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手机电脑“被迫涨价”,供应链“生死线”浮现
21世纪经济报道· 2025-12-09 21:58
文章核心观点 - 由AI热潮驱动的存储结构性紧缺,正引发一场“存储超级周期”,导致消费电子存储芯片价格暴涨,并迫使下游PC与智能手机厂商面临严峻的成本压力,终端产品价格将上涨 [1][4] - 存储行业的价格话语权已从过去的手机周期让位给AI周期,上游原厂将产能优先分配给高利润的AI相关产品,导致消费级存储供应被人为收紧,这种结构性失衡预计将持续至2026年 [4][7] - 面对成本冲击,下游终端厂商的库存深度与供应链能力成为关键分水岭,拥有充足库存和长期协议的大厂能构筑价格护城河,而议价能力弱的厂商则面临生存考验 [5][6][7] 终端市场涨价表现 - PC行业对存储成本最敏感,受DRAM和SSD成本飙升影响,部分笔记本和商用PC在2024年底至2025年初将进入新一轮价格调整周期,市场预估涨幅在10%—20%区间 [2] - 智能手机市场更多采取“暗涨”策略,在保持官方售价不变的情况下,通过收缩优惠折扣、减少赠品等方式对冲BOM成本上涨,实现“体感涨价” [3] - 存储现货价格自2024年下半年以来暴力跳升,DDR4、DDR5等主流存储芯片现货价格普遍录得50%甚至翻倍的涨幅,高端NAND Flash涨势同样凌厉 [3] AI驱动的产能排挤效应 - 本轮涨价由AI驱动的结构性紧缺引发,数据中心对高性能存储(如HBM、企业级DDR5)的需求呈指数级攀升,消耗了大量先进制程晶圆产能和封装资源 [4] - 产生了“产能排挤效应”,原厂将有限产能优先分配给高利润的AI相关产品,导致消费电子常用的DDR4、LPDDR4/5等“普货”产能被挤压,供应被人为收紧 [4] - 在高端存储利润远超消费级产品的背景下,三星、SK海力士、美光等巨头的产能倾斜是长期战略,新增产能也大多流向昂贵的HBM产线 [4][7] 下游厂商的应对策略分化 - 以小米为代表的“预警派”公开预警行业价格压力,反映出智能手机BOM结构中存储占比过高,厂商难以长期自我消化激增的成本 [5] - 以联想为代表的“囤粮派”库存相对充足,已将关键元器件库存水平提升至比平常高出50%,并通过长期供应协议等多种方式确保供应,短期内不会将压力转嫁给消费者 [6] - 库存深度有限、议价能力偏弱的二三线品牌面临生死考验,随着旧库存耗尽将被迫跟进调价,甚至可能推迟新品发布或砍掉低端型号 [6] 供应链能力成为关键 - 业内预测,因AI需求导致的结构性失衡在未来6—12个月内难以缓解,存储价格高位运行或将持续至2026年 [7] - 随着国际巨头逐步退出DDR4等成熟制程,国产存储厂商正在加速填补真空,未来能否灵活引入多元化供应链成为终端品牌控制成本的关键变量 [7] - 联想通过战略收购高端存储公司Infinidat(拥有超过170项专利),补足了高端数据底座的自主掌控权,构建起完整的存储业务版图 [7][8] 行业逻辑的根本性转变 - 本轮涨价本质上是存储从AI的成本配件向“战略物资”的角色转型,当以存代算成为降本增效的核心路径,整个存储市场的逻辑已被彻底重构 [8] - 对于终端厂商而言,过去比拼价格压缩能力,在新周期下,将存储当作战略物资做好长期规划才是企业生存的根本 [8]
存储猛涨的“冰与火”:AI服务器高增 消费电子承压
21世纪经济报道· 2025-12-06 08:43
行业核心观点 - 存储行业正经历由AI需求驱动的“史诗级”涨价浪潮,预计涨价周期将超过上一轮的八个季度,并导致下游消费电子产品价格普遍上涨 [1] - 本轮涨价的根本原因是AI服务器需求旺盛,导致存储原厂将产能结构性转向HBM、DDR5等高端产品,造成传统存储芯片(如LPDDR4)供应短缺 [1][5] - 存储芯片的角色正从成本配件向AI战略物资转型,“以存代算”的趋势正在重构整个存储市场的逻辑 [5] 价格变动与市场动态 - 2024年第四季度,主要存储原厂大幅上调合约价格:SK海力士宣布DRAM和NAND合同价最高上调**30%**;闪迪将NAND闪存合约价上调约**50%**;三星跟进部分产品涨价超过**60%** [1][5] - 消费端现货市场供应紧张,出现“一天一个价”的现象 [5] - 若不包含HBM部分,2024年第四季度消费类DRAM的涨价幅度接近**50%**,此涨幅基本可反映2025年第一季度的走势 [10] - 原厂采取轮流停止报价、竞价的策略推动价格上涨,预计2025年各类型DRAM产品价格没有下跌可能 [10] - 集邦咨询预测,2026年DRAM平均单价将同比上涨**58%**至约**1.63美元**;NAND Flash平均单价将同比上涨**32%**至约**0.1美元** [9] 供需结构与产能转移 - AI服务器对存储需求远高于普通服务器:对DRAM的需求是普通服务器的**8倍**,对NAND的需求高达**3倍** [5] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头主动调整产能结构,削减LPDDR4等传统DRAM产能,转向生产HBM和DDR5等高附加值产品 [6] - 这导致用于智能手机的LPDDR4供应持续紧张,其价格涨幅预期随之上调 [6] - 新建产能(如三星P4L、SK海力士M15X、美光ID1)在2026年能提供的有效供给非常有限,产能紧张局面预计将持续到2027年底 [11] 产品结构演变预测 - LPDDR产品结构快速向LPDDR5迁移:预计LPDDR5(X)在总LPDDR供应中的占比将从2025年的**60%**快速提升至2026年的**73%** [1][6] - 与此同时,LPDDR4(X)的占比将从2025年的**39%**大幅下降至2026年的**26%** [1][6] - 2025年LPDDR5在LPDDR的产出中将超过**70%**,但由于手机需求与AI需求竞争,其供给也将紧张 [6] 下游终端市场影响 - 存储芯片涨价正快速向下游传导,对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [6] - LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨超**50%**,已促使部分智能手机品牌调涨零售价格 [7] - 成本上升将冲击智能手机和笔记本电脑的升级与换机意愿,集邦咨询预计将导致2026年两者出货量同比增速分别下滑至**-2%**和**-3%** [7] - 云端CSP(云服务提供商)厂商因资金雄厚在采购中占据优势,而中小型终端厂商将面临更大压力,需寻求现货市场等弹性采购方式 [11] 服务器市场需求预测 - 与消费电子市场疲软相反,服务器市场对存储需求保持高速增长 [9] - 2026年,通用服务器对DRAM需求预计同比增长**20%**,对NAND Flash需求同比增长**19%** [9] - 2026年,AI服务器对DRAM需求中,LPDDR预计同比增长**15%**,RDIMM预计同比增长**21%**;对NAND Flash需求预计将继续大涨超**70%** [9] 市场规模与资本支出 - 得益于AI驱动,存储市场需求复苏稳健,服务器市场是主要增长引擎 [10] - 预计2026年DRAM市场营收规模将达到**3006亿美元**,同比大涨**85%**;NAND Flash市场营收规模将达到**1105亿美元**,同比涨**58%** [9] - 2025年,在AI和HBM驱动下,三大存储供应商资本支出同比增长超过**80%** [10] - 预计2026年,三星、SK海力士、美光在DRAM领域的资本支出将分别增长**17%**、**25%**、**40%** [10]
存储猛涨的“冰与火”:AI服务器高增,消费电子承压
21世纪经济报道· 2025-12-04 22:05
行业核心观点 - 存储行业正经历由AI需求驱动的“史诗级”涨价浪潮,其周期预计将比上一轮更长,并导致下游消费电子产品价格普遍上涨 [1][3] 存储芯片价格动态 - 2024年第四季度,SK海力士宣布将DRAM和NAND合同价最高上调30% [2] - 2024年11月,闪迪将NAND闪存合约价大幅上调约50%,为本轮NAND涨幅最大的单次调价 [3] - 2024年第四季度,若排除HBM部分,消费类DRAM的涨价幅度接近50%,预计可反映2025年第一季度的涨幅 [9] - 2025年下半年,LPDRAM价格整体上涨超过50% [6] - 预计2026年DRAM平均单价将同比上涨58%至约1.63美元,NAND Flash平均单价同比上涨32%至约0.1美元 [8] - 预计2026年各类型DRAM产品基本没有价格下跌可能,竞价模式将持续推动价格上涨 [9] 涨价驱动因素与产能转移 - 本轮涨价主要归因于AI服务器旺盛需求,推动原厂将更多产能转向HBM、DDR5等高端产品,导致普通型存储芯片(如LPDDR4)供应不足 [3] - AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍,对NAND的需求是普通服务器的3倍 [4] - 三星、SK海力士、美光三大存储巨头主动调整产能结构,削减LPDDR4等传统DRAM产能,转向生产HBM和DDR5等高附加值产品 [5] - 2025年,在AI和HBM驱动下,三大存储供应商资本支出同比增长超过80% [9] - 预计2026年,三星、SK海力士、美光的DRAM资本支出将分别增长17%、25%、40% [9] - 新建产能(如三星P4L厂、SK海力士M15X厂、美光ID1厂)在2026年能提供的有效供给非常有限,产能增长效果在2027年底前都非常有限 [10] 产品结构变化与供应预测 - 随着原厂逐步停产LPDDR4,预计其占LPDDR总供应的比例将从2025年的39%降至2026年的26% [5] - 同期,LPDDR5(X)的供应占比将从2025年的60%快速提升至2026年的73% [5] - 预计2025年LPDDR5在LPDDR产出中占比将超过70%,但由于手机需求与AI需求竞争,其供给也将紧张 [5] - 预计2026年DRAM市场供应量同比增长20%,营收规模达3006亿美元,同比大涨85% [8] - 预计2026年NAND Flash市场供应量同比增长21%,营收规模达1105亿美元,同比涨58% [8] 对下游消费电子市场的影响 - 存储芯片价格上涨正快速向下游传导,对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力 [5] - 部分智能手机品牌已调涨零售价格作为回应 [6] - 预计价格上涨将冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿与换机计划,导致2026年出货量同比下滑,智能手机增速预计为-2%,笔记本电脑为-3% [6][7] - 行业人士建议消费者尽快购买手机,因明年价格大概率上涨 [3] 服务器市场需求预测 - 与消费电子市场不同,通用服务器和AI服务器对存储的需求将保持高速增长 [8] - 预计2026年,通用服务器对DRAM需求同比增长20%,对NAND Flash需求同比增长19% [8] - 预计2026年,AI服务器对DRAM需求中,LPDDR需求同比增长15%,RDIMM需求同比增长21%,对NAND Flash需求将继续大涨超70% [8] 行业竞争格局与厂商策略 - 存储原厂采取轮流暂停报价的策略,以推高价格,每次报价金额均比上一次高 [9] - 云端CSP(云服务提供商)厂商因财力雄厚,在采购中的优势将更明显,中小型终端厂商将面临更大压力,需从现货市场等弹性渠道获取存储资源 [10] - 存储正从成本配件向战略物资角色转型,行业建议终端厂商将存储作为AI行业战略物资进行长期规划 [4][10]
AI存力需求高景气度有望延续
证券日报· 2025-12-01 00:07
行业核心观点与涨价驱动因素 - 全球存储产品自9月份以来迎来一波快速涨价 经销商反馈部分内存产品在两个月内价格上涨了3倍多 客户询价需实时刷新报价 [1] - 本轮涨价的根本原因是存储产品在AI浪潮中的角色发生转变 从AI部署中的成本部件转变为AI基础设施集约化发展中的战略性物资 随着大模型从训练迈向推理阶段 “以存代算”成为降本增效的核心路径 存储需求攀升 [1] - 集邦咨询预估2026年DRAM均价将同比增长58% 且此预估数字较为保守 回顾上一轮周期(2016-2018年)价格连续上涨约8至9个季度 预计本轮周期的持续时间有望更长 [1] - 多家券商研判存储行业将进入高景气长周期 国金证券认为存储超级大周期拉开帷幕 预计2026年全年处于供需偏紧状态 长城证券指出已有客户开始洽谈2027年供货协议 行业高景气度有望延续至2027年 [1] 产业链企业动态与业务进展 - 价格上涨已为产业链企业带来正向影响 企业短期毛利增长与涨价有至关重要关系 长期毛利的保持则与产品创新及进入更高端客户供应链体系更直接相关 [2] - 澜起科技作为DDR5国际标准牵头制定者 其DDR5内存接口芯片渗透率显著提升 内部子代持续迭代 第三季度DDR5第三子代RCD芯片销售收入首次超过第二子代产品 第四子代芯片开始规模出货 [2] - 深圳佰维存储科技在企业级领域产品处于高速发展阶段 已获得服务器厂商、头部互联网厂商及国内头部原始设备制造商的核心供应商资质并实现预量产出货 同时公司积极深化国产化生态布局 与国产服务器厂商达成战略合作 [2]
存储价格暴涨!明年电子产品或更贵
深圳商报· 2025-11-29 05:59
存储芯片价格趋势 - 2025年存储芯片市场出现暴涨,下半年以来DDR5、DDR4等主流存储芯片价格单月涨幅突破100% [1] - 自9月初至今,DDR4 1Gx8颗粒现货价格环比上涨158%,DDR5 2Gx8颗粒现货价环比大涨307% [1] - 现货市场价格急速上扬,报价呈现每日一变,甚至出现上午和下午价格不同的情况 [1] - 三星、SK海力士等原厂已暂停报价,供应极度吃紧 [1] 对下游消费电子产业的影响 - 存储芯片价格持续上涨已对消费电子供应链形成冲击,成本压力正以前所未有的速度向下游传导 [1][2] - 存储器步入强劲上行周期将导致手机、笔记本电脑等整机成本上扬,进而冲击消费市场 [2] - 行业观点认为,如果有购机计划,当前是好时机,预计明年手机价格会更贵 [1] 价格上涨的根本原因 - 存储市场出现罕见涨幅的根本原因是存储与AI实现了强关联 [2] - 随着AI推理大模型的落地,以存代算成为降本增效的核心路径,存储的重要性从幕后走到了台前 [2]
民生证券:受益AI需求拉动 25Q4存储价格有望持续看涨
智通财经网· 2025-11-04 15:04
文章核心观点 - AI时代数据量激增和“以存代算”趋势推动存储需求从HDD转向SSD/DRAM,叠加先进制程产能向高阶产品倾斜,导致DRAM和NAND Flash供需偏紧,预计2025年第四季度价格将全面上涨,驱动存储行业进入上行周期,并带动相关设备资本开支提升 [1][3] 存储市场供需与价格展望 - 三大原厂优先分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM,挤占一般消费级DRAM产能,预计2025年第四季度整体一般型DRAM价格环比增长8%-13% [1] - HDD供给短缺与交期过长,促使云服务提供商将存储需求快速转向QLC eSSD,急单大量涌入造成市场波动,预计2025年第四季度NAND Flash各类产品合约价全面上涨,平均涨幅达5%-10% [1] - AI时代数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级,Sora 2等视频生成应用加速数据增长,海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”,推动存储从HDD转向SSD/DRAM [1] - AI推理端“以存代算”成为核心,Prompt经Prefill转化为结构化的KVCache与RAG向量,支撑高并发、低延迟的Decode,驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD的分层演进 [1] 存储技术演进 - CBA+HBF工艺创新旨在打破“内存墙”对算力发展的制约,成为存储IDM未来发展的核心方向 [2] - CBA技术显著提升单位面积存储密度并优化内部互连路径,已在DRAM和NAND下一代技术升级中全面应用,国产龙头厂商合肥长鑫和长江存储加紧追赶 [2] - HBF借鉴HBM封装设计但用闪存替换部分DRAM堆栈,相比HBM具备8-16倍存储容量和非易失性存储优势,能显著缓解AI数据中心热管理和能源成本压力 [2] 半导体设备市场机遇 - AI需求拉动和存储涨价使存储行业供需偏紧,原厂有望提高资本开支以满足增长需求,半导体设备行业受益 [3] - 根据SEMI预测,2025年全球NAND设备市场规模有望达到137亿美元,同比增长42.5%,2026年预计达到150亿美元,同比增长9.7% [3] - 4F2 DRAM和3D NAND等存储新架构的创新为刻蚀、沉积、键合设备带来新的发展机遇 [3] 相关投资标的 - 需求侧建议关注德明利(001309 SZ)、江波龙(301308 SZ)、香农芯创(300475 SZ)、兆易创新(603986 SH) [4] - CBA技术带来Logicdie代工需求,建议关注晶合集成(688249 SH)、华虹公司(688347 SH) [4] - 存储原厂资本开支提升,建议关注拓荆科技(688072 SH)、北方华创(002371 SZ)、中微公司(688012 SH)、华海清科(688120 SH)、精智达(688627 SH)、华峰测控(688200 SH)、长川科技(300604 SZ) [4]
存储行业深度报告:新周期,新机遇
民生证券· 2025-11-04 09:26
行业投资评级 - 报告对存储行业给出“推荐”评级 [7] 核心观点 - 存储行业迎来“景气周期”,AI需求拉动存储价格持续看涨,驱动行业供需偏紧 [1][9][15] - AI时代数据量从MB级向EB/ZB级跃迁,推动存储需求激增,并加速存储介质从HDD向SSD/DRAM演进 [2][18][21][22] - 推理端“以存代算”成为核心,KV Cache等结构化数据驱动存储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD分层架构演进 [2][36] - 供给侧CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约,成为存储IDM未来发展的核心方向 [3][40][50] - 存储上行周期带动原厂资本开支提升,半导体设备市场受益于扩产及新架构创新 [3][56][61][64] 存储周期分析 - 2024年至今进入新一轮上行周期,由AI带动服务器/PC高端存储需求增长驱动 [9] - 25Q4一般型DRAM价格预计环比增长8-13%,若加计HBM,涨幅扩大至13-18% [1][15] - 25Q4 NAND Flash合约价预计全面上涨,平均涨幅达5-10% [1][15] - 存储原厂毛利率提升至35%以上时,资本开支增加概率放大,当前行业处于供需偏紧状态 [56] 需求侧分析 - AI生成内容从文本向视频等多模态跃迁,数据量急剧扩大:Sora 2等应用推动2028年数据生成量预计达394 ZB [18][21][22] - 2035年温数据占比有望超70%,数据存储结构从“热-温-冷”三层演变为“热温-温冷”两层,推动SSD替代HDD [26] - HDD交期延长至52周以上,加速CSP将存储需求转向QLC eSSD,2024-2028年eSSD出货量CAGR达24% [28][30][32] - AI推理阶段KV Cache成为核心数据形态,支撑高并发、低延迟Decode,驱动存储分层架构演进 [36] 供给侧创新 - CBA技术通过逻辑芯片与存储芯片键合集成,提升存储密度和性能,预计带来DRAM位密度提升30% [3][40][43] - 长江存储Xtacking架构、合肥长鑫18纳米DRAM等国产技术加快追赶 [3][49] - HBF技术借鉴HBM封装设计,提供8-16倍存储容量和非易失性优势,首代技术可提供4TB VRAM容量,目标2026年下半年送样 [3][50][52][54] - 4F² DRAM、3D NAND等新架构创新依赖刻蚀、沉积、键合设备,推动存储密度持续突破 [64][68][71] 设备市场展望 - 2025年全球NAND设备市场规模预计达137亿美元,同比增长42.5%;2026年达150亿美元,同比增长9.7% [3][61] - DRAM设备销售额2024年增长40.2%至195亿美元,2025年和2026年预计分别增长6.4%和12.1% [61][62] - 刻蚀与沉积设备是存储三维化演进的核心,键合设备成为3D集成技术关键设备 [64][68][71] 投资建议 - 需求侧关注德明利、江波龙、香农芯创、兆易创新 [4][72] - CBA技术带动Logic die代工需求,关注晶合集成、华虹公司 [4][73] - 存储原厂Capex提升利好半导体设备商,关注拓荆科技、北方华创、中微公司、华海清科、精智达、华峰测控、长川科技 [4][73]
两个月股价近乎翻倍 存储芯片涨价潮之下 普冉股份第二大股东拟询价转让558万股
每日经济新闻· 2025-11-03 22:10
公司股东减持 - 公司第二大股东上海志颀计划通过询价转让方式减持558.32万股,占总股本的3.77% [2] - 减持后,该股东持股比例将从18.37%下降 [3] - 公司实际控制人及财务负责人兼董事会秘书通过该股东间接持有的股份不参与此次转让 [3] 公司股价表现 - 公司股价在两个月内(9月3日至11月3日)从74.18元/股上涨至146.14元/股,区间涨幅达97%,接近翻倍 [4] - 股价上涨主要受存储行业涨价潮推动 [4] 存储行业市场动态 - 存储行业出现全面涨价潮,NAND和DRAM供应全面收紧,部分产品报价涨幅超出客户预期 [4] - 涨价源头为人工智能需求,预计2025年HBM需求量年增达130%以上,2026年仍将有70%以上的年成长 [4] - 资源端持续控货导致NAND、DDR颗粒价格全面大幅拉涨,贸易商哄抬报价,动辄翻倍 [8] 新兴技术趋势 - “以存代算”作为颠覆性技术范式兴起,旨在突破AI推理的算力瓶颈 [5] - 在此趋势下,SSD不再是单纯的数据存储载体,而是深度参与AI推理的核心组件 [5] 公司财务业绩 - 公司2025年前三季度营业收入为14.33亿元,同比增长4.89%;利润总额为0.47亿元,同比下降79.98% [7] - 第三季度营业收入为5.27亿元,同比增长11.94%;利润总额为0.11亿元,同比下降87.95% [7] - 第三季度毛利率同比减少4.51个百分点,且资产减值损失同比增加4476.08万元,主要因公司采取积极供应链策略导致库存水平较高 [7] 公司业务定位 - 公司存储产品主要面向利基市场,而非主流存储市场 [6]
两个月股价近乎翻倍 存储芯片涨价潮之下,普冉股份第二大股东拟询价转让558万股
每日经济新闻· 2025-11-03 22:00
公司股东减持 - 公司第二大股东上海志颀计划通过询价转让方式减持公司股份558.32万股,占总股本的3.77% [1] - 股东减持原因为自身资金需求,公司实控人及财务负责人通过该股东间接持有的股份不参与此次转让 [2] - 此次转让不通过集中竞价或大宗交易进行,不属于二级市场减持,对受让方有定价能力和风险承受能力要求 [2] 公司股价与市场表现 - 公司股价在两个月内(9月3日至11月3日)从74.18元/股上涨至146.14元/股,区间涨幅达97%,接近翻倍 [2] - 公司股价上涨主要受存储行业涨价潮推动,NAND和DRAM供应全面收紧,产品报价大幅上涨且超出客户预期 [2] - 尽管行业景气度高,公司第三季度业绩并未充分受益于涨价潮,利润总额同比下降87.95%至0.11亿元 [3][4] 公司财务状况 - 公司2025年前三季度实现营业收入14.33亿元,同比增长4.89%,但利润总额为0.47亿元,同比下降79.98% [3] - 第三季度营业收入为5.27亿元,同比增长11.94%,毛利率同比减少4.51个百分点导致毛利润下降 [4] - 第三季度资产减值损失同比增加4476.08万元,主要因公司采取积极供应链策略增加存货库存,基于谨慎原则计提减值 [4] 存储行业动态 - 存储行业涨价潮源自AI需求,高阶AI芯片配套HBM,2025年HBM需求量年增达130%以上,2026年预计仍有70%以上增长 [3] - “以存代算”技术范式兴起,SSD深度参与AI推理,成为核心组件 [3] - 资源端持续控货近两个月,NAND、DDR颗粒价格全面大幅拉涨,贸易商哄抬报价,动辄翻倍,但流通资源稀少导致交易困难 [5][6] 公司市场定位 - 相较于主流存储市场,公司存储产品主要面向利基市场 [3]
20cm速递|科创芯片ETF国泰(589100)涨超2.8%,"价格回升+国产替代"双驱动
每日经济新闻· 2025-10-21 14:48
存储技术趋势与需求驱动 - “以存代算”技术通过将AI推理数据迁移至SSD,显著优化成本与效率,带动SSD需求增长超越传统增速 [1] - 国际存储巨头转向HBM等高端产品,为国内厂商腾出利基市场的发展空间 [1] - 四季度国内存储公司受益于“价格回升+国产替代”双驱动,需求与开工率呈现稳健复苏 [1] 国内存储产业产能与份额 - 长江存储计划在2028年实现NAND产能30万片/月,目标占据全球15%的市场份额 [1] - 长鑫存储的DRAM产量预计将成为全球第四 [1] 科创芯片指数概况 - 科创芯片ETF国泰(589100)跟踪的是科创芯片指数(000685),该指数单日涨跌幅限制为20% [1] - 科创芯片指数从科创板市场中选取涉及芯片材料、设计、制造、封装测试等全产业链环节的上市公司证券作为样本 [1] - 指数由50只代表性证券组成,旨在反映中国半导体行业相关上市公司证券的整体表现和发展趋势,具有较高的成长性和行业代表性 [1]