导电型SiC衬底纳入其供应链；松下与比亚迪联合研发用于新能源汽车高压快充的GaN功率器件；恩智浦与斯达半导深化车规级IGBT和功率模块合作；东芝曾与天岳先进签署合作协议（后终止），侧面印证了中国企业的技术领先性 [7][8] 中国功率半导体产业现状与数据 - **市场规模与国产化率**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，稳居全球最大消费市场，中低端功率器件如二极管、三极管国产化率已超80%，国内SiC厂商市占率有望在2024年底达20%，未来3-5年有望突破50% [11] - **技术突破与市场地位**： - **GaN领域**：英诺赛科是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片，2025年8月成功打入英伟达800V直流电源架构供应链 [12] - **SiC领域**：天域半导体2024年在中国碳化硅外延片市场收入和销量占有率分别达30.6%和32.5%，全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入国际领先IDM供应链 [11] - **标准制定与生态构建**：英诺赛科参与起草IEEE氮化镓器件测试规范，天岳先进主导碳化硅衬底行业标准，行业话语权提升，产业已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链 [12][13] - **本土企业群体崛起**：芯联集成、士兰微、扬杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件各环节实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占份额 [9] 产业崛起的核心逻辑（逆袭密码） - **庞大市场的需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代和产能扩张 [12] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC、GaN）产业起步较晚，全球处于同一起跑线，让中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒和生态鸿沟，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [13] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，形成了覆盖全产业链的完整生态，高效协同降低了创新与制造成本，打造出自主可控的产业生态，降低了对海外供应链的依赖 [13][14] 全球化布局与出海进程 - **出海模式多元化**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，从“引进来”转向“走出去”，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场；宁波奥拉半导体将多相电源技术授权给安森美；天岳先进境外营收占比已达47.53% [14] - **产业阶段转变**：标志着产业已从满足国内替代需求的“内向型”发展，进入主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段，真正开始在高端价值链上展现竞争力 [14] 未来展望：从“逆袭”到“领跑” - **当前阶段**：中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段 [15] - **未来机遇**：全球能源革命催生广阔市场，为中国企业凭借技术与产能优势开疆拓土提供了舞台 [15] - **核心挑战**：国际技术保护主义抬头，关键制造设备与材料仍存在“卡脖子”风险，产业整体虽大却有待更强，市场竞争愈发激烈 [15] - **竞争基础**：庞大的内需市场提供战略纵深，完整的产业链形成集群优势，持续的高强度研发投入正在攻克技术难题，未来的竞争将是技术耐力、生态构建能力和全球运营能力的综合比拼 [15]