股价表现与交易数据 - 9月3日盘中股价77.82元/股 上涨2.03% 总市值137.18亿元 成交额1.47亿元 换手率1.81% [1] - 主力资金净流出656.34万元 特大单买卖占比分别为5.13%和5.45% 大单买卖占比分别为20.37%和24.51% [1] - 今年以来股价累计上涨99.59% 近5日涨1.26% 近20日跌0.44% 近60日涨47.00% [2] 公司基本面与业务构成 - 2025年上半年营业收入2.14亿元 同比增长68.08% 归母净利润897.45万元 同比增长121.13% [3] - 主营业务收入构成：高功率单管系列76.98% VCSEL及光通讯芯片系列11.47% 高功率巴条系列5.54% 其他业务及废料销售合计6.01% [2] - A股上市后累计派现1.15亿元 近三年累计分红4746.00万元 [4] 股东结构与机构持仓 - 截至6月30日股东户数1.45万户 较上期增加9.23% 人均流通股7323股 较上期减少2.40% [3] - 香港中央结算有限公司持股140.84万股 较上期减少12.39万股 南方中证1000ETF新进持股95.47万股 [4] - 今年以来2次登上龙虎榜 最近2月7日净买入5222.85万元 买卖总额占比分别为17.45%和12.80% [2] 行业属性与概念板块 - 所属申万行业为电子-半导体-分立器件 [2] - 概念板块涵盖光刻机 专精特新 医疗美容 第三代半导体 汽车芯片等 [2]

业绩表现 - 2025年上半年营收达13.98亿元 同比增长14.37% [2] - 归母净利润2.78亿元 同比增长30.92% [2] - 净利润增速高于营收增速主要因产品结构优化与成本管控加强 [4] 研发进展 - 电子陶瓷领域巩固通信器件与汽车电子优势 开发消费电子陶瓷外壳及基板 [3] - 光模块市场机遇下加快电子陶瓷外壳生产线建设 氮化铝陶瓷基板产品大幅增长 [3] - 氮化镓通信基站射频芯片围绕5G-A/6G开展核心产品研发 [3] - 碳化硅芯片晶圆工艺线由6英寸升级为8英寸 已通线并处于客户导入阶段 [3] 业务布局 - 氮化镓通信基站射频器件保持国内市场占有率第一 [4] - 碳化硅功率半导体获新能源汽车头部客户认可 正攻关高压领域 [4] - 光通信器件外壳和基板已批量供货 精密陶瓷零部件通过上机验证 [4] - 与国内外领先企业长期合作 在各细分领域成为核心供应商 [4] 战略规划 - 下半年聚焦主营业务与核心技术创新 加强研发并提高生产效率 [2] - 积极开拓新市场并扩展新产品 [2] - 实施扩张型市场战略 通过营销体系构建和产品开发提升竞争力 [3] - 通过提高发展质量和产业链布局推动投资价值趋向合理 [5] 募投项目 - 4项募投项目均为重组募投资金建设项目 [4] - 氮化镓微波产品生产线与通信功放研发中心项目已主体封顶 [4] - 部分项目延期至2027年10月 第三代半导体封测平台项目谨慎推进 [4]

财务表现 - 2025年上半年实现营收13.98亿元，同比增长14.37% [1] - 净利润达2.78亿元，较2025年同期增长30.92% [1] - 扣非净利润大幅增长55.06%至2.64亿元 [1] - 经营活动现金流量净额3.38亿元，同比增长6.42% [1] 业务结构 - 核心业务分为第三代半导体器件及模块、电子陶瓷材料及元件两大板块 [1] - 氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块为第三代半导体业务核心 [1][2] - 电子陶瓷外壳系列产品达到国内领先、国际先进水平 [2] 市场地位 - 氮化镓通信基站射频芯片与器件细分领域市场占有率国内第一 [2] - 陶瓷外壳产品成为国内少数能与国际知名企业竞争的厂商 [2] - 被认定为国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部制造业单项冠军企业和专精特新"小巨人"企业 [2] 研发投入 - 报告期研发投入1.54亿元，同比增长11.87% [3] - 技术实力突出，正加速推进电子陶瓷领域国产替代进程 [3] - 积极布局精密陶瓷零部件和第三代半导体(GaN、SiC)高成长赛道 [3] 客户关系 - 成为大批国内外电子行业领先企业的核心供应商 [2] - 与客户建立长期稳定的合作关系 [2] - 产品质量可靠，品牌知名度和信誉度获得用户高度认可 [2]

公司业务聚焦 - 公司聚焦第三代半导体器件/模块和以高性能计算为核心应用市场的封测业务 [1] 技术能力与产能 - 公司持续提升第三代半导体功率器件及模块技术和产能 [1] - 公司已具备多种功率模块开发工艺 [1] - 公司可为客户提供定制化服务 [1] 应用市场领域 - 业务覆盖新能源发电、储能、工业电源、数据中心应用市场 [1] - 包括未来800V高压HVDC架构的整个能源应用 [1]

股价表现与交易数据 - 9月2日盘中上涨2.08%至28.98元/股 成交3.10亿元 换手率2.82% 总市值111.18亿元 [1] - 主力资金净流入380.33万元 特大单买入3061.65万元(占比9.88%) 大单买入7387.01万元(占比23.84%) [1] - 今年以来股价累计上涨15.64% 近5日涨6.62% 近20日涨15.00% 近60日涨15.32% [1] - 年内4次登上龙虎榜 最近一次4月7日净买入802.38万元 买入总额2.24亿元(占比9.68%) 卖出总额2.16亿元(占比9.33%) [1] 公司基本情况 - 主营业务为半导体制程设备及工艺支持设备的研发生产销售 衍生高纯工艺系统建设、电子材料、部件清洗及晶圆再生服务 [2] - 收入构成：系统集成78.51% 设备业务16.80% 电子材料4.56% 其他0.13% [2] - 所属申万行业为电子-半导体-半导体设备 概念板块包括融资融券、中盘、第三代半导体、增持回购、华为概念等 [2] 财务与股东数据 - 2025年上半年营业收入16.08亿元 同比增长5.25% 归母净利润3931.87万元 同比下降46.68% [2] - 股东户数8.01万户 较上期减少31.72% 人均流通股4780股 较上期增加46.47% [2] - A股上市后累计派现2.48亿元 近三年累计派现1.36亿元 [3] - 南方中证1000ETF新进第十大流通股东 持股248.44万股 香港中央结算有限公司退出十大股东 [3]

投资评级 - 维持买入评级 目标价72.90元人民币[1][4][6] 核心观点 - 半导体业务呈现温和复苏态势 1H25营业收入52.18亿元 同比增长9.62% 归母净利润3.39亿元 同比增长20.85%[1] - 看好2H25收入和盈利能力持续增长和改善 主要受益于12寸线持续爬坡和第三代半导体加速放量[1][3] - 基于2025年17.44元BPS 给予4.2x 2025E PB估值 较可比公司平均3.8x溢价 主要源于看好12寸和BCD领先优势[4] 1H25业绩表现 - 产品与方案业务收入28.03亿元 同比增长21.54% 其中分立器件贡献20.75亿元 IC业务贡献7.29亿元[2] - 分立器件毛利率20.25% 同比提升4.79个百分点 IC业务毛利率25.16% 同比下降7.02个百分点[2] - 制造与服务业务收入22.39亿元 同比下降2.6% 其中晶圆制造收入14.70亿元 同比增长0.56% 封测收入7.03亿元 同比增长18.48%[2] - 封装业务产能利用率较去年同期大幅提升27个百分点 晶圆制造毛利率39.40% 封测毛利率11.90%[2] 2H25展望与布局 - 针对AI服务器电源领域实现SGT、超结MOS、SiC/GaN器件的全料号布局 均已批量供应[3] - 氮化镓产品面向汽车、消费等多个领域布局 工业及新能源领域部分客户订单交期开始延长[3] - 汽车电子多款产品导入海外OEM及多家国内新势力车企新项目[3] - 深圳90nm模拟12吋工艺平台年底产能有望爬升至2万片/月[3] 盈利预测 - 维持2025/2026/2027年收入预测115.1/129.8/145.0亿元[4] - 维持2025/2026/2027年归母净利润预测9.2/11.4/15.5亿元[4] - 预计2025-2027年EPS分别为0.69/0.86/1.16元[9] 财务数据 - 截至8月29日收盘价52.40元 市值695.63亿元[7] - 1H25毛利率25.65% 同比下降0.75个百分点[1] - 预计2025年ROE为3.19% 2027年提升至4.94%[9]

公司业务与财务表现 - 2025年上半年TMO产品销售表现良好 预计全年营业收入实现较大增长 [1] - 原材料价格下降和营收增长带动毛利改善 成本管控推动净利润提升 [1] - 光引发剂涨价影响较小 因用量低且可提升自产TMO自用比例 [1] - 交易性金融资产波动因创投项目退出所致 影响将逐步减弱 [1] 产品与技术进展 - 厚膜负性光刻胶实现技术突破 临时键合材料已小批量销售 [1] - EMC材料正拓展至先进封装 IGBT及第三代半导体领域 新建高性能产线 [1] - 收购JNC液晶业务助力切入高附加值中小尺寸市场 [1] - 汽车外饰件涂料已在内资车企试样并小批量导入 海外认证推进中 [1] 半导体领域布局 - 公司产品能满足碳化硅与氮化镓等第三代功率器件半导体生产需求 [2] - 产品已进入全国最大的氮化镓厂和碳化硅厂供应链 [2] - 未来增速受半导体需求驱动 但存在下游波动与面板价格不确定性 [1] 机构调研背景 - 上海理成资产管理有限公司参与飞凯材料业绩说明会 [1] - 理成资产参与华特气体特定对象调研 [2] - 理成资产管理规模最高超过100亿元 专注于医药 先进制造 大消费领域投资 [2]

第三代半导体产业概述 - 第三代半导体以碳化硅和氮化镓为代表 具有宽禁带特性 在新能源汽车 新能源并网 高速轨道交通等领域有广阔应用前景[1] - 江苏将第三代半导体列为优先发展的未来产业首位 产业发展水平国内前列 代表性企业数量全国第一 关键材料与生产设备国际领先[1] 江苏产业布局与优势 - 江苏形成以南京 苏州 无锡为核心区 南通 扬州 徐州协同发展的产业格局 2024年营业收入约50亿元[5] - 初步建成完整产业链 涵盖设备与辅材—衬底与外延—器件制造—下游应用[5] - 产业规模和技术创新水平稳居国内第一梯队 徐州天科合达产品覆盖2-8英寸碳化硅晶片 卓远半导体拥有国内首条大英寸金刚石基片研发线[4] 核心技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台研制国内首款万伏级SiC MOSFET和20kV SiC IGBT 应用于国际首个35kV全SiC变电站[3] - 江苏第三代半导体研究院突破6英寸氮化镓材料技术 同质Micro-LED可见光通信刷新两项世界纪录 完成照明通信显示一体化芯片研发[5] - 无锡邑文科技自主研发12英寸CCP介质层刻蚀机和CVD化学气相沉积设备 进入12英寸半导体核心工艺圈 设备订单排产至2026年初[2] 创新生态建设 - 全省第三代半导体发明专利申请量6593件 授权量2448件 分别占全国总量16.02%和14.02% 居全国前列[5] - 南京大学 东南大学等5所高校设立集成电路学院 南京大学郑有炓院士在Ⅲ族氮化物异质结构领域取得国际领先成果[5] - 依托中科院苏州纳米所 中电科55所 江苏第三代半导体研究院等平台 形成全产业链关键技术攻关能力[5] 资本支持体系 - 无锡设立规模50亿元第三代半导体专项基金 支持碳化硅/氮化镓器件企业研发[6] - 省战略性新兴产业母基金支持的英诺赛科于2024年在港交所上市 成为港股"第三代半导体第一股"[6] 发展挑战 - 高端人才集中于高校院所 企业对顶尖科学家吸引力不足 柔性引才政策与科学家时间需求存在矛盾[8] - 核心芯片对外依存度高 新能源汽车电驱功率器件部分依赖进口 存在高端禁运 低质高价 超长货期等问题[8] - 国际技术禁运和封锁对国内发展形成阻碍[8] 未来发展方向 - 强化碳化硅器件研发投入 推动产业集聚和上下游协同 加快科技成果转化[8] - 健全产学研合作机制 建设国家第三代半导体技术创新中心 完善技术创新网络和政策体系[9] - 通过3-5年高质量发展 形成更明显的协同发展态势 扩大产业规模并拓展应用市场[9]

公司主营业务与核心竞争力 - 公司专注于IGBT和FRD功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产和销售，并提供解决方案，产品核心为自研芯片，模块以自研芯片为主、外购芯片为辅 [2] - IGBT和FRD是电气与自动化、电力传输与信息通信系统的核心器件，推动功率半导体国产化进程具有重大战略意义 [2] - 产品覆盖新能源汽车、新能源发电、储能、工业控制、AI电源和机器人等领域，持续创新超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术 [3] 财务表现与经营目标 - 报告期内归属于上市公司股东的净利润为297.8万元，同比增长18.45% [3] - 公司通过加码前瞻性研发投入、丰富产品矩阵、提升市场拓展能力和精细化管理，夯实核心竞争力并推动持续健康发展 [3] 研发投入与创新成果 - 研发人员数量为220人，同比增长4.76%，其中硕士和博士共46人，占比20.91% [3] - 2025年上半年研发投入5856.61万元，占营业收入比例8.61%，同比增长15.23% [3] - 累计获得发明专利83项、实用新型专利83项、外观设计专利10项 [3] - 首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片和车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片研制成功并通过可靠性验证 [3] - SiC SBD芯片通过多家终端客户可靠性和系统级验证，部分产品已批量出货 [4] - GaN 650V 75mohm芯片研制成功并通过内部可靠性验证，正进入客户导入和送样阶段，为拓展AI服务器电源和人形机器人市场奠定基础 [4] 技术战略与产业化布局 - 公司通过技术迭代与产线协同优化提升产品竞争力，构建以SiC和GaN为主、兼顾第四代半导体的多元化技术体系 [4] - 加速SiC和GaN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等应用场景 [4] 募投项目与资金管理 - 公司将可转换公司债券募投项目"车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）"达到预定可使用状态的时间调整至2027年6月30日 [5] - 加强募集资金使用的监督和管理，确保合法有效，并提高资金使用效率 [5] 公司治理与ESG管理 - 公司首次编制并披露《环境、社会及治理（ESG）报告》，获得Wind A级评价，彰显ESG管理良好基础和未来发展潜力 [5] - 持续深化ESG理念融入经营管理各环节，提升管理水平和信息披露质量，追求经济、社会和环境价值的统一 [5] 人才激励与股权计划 - 发布《2025年限制性股票激励计划（草案）》，向121名激励对象授予295.07万股第二类限制性股票，激励对象包括董事、高管和核心技术人员 [6] - 股权激励计划有效保留和激励核心骨干，增强团队凝聚力和战斗力，为持续创新和高质量发展奠定人才基础 [6] 信息披露与投资者沟通 - 2025年上半年披露定期报告2份、临时公告40份，信息内容客观、准确、完整 [6] - 通过投资者专线、邮箱、"上证e互动"和"上证路演中心"等平台与投资者沟通，问题回复率100% [7] - 召开2025年度科创板芯片设计环节行业集体业绩说明会，加深投资者对公司经营情况的了解 [7] 股东回报与股份回购 - 自2021年上市以来累计派发现金红利4249.17万元（含税） [8] - 2024年8月完成第一期股份回购159.80万股，金额2549.62万元；2024年12月实施第二期回购，截至2025年7月末回购119.86万股，金额2001.31万元 [9] - 公司坚持"长期、稳定、可持续"的股东回报机制，探索多次分红的可行性，与股东共享发展成果 [9]

核心财务表现 - 2025年上半年营业收入6.80亿元，同比增长6.86% [3] - 归属于上市公司股东的净利润297.80万元，同比增长18.45% [3] - 经营活动产生的现金流量净额为-66.02万元，同比下降101.15%，主要因支付芯片等原材料金额增加 [3][32] - 研发投入5856.61万元，占营业收入比例8.61%，同比增长8.64% [3][27] 产品与技术进展 - 完成1000V/1200V M7iU系列IGBT和M7d FRD芯片开发认证，通过HV-H3TRB可靠性测试并实现量产 [17] - 车规级750V M7i+EDT3芯片通过头部新能源车企认证，最高结温达185°C [18] - 首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片及车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片研制成功并通过可靠性验证 [18] - 自主研发的GaN 650V 75mohm芯片通过内部可靠性验证，进入客户送样阶段 [19] - 车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块累计出货60余万只，产能实现翻倍 [20] 市场与客户拓展 - 与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备忘录》，聚焦IGBT、FRD等领域深化协作 [16] - 在新能源汽车领域，280-820A/750V灌封模块通过AQG324认证并进入大批量生产 [20] - 光伏用1000V三电平定制模块实现大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付 [19] - 与头部家电企业达成战略合作，为智能空调等提供定制化IGBT模块 [22] 行业发展趋势 - 2024年全球功率半导体市场规模262亿美元，预计2030年SiC模块市场规模达66亿美元 [11] - 2025年上半年国内新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比增长41.4%和35.5% [11] - 国内光伏装机量达212GW，同比增长107%；风电装机量51.39GW，同比增长98.7% [12] - 储能领域新增装机21.9GW/55.2GWh，电网侧储能占比64.9% [13] 研发与创新能力 - 研发人员220人，其中硕士/博士46人，占比20.91% [21][27] - 累计获得专利139项，其中发明专利46项，实用新型专利83项 [21][27] - 博士后科研工作站升级为国家级平台，强化高层次技术人才引进 [25] - IGBT模块整体良率提升0.5%，市场端失效率降低34.5% [21] 产能与供应链布局 - 采用Fabless模式委托芯片代工企业生产自研芯片，外购芯片主要采购自英飞凌等供应商 [4][30] - 建立供应商两级管理机制，通过集中采购和战略招标优化成本控制 [4] - 模块产品采用自产模式，单管产品封装测试环节委托专业代工厂 [6]