行情速递 - 主板领涨个股包括华天科技(+10.06%)、澳弘电子(+10.02%)、新亚电子(+10.02%)、深圳华强(+10.00%)、好上好(+10.00%) [1] - 创业板领涨个股包括太龙股份(+20.01%)、创益通(+20.01%)、中光防雷(+20.00%) [1] - 科创板领涨个股包括龙芯中科(+13.56%)、方邦股份(+8.39%)、灿瑞科技(+8.11%) [1] - 活跃子行业包括SW集成电路封测(+3.37%)、SW通信网络设备及器件(+3.33%) [1] 国内新闻 - LOHO和光粒联合发布的户外AR智能运动眼镜预计10月发售，具备实时数显、导航、音乐等功能，聚焦户外运动场景，支持近视用户特殊设计 [1] - 紫光展锐完成辅导备案并启动IPO，具备大型芯片集成及套片能力，产品覆盖移动通信中央处理器、基带芯片、射频前端芯片等 [1] - 世界先进董事长方略表示客户需求积极，下半年美元营收同比有望温和成长，全年预计健康成长 [1] - 希微科技完成数亿元B轮融资，资金将用于推进国产Wi-Fi 6芯片市场拓展及Wi-Fi 7芯片预研，加速产品组合布局 [1] 公司公告 - 科达自控拟以现金20,910万元收购海图科技51%股份（25,500,001股），成为控股股东 [3] - 微创光电智慧交通募投项目延期，原计划2025年6月30日完成，现调整为2025年12月31日 [3] - 锦富技术因2021年金属品贸易业务会计处理错误导致三份季度报告虚增营业收入（第一季度5,293.88万元、半年度11,132.06万元、前三季度17,234.83万元），被江苏证监局警告并罚款400万元 [3] - 钜泉科技核心技术人员张旭明因退休辞去职务，公司聘任其为技术顾问继续指导研发 [3] 海外新闻 - 加拿大政府以国家安全为由要求海康威视在加拿大境内全面停止营运 [3] - Nordic Semiconductor将以1.2亿美元收购美国初创企业Memfault，获取其物联网云端设备监测平台，该平台现有100家客户 [3] - 美光推出Micron 2600 QLC SSD，采用PCIe 4.0接口，提供512GB-2TB版本及三种尺寸，性能对标TLC [3] - Neuralink已有七位志愿者成功植入脑机介面设备，展示意念操作成果，马斯克提出明年恢复视力、三年内与AI整合的目标 [3]

文章核心观点 - 美光科技推出Micron 2600 NVMe™ SSD，采用创新自适应写入技术（AWT）和第九代QLC NAND，相比竞品有显著性能提升，能带来一流用户体验，推动QLC NAND更广泛商业应用 [7][8] 产品介绍 - 产品为面向OEM的价值型客户端存储解决方案，采用行业首个第九代QLC NAND，具备AWT技术，实现PCIe Gen4性能与QLC经济性结合 [7] - 相比竞品价值QLC和TLC SSD，顺序写入速度快63%，随机写入速度快49% [7] - 有22x30mm、22x42mm和22x80mm三种外形规格，容量从512GB到2TB，适用于手持设备、超薄笔记本和工作站 [12] 技术优势 - AWT采用SLC、TLC和QLC动态缓存架构，提高顺序写入速度，连续向2TB SSD写入800GB数据时，顺序写入速度快四倍 [9] - 写入新数据时先以SLC模式确保最快写入性能，SLC满后以TLC模式写入，SLC和TLC都满后将数据迁移到QLC模式，空闲时也会迁移数据到QLC模式，释放SLC和TLC区域接收新数据 [3][4] - 2Tb G9 QLC NAND的六平面NAND架构允许更高并行度，同时向NAND发出读写命令，提高性能，2600 SSD的NAND I/O速率达3.6 GB/s [10] 性能提升 - 加速数据访问及读写速度，实现更快启动时间、应用程序启动时间和增强系统响应能力，减少操作系统映像安装时间 [19] - 快速读取访问使AI模型快速加载，助力AI驱动应用发展 [19] - 在PCMark10测试中，相比竞品价值TLC SSD，得分高44%，带宽高43% [19] 行业评价 - AMD称产品是客户端存储典范，带来高容量、高效和响应式性能 [13] - IBM期待将美光G9 QLC NAND集成到产品中 [14] - 英特尔称产品展示其技术潜力，已列入平台组件列表 [15] - 群联电子称产品由其E29T控制器支持，美光G9 QLC NAND推动企业级驱动器发展 [16] - Pure Storage称美光G9 QLC NAND是重大进步，双方测试和实施该技术是重要里程碑 [17]

Micron Technology (MU -0.61%) reported Q3 2025 earnings on June 25, 2025, with $9.3 billion in revenue, 39% gross margin (non-GAAP), and adjusted EPS of $1.91, all exceeding guidance. Record-setting data center revenues, aggressive HBM memory scaling, and a $200 billion domestic investment plan featured prominently; management forecasts Q4 revenue (non-GAAP) at $10.7 billion with a 42% gross margin midpoint, underpinned by ongoing AI-driven demand.HBM Outperformance Transforms Competitive Position and Produ ...

2025年第一季Enterprise SSD市场表现 - 2025年第一季Enterprise SSD平均售价显著下滑近20%，前五大品牌厂营收均呈现季减，市场进入调整期 [1] - 主要原因为新一代AI产品组装环节遭遇挑战及北美地区库存消化压力导致客户大幅缩减订单 [1] - 第二季市场改善，受NVIDIA新一代芯片出货扩大、北美AI基建需求增长及中国CSP业者提升数据中心储存容量驱动，预计整体营收恢复正成长 [1] 前五大Enterprise SSD品牌厂营收分析 三星（Samsung） - 营收季减34.9%至18.9亿美元，主因淡季效应及需求疲软 [4] - PCIe 5.0产品出货量持续扩大，显示先进接口技术市占率提升 [4] SK集团（SK hynix及Solidigm） - 营收下滑超50%至9.9亿美元，受主要客户AI基建策略调整影响 [5] - 加速下一代储存技术研发，布局PCIe 5.0 TLC及QLC SSD以推动转型 [5] 美光科技（Micron） - 营收季减27.3%至8.5亿美元，表现相对稳健 [6] - 大容量成品出货动能延续，高阶PCIe 5.0产品逐步放量 [6] 铠侠（Kioxia） - 营收季减21.8%至5.7亿美元，受传统淡季及Server OEM订单不及预期影响 [7] 闪迪（SanDisk） - 营收2.3亿美元，产品出货量增长 [8] - 专注发展大容量储存产品，已推出1PB容量SSD [8] 其他行业动态 - 2025年第一季智能手机生产量达2.89亿支 [11] - 全球前十大IC设计厂营收季增6%，受AI强劲需求驱动 [11] - 晶圆代工营收季减至5.4%，淡季效应减轻 [13]

内存技术演进 - 随着AI普及，闪存通过提升位密度、可靠性、性能和能效支持AI发展，内存容量从1991年4M位增至第八代BiCS FLASH的2T位，增长50万倍 [1] - SLC、MLC、TLC和QLC等新技术应运而生，其中许多由铠侠创造，公司将继续引领行业技术创新 [1] - NAND闪存成本竞争力取决于芯片比特装载量，提升比特密度方法包括增加层数、平面缩小芯片面积、引入新架构及逻辑提高比特密度（如QLC） [1] 位密度提升策略 - 通过增加层数结合平面缩小（如OPS技术）实现位密度最大化，OPS技术降低字线层面积开销，第八代BiCS FLASH采用该技术 [3] - 引入CBA（CMOS直接键合阵列）新架构，分别处理CMOS和单元阵列后粘合，降低布线开销，第八代产品实现领先的接口速度和功率效率 [3][4][11] - 早期引入QLC技术，通过逻辑微缩（多值化）降低成本，公司从第四代BiCS FLASH开始生产QLC，并针对不同市场规格优化 [6] 新技术开发与布局 - 2024年12月发布HCF（水平通道闪存）技术，通过水平排列通道提高存储密度，预计2030年代中期可能过渡至该技术 [6] - 开发OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM），瞄准低功耗AI和后5G系统存储器，填补DRAM与NAND间延迟差距的X-FLASH也在研发中 [11] - CXL-XL内存采用CXL接口技术，支持CPU间内存共享，计划2026年下半年出样，解决DRAM扩展在成本与功耗上的挑战 [13] 未来产品战略 - 双轨发展：传统产品通过增加层数实现大容量高性能，同时利用CBA技术结合现有单元与最新CMOS技术降低投资成本 [7] - 第十代及后续产品聚焦高位密度大容量，满足企业级和数据中心SSD需求；第九代产品结合CBA技术满足AI边缘应用性能需求 [7] - 开发超大容量QLC，目标在TCO上与近线HDD竞争，目前QLC SSD已用于数据中心 [13] 竞争优势与市场反馈 - 第八代BiCS FLASH凭借CBA技术领先竞争对手两代，客户对其性能、功耗和可靠性反馈积极 [11] - 公司强调技术组合优势（如CBA、OPS、QLC）将增强SSD产品竞争力，并扩展至DRAM、存储级内存等新领域 [11][13]

存储产品价格变动 - 近期DRAM产品价格大幅上涨，DDR4和DDR3涨幅显著，部分产品涨幅达100%或一个月内涨50% [1] - 截至5月27日的一周内，DDR4 16Gb 3200、DDR4 8Gb 3200、DDR4 8Gb eTT价格分别环比上涨3.95%、15%、10% [2] - DDR4 8Gb 3200在5月29日涨幅为4%，深圳市场买家问价动作较多，部分DDR4价格持续拉升 [2] - NAND Flash中32Gb及以下的MLC产品也出现涨价，主要因原厂停产通知导致供应减少 [4] 原厂生产调整 - 三星、美光、SK海力士可能在年底前停止生产DDR3和DDR4内存，三星最后订购日期定在6月 [2] - 原厂宣布EOL后，买方抢购补充库存，4月至5月颗粒现货市场供给紧张，价格大幅上涨 [3] - 原厂将产能转向高性能产品如DDR5和HBM，DDR4系列产品价格和利润较低 [7] - 三星停产DDR4后，将生产资源集中在DDR5和HBM上，美光也提及HBM销售对毛利率的提升作用 [7] 行业技术升级 - 存储技术朝更先进制程迁移，原厂资本支出更多投入先进封装技术或产品研发，如HBM、1c、1γ和200层、300层产能 [8] - 美光进行业务部门重组，新成立云内存业务部，专注于高性能内存和存储以推动AI发展 [8] - SK海力士加码布局HBM，去年第四季度HBM占DRAM销售额超40%，预计今年提升至50%以上 [9] - 多家存储厂商极力推广QLC产品，推进产品迭代，因AI PC、AI手机等端侧设备需要存储密度增加 [7] 市场供需情况 - 涨价背后驱动因素不是需求增长，而是原厂停产 [1] - 第一季度NAND Flash平均销售价格下降15%，出货量环比减少7%，前五大品牌厂营收合计120.2亿美元，环比减少24% [6] - 预计第二季度NAND Flash价格触底反弹，品牌厂商营收有望环比增加10% [6] - 存储市场整体规模预计今年比去年增长1%~2%，因去库存后价格得到支撑及AI应用带来大容量存储需求 [6]

May. 29, 2025 产业洞察 根据TrendForce集邦咨询最新研究，2025年第一季NAND Flash供应商在面对库存压力和终端客户需 求下滑的情况下，平均销售价格(ASP)季减15%，出货量减少7%，即便季末部分产品价格回升，带动 需求，但最终前五大NAND Flash品牌厂营收合计为120.2亿美元，季减近24%。 展望第二季营收表现，随着终端买家库存逐渐降至健康水位，NAND Flash价格触底反弹，加上国际 形势变化促使部分厂商积极拉货，预估第二季品牌厂营收表现可望来到季增10%。 | rankings | Company | Revenue (US$M) | | Market Share (%) | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | 1025 | QoQ (%) | 1Q25 | 4Q24 | | 1 | Samsung | 4,200.0 | -25.0% | 31.9% | 33.9% | | 2 | SK Group | 2,186.6 | -35.5% | 16.6% | 20.5% | | | (hynix + Sol ...

全球存储市场变化和技术发展分析 - 高层数3D NAND Flash通过双晶圆键合架构提升存储密度，三星、SK海力士等厂商计划量产300层以上NAND [2][39][41] - 随着层数增加，高纵横比刻蚀和沉积工艺复杂性增加，存储厂商通过横向拓展多层存储孔密度等方式克服挑战 [2][35] - W2W双晶圆键合技术成为重要发展方向，三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议 [41][42] 服务器存储需求增长 - 2024年服务器NAND应用占比达30%，预计2025年将攀升至30% [4][43] - 2024年服务器DRAM应用占比达34%，预计2025年将增长至36% [5][47] - AI服务器需求显著升温，以英伟达H100为例，单机存储容量显著提升 [9][10] 存储技术和应用发展 - QLC NAND持续改善存储性能和可靠性，适用于读取密集型应用场景 [6][51] - 2025年AIPC渗透率预计达35%，带动PCle 4.0/5.0 SSD应用增长 [7][57][58] - PC品牌及存储厂商积极拓展东南亚、拉丁美等海外市场，SSD市场潜力巨大 [8][71] HBM和企业级SSD市场 - 2024年全球HBM市场规模达160亿美元，预计2025年将增长至300亿美元，占DRAM市场28% [11] - 企业级PCle 5.0 SSD需求快速增长，预计2025年出货占比有望达30% [12][63] 消费类存储产品发展 - 2025年全球PC出货量预计增长3%至2.61亿台，AIPC渗透率攀升至35% [13][58] - AIPC普遍配置32GB LPDDR5X内存和1TB起步的SSD存储 [14] - 2024年全球智能手机出货量约11.84亿部，2025年预计增长2%至12.10亿部 [15][16] AI消费电子发展 - AI眼镜2024年出货量突破200万副，预计2025年攀升至1000万副 [17] - AI眼镜技术路线分为传统眼镜升级和AR功能迭代，未来将融合更多AI功能 [18]

报告行业投资评级 - 行业评级为强于大市（维持评级） [8] 报告的核心观点 - 2025年全球半导体增长延续乐观走势，AI驱动下游增长，政策使供应链风险升级，国产替代持续推进 [6] - 二季度建议关注设计板块SoC/ASIC/存储/CIS业绩弹性和设备材料算力芯片国产替代 [6] - 端侧AI SoC芯片公司、ASIC公司、CIS、模拟板块、存储板块、设备材料板块后续展望乐观 [6] 各部分总结 COMPUTEX成功举办 - 2025年台北国际电脑展于5月20 - 23日举办，以“AI Next”为主题，聚焦AI、数据中心与机器人，汇聚近1400家科技巨头 [2][15] - 芯片大厂百花齐放：英伟达GB300三季度上市，推理性能提升1.5倍，开放NVLink生态；英特尔推出新GPU和AI加速器，预热Panther Lake处理器；高通重启数据中心CPU业务，骁龙X系列PC生态覆盖超85款设备；联发科首款2nm芯片9月流片，晶体管密度提升15%；Microchip展示汽车、工业自动化创新方案；恩智浦推动Agentic AI边缘化 [2][16][34] - 存储创新产品亮相：江波龙发布8TB QLC PCIe SSD等；德明利PCIe 5.0 SSD支持千亿参数模型加载，DDR5容量128GB；西部数据推出全球首款ORv3规范存储平台；慧荣科技发布6nm制程主控芯片 [3][43][47] 小米高性能玄戒芯片发布 - 玄戒O1采用台积电3nm工艺，十核CPU设计，GPU功耗较苹果A18 Pro降低35%，搭载于小米15S Pro及平板7 Ultra；玄戒T1集成自研4G基带，功耗降低27%，首发于小米Watch 4S [4] - 小米自研芯片有望打破全球手机寡头垄断，加速芯片国产化，还将作为“人车家全生态”算力中枢 [4] 半导体4月市场回顾与二季度展望 - 4月芯片交期稳定部分回升，AI订单强劲，消费电子库存趋稳，汽车/工业需求复苏，存储价格环比上涨，晶圆代工和封测订单增长，设备订单上升 [5] - 二季度AI驱动结构性增长，消费电子关注AI眼镜等催化，工控/汽车领域复苏，建议关注端侧SoC、ASIC、存储、CIS弹性及设备材料国产化机遇 [5][6] 2025年4月芯片交期及库存 - 4月全球芯片交期稳定，部分品类小幅回升，主要芯片厂商交期和价格波动，中高端MLCC和电感量价齐升 [78][79] - 消费电子、数据中心算力、工控汽车光伏相关芯片订单预期上升，国产算力自主可控是趋势 [81] 2025年4月产业链各环节景气度 - 代工封测：台积电、中芯国际等产能利用率饱满，封测订单增长稳定，领先厂商加速扩产先进封测产能 [5][88][89] - 设备材料零部件：4月可统计中标设备11台，预期5月部分厂商订单持续上升 [90] - 分销商：4月中国分销市场增长明显，汽车工业增长明显 [5] 终端应用 - 消费电子关注终端厂商拉货潮影响，折叠屏手机、智能手机等需求有回暖或增长趋势 [73] - 新能源汽车中国主要品牌销量高增 [63] - 工控国产替代或将加速 [6] - 光伏部分厂商在手订单充足 [6] - 储能供应链订单高增稳定 [6] - 数据中心全球AI服务器需求高增长，中国市场订单旺盛 [6] - 通信AI侧应用是布局重点 [6] - 医疗器械海外市场需求相对稳定 [6]

全球存储器龙头三星有意退出MLC储存型快闪存储器（NAND Flash）市场，通知客户只接单到6月，并 通过涨价要客户知难而退，「不要来下单」，业界急寻新供应商，引爆新一波抢货潮。值此NAND报价 向上之际，三星停供将引动市况更热，群联、威刚、创见等NAND族群受惠。 业界指出，三星去年下半年就酝酿规划退出MLC NAND市场，原先时间点是今年下半年，如今提前停 产，将剩余手中库存销货完毕后就不再制造，使需要MLC规格NAND Flash的客户开始紧急寻求握有大 量库存的模块厂支持。 业界表示，现在NAND Flash规格主流虽正朝QLC方向推进，但MLC规格稳定性高，工规、物联网、电 视甚至车用等利基型高毛利应用仍大量采用MLC NAND，市场规模仍大，三星为最大供应商，停供将 导致下游很紧张。 根据了解，NAND Flash单元将数据储存在一个存储单元中，每个单元能够储存多个信息，不同类型的 NAND Flash，如SLC、MLC、TLC和QLC，其最大差别在于存储器芯片的储存信息单元量不同，SLC 规格的稳定性最高，但容量密度最低，现阶段消费性及企业级市场已开始往TLC、QLC推进。 韩媒The Ele ...