昨天，联芸科技（688449）发布2025年度业绩快报，初步核算显示，受益于行业回暖及核心竞争力提升，公司全年营收 利润双增，扣非净利润增幅显著，经营态势稳健向好。公司提示，本次数据未经审计，具体以年度定期报告为准。 | | | | -- | | --- | --- | --- | --- | | 项目 | 本报告期 | 上年同期 | 增减变动幅度(%) | | 营业总收入 | 133,134.22 | 117,378.39 | 13.42 | | 营业利润 | 14.219.78 | 11.821.37 | 20.29 | | 利润总额 | 14,209.64 | 11,805.86 | 20.36 | | 归属于母公司所有者的 净利润 | 14.209.64 | 11.805.86 | 20.36 | | 归属于母公司所有者的 扣除非经常性损益的净 | 10.148.57 | 4.406.79 | 130.29 | | 利润 | | | | | 基本每股收益(元) | 0.31 | 0.32 | -3.13 | | 加权平均净资产收益率 | 7.86% | 17.33% | 减少 9.47个百分点 | | ...

收购事件概览 - SpaceX于周一宣布已收购马斯克旗下人工智能公司xAI，旨在组建全球最具价值的私营企业，整合火箭、卫星互联网、AI技术和社交媒体平台 [1] - 据知情人士透露，收购价格基于xAI最近一轮200亿美元的融资，交易价值达2500亿美元 [2] - 此次收购是马斯克继去年将xAI与X合并后的又一次重大企业重组，为其在太空建设AI数据中心的宏大计划铺路 [3][10] 战略动机与愿景 - 马斯克声明收购旨在打造“地球内外最具雄心的垂直整合创新引擎” [2] - 核心观点认为仅靠地面解决方案无法满足AI的全球电力需求，会给社区和环境带来沉重负担，从长远看，基于太空的AI是唯一能够实现规模化发展的途径 [3] - 计划将AI计算能力转移至太空，通过发射卫星组成轨道数据中心星座，直接利用太空近乎恒定的太阳能，以降低运营和维护成本 [6] - 更长远的愿景包括利用Starship支持在月球建立永久基地用于科研和制造，月球工厂可利用月球资源制造卫星并部署至更深空间 [9] 技术路线与实施计划 - 计划发射100万颗卫星组成轨道数据中心星座 [6] - 估算每年发射100万吨、每吨产生100千瓦计算能力的卫星，将每年新增100吉瓦的AI计算能力 [6] - 预计在2至3年内，太空将成为生成AI计算能力的最低成本方式 [6] - 太空数据中心的实现高度依赖Starship火箭的运载能力 [7] - 以每小时一次、每次运载200吨的发射频率，Starship每年将向轨道及更远处运送数百万吨载荷 [8] - 通过电磁弹射器和月球制造，有可能每年将500至1000太瓦的AI卫星送入深空 [9] 运载工具进展 - 2025年是历史上轨道发射次数最多的一年，但送入轨道的载荷仅约3000吨，主要是Falcon火箭运载的Starlink卫星 [7] - Starship今年将开始向轨道交付更强大的V3 Starlink卫星，每次发射增加的星座容量是目前Falcon发射V2卫星的20倍以上 [7] - Starship还将发射下一代直连移动设备卫星，旨在全球任何地方提供完整的蜂窝网络覆盖 [7] 商业版图整合与背景 - 这是马斯克近年来第三次重大企业重组 [10] - 去年3月，他将xAI与X合并，交易对AI公司估值800亿美元，对社交媒体公司估值330亿美元 [11] - 此次交易创建了全球最具价值的私营企业，整合了火箭、xAI的Grok聊天机器人和社交媒体平台X [12] - 马斯克经常在其各公司之间调配资源和员工，将旗下企业作为一个整体运营，除上市公司特斯拉外，其大部分公司（如xAI、SpaceX、Boring Company、Neuralink）均为私营 [12] - 有投资者表示，最终可能会出现一个整合的“马斯克公司” [13][14] - SpaceX去年向xAI投资20亿美元，特斯拉上月也表示同意投资相同金额 [15] - 此次收购正值SpaceX准备进行IPO之际，可能筹集高达500亿美元的资金，估值约为1.5万亿美元 [4][15]

文章核心观点 - AI大模型发展推动算力需求爆发式增长，对先进制程半导体产能提出前所未有的要求，可能引发全球半导体产业链的产能竞赛与重构 [1][6] 黄仁勋对产能需求的判断与呼吁 - 英伟达CEO黄仁勋呼吁台积电必须全力以赴扩产以满足其需求，并预判未来十年台积电产能可能需成长超过100%，为英伟达的需求就得翻倍，是人类史上最大规模的基础设施投资 [1] - 当前AI芯片的硅片消耗速度已超出摩尔定律，训练万亿参数模型每次需消耗几千片晶圆 [3] - 估算若保持现有增速，英伟达在2035年前每年需约100万片先进制程晶圆，而台积电2024年全球12英寸月产能约150万片（其中先进节点仅50万片），认为十年内必须再增加100万片/月的先进制程产能，否则将制约AI产业发展 [3] 台积电的扩产计划与回应 - 台积电已紧急上调2026-2030年资本开支至1000亿美元，较原规划大幅增加30% [4] - 资金将重点投向三大项目：新竹Fab 20的3nm产能扩充、高雄Fab 22的2nm产线建设、美国亚利桑那州Fab 21的先进制程落地 [4] - 目标是在2030年将先进节点月产能提升至90万片，但与英伟达提出的“翻倍”目标仍有显著差距 [4] 对中国大陆半导体供应链的机遇 - 台积电扩产为中国大陆半导体设备与材料厂商打开了国产替代窗口 [5] - 中微公司的刻蚀设备、北方华创的薄膜沉积设备、华海清科的晶圆检测设备已进入台积电美国Fab 21工厂的新增采购询价名单，首批设备交付预计2027年启动 [5] - 沪硅产业的12英寸硅片、安集科技的抛光液产品成功跻身台积电美国工厂的二级供应商体系 [5] - 台积电扩产计划将直接带动千亿级别的设备与材料采购需求 [5] 对行业格局的深远影响 - 黄仁勋的警告揭开了全球半导体产业的“算力军备赛”序幕 [6] - AI芯片需求迫使台积电在十年内完成“自我复制”，将引发整个供应链的重构，涉及设备技术迭代、材料产能爬坡、封装测试效率提升及全球产能布局调整 [6] - 这场由算力需求引发的产能革命将重塑台积电的全球制造版图，并改写全球半导体产业的竞争规则 [6]

会面事件的象征意义 - 94岁的台积电创始人张忠谋与61岁的英伟达CEO黄仁勋会面，被描述为半导体行业具有历史意义的权力对话与传承 [1] - 会面场景极具象征意义：一位坐轮椅的94岁老者与一位穿皮衣的61岁中年人，分别代表了芯片制造与AI算力领域的绝对权威 [3] - 该会面被视为决定未来十年科技走向的真实权力博弈，其影响远超普通商业会面 [3] 两家公司的行业地位与成就 - 台积电在全球芯片代工市场份额达到55%，苹果、英伟达、高通、AMD等全球科技巨头均依赖其产能 [6] - 英伟达市值突破3万亿美元，垄断全球AI训练芯片90%的市场，黄仁勋曾登顶全球华人首富 [7] - 张忠谋57岁创办台积电，用37年时间将其打造成行业霸主 [4][6] - 黄仁勋30岁创办英伟达，从被质疑为游戏显卡公司成长为AI芯片巨头 [7] 双方共生与制衡的商业关系 - 台积电与英伟达存在深度相互依赖：没有台积电的先进制程，英伟达的H100、B200等尖端AI芯片无法制造 [7] - 英伟达是台积电最重要的客户之一，每年贡献数百亿美元营收，其天量订单对维持台积电的领先地位至关重要 [8] - 双方关系被描述为“我中有你，你中有我”的权力制衡与“恐怖平衡” [8] 不同时代的企业家精神与行业哲学 - 张忠谋代表芯片业的“旧神时代”，注重精密制造、长期投入、稳扎稳打，信奉“慢就是快”和“十年磨一剑” [13] - 黄仁勋代表AI时代的“新神降临”，注重快速迭代、生态垄断、颠覆性创新，信奉“唯快不破”和“软件定义一切” [13] - 两者看似对立实则互补：台积电的制造基础是英伟达发展的根基，英伟达的AI需求为台积电指明方向 [15] - 此次会面被视为从“旧神”到“新神”的进化与共谋，而非简单的取代或对抗 [15][16] 地缘政治下的企业生存智慧 - 台积电的成功不仅靠技术，更依靠张忠谋37年来应对复杂地缘政治环境的智慧，其经验对当前面临美国禁令、全球供应链重组等挑战的英伟达具有重要参考价值 [10][11] - 在芯片行业，技术优势可能只能维持3年，而政治智慧是企业存活30年的关键 [11] - 张忠谋被视为最能教导黄仁勋“如何在刀尖上跳舞”和“在世界改变时不被碾碎”的人 [12] 对年龄与职业生涯的启示 - 两位企业家的年龄（94岁和61岁）与其持续的影响力，挑战了社会对年龄与职业巅峰期的传统认知 [1][17] - 真正的权力与影响力取决于能否在关键位置做出关键决定，而非年龄或身体状况 [17] - 张忠谋坐轮椅参与决定全球科技走向，被视为“年龄自由”与“职场自信”的终极体现 [23]

案件核心事实 - 一名中国籍前谷歌工程师丁林伟被美国旧金山联邦法院裁定七项盗窃商业机密及七项经济间谍罪名成立[1] - 案件发生于2022年至2023年，丁林伟在任职谷歌期间，从公司网络中窃取了超过二千页内含AI商业机密的资料[1] - 丁林伟窃取资料后在中国成立AI公司以谋取利益[1] 案件时间线与指控细节 - 丁林伟的犯罪行为发生在2022年5月至2023年4月任职谷歌期间[3] - 检方指控其在复制谷歌内部技术文档的同时，为其在中国的初创企业争取风险投资[3] - 在约11个月的时间里，丁林伟利用公司配发的苹果笔记本电脑，将源文件数据复制至备忘录应用，再转换为PDF文件，并将数千份文件上传至个人云存储以规避安全检测[4] 被窃取技术的具体内容 - 被盗资料涵盖七大类商业秘密，完整披露了谷歌AI数据中心的设计、搭建与运营核心方案[3] - 具体包括：张量处理单元（TPU）的底层技术规格、谷歌内部TPU指令集，以及与高带宽内存（HBM）访问、芯片间互连相关的性能参数[3] - 还包括描述TPU系统架构的文档，以及用于谷歌集群任务调度与管理的软件栈相关资料[3] - 除TPU外，还包含谷歌图形处理器（GPU）服务器及GPU集群编排的核心内容，涉及大规模多GPU系统的配置与运营方案[3] - 亦涉及谷歌AI集群内部用于高带宽、低延迟网络传输的专属智能网卡（SmartNIC）软硬件技术[3] 案件性质与司法进程 - 美国国家安全事务助理司法部长称此案为“针对全球最前沿AI技术的蓄谋已久的背信行为”[4] - 丁林伟于2019年入职谷歌，参与GPU相关软件的研发工作[4] - 其被控的7项经济间谍罪每项最高可判处10年监禁，另有7项商业秘密盗窃罪将面临额外刑罚[1][4] - 案件名称为“美国诉丁案”，加州北区联邦法院，案号：3:24-cr-00141，判决日期为2026年1月29日[5] - 目前该案尚未进入量刑阶段[4]

江波龙2025年业绩表现 - 公司2025年全年业绩实现跨越式增长，归母净利润预计达12.5亿元至15.5亿元，同比增长150.66%至210.82% [1][3] - 扣除非经常性损益后的净利润预计为11.3亿元至13.5亿元，同比增幅高达578.51%至710.60%，盈利质量大幅提升 [1][3] - 公司预计2025年实现营业收入225亿元至230亿元，较2024年同期的174.64亿元稳步增长 [3] - 第四季度扣非净利润约为6.5亿元至8.7亿元，凸显下半年盈利水平的强劲增长势头 [3] - 公司非经常性损益对净利润的影响约为1亿元至2亿元，主要来自金融资产公允价值变动 [5] 公司业务与技术进展 - 公司多款主控芯片实现批量应用，成功完成UFS 4.1主控芯片首次流片，跻身全球少数具备该代际主控芯片自研能力的企业行列 [4] - 应用于eMMC、SD卡、车规级USB产品的三款主控芯片累计应用量超3000万颗，自研主控芯片出货规模实现放量增长 [4] - 依托主控芯片、固件算法、封装测试的全栈能力，UFS 4.1旗舰存储产品即将批量出货，定制化端侧AI存储产品已实现头部客户批量出货 [4] - Wafer级SiP封装的mSSD产品也在多家头部PC厂商加速导入 [4] - 公司延续提质增效方针，整体费用率较2024年回落，运营效率提升，同时持续加大研发投入与人才储备，全年股份支付费用约9000万元 [4] - 公司推出37亿元募资计划，聚焦存储器产品应用技术开发、NAND Flash主控芯片设计、存储芯片封装测试三大核心产业链环节 [5] - 公司探索的PTM模式，通过技术定制、本地化服务与快速响应构建产业协同生态，苏州封测基地可实现紧急交付，24小时现场支持覆盖主流主机厂 [5] 存储行业市场状况 - 2025年存储价格在一季度触底后企稳回升，三季度末受AI服务器需求爆发及原厂产能向企业级产品倾斜影响，供需矛盾进一步加剧，推动存储价格持续攀升 [3] - 全球存储产业处于罕见的超级上升周期，呈现“量价齐升”的繁荣态势，行业结构性特征凸显 [7] - 从需求端看，AI服务器、数据中心等高端场景需求爆发，HBM、UFS 4.1等高端存储产品需求激增，同时个人电脑、工业设备等传统场景对DDR4等产品仍有稳定需求 [7] - 从供给端看，全球三大存储巨头三星、SK海力士、美光将产能向高端产品倾斜，导致传统存储产能紧张，行业供给呈现结构性短缺，且产能扩张周期较长 [7] - 存储芯片涨价潮持续蔓延，从上游芯片传导至中下游模组环节，DDR4价格不到一个月累计上涨近30%，半年涨幅超200% [8] - Counterpoint预测，2026年一季度NAND Flash价格预计上涨33%至38%，一般型DRAM价格上涨55%至60% [8] - 头部存储模组厂商如威刚已停止DDR4报价，优先保障DDR5与NAND闪存核心客户供应 [8] - 国内存储企业加速向数据中心、AI服务器等企业级市场转型，该领域客户对价格敏感度低、更注重产品稳定性与可靠性，利润空间显著高于传统消费市场 [8] 行业未来展望 - 行业机构与业内人士普遍认为，存储产业的高景气度将持续，超级周期有望延续至2027年甚至更久 [10] - 预计到2028年HBM总潜在市场复合年增长率约40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元 [10] - AI服务器、数据中心等高端场景需求持续释放，同时传统消费电子场景需求稳步复苏，形成长期需求支撑 [10] - 尽管全球存储厂商纷纷启动扩产计划，但产能建设与调试周期较长，新增产能主要集中在2027年及以后释放，2026年行业仍将呈现需求快速增长、供给释放滞后的结构性错配格局 [10] - 新思科技、美光等企业高管均警示，存储芯片供应紧张局面可能持续至2027年，短期内难以缓解 [10] - 摩根士丹利、高盛、野村等投行均看好存储产业前景，认为AI驱动下的存储超级周期将持续，2026年DRAM、NAND和HBM需求将同步激增 [11] - IDC指出，2024年至2028年全球半导体收入有望实现两位数复合年增长率，存储产业作为核心细分领域，将持续贡献增长动力 [11]

文章核心观点 - 英伟达CEO黄仁勋在台北宴请AI供应链核心伙伴 突显中国台湾地区在全球AI硬件产业链中的关键地位 此次聚会汇集了从芯片制造、服务器、零组件到系统整合的全产业链决策者[1] - 市场关注此类高端供应链聚会可能预示的产业合作与投资动向 历史数据显示 参与去年同类宴会的上市公司股价后续表现强劲[1] 与会公司及代表人物 - 芯片与半导体制造：台积电董事长魏哲家、联发科执行长蔡力行出席[1] - 服务器与ODM/OEM厂商：广达董事长林百里与副董事长梁次震、纬创董事长林宪铭与总经理林建勋、鸿海董事长刘扬伟、和硕董事长童子贤、英业达董事长叶力诚、工业富联董事长郑孟弘、仁宝董事长陈瑞聪、纬颖董事长洪丽宁出席[1][3] - 关键零组件与散热：台达电董事长郑平、奇鋐董事长沈庆行、光宝总经理邱森彬出席[3] - 板卡与工业电脑：华硕董事长施崇棠与共同执行长、技嘉总经理、微星董事长徐祥、华擎总经理、研华总经理张家豪、同德执行长刘盈君出席[1][3][5] - 封测与PCB：矽品董事长蔡祺文、京元电子总经理张高薰、胜宏科技董事长陈涛出席[3] 历史股价表现参考 - 根据盘点 去年参与“兆元宴”的20档上市公司 截至2026年1月30日股价平均上涨约34%[1] - 其中台达电股价上涨270% 欣兴上涨166% 宜鼎上涨147% 台积电上涨111%[1] 产业合作与趋势 - 研华表示与英伟达合作已超过20年 合作领域从工业电脑延伸至Edge AI 并正共同推动Physical AI在各产业落地[4] - 聚会涵盖AI供应链全环节 包括芯片、服务器、零组件及系统整合 显示产业链紧密协同[1]

公司动态 - 必易微发布产品调价通知，自1月30日起产品价格将上浮调整，具体型号及涨幅由销售团队与客户沟通[1] - 调价原因为上游原材料不断涨价、产能持续紧缺，原有价格无法满足供货需求[1] - 公司表示调价旨在保障供应链长期稳定、争取产能、保证产品交付[1] - 公司专注于模拟及数模混合芯片的研发、设计和销售，拥有五大产品矩阵：电源管理芯片、电机驱动控制芯片、电池管理芯片、信号链以及微控制器[3] - 公司产品广泛应用于消费电子、工业控制、智能物联、数据中心、汽车电子等领域[3] 行业趋势 - 近期，国科微和中微半导也先后发布了涨价函[4] - 媒体报道称，部分芯片厂调价涉及多款芯片产品，最高涨幅达50%[4] - 行业面临上游原材料涨价和产能持续紧缺的共同挑战[1]

以下文章来源于芯智讯 ，作者芯智讯浪客剑 芯智讯 . "芯智讯"——有料的科技新媒体！专注于半导体产业链、智能手机产业链、人工智能、AR/VR、智能硬 件及汽车电子等相关领域。 1月30日消息，根据业内最新传闻显示，在全球存储芯片供应持续紧缺的背景下，中国最大的NAND Flash制造商── 长江存储（YMTC）位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂）投资项目正 以惊人的速度加 快建设，原定于2027年才能达成的量产目标，有望提前至2026年下半年正式启动。 长江存储三期项目于2025年9月正式动工。该项目的公司主体—— 长存三期（武汉）集成电路有限 责任公司（以下简称"长存三期"）成立于9月5日，注册资本207.2亿元。 股东信息显示，长存三期由长江存储持股50.19%、湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股 49.81%。其中，湖北长晟三期投资发展有限责任公司为湖北国资旗下企业，这一背景为新公 司提供了坚实的资本与政策支持。 按照常规半导体建厂周期，需要等到2027年才能具备正式量产能力。但是，据业内人士透露，长江存储 近期已开始密集进行NAND Flash 生产设备的采购订单发送与工厂启动设置作业，显示其进度已 ...

全球半导体设备市场格局 - 2025年全球半导体设备市场规模预计将向1680亿美元冲刺 [1] - 行业竞争格局迎来显著调整，呈现美日荷企业主导、中国企业崛起的多元化格局 [1] 市场整体表现与竞争梯队 - TOP20榜单呈现两大梯队格局：头部企业垄断高端市场，中坚企业深耕细分赛道 [1] - 美日荷企业凭借核心技术壁垒，仍主导全球市场，把控先进制程关键环节 [1] - 中国企业实现跨越式发展，在刻蚀、光刻等领域从跟跑到并跑，成为国产替代核心力量 [1] - 中国半导体设备本土制造率已达20%-30%，较三年前的10%实现翻倍增长 [1] 头部梯队企业分析 (TOP10) - 榜单前10名基本被美日荷企业包揽，覆盖从成熟制程到3nm、2nm先进制程 [2] - 荷兰阿斯麦(ASML)是光刻领域绝对龙头，垄断7nm以下先进制程市场，其高NA EUV设备是3nm、2nm制程核心装备 [2] - 美国应用材料(AMAT)作为平台型巨头，产品覆盖沉积、刻蚀、检测等多环节 [2] - 美国泛林(LAM)主导刻蚀赛道，同时在清洗、沉积领域稳居前列 [2] - 美国科磊(KLA)掌控检测量测与良率管理赛道，设备成为全球晶圆厂标配 [2] - 日本东京电子(TEL)在涂胶显影、热处理领域占据绝对优势 [2] - 爱德万测试、迪恩士、迪斯科等日本企业在测试系统、湿法清洗、晶圆切割等细分领域形成技术壁垒 [2] - 北方华创是TOP10中唯一的中国企业，实现前道核心设备全流程覆盖，成为国产平台型龙头 [3] - 北方华创的5nm刻蚀设备进入台积电测试，14nm刻蚀设备批量落地，核心零部件国产化率提升至60%，并成功切入英特尔、英伟达供应链 [3] 中坚梯队企业分析 (TOP11-20) - 榜单11-20名以美日企业为主，聚焦量测、探针台、先进封装等细分配套设备 [5] - 日本东京精密、日立高新等企业依托精密制造积淀，提供高可靠性量测检测、热处理设备 [5] - 美国Axcelis、泰瑞达分别主导离子注入、ATE测试赛道 [5] - 美国Onto Innovation深耕先进制程检测量测 [5] - 日本NuFlare、SCREEN Finetech在电子束光刻、先进封装设备领域形成特色优势 [5] - 中微公司、上海微电子作为中国企业跻身TOP20，成为国产设备重要名片 [5] - 中微公司作为刻蚀领域龙头，5nm介质刻蚀设备导入台积电，全球累计发货量突破6800台，国内市占率约15% [6] - 中微公司带动国产刻蚀设备全球份额接近10% [6] - 上海微电子是国内唯一光刻整机厂，90nm光刻机规模化量产，28nm浸没式DUV实现批量交付，良率达95% [6] - 上海微电子在先进封装、LED光刻领域全球市占率稳居前列，并构建本土供应链带动上下游协同升级 [6] 行业发展趋势 - 先进制程持续向3nm、2nm突破，推动EUV、高NA EUV、先进刻蚀等设备需求高增 [8] - AI芯片、存储芯片扩产进一步拉动半导体设备市场增长 [8] - 产业链自主可控需求推动国产替代加速，中国企业在成熟制程全覆盖基础上，向先进制程攻坚 [8] - 短期看，美日荷头部企业的技术壁垒难以打破，仍将主导高端设备市场 [8] - 未来，中国企业将依托研发投入、产业链协同与国内市场需求持续攻坚，提升国际份额 [8] - 美日荷企业则将巩固技术优势，通过本土化合作参与中国市场竞争，全球竞争将更趋多元 [8] 全球TOP20半导体设备公司完整榜单 - 1、阿斯麦 ASML（荷兰）：EUV+DUV 光刻 [9] - 2、应用材料 AMAT（美国）：沉积 / PVD/CMP/ 刻蚀 / 检测 [9] - 3、泛林 LAM（美国）：刻蚀 + 清洗 + 沉积 [9] - 4、东京电子 TEL（日本）：涂胶显影 + 热处理 + 刻蚀 + 沉积 [9] - 5、北方华创 NAURA（中国）：刻蚀 + 沉积 + 清洗 + 热处理 [9] - 6、科磊 KLA（美国）：检测 + 量测 + 良率管理 [9] - 7、爱德万测试 Advantest（日本）：ATE 测试系统 [9] - 8、ASM 国际 ASMI（荷兰）：沉积 + 扩散 + 氧化 [9] - 9、迪恩士 Screen（日本）：清洗 + 涂胶显影 + 测试 [9] - 10、迪斯科 DISCO（日本）：晶圆切割 + 研磨 + 抛光 [13] - 11、东京精密 Tokyo Seimitsu（日本）：量测 + 检测 + 探针台 [13] - 12、日立高新 Hitachi High-Tech（日本）：检测 + 刻蚀 + 沉积 + 分析仪器 [13] - 13、中微公司 AMEC（中国）：刻蚀（5nm 级）+MOCVD [13] - 14、Kokusai Electric（日本）：热处理 + 沉积 [13] - 15、Axcelis（美国）：离子注入设备 [13] - 16、泰瑞达 Teradyne（美国）：ATE 测试 [13] - 17、NuFlare（日本）：电子束光刻/EBDW [13] - 18、SCREEN Finetech（日本）：先进封装设备 [13] - 19、Onto Innovation（美国）：检测 + 量测 [13] - 20、上海微电子 SMEE（中国）：DUV 光刻（90-28nm） [13]