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SK海力士与三星将切断中国EDA!
是说芯语· 2025-09-06 20:38
EDA市场竞争格局 - EDA市场由美国公司Synopsys、Cadence和Siemens EDA主导 占据超过70%的市场份额[1] - 中国EDA企业凭借高性价比解决方案迅速提升市场存在感 代表企业包括华大九天、概伦电子和芯和科技[1] 韩国半导体厂商对中国EDA的采用与转变 - 自2022年以来三星电子一直使用华大九天、概伦电子和芯和科技等中国EDA产品[1] - 三星电子多年来从赛微电子等中国企业采购解决方案 用于支持部分测试芯片的特性分析与工艺优化[1] - SK海力士近期开始对中国EDA产品进行紧急审查 主要动因是防范特朗普政府进一步对中国实施制裁[3] - 美国在去年年底将中国EDA企业在韩分支机构Empirian Korea列为限制实体 推动SK海力士采取行动[3] - 韩国媒体预计SK海力士将彻底停止使用中国EDA软件 目前中国EDA在SK海力士内部的使用比例较小[3] - 三星电子很可能采取与SK海力士相同的做法 逐步淘汰中国EDA产品[3] 技术替代的成本影响 - 美国EDA产品价格超过中国产品两倍以上[3] - 若三星电子与SK海力士切断中国EDA 其半导体设计成本将显著上升[3] - 业内人士指出中国EDA产品性能与美国产品相近但价格不到其一半 被淘汰后将导致设计相关成本上升[3] - 供应链被美国完全垄断可能导致价格进一步上涨[3] 美国政策变化与市场影响 - 美国商务部工业和安全局在5月要求EDA三大巨头停止向中国客户发货 并撤销部分出货许可[3] - 7月美国取消对中国EDA的出口限制 三大供应商开始恢复对华服务[4] - 失去国外大客户加持将对国产EDA发展产生连锁反应[4] 中国EDA国产化进程 - 国内EDA市场国产化率从2019年的10%提升至2025年的25%[4] - 国产化率近年来有所提升 但高端领域仍依赖进口[4] - EDA作为芯片设计的核心工具 素有"芯片之母"之称 复杂博弈下需加快国产替代进程[4]
恭喜澜起芯片!三星、SK 海力士、AMD、英特尔集体为其站台!
是说芯语· 2025-09-06 16:52
产品发布与技术规格 - 公司推出基于CXL 3.1 Type 3标准的内存扩展控制器芯片M88MX6852 已向主要客户送样测试 全面支持CXL mem和CXL io协议 致力于为下一代数据中心服务器提供更高带宽和更低延迟的内存扩展与池化解决方案[1] - 芯片采用PCIe 6.2物理层接口 支持最高64 GT/s传输速率(x8通道) 具备多速率多宽度兼容能力 可灵活拆分为2个x4端口 内置双通道DDR5内存控制器 支持速率高达8000 MT/s 显著提升CPU与后端内存模块数据交换效率[1] - 芯片集成双RISC-V微处理器 分别作为应用处理单元和安全处理单元 支持DDR/CXL资源动态配置 实时事件处理及硬件级安全管理 同时提供SMBus/I3C SPI JTAG等多种接口 便于系统集成和固件升级[1] - 采用25mm x 25mm紧凑型封装设计 兼容EDSFF(E3 S)和PCIe插卡形态 可广泛应用于服务器 全闪存阵列及边缘计算等多种部署环境[2] 行业需求与解决方案 - 云计算资源池化需求迅猛增长 传统内存架构在带宽和扩展性方面日益成为性能瓶颈[2] - CXL 3.1内存扩展控制器利用CXL内存池化技术 帮助数据中心用户实现内存资源弹性分配和高效利用 降低总体拥有成本(TCO)[2] 战略合作与行业认可 - 三星电子内存产品规划副总裁表示 该芯片高带宽与卓越内存池化能力与三星CXL内存解决方案强强协同 期待共同推动下一代内存解耦架构在AI计算领域应用[5] - SK海力士下一代产品规划部门负责人指出 芯片符合CXL 3.1标准 彰显专业实力和领先地位 将对下一代系统发展产生重要影响[6] - AMD数据中心生态系统副总裁认为 该技术方案与降低数据中心TCO目标不谋而合 将加速内存分层与扩展技术在AI和云工作负载场景应用[6] - 英特尔高级研究员表示 芯片是迈向可扩展内存架构和拓展CXL生态系统的重要一步 英特尔至强处理器已提供强劲性能支持[6] 公司战略与市场定位 - 公司总裁强调 该芯片标志CXL技术领域领先突破 大幅提升内存扩展性能与能效 推动解耦式内存架构发展 为下一代算力基础设施内存资源池化与共享奠定基础[5] - 公司同步提供完整参考设计套件(RDK) 助力客户快速构建与验证CXL内存扩展解决方案[5]
20亿芯片项目打了水漂!
是说芯语· 2025-09-06 16:00
公司破产事件概述 - 浙江清科半导体有限公司于2025年9月3日被金华市婺城区人民法院正式受理破产清算申请(案号:2025浙0702破37号)[1] - 公司从2022年高调落地到2025年破产清算仅历时两年[1] - 项目曾宣称投资20亿元建设"国产高端芯片产业基地"[1] 技术路线偏差分析 - 公司未采用RISC-V架构被视为重大技术路线失误[2] - RISC-V架构凭借开源、灵活特性在行业内获得广泛应用 新兴芯片企业借此快速切入市场[2] - 传统技术路线导致产品在性能、功耗及兼容性方面落后竞争对手[2] - 物联网芯片应用场景中RISC-V架构更能满足低功耗、低成本需求[2] 资金链断裂原因 - 半导体产业属资金密集型行业 研发、设备采购及市场推广均需大量资金投入[3] - 地方政府补贴缩水 资金缺口超5亿元直接影响企业资金储备[3] - 外部融资中断 经营异常信号导致投资者担忧并中断融资[3] - 2024年出现多起劳动仲裁案件(涉及陈某某、杜某某、邵某某等员工)反映内部劳动用工关系紧张[3] 产品定位与技术路线 - 公司规划以"芯片+物联网"为核心发展路径[3] - 重点打造轻量SOC异构芯片产品[3] - 行业专家认为SOC异构可采用RISC-V架构 该结合正成为行业探索方向[4] - RISC-V架构具模块化、可扩展特性 能适配SOC异构设计需求[4] - 已有物联网、边缘计算领域SOC异构芯片采用RISC-V架构处理器内核[4] - RISC-V开源特性可实现定制化设计 降低研发成本并跟上技术迭代速度[4] 潜在技术替代方案 - 采用RISC-V架构本可为公司产品在市场中赢得更多机会[5] - RISC-V架构允许根据应用场景裁剪指令集 设计符合特定功能的处理器内核[4] - 轻量SOC异构芯片可集成RISC-V通用处理器内核与专用硬件加速器 实现性能、功耗和成本的最优平衡[4]
寒武纪股价“过山车”之际,有一家国产芯片企业正被人民日报点赞
是说芯语· 2025-09-06 12:58
寒武纪股价波动与AI芯片行业动态 - 寒武纪股价从历史高点1595.88元累计回撤超20%,单日蒸发市值逾700亿元 [1] - 英伟达H100/H200芯片库存充足,但专供中国市场的H20芯片因安全争议上半年出货量未达预期 [1] - 中国芯片产业面临效率墙、互联墙、存储墙三重技术挑战,本土企业通过原创架构创新寻找突破 [1] 可重构计算架构技术优势 - 可重构AI芯片RPU采用数据流架构,通过动态配置计算单元适配多种AI任务(如语音识别、图像分析) [2] - 该架构在算力效率、可扩展性、并发能力及性价比方面显著优于GPU,被国际半导体技术路线图列为未来最具前景的芯片架构技术 [2] - 可重构芯片被视为继CPU、FPGA和GPU后的第四类通用计算芯片,与AI并行计算需求高度契合 [2][3] 可重构芯片的商业化进展 - 清微智能云端算力芯片TX81在1000P算力规模下比GPU集群具更强互联性与能效优势,已落地多个千卡智算中心 [4] - 清微算力卡订单累计近20000张,市场反响热烈 [4] - 全球数据流派蓬勃发展:OpenAI租用谷歌TPU芯片,SambaNova成为AI芯片独角兽,Groq的LPU推理速度较英伟达GPU提高10倍且成本仅十分之一 [4] AI算力行业技术挑战与突破 - 大模型参数量激增导致算力需求指数级增长,摩尔定律逼近物理极限 [5] - 晶圆级芯片技术被视为打破空间约束的关键路径,可重构架构的C2C算力网格技术实现多芯片点对点直连,规避传统交换机带宽瓶颈与延迟 [6] - GPU受原始架构限制,在晶圆级集成中仍需依赖外部交换机,性能提升存在天花板 [6] 中国芯片产业战略布局 - 清微智能以可重构AI芯片RPU探索差异化路线,被《人民日报》点赞为清华AI双子星企业 [1][6] - 中国需在国际主流GPU派与数据流派两大技术路径上同时布局,实现算力产业自主可控 [6] - 技术发展需合纵连横,新兴流派(如谷歌TPU、清微RPU)有望推动全球AI产业可持续发展 [6]
新凯来获超百亿元半导体设备订单!客户包含中芯国际、华虹集团、长江存储
是说芯语· 2025-09-05 14:54
公司概况与背景 - 新凯来技术成立于2021年8月 注册资本15亿元 由深圳市国资委全资控股[7] - 公司前身为华为2012实验室星光工程部 2022年独立并转向半导体设备领域[10] - 采用"国家队+民营企业"合作模式 深圳国资提供产业资本与制造能力 华为注入超3000名核心研发人员及专利技术[4] 业务进展与订单情况 - 当前在手订单超百亿元 客户包括中芯国际 华虹集团 长江存储等头部晶圆厂[1] - 利和兴 国力股份等公司正紧张准备供应链配套以应对量产需求[1] - 已发布5款工艺设备新品 包括外延沉积设备EPI 原子层沉积设备ALD 物理气相沉积设备PVD 刻蚀设备ETCH 薄膜沉积设备CVD[10] - 产品覆盖半导体制造前道设备所有环节 包括制程量测 刻蚀 薄膜沉积等[11] 财务数据与融资计划 - 2024年收入预计达45亿元 2026年达75亿元 2028年达169亿元[1] - 2027年将正式盈利20亿元并启动IPO[1] - 当前进行第二轮对外融资 制造业务(光刻机除外)估值已达650亿元[1] 技术研发与产业协同 - 在上海设立测试晶圆厂加速国产器件测试环节[11] - 与晶圆厂深度绑定实现"研发-验证-量产"快速迭代[11] - 目标生产100%国产化全产业链半导体生产设备[7] 行业背景与市场空间 - 中国半导体设备市场规模2024年达496亿美元 同比增长35% 连续五年全球首位[10] - 前道设备关键九类国产化率不足10% 7nm及以下制程国产化率近乎为0[10] - 先进制程设备市场空间广阔 下游晶圆厂新建产能聚焦7nm+制程 预计迎来50%以上超额增速[10] 战略定位与发展目标 - 公司定位为解决国内半导体制造连续性问题 促进周边产业成熟[8] - 致力于保障国内半导体及电子制造产业供应链安全[8] - 深圳国资还主导成立鹏芯微(先进制程) 鹏芯旭(成熟制程) 昇维旭(存储芯片)等配套晶圆厂[11]
突发!闪迪宣布涨价!什么信号?
是说芯语· 2025-09-05 11:47
价格调整 - Sandisk宣布自9月4日起对所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上 [1][2] - 价格调整仅适用于新报价和订单 不适用于现有承诺 [2] - 公司未来将继续定期评估价格 并可能在未来几个季度进行其他调整 [2] 需求驱动因素 - 闪存产品需求强劲 主要受人工智能应用推动 [2] - 数据中心、客户端和移动领域存储需求增长共同支撑涨价决策 [2] 战略目标 - 价格调整旨在确保提供高性能闪存解决方案 [2] - 涨价行动用于支持公司在闪存领域的持续创新投资 [2]
传英伟达5213亿要收购联发科?
是说芯语· 2025-09-05 10:07
合作与收购传闻 - 联发科与英伟达合作开发超级晶片GB10 结合联发科CPU及存储设计能力与英伟达GPU设计优势 双方技术高度互补且合作关系紧密[1][3] - 市场传闻英伟达可能以730亿美元(折合5213.44亿人民币)收购联发科 但公司不予回应 业界认为此为臆测且并购价格过低[1][3] 收购可行性分析 - 监管审查构成重大障碍 中国台湾与中国大陆均不太可能放行 因联发科为中国台湾市值第三大公司及IC设计龙头 具关键战略地位[3][4] - 英伟达2022年曾尝试以400亿美元收购Arm 但因监管机关以垄断疑虑否决 此次若收购联发科恐面临相同挑战[3] - 730亿美元收购价恐不足打动联发科股东与管理层 半导体产业大型并购案收购溢价通常需达双位数百分比甚至高于市价数倍[3] 产业与战略背景 - 英伟达已转型为AI基础建设公司 核心能力从芯片端走向系统端 收购联发科对系统端的效益相对有限[3][4] - 联发科与中国智能手机产业有长期深厚合作 中国大陆政府不乐见其落入美国科技巨头之手 地缘政治因素成另一大障碍[4] - 双方通过GB10合作展示Blackwell GPU与业界标准介面及协定整合到高效封装中的能力 进一步强化策略合作关系[3]
超15亿!上海芯片独角兽获新一轮融资,中移动参投
是说芯语· 2025-09-04 15:27
光子网络与光子计算商业化进程 - 光子网络与光子计算商业化进程迎来拐点[1] - 大规模光电集成技术处于商业化关键阶段 预计未来五年内光子芯片在智算中心份额将达到30%[2] - 公司是国内唯一专注于光电混合算力领域的独角兽企业 正在加速推进下一代光电混合计算卡开发以全面支持AI大模型[2] 融资与战略发展 - 公司完成超15亿元C轮融资 投资方包括中国移动 上海国投 国新基金 浦东创投等机构 老股东中科创星 沂景资本及某领先互联网厂商继续追加投资[2] - 新一轮融资将加速核心技术开发和光电混合算力规模化落地进程[2] - 公司以光电融合突破算力边界为愿景 聚焦光子网络与光子计算两大业务方向 推动光电混合技术从研发走向产业化应用[2] 技术优势与产品突破 - 光互连方案可构建高带宽低延迟大规模算力集群 显著提升GPU利用率[3] - 光电混合计算通过颠覆性架构突破传统计算天花板 在提升算力密度与能效比 降低延迟与总成本方面展现显著优势[3] - 推出全球首个分布式光互连光交换GPU超节点光跃LightSphere X 并获WAIC大会最高奖SAIL大奖[3] - 推出国内首款xPU-CPO光电共封装原型系统 正在开发集成度更高带宽密度更大的CPO方案[3] - 发布新一代光电混合计算卡曦智天枢 集成全球最大规模128×128光子矩阵 首次实现光电混合计算在复杂商业化模型中的应用[5] 产业合作与落地成果 - 已完成多个数千卡集群的落地交付[3] - 与国内领先的光/电晶圆厂 光/电封装厂 算力/交换芯片厂商 系统厂商建立全方位多层次战略合作关系[5] - 通过产业链上下游深度协同与联合技术攻关 在超节点建设 CPO等关键领域实现多项突破[5]
无锡半导体设备年会快讯-中微尹志尧:抵制15种恶性内卷!
是说芯语· 2025-09-04 12:01
半导体设备产业挑战 - 加工微观纳米结构接近物理极限 需集成50多个学科知识和技术 难度超过两弹一星 [1] - 纳米级加工需达到原子水平的均一性 稳定性 重复性 可靠性和洁净性 [1] - 设备开发成功需在大生产线实现稳定高合格率 样机开发仅是一小部分 [1] - 市场被国际大公司垄断 生产线准入门槛极高且耗时耗力 [1] - 需完整知识产权保证体系支撑设备开发和市场化 [1] - 研发经费需求巨大 达设备售价的10倍 30倍甚至100倍 [1] - 依赖完整材料和零部件产业链 关键部件需国内外一流供应商 [1] - 市场周期性波动远高于微观器件产业和传统产业 难以预测 [1] - 行业竞争要求设备提高输出量并降低价格 新公司盈利面临挑战 [1] - 国际形势下需实现设备自立自强并打入国际市场 形成双循环 [1] 数码产业层次结构 - 半导体设备年产值约1000亿美元 是数码产业基石和卡脖子关键产业 [1] - 软件/网络/电商/传媒/大数据/AI/VR/元宇宙/ChatGPT/自动驾驶年产值约20万亿美元 [1] - 电子系统年产值约3万亿美元 半导体芯片制造年产值约1万亿美元 [1] 技术发展历程 - 60年间微观器件加工面积缩小一万亿倍 智能手机相当于50年前5层大楼体积的1/100万 [2] - 等离子刻蚀可在头发丝几千分之一至一万分之一尺度加工 孔直径均匀性达头发丝1/10万 [3] - 单台刻蚀机年加工超10^12(百万万亿)个细深接触孔 合格率需近100% [3] 芯片制造投资回报 - 先进芯片生产线需100亿美元投资 包含10大类300多种细分设备共3000多台 [2] - 设备采购占总投资70%约70亿美元 [2] - 100亿美元投资生产线年芯片产出价值25亿美元 正常P/S为3:1时市值约75亿美元 [2] - 全部股本金投资无回报 需约50%银行贷款才可使股本金获得约2倍回报 [2] 技术跨学科特性 - 半导体芯片加工工艺涉及50多种科学技术及工程领域 包括物理化学数学及特种工程技术 [3] 3D结构技术变革 - 存储器件从2D向3D结构转变 使等离子刻蚀和薄膜成为最关键加工步骤 [3] - 3D器件转换后不再需要EUV光刻机 主要依赖刻蚀和薄膜设备 [3] - 14纳米以下结构主要靠等离子刻蚀和薄膜设备的多重模板技术 [4] - 通过多重模板技术可刻出光刻尺度1/2至1/4的微观结构 [4] 行业恶性竞争现象 - 通过窃取设计图纸 工艺配方或软件编码复制设备 [4] - 对竞争者设备进行现场解剖和反向工程复制 [4] - 无视专利保护 采用竞争者专利技术开发设备 [4] - 芯片制造商向竞争者泄露设备设计细节和运营经验 [4] - 高薪挖角竞争者和客户的关键员工 搅乱人力市场 [4] - 员工离职携带技术资料到新公司直接使用 [4] - 投资商投资同类设备公司与原被投公司竞争 [4] - 设备商投资零部件供应商时提出霸王条款限制竞争 [4] - 在客户端和公开场合贬低竞争者散布不利言论 [4] - 芯片制造公司垂直整合设备及零部件业务导致垄断 [4] 产业发展建议 - 国内已有近30家15年经验的成熟设备公司 及数十家刻蚀/薄膜/量检测新公司 [4] - 建议地方政府和投资机构审慎投资新小设备公司 鼓励与成熟公司合作减少内耗 [4] 中微公司概况 - 2004年开曼注册 2018年拆红筹后注册于上海 [5] - 2025年6月底员工2638人 93%为国内员工 人均确认销售超400万人民币 [5] - 在台湾 韩国 日本 东南亚及美国设6个全资子公司 全球20个销售服务中心 [5] - 2019年7月22日科创板首批上市 为首家市值破千亿公司(代码:688012) [5] - 近期市值约1300亿元人民币 [5] 设备市场覆盖 - 2022-2027年刻蚀设备市场增长23% 薄膜设备增长22% 量检测设备增长20% [5] - 2023年中微实现刻蚀设备全面覆盖 薄膜设备扩大覆盖 量检测设备全面布局 湿法设备正在布局 [5] 公司成长表现 - 14年保持营业收入年均增长超35% 2025年上半年增长43.9% [6] 研发投入强度 - 研发投入持续增加 2018-2022年研发支出分别为10.4亿 10.6亿 12.0亿 11.2亿 12.8亿元人民币 [8] - 研发投入占比远高于科创板平均值 [8] - 新产品研发周期从3-5年缩短至2年或更短 [8] - 加速研发美日受限设备以补短板实现赶超 [8] 产品技术体系 - 开发CCP和ICP单台机及双台机 共20种3代机型包括Twin Star/D-RIE/TSV系列等 [8] - 2024年ICP刻蚀在线宽均匀性上达到1σ=0.12nm 相当于硅原子直径(0.25nm)的一半 [8] - DRAM BW AIO刻蚀均值16.1nm 3σ均匀性达0.35nm [8]
绝境重生!象帝先 GPU 流片成功!
是说芯语· 2025-09-04 09:19
公司技术突破 - 新一代伏羲架构芯片完成流片验证 图形渲染能力与并行计算性能表现突出 标志着高端芯片领域关键突破 [1] - 芯片算力达160TFLOPS(FP32) 集成12GB HBM2显存 [1] - 伏羲A0聚焦高端渲染领域 填补国产高端渲染芯片市场空白 [3] - 伏羲B0融合GPU与NPU架构 支持LLAMA/ChatGLM-6B/Stable-Diffusion/Sora/DeepSeek R1 1.5B/7B等主流AI模型端侧运行 [3] 战略投资与股东结构 - 安孚科技战略投资后技术迭代进程显著加速 [1] - 重庆两江产业发展集团等国有投资机构参与战略投资 凸显技术潜力获产业资本认可 [3] - 安孚科技将持续从资源与资本层面提供支持 助力技术落地与规模扩张 [3] 市场定位与产品规划 - 伏羲B0重点面向端侧模型部署及AIPC市场 为边缘计算与终端智能化提供底层算力支撑 [3] - 上市规划将结合市场环境与自身发展战略动态推进 [3] - 芯片流片成功为国产高端芯片在渲染与端侧AI领域商业化应用注入新动能 [3]