公司资本运作与股权变动 - 天岳先进于2025年8月20日完成H股在香港联合交易所主板挂牌上市 [1] - 公司于2025年9月14日悉数行使超额配售权 导致总股本增加 [1] - 哈勃投资所持公司股份数量未变 但其持股比例因总股本增加而被被动稀释 [1] 主要股东减持情况 - 2025年10月28日至2025年12月16日 哈勃投资通过集中竞价交易方式减持公司股份 [1] - 本次权益变动后 哈勃投资持有公司2423.09万股 占公司总股本的5.00% [1] - 权益变动触及5%刻度 [1]

股东持股变动 - 天岳先进股东哈勃科技创业投资有限公司持股比例由6.34%下降至5.00% [1] - 持股比例下降原因包括公司发行H股导致被动稀释以及哈勃投资主动减持 [1] - 哈勃投资在公司H股于2025年8月20日上市及超额配售权行使后持股数量未变但比例被动稀释 [1] - 哈勃投资随后通过集中竞价交易方式减持公司股份303.16万股变动比例为-0.63% [1] 变动影响评估 - 本次权益变动不触及要约收购 [1] - 本次权益变动不会对公司持续经营产生重大影响 [1]

公司股权变动 - 本次权益变动前，哈勃科技创业投资有限公司持有天岳先进27,262,500股，占公司总股本的6.34% [1] - 因公司发行H股并在香港联合交易所挂牌上市且超额配售权悉数行使，公司总股本增加，导致哈勃投资持股比例被动稀释至5.63% [1] - 2025年10月28日至12月16日，哈勃投资通过集中竞价交易方式减持公司3,031,600股无限售条件流通A股股份，占公司总股本的0.63% [1] - 本次权益变动后，哈勃投资持有公司24,230,900股，占公司总股本的5.00%，权益变动已完成 [1] - 截至本报告书签署日，哈勃投资所持股份不存在质押、查封、冻结等权利限制情形 [1]

市场整体表现 - 12日A股主要股指午后放量拉升 沪指涨0.41%报3889.35点 深证成指涨0.84% 创业板指涨0.97% 科创50指数涨1.74% [2] - 沪深北三市合计成交21193亿元 较此前一日增加逾2300亿元 [2] - 港股走强 恒生指数、恒生科技指数双双涨近2% [2] 半导体板块表现 - 半导体板块午后强势拉升 成为市场领涨板块 [2][4] - 多只半导体个股大幅上涨 晶丰明源20%涨停 燕东微涨近17% 华海诚科、天岳先进、中科飞测等涨超10% [5][6] - 行业增长预期强劲 根据WSTS 2025年秋季预测 2025年全球半导体市场规模预计同比增长22.5% 2026年同比增速或将达到26.3% [6] - 机构观点认为 国产化驱动下的渗透率提升是设备板块后续增长的重要来源 头部整机设备企业2025年订单有望实现20%—30%以上增长 [7] - 预计2025年先进制程维持较强表现 成熟制程复苏 后道封装温和复苏 2.5D/3D先进封装下半年有望有积极进展 [7] - 国产替代进程加速 头部客户诉求强 预计后续国产化率提升斜率更陡峭 [7] 核电概念表现 - 核电概念盘中爆发 多只个股涨停 [2][8] - 天力复合30%涨停 中洲特材、博盈特焊、邵阳液压等均涨停 航宇科技逼近涨停 [8][9] - 机构表示 AI算力需求激增 科技巨头加速布局核能领域 [9] - 我国BEST项目已于2025年3月完成首块顶板顺利浇筑 聚变新能、中国科学院等离子体物理研究所公布了多项招标公告 [9] - 我国核电“热堆—快堆—聚变堆”三步走路线明确 核电建设有望进入高质量发展轨道 [9] 摩尔线程个股异动 - 摩尔线程股价大幅跳水 收盘跌13.4%报814.88元/股 全日成交103.8亿元 [2][11] - 公司提示风险 股票价格可能存在短期上涨过快出现的下跌风险 新产品尚未产生收入 实现销售存在不确定性 [11] - 公司2025年1—9月营业收入为7.85亿元 归属于母公司所有者的净利润为-7.24亿元 [11] - 公司预计2025年归属于母公司股东的净利润为-11.68亿元至-7.3亿元 存在持续亏损及无法在预期时间点实现盈利的风险 [11]

公司股价表现 - 天岳先进(02631.HK)股价在交易中上涨超过7%，截至发稿时涨幅为7.01%，报59.55港元 [1] - 公司股票成交额达到1.88亿港元 [1]

公司股价与市场表现 - 天岳先进股价单日上涨7.01%，报收59.55港元，成交额达1.88亿港元 [1] 公司技术与行业地位 - 公司是碳化硅半导体材料行业领军企业，已实现全系列12英寸碳化硅衬底的技术攻关，将行业带入12英寸时代 [1] 碳化硅材料特性与应用前景 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体，在击穿电场、禁带宽度、热导率等方面具有突出优势 [1] - 该材料正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大产业，成为推动技术升级与效率革命的关键支撑 [1] 行业供需与市场规模预测 - 预计到2027年，碳化硅衬底行业将呈现供需紧平衡，甚至可能出现产能供应紧张 [1] - 预计到2030年，全球衬底需求量将达到1676万片，相比2025年的供给存在约1200万片的产能缺口 [1] - 若碳化硅在AI芯片先进封装的“基板层”、“中介层”和“热沉”三个环节实现产业化，2030年全球碳化硅衬底需求量有望达到约3000万片 [1] 核心需求增长驱动 - AI中介层、新能源汽车、AR眼镜是三大核心增长点 [1] - 预计到2030年，AI中介层、新能源汽车、AR眼镜的需求占比将分别达到37%、26%和23% [1]

公司股价与市场表现 - 天岳先进股价上涨7.01%，报59.55港元，成交额达1.88亿港元 [1] 公司技术与行业地位 - 天岳先进是碳化硅半导体材料行业领军企业，已实现全系列12英寸碳化硅衬底的技术攻关，将行业带入12英寸时代 [1] 碳化硅材料优势与应用前景 - 碳化硅作为第三代宽禁带半导体，在击穿电场、禁带宽度、热导率、电子饱和漂移速度和折射率等方面具有突出优势 [1] - 碳化硅正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大产业，成为推动技术升级与效率革命的关键支撑 [1] 行业供需与市场规模预测 - 预计2027年碳化硅衬底将处于供需紧平衡状态，甚至可能出现产能供应紧张 [1] - 预计到2030年，全球衬底需求量将达到1676万片，较2025年的供给存在约1200万片的产能缺口 [1] - 若碳化硅在AI芯片先进封装的“基板层”、“中介层”和“热沉”三个环节实现产业化，2030年全球碳化硅衬底需求量有望达到约3000万片 [1] 核心需求增长点 - AI中介层、新能源汽车、AR眼镜是三大核心增长点，预计到2030年需求占比分别为37%、26%和23% [1]

半导体板块市场表现 - 2025年12月12日盘中，半导体板块强势上扬，晶丰明源20%涨停，燕东微涨近17%，华海诚科、天岳先进、中科飞测等涨超10% [1] 全球半导体行业增长预测 - 根据WSTS 2025年秋季预测，2025年全球半导体市场规模预计同比增长22.5% [1] - 存储器和逻辑芯片增长尤为强劲，主要受大型IT企业数据中心投资加速驱动 [1] - WSTS预计2026年全球半导体市场规模同比增速或将达到26.3% [1] - 数据中心投资有望继续成为2026年市场增长的主要推动力 [1] 中国半导体设备市场现状与展望 - 2025年第三季度，中国及海外半导体设备企业中国区收入合计145亿美元，同比增长8% [1] - 2025年第三季度，国产化率达到22%，同比增长6个百分点 [1] - 展望2026年，预计中国半导体设备市场规模同比或将增长2%，达到510亿美元 [1] - 随着长鑫科技等企业推进上市辅导进程、中芯国际和华虹公司完成收并购动作，预计2026年中国市场先进工艺逻辑和存储相关投资有望提速 [1] - 除本土企业有望实现份额提升外，部分非美企业中国区市占率或将保持稳定 [1]

全球半导体行业营收里程碑与增长动力 - 2025年第三季度全球半导体营收达到2163亿美元，首次突破单季2000亿美元大关，预计全年将站上8000亿美元 [1] - 行业增长强劲与AI先进工艺扩产和存储超级周期密切相关 [2] - 2025年逻辑芯片收入预计增长37.1%，先进制程与封装持续拉动设备需求 [2] - 2026年全球存储市场规模增速预计达39.4%，同比增速超过2025年的27.8%，有望推动行业规模加速增长 [2] 半导体设备市场表现与国产机遇 - 市场对行业数据反应迅速，半导体设备板块午后拉升，热门半导体设备ETF（561980）盘中涨超3% [1] - 半导体设备ETF成份股表现突出，华海诚科涨超12%，中科飞测、拓荆科技、天岳先进涨超11% [1] - 半导体设备位于产业链上游，是支撑芯片制造与封测的核心产业 [2] - 2025年或是国产半导体设备订单增长与业绩兑现的大年 [2] - 随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇 [2] 细分市场结构与指数表现 - 存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场，其历史表现与整个半导体周期走势一致，大市场与强周期属性并存 [2] - 半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导体产业指数，设备含量超50%，前十大成分股集中于中微公司、北方华创等龙头 [2] - 标的指数年内涨幅超55%，超过芯片产业等同类指数，在新一轮半导体周期中弹性突出 [2]

公司技术路线与产品定位 - 天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅衬底供应商，其产品传统上主要应用于5G通信、雷达等射频领域，为高频、高功率器件提供基础材料支撑 [3] - 公司指出，半绝缘碳化硅衬底是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料 [3] - 公司正积极推进碳化硅导电型器件在机器人领域的产业化合作，并将在碳化硅材料及相关应用方向上持续深化布局 [1] 行业技术路径对比分析 - 从行业技术逻辑看，GaN-on-Si目前多用于消费电子及中低压功率器件领域，具有成本优势 [3] - GaN-on-SiC技术路线结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常应用于对散热和稳定性要求更高的射频或高端功率领域 [3] - SiC导电型器件在频率和散热性能方面具有优势 [1] 新兴应用场景与市场机遇 - 随着人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升，相关应用场景正逐步拓展，有望为公司带来新的增长机遇 [3] - 若下游人形机器人等高端智能装备为追求更高功率密度、更小体积及更优散热性能而采用GaN-on-SiC技术路线制造伺服电机驱动器，将直接增加对半绝缘碳化硅衬底的需求 [3] - 公司将在既有5G通信、雷达等射频应用基础上，继续结合人形机器人、低空经济等新兴场景推动半绝缘碳化硅衬底的产业化落地 [4] 公司发展战略与客户合作 - 公司围绕相关高端功率及射频器件客户，探索更多合作机会，以把握新一轮技术升级和应用拓展带来的市场机会 [4]