纪要涉及的行业和公司 - **行业**：光刻机行业、半导体行业 - **公司**：ASML（阿斯麦尔）、佳能、尼康、中芯国际、华虹半导体、福晶科技、阿石创、惠程真空、迈莱光学、波盛光电 纪要提到的核心观点和论据 市场格局 - **全球市场**：全球光刻机市场高度集中，ASML 占据超 80%份额，佳能和尼康已落后；低端 IE 光刻机领域佳能出货多，KRF 领域 ASML 一年出货超 150 台，尼康和佳能约 50 台，干法 ARF 领域年出货约 28 台，静默式 ARF 领域达 129 台，EUV 领域基本仅 ASML 能生产[1][10]。 - **国内市场**：国内半导体行业在先进制造和光刻机领域处于从 0 到 1 阶段，因海外对高端光刻机禁运，发展迫切性高；国内在先进制程中使用静默式光刻机多，是国产替代迫切方向，但面临巨大挑战[2][11]。 技术发展 - **光刻技术**：经历接触式、接近式到投影式发展，投影式成主流，还引入液浸式技术优化成像效果；光刻机发展从机线光刻机（波长约 430 纳米）到 i 线（365 纳米）、KRF（248 纳米）、ARF（193 纳米）、EUV（13.5 纳米）[1][5][9]。 - **核心组成部分**：光源系统决定波长和功率，影响加工精度和良率；照明系统将激光传输到掩模版，含关键部件可优化光束形状；投影物镜系统将掩模版图案投影到硅片，设计与制造难度大，价值量最高[1][12][15]。 国产替代 - **重点方向**：未来国产替代卡脖子环节重点关注中芯国际代表的先进制造，以及福晶科技、阿石创等代表的光刻机产业链，这些方向有巨大市场空间和长期成长潜力[1][7]。 产品与部件 - **ASML 产品**：产品编号越大越高端，不同型号根据分辨率适用于不同精度加工任务，高分辨率支持更先进制程、提高良率[13]。 - **光源系统**：是光刻机制成核心，由发光部件等组成，影响加工精度和良率，是决定分辨率重要因素之一[12]。 - **光学公式**：分辨率由光源波长、物镜数值孔径、工艺因子决定，短波长、高数值孔径和优化工艺因子可提升分辨率[14]。 - **不同光源**：汞灯适用于低分辨率需求，KrF 和 ArF 可实现更短波长提高分辨率，EUV 采用二氧化碳激光击打锡滴产生 13.5 纳米极紫外线，是最先进复杂技术[16]。 其他重要但可能被忽略的内容 - **产业链差异**：全球以 ASML 为例，镜头由蔡司公司制造并运送；国内由供应商设计镜头，交给专业公司制造[19][20]。 - **工件台**：在曝光过程中关键，技术难点包括抗震能力和稳定运行速度，配备高精度传感器确保芯片与光束精确定位，部分高端传感器依赖手工制作[21]。 - **市场看法**：市场看好光刻机赛道，与先进制程密切相关，不受短期业绩和估值波动影响，重点推荐中芯国际、福晶科技、阿石创等公司，福晶科技股价从 2024 年底至今滞涨，板块有机会可能迎来行情[22]。

光刻技术核心 - 光刻是半导体制造中最重要且技术壁垒最高的环节，通过光刻机将掩模版图案转移至晶圆，直接决定产线技术水平 [8][9] - 光刻工艺分为曝光、显影和清洗三阶段，需涂覆光刻胶并通过化学反应实现图案转移 [9][14] - 分辨率是光刻机核心指标，由瑞利公式决定，与光源波长λ、数值孔径NA及工艺因子k1相关 [2][15][25] 光刻机技术演进 - 光源波长从436nm汞灯光源迭代至13.5nm EUV光源，优化跨度最大 [35][36][38] - 数值孔径NA通过浸润式技术（折射率1.44）和透镜设计提升，浸没式光刻机NA达1.35 [41][53][57] - 工艺因子k1通过RET技术突破0.25理论极限，包括OPC、OAI、PSM等方法 [59][60][62] 光刻机核心部件 - 光源系统：EUV光源由CO2激光轰击锡靶液滴产生，全球仅Cymer和Gigaphoton能供应 [3][39][69] - 光学系统：DUV采用29片透镜组，EUV采用蔡司反射镜（平整度<0.05nm） [73][74][76] - 工件台系统：ASML双工件台技术使生产效率达295片/小时，精度控制是关键 [78][79] 行业竞争格局 - ASML凭借双工件台、浸润式和EUV技术垄断市场，EUV市占率100% [80][83][84] - 尼康聚焦DUV（38nm分辨率），佳能主攻KrF/i线等低端市场 [113][114][115] - 全球光刻机CR3近100%，ASML占60%份额 [83][84] 国产化进展 - 上海微电子已实现90nm DUV光刻机量产，封装光刻机全球市占40% [131] - 华卓精科突破双工件台技术，国科精密研发NA=0.75物镜系统 [128][131] - 中科院22nm超分辨光刻装备通过验收，结合双重曝光可达10nm级 [128]

报告行业投资评级 - 看好丨维持 [11] 报告的核心观点 - 通过对光刻机关键技术、关键工艺环节的分析以及对光刻机行业格局的复盘，我国光刻机产业或可充分发挥后发优势，集中力量攻克核心环节，最终实现国产自主之路 [4] 根据相关目录分别进行总结 灿若星河，光刻机加冕半导体皇冠 - 光刻是晶圆制造中最重要的技术之一，核心设备光刻机直接决定晶圆制造产线的技术水平，也是晶圆制造工艺中价值量和技术壁垒最高的设备之一 [22] - 光刻技术的核心是使用光刻机将芯片的设计图案转移至硅片，加工步骤分为曝光、显影和清洗三个阶段 [24] - 分辨率是光刻系统能够实现的最小精度，也是光刻曝光系统最重要的技术指标之一，为提高分辨率，工程中常用的方式包括增大投影光刻物镜的数值孔径、采用更短的工作波长、减小光刻工艺因子等 [28][32] - 光刻机的关键尺寸（分辨率）与集成电路的核心物理参数存在对应关系，ASML 将光刻工艺的关键尺寸（分辨率）定义为半周期间距 [34][35] - 影响光刻机加工的集成电路关键尺寸的因素有光源波长λ、数值孔径 NA 以及工艺因子 k1，减小特征尺寸提高精度的主要方式为光源波长的缩短，当波长缩短到当时科技的极限时，主要的攻克方向逐渐变为增大 NA 以及缩小 k1，直到更短波长的光源被发现并大规模应用 [39] - 光源波长的发展历程经历汞灯、准分子激光器、EUV 光源三个阶段，减小光刻机所用光源波长是优化分辨率最直接有效的方式 [43] - 当光源演进触及技术瓶颈时，增大数值孔径成为减小光刻机分辨率另一有效的方式，数值孔径的计算公式为 NA=nsinθ，增大 NA 的方式包含增大透镜工作介质的折射率或增大透镜的收光能力 [51] - 工艺因子 k1 包含因素多样，RET 技术可增大 k1，增强分辨率，主要方法包括邻近效应修正、离轴照明、使用具有相移的掩模版、添加亚分辨率的辅助图形等 [74] 百川归海，光刻机零件聚焦三大核心 - 光刻机内部最核心的环节主要在于光源系统、光学系统、工件台系统，除以上三大核心环节，光刻机内部还包括晶圆传输系统、减震系统、外部的操纵台，并且光刻机的曝光还需要在特制的洁净室 [77] - 光源系统为光刻过程提供能量，是光刻机最关键的环节，由早期的高压汞灯，发展至准分子激光器系统，再到现在的 EUV 光源，光源系统的升级极大缩小了波长，是提高光刻机分辨率最重要的方式 [82] - 光源系统具备极高壁垒，全球供应商寥寥可数，目前全球仅 ASML 的子公司 Cymer 和日本的 Gigaphoton 可供应 EUV 光源，我国科益虹源紧随其后成为目前全球第三家 DUV 光源供应商 [83] - 光学系统不仅是光的传播路径，同时可以缩小像差，增大收光角，进而提高分辨率，对于 DUV 光刻机需要采用 29 片透镜，而 EUV 光刻机则需要蔡司定制的平整度小于 0.05nm 的反射镜 [88][89] - 工件台系统主要功能是负责控制硅片步进运动，同时重点要兼顾掩模版、晶圆和双工件台的实时对准，ASML 提出的双工件台系统极大提升光刻的精度与效率，目前除 ASML 外，我国华卓精科打破技术壁垒，最先进的水平可实现支持浸润式光刻机 ArFi 的双工件台 [91] 筚路蓝缕，复盘光刻机龙头波澜历程 - 光刻机发展历史大致可分为三个主要阶段，各大龙头相互替代关键因素在于技术迭代升级，根据光刻机产业重心来看，经历了美国—日本—荷兰（ASML）的迁移过程 [94] - 凭借极高的技术壁垒，全球光刻机市场“一超双强”格局基本稳定，从销售台数看，21 世纪后光刻机市场基本由三巨头 ASML，佳能以及尼康垄断，CR3 接近 100%，其中 ASML 市占率近 60%独占鳌头，从产品布局看，ASML 在先进制程优势显著，尼康占据 ArFi 光刻机剩下的不到 10%份额，而佳能光刻机主要覆盖 i 线以及 KrF 等相对低端制程 [97] - 1960~1980 年，美国作为半导体技术的发源地，在早期近乎垄断了半导体制造业，其中具备代表性的龙头为 GCA 以及 Perkin Elmer，美国光刻机行业的先发优势受到严重冲击 [94][110] - 1980~2000 年，受益于 PC 崛起带动的存储需求爆发以及政府的大力扶持，日本半导体产业迅速崛起，尼康与佳能两大光刻机巨头实现对美国的反超，日本光刻机的崛起见证了举国体制下后发优势的充分发挥，或可成为我国良好的借鉴 [94][111][130] - 2000 至今，在光源波长达到 193nm 后，尼康选择攻克下一代 157nm 但遇到较大阻力，而 ASML 联合台积电转向浸润式光刻机，实现等效的 134nm 波长，而后续 ASML 在 EUV 光刻机的垄断正式奠定全球光刻机龙头地位 [94] 风起青萍，国产光刻路虽远行则将至 - 我国光刻机产业起步并不晚，但早期缺乏产业链的全面布局以及自主化的决心，发展历程缓慢，90 年代光刻机发展趋于停滞，没能延续起步阶段积累的优势 [145] - 自主化战略确立，政策扶持下国内光刻机行业扬帆再起，近年来在政府扶持和统一规划明确分工的前提下，后发优势凸显 [146] - 上海微电子是“02”专项光刻机项目承担主体，其封装光刻机在全球市场占有 40%以上的份额，国内市场占有率超 90%，在 IC 前道制造领域，公司 SSX600 系列步进扫描投影光刻机可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求 [150] - 国内多家公司在光刻机光学、整机、功能件等领域取得进展，可应用于光刻机等设备 [151]

投资组合与策略 - 投资组合中股票与看涨期权各占50% [1] - 采用逆向投资风格 具有高风险特征 常涉及非流动性期权交易 [1] - 投资期限通常为3-24个月 偏好因非经常性事件导致近期抛售的股票 [1] 选股方法 - 重点关注内部人士在低价位增持的公司 [1] - 通过基本面分析评估公司健康状况 包括杠杆水平和财务比率 并与行业均值进行比较 [1] - 对增持的内部人士进行专业背景调查 [1] - 使用技术分析优化买卖点 主要采用多色线条分析周线图的支撑位和阻力位 [1] 投资范围 - 主要投资美国市场股票 但也可能持有新兴市场公司股份 [1] - 筛选流程覆盖数千只股票 [1]

美股市场表现 - 道指跌316.38点，跌幅0.70%，报44693.91点；纳指涨37.94点，涨幅0.18%，报21057.96点；标普500指数涨4.44点，涨幅0.07%，报6363.35点 [3] - 纳指与标普500指数再创新高 [2][3] - 银行股多数上涨：高盛涨0.25%，摩根士丹利涨0.18%，美国银行涨0.57%，富国银行涨0.2%；摩根大通跌0.05%，花旗跌0.61% [6][7] 特朗普与美联储动态 - 特朗普造访美联储，与鲍威尔讨论利率问题，称若利率降低3个百分点至1%，美国可省下1万亿美元 [5] - 特朗普提及可能解雇鲍威尔，但未明确行动 [5] - 美国财长贝森特称可能在12月或明年1月宣布新一任美联储主席提名人选 [5] 美联储银行资本监管会议 - 美联储史上首次召开银行资本监管公开会议，副主席鲍曼主持，鲍威尔未发言 [5] - OpenAI CEO山姆·阿尔特曼参与“炉边对谈”，首次将AI对金融监管的影响纳入公开议程 [5] 科技股与芯片股表现 - 大型科技股多数上涨：英伟达涨1.73%，亚马逊涨1.73%，谷歌涨1.02%，微软涨0.99%，脸书涨0.17%；苹果跌0.18%，特斯拉跌8.20% [7][8] - 芯片股涨跌不一：超威半导体涨2.19%，博通涨1.77%，英伟达涨1.73%，阿斯麦涨1.14%；英特尔跌3.66%，格芯跌2.24% [9][10] 公司动态与财报 - 特斯拉股价大跌8.20%，特朗普否认要“摧毁”马斯克公司 [7][8] - 英特尔Q2每股收益-0.67美元（预期-0.26美元），营收129亿美元（预期119.2亿美元），净亏损29亿美元（预期-12.6亿美元） [10][11] - 英特尔计划裁员15%，预计Q3营收126亿至136亿美元（分析师预期126.4亿美元） [11] 行业前瞻 - 马斯克旗下Neuralink目标2031年实现年收入10亿美元，每年为2万人植入脑机接口设备 [9] - 微软工程师为OpenAI GPT-5准备服务器容量，预计最早下月发布 [9]

人工智能投资机会 - 投资人工智能领域可通过开发数字AI工具的公司或押注机器人及自动驾驶等物理AI实现 [1] - ASML作为半导体制造关键设备供应商，受益于AI发展带来的长期增长机会 [2] ASML行业垄断地位 - 公司在极紫外光刻(EUV)设备领域具有全球垄断优势，该设备对AI芯片制造至关重要 [6] - 光刻技术是半导体制造中最复杂且关键的环节，ASML设备通过逐层打印电路设计完成芯片3D结构 [5] - 84%最新季度系统订单用于逻辑芯片(如GPU/CPU)，16%用于存储芯片(如DRAM)，显示产品结构向AI计算需求倾斜 [7] 财务表现与增长预测 - 2025年预计营收增长15%至325.5亿欧元(378.5亿美元)，毛利率52% [8] - 2030年营收目标低端440亿欧元(511.6亿美元)需7.8%年复合增长率，高端600亿欧元(697.7亿美元)需16.5%年复合增长率 [18] - 最新季度净利润率29.8%，每股收益5.90欧元(6.85美元)，预计2030年净利润可达132-200亿欧元(153-232亿美元) [19] 商业模式特性 - 设备单价高达8550万美元，单季度销售76台带来55.96亿欧元(65亿美元)收入 [12] - 销售周期受晶圆厂(如台积电)资本支出节奏影响，订单波动可能由贸易政策等宏观因素引发 [11][12] - EUV设备体积庞大(如双层巴士尺寸)，需数月安装调试且依赖全球供应链，对关税政策敏感 [14] 估值分析 - 当前市值约2890亿美元，对应2030年市盈率12.4-18.9倍，基于过去12个月市盈率仅26.3倍 [20][21] - 高毛利特性(预计持续扩张)使营收转化为利润的效率显著，长期收益潜力突出 [18][19] 长期投资逻辑 - 公司定位为AI算力需求爆发的底层受益者，短期业绩波动不影响2030年技术路线确定性 [16][22] - 产品覆盖从芯片制造到终端应用的全产业链，但投资者需容忍季度业绩的阶段性波动 [15][23]

花旗集团将 ASML目标股价从600欧元下调至550欧元。 ...

公司评级调整 - 花旗集团将ASML目标股价从600欧元下调至550欧元 [1]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：美国半导体和半导体设备行业 - **公司**：ASML、Si'En、PST、Swaysure、INTC、NVDA、LAM Research Corp、KLA Corporation、Applied Materials Inc、Intel Corp 纪要提到的核心观点和论据 ASML相关 - **中国业务方面**：ASML从积压订单中剔除约14亿欧元 虽2024年末多家中国新客户被列入美国实体清单但现在才剔除订单 UBS分析师认为是客户最终取消了自1月1日起受限制的订单 不过这对2026年中国本土晶圆制造设备（WFE）并无负面影响 预计同比仍将增长近10%至约350亿美元[2] - **2026年展望方面**：关税带来不确定性 尤其是对个人电脑/智能手机需求的破坏 但这并非新情况 ASML 2026年的部分不确定性可能是公司特有的 UBS认为其明年增长将低于全球半导体设备（SPE）同行 部分原因是N2节点的极紫外（EUV）层增加不足 意味着其他技术将获得更多支出并抢占WFE份额 此外 大客户如INTC可能向ASML发出削减资本支出的信号[2] 美国政府政策方面 - 特朗普政府告知NVDA撤销对H20芯片向中国出口的禁令 但H20发货量取决于订单情况 且NVDA可能没有为Hopper晶圆下新订单 发货可能限于现有库存 同时供应链一直在准备仅配备GDDR而非HBM的Blackwell SKU运往中国 有可能特朗普政府允许配备HBM的Blackwell SKU出口 这可能与稀土贸易协议有关 对于半导体设备 投资者担心美国对中国SPE出口的打击加剧 但行业讨论表明情况可能反转 政府可能允许更多设备运往中国[3] 美国SPE供应商方面 - 在接下来几周的财报季 覆盖的美国SPE供应商预计不会对2026年有太多新评论 因为公司通常不在7、8月对未来年份发表评论 AMAT、KLAC、LRCX对INTC 2026年资本支出持谨慎态度 这可能是明年最大的不利因素 但仍认为WFE明年会增长[2] 其他重要但是可能被忽略的内容 - **估值和风险**：使用市盈率（P/E）、企业价值/自由现金流（EV/FCF）等多种估值技术 风险因素包括宏观经济低迷、国际贸易中断、技术创新导致的行业结构变化等[6] - **评级定义**：12个月评级分为买入（FSR高于MRA 6%以上）、中性（FSR在MRA的 - 6%至6%之间）、卖出（FSR低于MRA 6%以上） 短期评级分为买入（股价预计在三个月内上涨）、卖出（股价预计在三个月内下跌）[10] - **价格信息**：LAM Research Corp股价为100.66美元（2025年7月18日）、ASML股价为633.50欧元（2025年7月18日）、NVIDIA Corp股价为172.41美元（2025年7月18日）、KLA Corporation股价为931.12美元（2025年7月18日）、Applied Materials Inc股价为190.44美元（2025年7月18日）、Intel Corp股价为23.10美元（2025年7月18日）[18] - **全球各地区分发和合规信息**：详细说明了报告在全球不同国家和地区的分发情况、适用的监管规定以及对投资者的限制等内容 如在美国分发给美国人士需通过UBS Securities LLC或UBS Financial Services Inc 不同地区对报告的使用和分发有不同要求和限制[43][44][68]

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1][3] - 上世纪八九十年代佳能与尼康曾主导全球光刻机市场，占据大半份额[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在浸没式光刻和EUV技术迭代中落后，ASML实现反超[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14纳米线宽，有望推进至10纳米，支持5纳米制程[7][16] - 技术原理采用"盖印章"式压印，一次成型复杂电路，避开光学衍射限制[15] - 成本优势显著：设备价格比EUV低一个数量级，能耗仅为EUV的10%[15] - 重点布局3D NAND闪存等细分市场，与铠侠合作推进量产应用[13] - 已向美国TIE研究所交付设备，客户包括英特尔、三星等巨头[11] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的浸没式ArFi光刻机，争夺市场份额[25][26] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格低20-30%[27] - 2025年推出首款FOPLP工艺光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[29][30] - 采用无掩模技术实现1.0μm分辨率，瞄准先进封装市场[30][34] 其他颠覆性技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7纳米，成本为EUV的1/3[36] - 欧洲Lace Lithography原子光刻技术达2纳米分辨率，能耗仅EUV的1/10[37] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术，可减少30%EUV曝光次数[38] 行业未来发展趋势 - 光刻技术路线呈现多元化趋势，可能从单一垄断转向多技术并存[38][41] - 佳能尼康通过构建产业生态联盟增强竞争力，包括芯片制造商和材料供应商合作[39] - 新兴市场和细分领域（如先进封装）成为竞争焦点[34][39]