全球半导体行业营收里程碑与增长动力 - 2025年第三季度全球半导体营收达到2163亿美元，首次突破单季2000亿美元大关，预计全年将站上8000亿美元 [1] - 行业增长强劲与AI先进工艺扩产和存储超级周期密切相关 [2] - 2025年逻辑芯片收入预计增长37.1%，先进制程与封装持续拉动设备需求 [2] - 2026年全球存储市场规模增速预计达39.4%，同比增速超过2025年的27.8%，有望推动行业规模加速增长 [2] 半导体设备市场表现与国产机遇 - 市场对行业数据反应迅速，半导体设备板块午后拉升，热门半导体设备ETF（561980）盘中涨超3% [1] - 半导体设备ETF成份股表现突出，华海诚科涨超12%，中科飞测、拓荆科技、天岳先进涨超11% [1] - 半导体设备位于产业链上游，是支撑芯片制造与封测的核心产业 [2] - 2025年或是国产半导体设备订单增长与业绩兑现的大年 [2] - 随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇 [2] 细分市场结构与指数表现 - 存储器是半导体中仅次于逻辑的第二大细分市场，其历史表现与整个半导体周期走势一致，大市场与强周期属性并存 [2] - 半导体设备ETF（561980）跟踪中证半导体产业指数，设备含量超50%，前十大成分股集中于中微公司、北方华创等龙头 [2] - 标的指数年内涨幅超55%，超过芯片产业等同类指数，在新一轮半导体周期中弹性突出 [2]

公司技术路线与产品定位 - 天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅衬底供应商，其产品传统上主要应用于5G通信、雷达等射频领域，为高频、高功率器件提供基础材料支撑 [3] - 公司指出，半绝缘碳化硅衬底是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料 [3] - 公司正积极推进碳化硅导电型器件在机器人领域的产业化合作，并将在碳化硅材料及相关应用方向上持续深化布局 [1] 行业技术路径对比分析 - 从行业技术逻辑看，GaN-on-Si目前多用于消费电子及中低压功率器件领域，具有成本优势 [3] - GaN-on-SiC技术路线结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常应用于对散热和稳定性要求更高的射频或高端功率领域 [3] - SiC导电型器件在频率和散热性能方面具有优势 [1] 新兴应用场景与市场机遇 - 随着人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件需求的提升，相关应用场景正逐步拓展，有望为公司带来新的增长机遇 [3] - 若下游人形机器人等高端智能装备为追求更高功率密度、更小体积及更优散热性能而采用GaN-on-SiC技术路线制造伺服电机驱动器，将直接增加对半绝缘碳化硅衬底的需求 [3] - 公司将在既有5G通信、雷达等射频应用基础上，继续结合人形机器人、低空经济等新兴场景推动半绝缘碳化硅衬底的产业化落地 [4] 公司发展战略与客户合作 - 公司围绕相关高端功率及射频器件客户，探索更多合作机会，以把握新一轮技术升级和应用拓展带来的市场机会 [4]

公司业务与市场定位 - 天岳先进是全球领先的半绝缘碳化硅衬底供应商 [1] - 公司半绝缘碳化硅衬底传统上主要应用于5G通信、雷达等射频领域 [1] - 公司正在积极推进SiC导电型器件在机器人领域的产业化合作 [1] 技术路线与产品应用 - SiC导电型器件在频率和散热性能上非常优秀，已在机器人领域进行应用拓展 [1] - 半绝缘碳化硅衬底是GaN-on-SiC技术路线的核心基础材料 [1] - GaN-on-SiC技术结合了氮化镓的高频性能和碳化硅的高导热性能，通常用于对散热和稳定性要求严苛的射频或高端功率领域 [1] - GaN-on-Si目前在消费电子、中低压功率器件领域应用较多，具有成本优势 [1] 新兴市场机遇 - 人形机器人、低空经济等新兴产业对高性能功率器件的需求提升，有助于拓宽公司半绝缘产品的下游应用场景 [1] - 若人形机器人等高端智能装备为追求更高功率密度、更小体积及更优散热性能而采用GaN-on-SiC技术路线制造伺服电机驱动器，将直接增加对半绝缘碳化硅衬底的需求 [1] - 新兴产业为公司带来新的增长机遇 [1]

行业现状：价格竞争趋缓，逐步筑底企稳 - 经历2024年产能扩张与价格承压后，2025年碳化硅市场正走向价格逐渐企稳的阶段[1] - 2024年6英寸碳化硅导电型衬底全年降幅约达30%，部分厂商报价低于3000元每片，已逼近大多数厂商的成本线[3] - 2025年价格虽延续下降趋势，但整体下降走势放缓，降价空间有限，车规级和定制化产品价格依旧坚挺[3] - 行业非理性竞争因素正在减少，价格体系将会逐步回归理性与稳定[3] - 6英寸碳化硅衬底价格在2025年仍有较明显下滑趋势，但基本已经触底，预计后续价格将相对平稳[3] 公司案例：天岳先进的业绩表现与市场策略 - 天岳先进2024年第三季度实现营业收入3.18亿元，同比下降13.76%[1] - 前三季度营收合计下降13.21%[1] - 第三季度归母净利润为亏损976万元，同比下滑123.72%[1] - 前三季度归母净利润合计下滑99.22%[1] - 营收下降主要原因为应对激烈市场竞争，战略性调降产品销售价格以扩大市场应用、争取更高份额[1] - 净利润下行主要受产品降价导致营收及毛利减少，以及销售、研发、财务费用增加影响[2] - 公司感受到下游客户采购意愿随行业需求回暖逐步提升，功率半导体与碳化硅市场正呈现积极态势[4] - 公司已推出应用于AI数据中心的定制化衬底产品，可为未来潜在需求提供技术支撑[11] 技术趋势：从6英寸向8英寸及更大尺寸演进 - 国内除扩产6英寸衬底外，积极推进向8英寸发展是重要趋势[5] - 国内8英寸衬底产能增速非常快，但与6英寸总量相比体量仍有限[5] - 8英寸衬底长期看有成本摊薄优势，但目前良率、设备折旧、工艺成熟度仍有进步空间，对下游厂商暂无量产降本明显效果[5] - 从6英寸切换到8英寸产品需要重新导入，存在一定周期，预计8英寸放量仍需一段时间[5] - 新能源汽车从6英寸切换到8英寸经济性优势明显，有望最先成为8英寸量产落地的场景[5] - 8寸及12寸产品作为行业主流升级方向，受益于新能源车、储能、数据中心、先进封装、AR光波导等领域的需求释放[4] 应用市场：新能源汽车为基本盘，AI数据中心等新场景崛起 - 新能源汽车依然是碳化硅当前最大的应用市场[1] - 新能源汽车是碳化硅功率器件最大的下游，需求稳定增长[5] - 车规级碳化硅模块需经长周期可靠性验证与功能安全认证，与主机厂深度绑定，提高了供应替代成本，使得该领域竞争相对温和、价格韧性更强[6] - AI数据中心和AR眼镜等新场景静待爆发，有望打开行业新的成长曲线[1] - 全球数据中心正经历算力和功率密集度的爆发性增长，为碳化硅器件在高压、高功率应用中的采用提供了明确的市场驱动力[10] - 新能源汽车在未来3–5年内保持碳化硅最大应用领域[10] - 数据中心市场目前体量尚小，但由于高功率、效率驱动的采纳加速，以及HVDC架构落地带来的系统升级需求，其增速将有望成为碳化硅应用领域中最快的[10] - 短期内汽车应用仍然是碳化硅市场的主要驱动力，但AI数据中心具有极高的边际增量潜力[11] - 若未来800V HVDC电力架构被头部玩家广泛采纳，成长空间非常可观[11] - 2025年碳化硅行业站在“价格触底”与“AI增量”的交叉时点，AI数据中心与AR眼镜将有望成为行业增长的“第二引擎”[11] 具体应用与客户动态：AI数据中心电力架构升级 - 英伟达计划从2027年开始，率先向800V HVDC数据中心电力基础设施过渡，以支持1MW及以上的IT机架[7] - 英飞凌正与英伟达合作，开发基于全新架构的800V HVDC系统，将提供硅、碳化硅和氮化镓器件解决方案[10] - 纳微半导体与英伟达的合作主要支持为其GPU供电的“Kyber”机架级系统，该系统由GaNFast和GeneSiC电源提供技术支持[10] - 数据中心服务器机柜功率从千瓦级迅速攀升至兆瓦级，供电模式正转向800V HVDC架构，第三代半导体碳化硅/氮化镓是实现这一转型的关键[11] - 碳化硅主要应用于数据中心供电架构的前端、中端环节，负责处理最高电压和最大功率的转换操作[11] - 碳化硅功率半导体具备卓越的热性能和开关特性，对于下一代的固态变压器技术至关重要[11] 不同应用领域的价值量与竞争格局差异 - 碳化硅在千伏以下的中低压市场更易出现产品同质化和价格竞争[5] - 电网、轨道交通等高压至超高压领域对晶体质量、器件结构和制造工艺的要求显著更高，技术门槛与可靠性标准远超常规功率器件，因此能够维持更高的价值量与更稳健的价格体系[5]

半导体板块市场表现 - 2023年12月8日，半导体板块整体表现强劲，较上一交易日上涨2.82%，领涨A股市场[1] - 同日，上证指数上涨0.54%，深证成指上涨1.39%，半导体板块涨幅显著跑赢大盘指数[1] - 板块内个股普涨，涨幅前十的个股涨幅均超过8.40%，其中赛微微电以18.82%的涨幅领涨[1] 领涨个股详情 - **赛微微电**收盘价101.20元，上涨18.82%，成交4.75万手，成交额4.60亿元[1] - **长光华芯**收盘价148.48元，上涨15.26%，成交24.68万手，成交额34.62亿元[1] - **江波龙**收盘价273.00元，上涨14.64%，成交25.21万手，成交额65.41亿元[1] - **源杰科技**收盘价668.00元，上涨11.54%，成交5.02万手，成交额33.06亿元[1] - **赛微电子**收盘价53.65元，上涨11.35%，成交129.50万手，成交额67.69亿元[1] - 其他涨幅居前的个股包括德明利(涨10.00%)、东芯股份(涨9.70%)、佰维存储(涨8.85%)、神工股份(涨8.71%)和炬光科技(涨8.40%)[1] 下跌个股表现 - 板块内部分个股出现下跌，跌幅最大的是航宇微，下跌2.63%，收盘价17.00元，成交175.19万手，成交额31.06亿元[2] - 其他下跌个股包括宏微科技(跌1.97%)、天岳先进(跌1.64%)、纳芯微(跌1.60%)、臻镭科技(跌1.54%)等，跌幅均小于2.63%[2] 板块资金流向 - 当日半导体板块获得主力资金大幅净流入，净流入金额达44.29亿元[2] - 游资资金呈现净流出状态，净流出21.82亿元[2] - 散户资金同样为净流出，净流出22.47亿元[2]

文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际半导体巨头（如安森美、意法半导体、英飞凌等）正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC/GaN）领域展开联合研发、产能共建、供应链绑定等全方位合作，这成为中国产业实力崛起的重要佐证 [2][3][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场牵引、赛道机遇、政策与生态保障共同作用的结果，产业已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并开始主动嵌入全球价值链 [11][12][14] 关键合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方将依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、电信、消费电子和AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，计划于2026年上半年推出样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，预计总投资约230亿元人民币，规划年产能达数十万片，计划2025年第四季度投产，2028年达产，将形成完整的本地化8英寸碳化硅供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得高质量且有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，未来也将提供200mm材料，天科合达的供应量预计将占英飞凌长期需求量的两位数份额 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆（ROHM）与天科合达签署长期战略协作协议，将天科合达的6英寸导电型碳化硅衬底纳入其供应链 [7]；松下与比亚迪联合研发基于GaN技术的高效电源模块 [7]；恩智浦（NXP）与斯达半导在车规级IGBT和功率模块领域深化合作 [7] 产业现状与数据 - **市场规模**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，持续稳居全球最大消费市场 [10] - **国产化率**：中低端功率器件（如二极管、三极管）国产化率已超80% [10]；国内SiC厂商的市占率有望在2024年底同比增加10~15个百分点，国产化率最高可达20%，并有望在未来3~5年突破50% [10] - **技术领先案例**： - **英诺赛科（GaN）**：是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率已突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片 [11]；2025年8月，作为唯一中国芯片企业打入英伟达800V直流电源架构供应链，为其Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案 [1][11] - **天域半导体（SiC外延片）**：2024年在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一，市场占有率分别达到30.6%和32.5%，在全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入欧美、日韩等国际领先IDM的供应链体系 [10] - **市场预测**：预计到2030年，GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024-2030年期间复合年增长率预计达42% [3] 崛起核心逻辑 - **庞大市场需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代 [11] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC/GaN）产业全球起步较晚，中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [12] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链，高效协同降低了创新与制造成本，打造自主可控产业生态 [12][13] 本土企业崛起与全球化 - **本土企业群体加速崛起**：芯联集成、士兰微、杨杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件设计、制造、封装测试等环节逐渐实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占市场份额 [9] - **出海与全球化布局**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场 [13]；宁波奥拉半导体将自主研发的多相电源技术授权给安森美 [13]；天岳先进实现“A+H”双上市，境外营收占比已达47.53% [13]

文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”，从全球产业的边缘走向舞台中央，从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际功率半导体巨头正以前所未有的广度与深度，与中国企业在第三代半导体（SiC、GaN）领域展开从联合研发、产能共建到供应链绑定的全方位合作，这成为中国产业实力最直接的背书 [2][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场、赛道与生态三重因素共同作用的结果：庞大终端市场需求牵引、精准把握第三代半导体“换道超车”机遇、政策与完整产业链生态保障 [10][12][13] - 中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段，并正从满足国内替代转向主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段 [12][14][15] 巨头“抢滩”与合作案例 - **安森美与英诺赛科（GaN）**：双方依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台，联合开发面向工业、汽车、AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件，安森美提供系统集成、驱动器及封装技术，合作旨在建立高产能、成本优化的全球GaN制造体系，安森美计划于2026年上半年推出相关样品 [3] - **意法半导体与三安光电（SiC）**：双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂，采用意法半导体专有工艺，预计总投资约230亿元人民币，规划2025年第四季度投产，2028年达产，年产能达数十万片，将形成国内首条8英寸车规级SiC规模化量产线及完整的本地化供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**：英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议，以确保获得有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆，天科合达供应量预计占其长期需求量的两位数份额，未来也将提供200mm材料，形成“国内高端材料+国际先进制造”的互补格局 [6] - **其他国际企业合作**：日本罗姆将天科合达的6英寸导电型SiC衬底纳入其供应链；松下与比亚迪联合研发用于新能源汽车高压快充的GaN功率器件；恩智浦与斯达半导深化车规级IGBT和功率模块合作；东芝曾与天岳先进签署合作协议（后终止），侧面印证了中国企业的技术领先性 [7][8] 中国功率半导体产业现状与数据 - **市场规模与国产化率**：2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元，稳居全球最大消费市场，中低端功率器件如二极管、三极管国产化率已超80%，国内SiC厂商市占率有望在2024年底达20%，未来3-5年有望突破50% [11] - **技术突破与市场地位**： - **GaN领域**：英诺赛科是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业，2024年全球市场占有率突破42.4%，累计出货量超过20亿颗芯片，2025年8月成功打入英伟达800V直流电源架构供应链 [12] - **SiC领域**：天域半导体2024年在中国碳化硅外延片市场收入和销量占有率分别达30.6%和32.5%，全球市场分别为6.7%及7.8%，位列前三，产品已进入国际领先IDM供应链 [11] - **标准制定与生态构建**：英诺赛科参与起草IEEE氮化镓器件测试规范，天岳先进主导碳化硅衬底行业标准，行业话语权提升，产业已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链 [12][13] - **本土企业群体崛起**：芯联集成、士兰微、扬杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件各环节实现突破，凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占份额 [9] 产业崛起的核心逻辑（逆袭密码） - **庞大市场的需求牵引**：中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场，庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间，推动企业快速迭代和产能扩张 [12] - **赛道机遇的精准把握**：第三代半导体（SiC、GaN）产业起步较晚，全球处于同一起跑线，让中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒和生态鸿沟，获得了“换道超车”机会，在该领域的技术差距仅为1-3年 [13] - **政策与生态的双重保障**：从国家战略顶层设计到产业集群协同发展，形成了覆盖全产业链的完整生态，高效协同降低了创新与制造成本，打造出自主可控的产业生态，降低了对海外供应链的依赖 [13][14] 全球化布局与出海进程 - **出海模式多元化**：中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界，从“引进来”转向“走出去”，例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场；宁波奥拉半导体将多相电源技术授权给安森美；天岳先进境外营收占比已达47.53% [14] - **产业阶段转变**：标志着产业已从满足国内替代需求的“内向型”发展，进入主动参与全球竞争、整合全球资源的“外向型”新阶段，真正开始在高端价值链上展现竞争力 [14] 未来展望：从“逆袭”到“领跑” - **当前阶段**：中国功率半导体已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越，部分领域进入“局部领跑”阶段 [15] - **未来机遇**：全球能源革命催生广阔市场，为中国企业凭借技术与产能优势开疆拓土提供了舞台 [15] - **核心挑战**：国际技术保护主义抬头，关键制造设备与材料仍存在“卡脖子”风险，产业整体虽大却有待更强，市场竞争愈发激烈 [15] - **竞争基础**：庞大的内需市场提供战略纵深，完整的产业链形成集群优势，持续的高强度研发投入正在攻克技术难题，未来的竞争将是技术耐力、生态构建能力和全球运营能力的综合比拼 [15]

公司股价与业务动态 - 天岳先进股价午后涨超6%，截至发稿涨5.09%，报61.9港元，成交额2.15亿港元 [1] - 公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立了业务合作关系 [1] - 客户主要采用公司高品质碳化硅衬底制造功率器件及射频器件，最终用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域 [1] 行业需求与市场前景 - 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题 [1] - 若CoWoS未来将中介层替换为碳化硅，按CoWoS在2028年后35%复合增长率和70%替换碳化硅来推演，则2030年对应需要超过230万片12吋碳化硅衬底 [1] - 2030年230万片12吋碳化硅衬底需求等效约为920万片6吋衬底，远超当前产能供给 [1]

公司股价与市场表现 - 天岳先进午后股价上涨超过6%，截至发稿时上涨5.09%，报61.9港元，成交额达2.15亿港元 [1] 公司业务与客户进展 - 公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系 [1] - 客户主要采用公司高品质的碳化硅衬底制造功率器件及射频器件 [1] - 其产品最终用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域 [1] 行业需求与市场前景 - 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题 [1] - 若CoWoS未来将中介层替换为碳化硅，并假设CoWoS在2028年后以35%的复合增长率增长，且70%的份额替换为碳化硅，则到2030年将需要超过230万片12英寸碳化硅衬底 [1] - 该需求等效约为920万片6英寸衬底，远超当前产能供给 [1]

公司股价与市场表现 - 天岳先进(02631)股价午后涨超6%，截至发稿时上涨5.09%，报61.9港元，成交额达2.15亿港元 [1] 公司业务与客户进展 - 公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立了业务合作关系 [1] - 客户主要采用公司高品质的碳化硅衬底制造功率器件及射频器件 [1] - 其产品最终用于电动汽车、AI数据中心以及光伏系统等领域 [1] 行业需求与市场前景 - 解决CoWoS封装散热问题成为AI算力芯片发展重要课题 [1] - 若CoWoS未来将中介层替换为碳化硅，并假设CoWoS在2028年后以35%的复合增长率增长，且70%的份额替换为碳化硅，则到2030年将需要超过230万片12英寸碳化硅衬底 [1] - 该需求等效约为920万片6英寸衬底，远超当前产能供给 [1]