光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学 院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环 境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文 近日刊发于《自然·通讯》。 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。研究人员最终合成出一张分辨率 优于5纳米的微观三维"全景照片"，一举克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。 彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深 入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控 制与良率提升。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。光 刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不准、好不好，进而影响芯片良 率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的工艺优化只能靠反复试错，这成为 制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 大约每隔 6 个月，我们就会看到有关纳米压印光刻颠覆 EUV 的新一轮头条新闻。 这听起来像是个不错的标题党，但事实并非如此。这项技术有很多有趣且有效的应用，但远不及 EUV所能达到的程度。理论上，NIL可以匹敌甚至超越EUV。但实际上，NIL存在一些严重的问 题，而且目前还没有明确的发展方向。 在本文中，我们将从理论层面与晶圆厂实际操作层面解释这些差异。我们还将详细介绍市场中的关 键参与者及其可能的应用场景。首先，我们来了解一下 NIL 的基本概念及其功能： NIL 基础知识和历史 纳米压印光刻技术使用带图案的"印章"在树脂上压印图案。在半导体生产中，它与 ASML 的光刻 技术实现相同的最终目标——将掩模上的图案转移到晶圆上。这些图案只是芯片设计的一层。堆叠 50-100 层，进行图案化处理，然后在每一层上进行蚀刻和沉积等其他技术，最终构建出完整的芯 片。 最有前景的纳米级NIL技术发明于1996年，并于2001年从学术界分离出来，成为一家商业实体， 即Molecular Imprints Inc.（MII）。佳能于2014年收购了MII，并在ASML开始向客户研 ...

A股三大指数高开后震荡走强，涨幅均超1%。盘面上，科技板块强势上涨，存储板块午后再度上攻。 截至13点48，人工智能AIETF（515070）涨幅扩大至2.31%，其持仓股新易盛、大华股份涨超8%，深信 服、光迅科技、协创数据纷纷上涨。 人工智能AIETF（515070）跟踪CS人工智能主题指数（930713），成分股选取为人工智能提供技术、 基础资源以及应用端个股，聚集人工智能产业链上中游，俗称"机器人"大脑"缔造者"，万物互联"地 基"。前十大权重股包括中际旭创、新易盛、寒武纪-U、中科曙光、科大讯飞、豪威集团、海康威视、 澜起科技、金山办公、紫光股份等国内科技龙头。 （文章来源：每日经济新闻） 消息面上，北京大学团队首次将冷冻电子断层扫描技术应用于光刻胶微观行为解析。该技术成功"定 格"并三维重构了光刻胶在显影液中的真实状态，分辨率优于5纳米，突破了传统方法无法原位、高分辨 率观测的局限。基于此，团队提出了抑制缠结与界面捕获的工艺方案，使12英寸晶圆的光刻缺陷数量降 幅超过99%，且方案与现有产线兼容，为先进制程良率提升提供了新方法。 申港证券指出，光刻是整个集成电路制造过程中耗时最长、难度最大的工艺， ...

技术突破 - 北京大学彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术首次原位解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为 [1] - 该技术突破指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案 [1] - 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一 [1] 行业格局与前景 - 中国光刻胶产业已形成“多点开花，梯队突破”的格局 [1] - 行业增长受三重逻辑支撑：市场规模持续扩容，国产化替代空间广阔；技术突破打通产业化瓶颈；政策与需求双轮驱动，行业进入红利释放期 [1] - 中国光刻胶产业正从“技术突破期”迈向“规模化放量期”和“盈利能力兑现期” [1] 市场表现 - 截至2025年10月27日09:44，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)强势上涨3.80% [1] - 指数成分股艾森股份(688720)上涨11.45%，拓荆科技(688072)上涨6.57%，中微公司(688012)上涨5.36% [1] - 科创半导体ETF鹏华(589020)上涨3.84%，最新价报1.22元 [1] 指数与ETF构成 - 科创半导体ETF鹏华紧密跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数 [2] - 上证科创板半导体材料设备主题指数选取科创板内业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本 [2] - 截至2025年9月30日，该指数前十大权重股合计占比74.36%，包括中微公司、华海清科、拓荆科技等 [2]

彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深 入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷 控制与良率提升。 来 源： 内容来自科技日报 ，作者：张盖伦，谢谢 。 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程 学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液 相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相 关论文近日刊发于《自然·通讯》。 "显影"是光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。 光刻胶如同刻画电路的颜料，它在显影液中的运动，直接决定电路画得准不准、好不好，进而影响芯 片良率。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是"黑匣子"，工业界的工艺优化只能靠反复试错， 这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。 为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。研究人员最终合成出一张分辨 率优于5纳米的微观三维"全景照片"，一举克服了 ...

光刻技术的重要性与挑战 - 光刻是芯片制造中给半导体晶圆印电路的关键步骤 是微纳加工领域的核心技术[1] - 光刻胶分子在显影液液膜中的吸附与缠结行为是影响晶圆表面图案缺陷形成的关键因素 直接影响芯片性能和良率[1] 研究方法的创新 - 团队首次将冷冻电镜断层扫描技术引入半导体领域 设计了一套与光刻流程紧密结合的样品制备方法[2] - 该方法通过急速冷冻至玻璃态瞬间冻结光刻胶在溶液中的真实构象 通过三维重构达到亚纳米级分辨率[2] - 与传统方法相比 该技术可高分辨率重建液膜中光刻胶聚合物的三维结构与界面分布 并能解析聚合物缠结现象[2] 核心发现与产业意义 - 三维图像显示溶解后的光刻胶聚合物大多吸附在气液界面 而非传统认为的分散在液体内部[3] - 研究首次直接观察到光刻胶聚合物依靠较弱力或疏水相互作用形成凝聚缠结 吸附在气液界面的聚合物更易缠结形成平均尺寸约30纳米的团聚颗粒 这些颗粒是光刻潜在的缺陷根源[3] - 团队提出抑制缠结和界面捕获两项解决方案 实验表明结合使用后12英寸晶圆表面的光刻胶残留物引起的图案缺陷被成功消除 缺陷数量降幅超过99% 且方案与现有半导体产线兼容[3] - 该技术为在原子/分子尺度上解析液相界面反应提供了强大工具 为提升光刻精度与良率开辟新路径[3]

重要市场新闻 - 中美双方于10月25日至26日在吉隆坡举行经贸磋商，并就多项重要经贸议题形成初步共识 [1] 商业航天行业 - 北京时间2025年10月26日，我国成功发射高分十四号02星，此为长征系列运载火箭的第603次飞行 [2] - 商业航天高密度发射显示中国卫星互联网建设提速，2025年成为中国商业航天爆发元年 [2] - 中国商业航天市场规模从2020年的92亿元暴增至2024年的3100亿元，年复合增长率超100%，增速为全球的5倍 [2] - 概念股包括华力创通、天银机电、上海瀚讯等 [2] 量子计算行业 - IBM成功在AMD商用硬件上实时运行量子错误纠正算法，速度比实时纠错所需快约10倍 [3] - 采用的qLDPC码能用少10倍的物理量子位编码和保护一个稳定的逻辑量子位 [3] - 量子计算产业处于关键转折期，2025-2030年为商业化落地黄金窗口，有望迈进千亿美元市场规模 [3] - 中国在量子通信、光量子计算等领域有望实现局部突破，概念股包括科大国创、三未信安、国盾量子等 [3] 光刻技术行业 - 北京大学团队首次原位解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构，相关论文发表于《自然·通讯》 [4] - 该研究克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的痛点，指导开发出可减少光刻缺陷的产业化方案 [4] - 概念股包括晶瑞电材、南大光电、强力新材等 [4] 公司股东减持 - 奕瑞科技股东上海奕原禾锐投资咨询有限公司拟减持不超过324.39万股，占总股本1.53% [6] - 碧兴物联股东丰图汇烝计划减持不超过235.56万股，占总股本3% [6]

技术突破 - 北京大学团队首次通过冷冻电子断层扫描技术原位解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为 [1][3] - 该技术将光刻胶在显影液中的状态快速冷冻至玻璃态进行“定格”，并通过三维重构算法获得分辨率优于5纳米的高分辨率三维视图 [3] - 该方法一举解决了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测光刻胶微观行为的三大痛点 [3] 产业意义与应用前景 - 该研究精准掌握了光刻胶在液体中的微观行为，将显著减少光刻缺陷，推动光刻、蚀刻、清洗等先进制造环节的良率提升 [4] - 光刻工艺耗时占集成电路制造总耗时的50%左右，成本约占集成电路生产成本的1/3 [4] - 冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上原位研究液体环境中的化学反应提供了通用工具，其意义远超光刻领域本身 [4] 光刻胶市场 - 2023年中国光刻胶市场规模约为109.2亿元，2024年增长至114亿元以上 [5] - 预计到2025年，中国光刻胶市场规模可达123亿元，KrF光刻胶等中高端产品国产替代进程正在加快 [5] - 光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和PCB光刻胶，其中半导体光刻胶的技术壁垒最高 [4] 光刻机国产化进程 - 中国光刻机国产化进程加快，但在高端光刻机技术方面仍受制于国外供应商 [6] - 光刻机产业链涵盖上游设备及配套材料、中游系统集成和生产、下游应用三大环节 [6] - 国内在光刻机各细分技术领域均有技术储备，例如科益虹源研发248nm和193nm准分子激光器，国望光学研发90nm节点ArF光刻机曝光光学系统等 [7] 产业链相关公司 - 光刻机产业链中技术积累较深或已进入核心供应链的厂商包括芯碁微装、富创精密、炬光科技、赛微电子、波长光电等 [6] - 在光源领域，福晶科技、茂莱光学等公司有所布局；在整机领域，上海微电子、奥普光电等公司有所涉及 [6]

技术突破 - 北京大学彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为 [1] - 该技术指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案 [1] 行业影响 - 光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一 [1] - 相关研究成果已刊发于《自然·通讯》期刊 [1]

IWAPS的使命与定位 - IWAPS成立于2017年，核心使命是填补国内先进光刻技术领域全球化专业交流平台的空白，促进国内技术快速追赶国际先进水平[3] - 致力于打造国际化、高层次技术交流平台，汇聚全球顶尖学者、头部企业及产业链代表，推动计算光刻、DTCO、EUV等前沿技术在中国本土落地[3] - 已成为国内规模最大、国际化程度最高的光刻技术峰会，是连接中国与世界光刻创新体系的重要桥梁[3] IWAPS的产业价值与学术价值 - 为国内外半导体工业界、学术界的资深专家提供技术交流平台，涵盖材料、设备、工艺、测量等主题[4] - 作为连接全球光刻产业链的枢纽，得到四十多家国内外顶尖集成电路企业支持，其中国际头部企业赞助商占比达53%，国内企业占比47%[4] - 会议规模持续扩大，从最初200多人的中型论坛发展为参会人数超过700人的大型国际峰会，会议上分享的报告超百篇[11] - 会议论文被IEEE/SPIE收录，并设置“Best Poster”奖项鼓励青年学者，每年有数百名青年学者获得与国际知名专家、企业总裁现场交流的机会[11] - 与会议举办地产业部门深度协同，在南京、成都、佛山、丽水、深圳等产业核心区构建区域性创新枢纽，激活区域产业生态[8][9] 韦亚一教授的领导作用 - 韦亚一教授作为IWAPS大会的灵魂人物，是中国科学院大学特聘教授，长期从事半导体光刻领域研发，拥有丰富的产业化经验[15] - 在中美贸易战及西方技术封锁的困境下，坚定指出先进光刻技术是打破发展困境的关键，并克服困难坚持举办第三、第四届会议[16] - 在疫情期间采用线下交流、线上互动的方式，成功举办第五届和第六届会议，为国内行业发展注入动力[16] - 自2024年起，代表IWAPS组委会与SPIE签订合作办会协议，会议成功列入SPIE会议名录，标志着会议发展登上新台阶[18]