美国时间周二（6日），美股的存储芯片板块强势上涨，多家公司股价的涨幅达到两位数，明显提振了 市场情绪，带动主要股指上扬，截至收盘，道指上涨0.99%，标普500指数上涨0.62%，纳指上涨 0.65%。其中，道指和标普500指数均创收盘历史新高。（总台央视记者 张曼曼） 编辑：王一帆 ...

美东时间周二，美国股市迎来一轮强势上涨，道琼斯工业平均指数与标普500指数双双创下历史收盘新 高，道指首次突破49000点大关，收于49462.08点，涨幅0.99%；标普500指数收报6944.82点，上涨 0.62%；纳斯达克综合指数收于23547.17点，涨幅0.65%。市场交投活跃，累计成交187亿股，显著高于 近期均值，反映出投资者情绪高涨。 | 道琼斯 | 纳斯达克 | 标普500 | | --- | --- | --- | | 49462.08 | 23547.17 | 6944.82 | | +484.90 +0.99% | +151.35 +0.65% | +42.77 +0.62% | 本轮上涨的核心驱动力来自半导体与存储板块，人工智能（AI）乐观情绪再度升温推动资金涌入相关 个股。存储芯片股集体爆发，闪迪股价飙升超过27%，近5个交易日累计涨幅高达43%，创下盘中历史 纪录；美光科技大涨10%，总市值突破3800亿美元；西部数据涨超16%，希捷科技攀升14%，微芯科技 涨幅超过11%。 费城半导体指数当日收涨2.75%，创历史新高，年初以来累计涨幅约8%。这一走势与英伟达CEO黄仁勋 在 ...

美股市场整体表现 - 美股三大指数集体收涨，道指和标普500指数双双创下历史收盘新高 [3] 科技巨头表现分化 - 科技七巨头跌多涨少，亚马逊强势领跑，股价上涨超过3% [2] - 特斯拉股价大跌超过4%，公司推出Model 3/Y/Y L七年超低息购车方案，被视为变相降价，且其2025年全年交付数据表现惨淡 [2] 存储芯片行业大涨 - 存储芯片股集体大涨，闪迪股价飙升超过27%，创盘中历史新高，最近5个交易日累计涨幅高达43% [5] - 美光科技股价上涨10%，再创历史新高，总市值突破3800亿美元 [5] - 西部数据股价上涨超过16%，希捷科技上涨14%，微芯科技上涨超过11% [5] 热门中概股表现不一 - 纳斯达克中国金龙指数下跌0.78% [8] - 部分中概股涨幅显著：禾赛科技上涨10.45%，亚朵上涨5.62%，小马智行上涨5.29%，华佳集团上涨4.82%，亿咖通科技上涨4.17%，霸王茶姬上涨3.57%，搜狐上涨3.38% [7][8] - 部分中概股跌幅较大：震坤行下跌12.50%，无忧英语下跌10.46%，阿特斯太阳能下跌6.75%，BOSS直聘下跌6.52%，老虎证券下跌6.03% [8][9] 贵金属市场强势上涨 - 现货黄金价格站上4500美元/盎司 [3][9] - 现货白银价格突破82美元/盎司，自2026年开年以来累计上涨15% [3][9] - 伦敦银现年初至今累计涨幅为15.32% [10] 其他资产类别动态 - 国际油价表现弱势，WTI原油价格下跌超过2%，ICE布油价格下跌近2% [10] - 加密货币市场涨跌不一，比特币价格一度大跌，后跌幅缩窄至0.63%，重新回到9.3万美元上方；以太坊和SOL价格上涨超过1% [10] - 最近24小时内，加密货币市场爆仓人数近13万人，爆仓金额近4.5亿美元 [10]

记者丨曾静娇 编辑丨刘雪莹 美东时间周二，美股三大指数集体收涨，道指、标普500指数双双创下历史收盘新高。存储芯片股集体 大涨，热门中概股涨跌不一。黄金白银继续狂飙，现货黄金站上4500美元，现货白银开年以来累计上涨 15%。 | 道琼斯 | 纳斯达克 | 标普500 | | --- | --- | --- | | 49462.08 | 23547.17 | 6944.82 | | +484.90 +0.99% | +151.35 +0.65% | +42.77 +0.62% | | 中国金龙指数 | 纳指100期货 | 标普500期货 | | 7836.43 | 25831.25 | 6988.50 | | -61.81 -0.78% | +253.50 +0.99% | +44.75 +0.64% | 具体来看，科技七巨头跌多涨少，亚马逊强势领跑，涨超3%，特斯拉则大跌超4%。消息面上，1月6 日，特斯拉官微发布Model 3/Y/Y L推出7年超低息购车方案。这被认为是变相降价，此前特斯拉出炉的 2025年全年交付数据，表现惨淡。 | 名称 | 现价 | 涨跌 | 涨跌幅 ▼ | 年初至今 | | -- ...

美股存储板块市场表现 - 当地时间1月6日，美股存储板块股价大幅上涨，闪迪（SanDisk）日内涨幅达24%，为十个月以来最大涨幅，美光科技涨近7%并再创历史新高，希捷科技与西部数据涨近10% [1] DRAM价格涨幅与预期 - 三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，2026年第一季度报价较2025年第四季度上涨60%-70% [1] - 市场研究公司DRAMeXchange将2026年第一季度服务器用DRAM固定交易价格的涨幅预期上调至60%至65% [1] - 多家投行预测，按全年口径计算，2026年服务器DRAM的平均销售价格（ASP）最高将同比上涨144% [2] - 自2025年7月以来，DRAM价格持续快速上行，多数品类涨幅超过100%，DDR4与DDR5内存年内已涨价2至3倍 [3] 涨价驱动因素与行业分析 - 存储龙头涨价的底气来自对服务器DRAM短缺问题日益严重的预期 [1] - 内存厂商正集中精力生产HBM3E，导致服务器DRAM产能遭受积压，供需鸿沟拉大 [2] - 谷歌和微软等公司拓展基于推理的AI服务业务，推动服务器通用DRAM需求激增，同时博通增加HBM3E订单，进一步加剧DRAM短缺 [2] - 客户清楚三星和SK海力士短期内难以迅速提升产能，因此业内预计客户会接受大幅涨价 [1] - 大型客户认为可以承受AI基础设施所需支出，不太可能强烈反对DRAM价格上涨，因为实现基于推理的AI盈利更为重要 [1] 对公司业绩的影响与预测 - 花旗预计，三星电子2026年营业利润将达155万亿韩元，较2025年增长253% [2] - 摩根士丹利预计，SK海力士2026年营业利润为148万亿韩元，较2025年激增224% [2] - 在数据中心需求爆发、存储芯片供应持续趋紧、价格大幅上涨的背景下，美光科技交出一份明显强于预期的FY26Q1财报，并给出强劲的第二财季指引 [2] - 预计存储芯片供应短缺将在2026年持续并维持更久，以美光为代表的存储IDM厂商将大为受益 [2] 市场现象与具体价格 - 256G的DDR5服务器内存单条价格已超过4万元人民币，一次采购一盒100根价值超过400万元，价值已超过上海不少房产 [3] - 话题“一盒内存条堪比上海一套房”登上热搜第二名 [2]

美股存储板块市场表现 - 当地时间1月6日，美股存储板块股价大幅上涨，闪迪(SanDisk)大涨24%，为十个月以来最大日内涨幅，美光科技涨近7%并再创历史新高，希捷科技与西部数据涨近10% [1] - 具体个股表现：闪进现价340.790美元，涨幅24.34%；美光科技现价333.739美元，涨幅6.92%；希捷科技现价318.660美元，涨幅9.95%；西部数据现价206.635美元，涨幅9.98% [2] DRAM价格暴涨动态 - 三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，2026年第一季度报价将较2025年第四季度上涨60%-70% [2] - 市场研究公司DRAMeXchange将2026年第一季度服务器用DRAM固定交易价格的涨幅预期上调至60%至65% [3] - 自2025年7月以来，DRAM价格持续快速上行，多数品类涨幅超过100%，DDR4与DDR5内存年内已涨价2—3倍 [6] - 行业数据显示，256G的DDR5服务器内存单条价格已超4万元人民币，一盒100根价值超过400万元人民币 [6] 存储芯片涨价原因与行业背景 - 存储龙头涨价的底气源于对服务器DRAM短缺问题日益严重的预期 [4] - 内存厂商正集中精力生产HBM3E，导致服务器DRAM产能遭受积压，供需鸿沟拉大 [4] - 谷歌和微软等公司拓展基于推理的AI服务业务，推动服务器通用DRAM需求激增 [4] - 正在为客户开发ASIC的博通增加HBM3E订单，进一步加剧DRAM短缺 [4] - 客户清楚三星和SK海力士短期内很难迅速提升产能，因此业内预计客户会接受大幅涨价 [3] - 大型客户认为可以承受AI基础设施所需支出，实现基于推理的AI盈利更为重要，因此不太可能强烈反对DRAM价格上涨 [3] 行业趋势与机构预测 - 存储的涨价趋势或将贯穿整个2026年 [4] - 多家投行预测，按全年口径计算，2026年服务器DRAM的平均销售价格(ASP)最高将同比上涨144% [4] - 花旗预计三星电子2026年营业利润将达155万亿韩元，较2025年增长253% [4] - 摩根士丹利预计SK海力士2026年营业利润为148万亿韩元，较2025年激增224% [4] - 中信建投证券分析师认为，在数据中心需求爆发、存储芯片供应持续趋紧的背景下，存储芯片供应短缺将在2026年持续并维持更久，美光为代表的存储IDM厂商将大为受益 [4]

美股存储板块市场表现 - 当地时间1月6日，美股存储板块股价大幅上涨，闪迪大涨24%，为十个月以来最大日内涨幅，美光科技涨近7%并再创历史新高，希捷科技与西部数据均涨近10% [1] - 具体个股表现：闪迪现价340.790美元，涨幅24.34%；美光科技现价333.739美元，涨幅6.92%；希捷科技现价318.660美元，涨幅9.95%；西部数据现价206.635美元，涨幅9.98% [2] DRAM价格暴涨趋势 - 三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，2026年第一季度报价将较2025年第四季度上涨60%-70% [2] - 市场研究公司DRAMeXchange将2026年第一季度服务器用DRAM固定交易价格的涨幅预期上调至60%至65% [2] - 自2025年7月以来，DRAM价格持续快速上行，多数品类涨幅超过100%，DDR4与DDR5内存年内已涨价2至3倍 [5] - 行业数据显示，256G的DDR5服务器内存单条价格已超4万元人民币，一盒100根价值超过400万元人民币 [5] 存储芯片供需与行业前景 - 存储龙头涨价的底气来自对服务器DRAM短缺问题日益严重的预期，内存厂商正集中精力生产HBM3E，导致服务器DRAM产能遭受积压，供需鸿沟拉大 [3] - 谷歌和微软等公司拓展基于推理的AI服务业务，推动服务器通用DRAM需求激增，同时博通增加HBM3E订单，进一步加剧DRAM短缺 [3] - 存储的涨价趋势或将贯穿整个2026年，多家投行预测，按全年口径计算，2026年服务器DRAM的平均销售价格最高将同比上涨144% [3] - 中信建投证券分析认为，在数据中心需求爆发、存储芯片供应持续趋紧的背景下，存储芯片供应短缺将在2026年持续并维持更久，美光为代表的存储IDM厂商将大为受益 [3] 主要厂商业绩预期 - 花旗预计，三星电子2026年营业利润将达155万亿韩元，较2025年增长253% [3] - 摩根士丹利预计，SK海力士2026年营业利润为148万亿韩元，较2025年激增224% [3]

记者丨张嘉钰 编辑丨江佩佩 1月6日，美股三大指数开盘涨跌互现，截至23:00，三大指数全线转涨，道琼斯指数涨0.21%，标普500 指数涨0.36%，纳斯达克综合指数涨0.46%。 | 名称 | 现价 | 涨跌 | 涨跌幅 | | --- | --- | --- | --- | | 道琼斯丁 平均 | 49077.93 | 100.75 | 0.21% | | 纳斯达克指数 | 23503.69 | 107.87 | 0.46% | | 标普500 | 6926.92 | 24.87 | 0.36% | | 纳斯达克100 | 25571.44 | 170.12 | 0.67% | | 万得美国科技七巨头指数 | 66274.40 | 126.01 | 0.19% | | 万得中概科技龙头指数 | 4529.16 | 13.62 | 0.30% | | 纳斯达克中国金龙指数 | 7954.56 | 56.32 | 0.71% | 美股存储概念股大涨，闪迪涨22.79%股价创盘中历史新高，美光科技涨7%，报334美元/股，再创历史 新高，总市值突破3700亿美元。微芯科技涨超8%。 | 名称 | 现价 | 涨 ...

存储概念股大涨，闪迪涨13.5%，美光科技涨3.4%，希捷科技涨超2%，西部数据张1.3%。消息面上， 韩国经济日报援引行业匿名人士消息称，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM 价格较2025年第四季度提升60%至70%。据悉，三星与SK海力士坚持采用季度合约而非长期协议，以灵 活适应价格变动。行业预计，在AI算力需求爆发及数据中心投资扩大的推动下，DRAM价格有望在 2027年前保持逐季度阶梯式上涨的态势。(格隆汇) ...

全球存储芯片市场现状与驱动因素 - 全球存储芯片市场正经历前所未有的价格暴涨周期，核心驱动在于人工智能浪潮导致的结构性供需失衡 [2] - 2026年第一季度，DRAM原厂将大规模转移先进制程产能至服务器与HBM应用，导致消费电子、移动设备等领域的通用型DRAM供给严重紧缩 [2] - 自2024年底以来，部分内存模组现货价格涨幅惊人，其中DDR4 16Gb模块价格在一年内飙升约1800% [2] - 有消息称，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%~70% [1][2] - 存储涨价势头目前仍看不到丝毫缓和的迹象 [1][2] 资本市场反应 - 涨价预期下，资本市场大力追捧存储原厂，三星电子股价2025年以来已涨超160%，2026年1月以来涨超15%并续创历史新高 [2] - SK海力士股价2026年1月以来涨逾11%，距离刷新历史高点只差6% [2] - A股半导体设备板块迎来强势上涨，2026年1月6日，北方华创、拓荆科技、中科飞测等设备龙头股盘中集体刷新历史高点 [1][3] - A股存储器指数强势拉升，普冉股份、恒烁股份、北京君正、兆易创新等多只成份股涨幅居前，金海通收盘涨停并创历史新高 [3] 国内存储产业机遇与长鑫科技 - 国内存储产业正迎来关键发展窗口，海外原厂将资本开支倾斜于HBM等高端产品，导致传统存储供需缺口持续，国内厂商扩产紧迫性上升 [4] - 长鑫科技作为全球第四大DRAM原厂，其IPO已获受理，拟募资295亿元投向技改与研发 [1][5] - 长鑫科技在本轮上行周期中业绩显著改善，2025年营收预计达550亿至580亿元，第四季度毛利率有望突破40%，并可能在2026年实现扭亏为盈 [4] - 公司目前拥有合肥与北京三座12英寸晶圆厂，预计2026年全部达产，产品已覆盖DDR5、LPDDR5X等主流技术平台 [4] - 2025年第三季度，全球DRAM市场由SK海力士、美光、三星寡头垄断，三家合计市占率超90%，长鑫存储市占率不到6%，具备大幅提升空间 [5] 国产半导体设备与材料产业链受益逻辑 - 市场普遍预期，存储涨价周期叠加国内存储厂商扩产提速，国产半导体设备板块将率先受益，业绩确定性凸显 [1] - 长鑫科技的产能爬坡与技术追赶，被视为拉动国产设备与材料环节需求的关键力量 [1] - 多家机构指出，国产半导体设备与材料企业将直接受益于国内存储原厂的高稼动率与持续扩产计划，尤其在前道制程、量测、清洗、CMP等已实现突破的环节 [3] - 设备企业订单能见度正在提升，伴随需求持续释放，原厂扩产必须率先采购设备，设备企业的业绩能见度较高 [3] - AI驱动的HBM和高端存储需求，创造了结构性而非周期性的设备投资机会，3D NAND堆叠与DRAM技术迭代使得刻蚀、薄膜沉积等核心设备的使用量和价值量大幅提升 [5] - 随着龙头企业产能规模提升与技术迭代，本土具备卡位优势的设备与材料厂商将迎来订单放量机会，国产替代进程将在存储领域进一步提速 [5] 长鑫科技募投项目具体规划 - 长鑫科技拟募集资金295亿元，主要用于量产线技改、DRAM技术升级及前瞻技术研发三方面 [5] - 量产线技改项目将投入75亿元，逐步向中高端产品切换工艺，并同步推动本土设备、材料、零部件的合作，其中设备购置安装费用约46.66亿元 [5] - DRAM技术升级项目总投资180亿元，其中设备购置安装占174亿元，计划2025年第四季度启动采购，2026至2027年分批完成设备搬入 [5] - 这些项目大部分设备导入预计在2027年底前完成，2028年上半年进行验收 [1][5]