股价表现 - 天岳先进午后涨超4% 截至发稿时涨幅达3.19% 股价报44.6港元 成交额1.08亿港元 [1] 战略合作 - 公司与东芝电子元件就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 涉及技术协作与商业合作 [1] - 合作内容包括针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作 以及扩大高品质稳定衬底供应的商业合作 [1] 技术发展 - 东芝电子元件以铁路用SiC功率半导体开发制造为基础 正加速推进服务器电源用及车载用SiC器件开发 [1] - 未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性高效率电力转换应用产品 [1] 行业地位 - 天岳先进在SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位 [1] - 此次合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [1]

股价表现 - 天岳先进午后涨超4% 截至发稿涨3.19%报44.6港元 成交额达1.08亿港元 [1] 战略合作 - 公司与东芝电子元件就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 涵盖技术协作与商业合作 [1] - 合作重点包括SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作 以及扩大高品质稳定衬底供应的商业合作 [1] 技术协同 - 东芝电子元件在铁路用SiC功率半导体领域具有开发制造及供应实绩 正加速推进服务器电源用和车载用SiC器件开发 [1] - 东芝未来将致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性高效率产品 [1] - 与天岳先进的合作对SiC衬底技术改良至关重要 公司是全球SiC衬底开发及量产技术领域的领导者 [1] 市场前景 - 双方合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [1]

公司股价表现 - 天岳先进午后股价上涨超4% 截至发稿时涨幅达3.19% 报44.6港元 [1] - 成交额达1.08亿港元 显示市场关注度较高 [1] 战略合作内容 - 与东芝电子元件就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 涵盖技术协作与商业合作 [1] - 技术协作重点针对SiC功率半导体特性提升与品质改善 [1] - 商业合作旨在扩大高品质稳定衬底供应 [1] 合作方技术背景 - 东芝电子元件拥有铁路用SiC功率半导体的开发、制造及供应实绩 [1] - 正加速推进服务器电源用及车载用SiC器件开发 [1] - 未来致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性、高效率产品 [1] 行业协同效应 - 东芝电子元件认为与SiC衬底技术改良的紧密协作至关重要 [1] - 天岳先进在SiC衬底开发及量产技术领域具有全球领导地位 [1] - 合作有望为各应用场景提供最优解决方案并加速业务拓展 [1]

合作内容 - 天岳先进与东芝电子就SiC功率半导体用衬底达成基本协议 包括技术协作与商业合作 [1] - 技术协作针对SiC功率半导体特性提升与品质改善 [1] - 商业合作旨在扩大高品质稳定衬底供应 [1] 行业背景 - 功率半导体承担电力供应与控制功能 是实现电气设备节能化及碳中和不可或缺的半导体元件 [3] - 在设备电力使用效率提升等需求背景下 预计未来功率半导体市场需求将持续扩大 [3] - SiC衬底功率半导体应用于电动汽车 可再生能源系统等高效电力转换场景 [3] - 电力效率之外 可靠性与品质稳定性成为重要课题 [3] 东芝电子战略 - 以铁路用SiC功率半导体的开发 制造及供应实绩为基础 加速推进服务器电源用 车载用等SiC器件开发 [3] - 未来致力于进一步降低SiC功率半导体损耗 开发高可靠性 高效率产品 [3] - 除自主研发外 与SiC衬底技术改良的紧密协作至关重要 [3] - 与天岳先进合作有望为各应用场景提供最优解决方案 加速业务拓展 [3] 天岳先进技术实力 - 公司自2010年创立以来始终专注于单晶SiC衬底的开发生产 [4] - 将品质与技术研发作为核心经营理念 碳化硅衬底领域相关专利数量全球前五 [4] - 2022年作为中国首家SiC概念企业上市 实现全球化业务拓展与市场份额垂直增长 [4] - 2024年率先发布全球首款12英寸SiC衬底 [4] - 2025年实现n型 半绝缘型及p型全系产品12英寸衬底布局 [4] - 通过合作将把SiC功率半导体产品需求转化为衬底品质与可靠性提升 [4]

公司核心事件 - 天岳先进于2025年8月启动H股全球发售 和而泰智能控制国际有限公司作为基石投资者认购8000万港元 [1] - 天岳先进是全球少数具备8英寸碳化硅衬底量产能力的企业之一 并已推出12英寸碳化硅衬底产品 [1] - 2024年天岳先进在全球碳化硅衬底市场收入占比16.7% 位列行业前三 [1] - 天岳先进2024年实现营业收入17.68亿元人民币 同比增长41.4% 净利润1.79亿元人民币 实现扭亏为盈 [1] - 天岳先进产品应用于新能源汽车主驱系统 AI服务器电源 光伏逆变器 高频通信等终端场景 [1] - 天岳先进已与全球前十大功率半导体器件制造商中的多数建立合作关系 [1] 战略投资逻辑 - 和而泰通过子公司投资天岳先进 因碳化硅衬底在高压高频高温性能上与智能控制业务存在协同关系 [2] - 天岳先进的材料能力和产业地位为和而泰提供潜在技术协同和产业延伸基础 [2] - 天岳先进是浙江铖昌科技产业链的一部分 为和而泰提供稳定的上游碳化硅材料供应 [2] 行业前景 - 全球碳化硅衬底市场规模预计从2023年12亿美元增长至2030年82亿美元 年均复合增长率达31.1% [2] - 碳化硅产业链增长受益于汽车电动化 AI数据中心扩张及高端能源电子设备需求提升 [2]

科创板两融余额变动 - 8月21日科创板两融余额达2026.42亿元，较上一交易日增加5.13亿元 [1] - 融资余额为2019.81亿元，单日增加4.98亿元 [1] - 融券余额为6.61亿元，单日增加0.15亿元 [1] 个股融资净买入情况 - 322只科创板个股获融资净买入，其中18只净买入金额超3000万元 [1] - 寒武纪获融资净买入额居首，达2.78亿元 [1] - 中微公司、佰维存储、厦钨新能、天岳先进、翱捷科技净买入金额均超5000万元 [1]

核心事件 - 公司因发行H股并在香港联交所主板上市导致总股本增加 引发主要股东持股比例被动稀释 [3][8] - 本次权益变动不涉及要约收购 且不会导致控股股东及实际控制人发生变化 [3][4][10] 股东持股变动详情 - 宗艳民及一致行动人持股数量保持165,335,726股不变 但持股比例从38.48%降至34.63% 减少3.85个百分点 [4] - 国材股权投资基金持股数量保持38,673,994股不变 持股比例从9.00%降至8.10% 减少0.9个百分点 [4] - 哈勃科技创业投资有限公司持股数量保持27,262,500股不变 持股比例从6.34%降至5.71% 减少0.63个百分点 [4] 变动背景与机制 - 持股比例变化纯粹源于公司发行H股导致总股本扩大 股东未进行任何主动减持操作 [3][8] - 公司明确提示本次发行上市是否行使超额配售权尚存不确定性 后续可能进一步引发权益变动 [11]

上市表现 - 天岳先进于8月20日在香港联交所主板挂牌上市，开盘价为45 60港元/股，较发行价上涨6 54%，收盘报45 54港元/股，上涨6 4%，总市值达217 4亿港元 [1] - 公司发行价为42 8港元，全球发售4774 57万股H股，其中香港公开发售占比35 00%，国际发售占比65 00%，募资总额20 44亿港元，净额约19 38亿港元 [3] 公司背景与行业地位 - 天岳先进成立于2010年11月，专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售，产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底，应用于微波电子和电力电子领域 [3] - 公司是全球排名前三的碳化硅衬底制造商，2024年市场份额为16 7%，并实现8英寸碳化硅衬底量产，率先完成2英寸到8英寸商业化，同时推出12英寸衬底 [3] - 天岳先进是唯一"A+H"上市的碳化硅衬底公司，2022年1月12日在上交所科创板上市 [3] 募资用途 - 募资净额19 38亿港元将主要用于扩张8英寸及更大尺寸碳化硅衬底产能、加强研发能力以及补充营运资金和一般企业用途 [3] 财务业绩 - 2024年公司营业收入17 68亿元，同比增长41 37%，归母净利润1 80亿元，同比扭亏为盈，扣非净利润1 58亿元，同比扭亏为盈 [4] - 2025年第一季度营业收入4 08亿元，归母净利润851 82万元，扣非净利润359 58万元 [4]

股价表现 - 股价63.53元 较前一交易日下跌2.73元 跌幅4.12% [1] - 开盘价66.50元 最高价66.97元 最低价63.36元 [1] - 成交量113093手 成交金额7.32亿元 [1] 业务概况 - 主营碳化硅衬底材料研发、生产和销售 [1] - 产品应用于电力电子及微波射频领域 [1] 资本市场动态 - 8月20日完成香港联交所主板上市 发行规模23.5亿港元 [1] - 成为港股市场碳化硅材料行业首家上市公司 [1] - 8月21日发生大宗交易10.21万股 成交金额541.54万元 成交价53.04元较收盘价折价16.51% [1] - 买方为兴业证券北京复兴门外大街营业部 卖方为中国银河证券北京金融街营业部 [1] 资金流向 - 当日主力资金净流出1.44亿元 占流通市值0.53% [1] - 近五日主力资金累计净流出3.18亿元 占流通市值1.16% [1]

股票上市流通安排 - 上市类型为首发限售股份 认购方式为网下 [1] - 上市流通数量为1.29亿股 上市流通总数同为1.29亿股 [1] - 上市流通日期为2025年7月14日 因非交易日顺延 [1]