行业动态与参编企业 - 天科合达、天岳先进、同光股份等18家企业确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮书》[1] - 行家说三代半策划《第三代半导体产业-行家瞭望2025》专题报道，聚焦碳化硅和氮化镓行业进展与未来方向[1] 2024年SiC行业进展 - 6英寸衬底良率提升且成本降低，8英寸衬底实现量产突破，山东天岳全球首发12英寸碳化硅衬底[2] - 多家厂商布局8英寸碳化硅晶圆厂，新能源车厂与芯片厂商合作推动国产芯片上车[2] - 行业未来方向：扩大晶圆直径降低成本，拓展应用场景提高对硅基产品的渗透率[2] 竞争格局与挑战 - 国内企业通过技术创新和产能扩张缩小与国际巨头差距，新能源汽车市场增长和政策支持将提升中国SiC行业全球地位[3] - 技术壁垒、成本压力和供应链依赖是主要挑战，需通过技术创新和产业链协同实现可持续发展[3] - 美国301调查短期加剧出口压力，但长期将倒逼中国SiC全产业链自主化，国内厂商需聚焦技术攻关、生态协同和市场内循环[3] 8英寸SiC发展现状与趋势 - 8英寸晶圆面积比6英寸增加80%，理论单位芯片成本降低30%以上，是未来取代IGBT的关键方向[4] - 产业链上下游已具备8英寸量产条件：设备端无障碍，衬底材料端天岳/天科合达/烁科等实现量产，芯片制造端需解决晶圆翘曲等问题[4] - 当前8英寸成本高于6英寸主因良率不足和需求未起量，但衬底价格下降快，预计2025年与6英寸成本持平[5] - 国际巨头Wolfspeed/意法半导体/英飞凌已布局8英寸产线，国内多家企业跟进[4] 企业战略布局 - 安海半导体计划从设计公司向IDM转型，6英寸稳定供应同时筹备8英寸工艺产能[5] - 2025年重点发力新能源汽车主驱/OBC/充电桩市场，并拓展光伏和高端电源领域[6] 行业热点聚焦 - 国际SiC企业如英飞凌、安森美近期公布新动向[8] - 光储赛道加速布局GaN技术，超10家终端玩家入局[8] - 400+SiC从业者齐聚上海探讨数字能源与交通应用[8]

行业动态 - 2024年全球半导体市场销售额同比增长19%达到6280亿美元 [2] - 中国集成电路出口额1595亿美元同比增长17.4%创历史新高 [2] - 第三代半导体功率电子市场总规模176亿元较2023年增长14.8% [2] - 新能源汽车及交通占第三代半导体功率电子市场68% [2] - 碳化硅模块在乘用车渗透率近15% [2] - 2024年国内新能源汽车碳化硅功率市场规模约120亿元增速19.2% [2] - 预计2029年新能源汽车碳化硅功率市场将增长至300亿元未来5年年均复合增长率约20% [2] - 碳化硅产业链上游为衬底和外延中游为器件和模块制造下游为新能源汽车、风电、光伏、储能等领域 [3] - 碳化硅取代传统硅器件已成新能源汽车主机驱动主流趋势 [3] - 2025年将是碳化硅在工业、消费电子领域使用的增长年 [3] 公司表现 - 国内头部企业在碳化硅衬底环节市场占有率进入全球第一梯队 [2] - 国内企业在碳化硅功率电子器件环节全球前十已占据两个席位 [2] - 芯聚能碳化硅车规级主驱模块在国内首先实现量产、上车累计装车超过45万辆市场占有率跃居全球第四国内第三方供应量第一 [4] - 芯粤能2023年投产并进入量产自主研发制造的碳化硅芯片在新能源汽车主机驱动的应用已走完18个月验证期 [4] - 南沙集成电路产业园发展成全国最具规模、最完整的第三代半导体产业链6英寸产线良率达到国际一线水平 [5] 区域发展 - 南沙集成电路产业园汇聚第三代半导体上中下游企业形成覆盖衬底材料、芯片制造、封装测试的完整生态 [3] - 广东正大力构建中国半导体集成电路第三极发展特色产业集群和产业生态 [5]

纪要涉及的公司 闻泰科技 纪要提到的核心观点和论据 1. **重大资产重组** - 2024 年 12 月开始筹备，2025 年 1 月下旬出售三家子公司股权作价暂估 6.16 亿元并收回关联债权 10.805 亿元，3 月下旬确定重大资产出售方案，剥离五家子公司股权和三个业务资产包，总作价 43.89 亿元，3 月 21 日已收到近 23 亿元，预计交割后还将收回约 21 亿元[4] - 交易不包括 1 月已出售三家子公司价款，股东大会审议后进行交割和过渡期损益安排，A 客户业务损益自 4 月 1 日起由对手方承担，非 A 业务自 1 月 1 日起由对手方承担[4] 2. **财务状况** - 剥离产品集成业务后，预计资产负债率从 53%降至 47%，2025 年第一季度半导体业务净利润 5.78 亿元，毛利率 38%，收入约 37 亿元，财务状况显著改善[2][5] - 备考报表 6.2 亿资产减值损失涉及未交割主体无形资产，是转型纯半导体公司后的一次性处置，对未来业绩影响有限[2][7] - 其他应收款项 87 亿元包括 50 多亿交易对价和关联方往来款项，后续交割将清理相关款项[2][8] - 少数股东权益 4.7 亿元主要涉及 EDA 业务，格力持有 30%股份，在合并报表层面体现为少数股东权益[2][12] 3. **市场与行业情况** - 受益于汽车、工业和消费领域复苏以及行业库存下降，半导体业务订单良好，预计 2025 年二季度进入较好状态，欧洲汽车库存压力减轻，中国及日韩新能源车市场动能良好[2][16] - 下游结构 60%为汽车，20%为工业和消费相关，一季度海外友商报告显示工业复苏良好，公司经营情况显示欧洲、美洲及亚太地区工业复苏明显，同比和环比均增长，中国和亚太地区自 2024 年第三季度开始复苏显著，目前库存水位健康[12] 4. **新产品进展** - 积极拓展碳化硅、氮化镓等第三代半导体产品，已推向车规市场并进行客户导入认证，今年产品系列更完善，下半年希望客户导入顺利，明年开始逐步放量，今年投两亿美金于汉堡碳化硅、氮化镓产线进展顺利[3][13] - 模拟料号目标超过 200 颗，聚焦 AF 及车规应用领域拓展功率模拟赛道业务[13] 5. **未来业绩与发展** - 未来主营业务集中于半导体领域，汽车领域自动驾驶与新能源渗透率持续增长，公司在亚太和中国区客户份额明显增加，积极拓展车规级芯片产品品类，今年下半年至明年成为营收与利润增长主要动力[14][16] - 2024 年半导体业务中模拟与逻辑 IC 方向占收入比重约 16%，今年年底预计良率提升至两百多颗型号，全年逻辑 IC 收入预计 3 - 4 亿美金左右，积极推动国产替代机会[21] - 碳化硅功率器件已通过车规认证并开始客户导入，今年下半年开始逐步放量，明后两年增速显著提升，去年整体规模约一亿美金[21] 6. **竞争策略** - 从功率芯片向模拟芯片拓展，从低压向高压拓展，满足电动汽车和 AI 高功率电源需求，基于技术积累、客户群体和产能布局优势[20] - 收入结构稳定，60%以上是车规用户，46%来自中国区，25%来自欧洲地区，20%来自亚太其他地区，10%左右来自美国[20] - 坚定认为 IDM 模式适合未来功率和模拟芯片发展，投筹建碳化硅相关产品，导入 BCD 模拟工艺构建产能护城河[20] - 根据不同地区客户类型和需求制定销售策略，如在中国区为汽车客户提供打包式服务[20] 其他重要但是可能被忽略的内容 1. 去年公司整体新产品收入规模大约在几千万至 1 亿元左右，三号甲产品已应用于消费电子快充、通信基站以及微晶硅逆变器领域，2022 年和 2023 年已开始量产二极管等[22] 2. 2025 年半导体业务主要聚焦国产替代、汽车智能化与电气化、AI 相关应用的智能终端发展三个方向[23] 3. 备考报表与安森美半导体利润存在差异，原因包括可转债财务费用、闻泰通讯子公司商誉减值、光学业务减值、并购贷财务费用，未来希望解决可转债和并购贷问题降低财务费用影响[17][18] 4. 2024 年公司表达促成转股信心，大股东和股东支持转债转股价格从 96 元下调到 93 元，2025 年持续关注转股价格情况，希望尽早完成转股，解决可转债对上市公司的影响[15][16]

公司动态 - 聚力成半导体（重庆）有限公司面临破产清算申请 广东中保维安保安服务有限公司先申请破产重整后撤回 次日直接申请破产清算 法院要求7日内提交异议 [1] - 公司为聚力成半导体（上海）全资子公司 2018年落户重庆大足高新区 规划投资50亿元建设21条产线 预计年产值超100亿元 项目连续两年入选重庆市重大建设项目 [1] - 核心团队来自台积电、中芯国际等龙头企业 掌握硅基/碳化硅基氮化镓外延片核心技术 [1] - 2020年B轮融资赛伯乐领投1.7亿元 上汽加州风投跟投 合计融资近3亿元 2021年吸引阿里系云锋基金、中金浦成等知名机构入局 估值持续攀升 [1] - 重庆基地仅实现3条产线量产 盐城10亿元扩产计划未见实质进展 [1] - 聚力成上海、重庆两家主体均已列为失信被执行人 涉及劳动争议、合同违约等多项纠纷 [2] 行业影响 - 破产清算申请若成立 将导致50亿级项目搁浅 波及整个氮化镓产业链布局 [2] - 在第三代半导体国产化进程加速的背景下 公司曾被视为技术标杆 业界关注法院最终裁定 [2]

光模块业务 - 400G/800G/1.6T电子陶瓷材料封装外壳及基板性能已对标海外厂商，受益于AI需求增长，该业务将持续增加，主要客户为光通信器件头部企业且份额占比较大 [2] - 精密陶瓷零部件领域已开发氧化铝、氮化铝产品，陶瓷加热盘核心技术指标达国际水平并批量应用于国产半导体设备，销售收入同比大幅增长 [3] 第三代半导体业务 - SiC芯片市场竞争压力较小，产品因性能、质量及成品控制优势获市场高认可度，头部客户供货中实现零批次质量事故，新用户认证进展良好 [4] - SiC模块已进入智能电网、感应加热等高压市场并形成小批量订单，新能源车领域通过主驱模块业务布局提升份额 [5] - GaN射频芯片在海外5G建设上升期及射频能量、卫星通信等领域具备长期成长性 [6] 研发与技术布局 - 6G技术储备方面，公司推进5G-A/6G/星链通信相关射频芯片与器件研发，已储备关键技术并开展产品验证 [10] - 技术合作方面，公司与高校、科研机构及产业链上下游建立战略合作，推动协同创新与产业升级 [8] - 研发团队通过多渠道引进高端人才，建立完善激励机制，强化创新能力 [7] 财务与经营表现 - 2025年一季度主营收入6.14亿元（同比+12.01%），归母净利润1.23亿元（同比+48.81%），毛利率35.93%，主因产品结构优化、成本管控及国联万众股权收购 [11] - 机构预测2025-2027年净利润区间为5.14亿-7.08亿、5.55亿-9.07亿、8.72亿-10.46亿元 [14] - 近3个月融资净流入1969.74万元，融券净流出162.22万元 [14] 战略与管理 - 第三代半导体为核心业务，公司将持续投入研发并拓展高毛利应用领域，通过降本增效优化成本结构 [5] - 管理层换届有序推进中，原董事会继续履职 [5] - 公司研究多元化员工激励工具，但暂无股份回购计划 [6]

行业动态 - 国内SiC行业近期有2家企业实现12英寸技术突破，合计共8家企业展示了12英寸SiC晶锭和衬底 [2] - 行业即将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，多家知名企业和机构参与 [1] 浙江晶瑞技术突破 - 成功研发12英寸导电型SiC晶体，直径达309mm，质量完好 [4][5] - 基于自主研发的SiC单晶生长炉和持续迭代的长晶工艺，攻克了温场不均、晶体开裂等核心难题 [7] - 今年3月已展示多晶12英寸碳化硅衬底，实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控 [7] - 8英寸碳化硅衬底已实现批量生产 [7] 南砂晶圆技术进展 - 正式展示12英寸导电型SiC衬底，实现大尺寸碳化硅衬底突破 [5][9] - 拥有广州、中山、济南三大生产基地，形成完整碳化硅单晶生长和衬底制备生产线 [9] - 成功实现近"零螺位错"密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备 [10] 行业活动 - 多家SiC行业领先企业将参加上海举办的行业大会 [1][12] - 行业近期有超15亿的2个SiC项目开工/即将投产 [12]

投资者关系活动基本信息 - 活动时间为 2025 年 5 月 9 日 - 2025 年 5 月 13 日 [3] - 活动地点在河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街 21 号 [3] - 活动类别为特定对象调研和现场参观 [2] - 参与单位包括国新投资有限公司、中国人寿资产管理有限公司等 20 家 [2] - 上市公司接待人员有中国电科产业基础研究院副院长赵瑞华等 6 人 [3] 业务情况 光模块业务 - 400G/800G/1.6T 电子陶瓷材料封装外壳&基板性能对标海外友商，随 AI 需求持续增加，业务会持续增长，主要客户为光通信器件头部客户，份额占比较大 [3] 精密陶瓷零部件业务 - 公司加大研发投入，开发氧化铝、氮化铝精密陶瓷零部件产品，建立制造工艺平台，陶瓷加热盘产品核心指标达国际同类水平并批量应用于国产半导体设备，销售收入同比大幅增长 [3] 国联万众 SiC 芯片业务 - 存在一定市场竞争压力，但 SiC 竞争压力不大，因产品性能、质量和成品控制优势，市场认可度高，头部企业供货零批次质量事故，份额持续增加，新用户拓展向好 [3] 三代半业务 - 是公司核心业务和发展战略重要组成部分，保持研发资源和资金投入，开拓高毛利业务领域应用，对 GaN、SiC 业务分团队并按发展情况投入资源，推动降本增效 [4] SiC 模块业务 - 在智能电网、感应加热等高压市场推广，已形成小批量订单；在新能源车领域布局主驱模块业务，通过合作解决痛点、提升质量、控制成本来提升份额 [4] GaN 射频芯片业务 - 国内 5G 基站建设平稳，海外上升，GaN 器件在射频能量、低空经济、卫星通信等领域有长期成长性 [4] 公司管理与战略 管理层换届 - 公司已发布延期换届公告，换届工作有序推进，原董事会、管理层继续履职，会积极推进并及时披露信息 [3][4] 市值管理 - 重视人才激励，建立薪酬和绩效考核体系，研究多元化激励方式，审慎考虑股权激励计划；截至目前暂无股份回购计划，会综合权衡并及时披露 [4][5] 技术与人才 技术人才团队 - 坚持“以人为本”，通过多种方式引进高端人才，扩大研发中心队伍，建立全流程激励机制，调动研发人员积极性 [5] 技术合作与专利布局 - 坚持合作共赢，与行业内外伙伴建立战略合作关系，促进产业链协同创新，加速科技成果转化与产业升级 [5] 6G 技术储备 - 博威公司推进 5G - A、6G、星链通信等新一代通信系统用射频芯片与器件研发，储备关键技术，按用户需求推进产品开发和验证 [6][7] 财务情况 - 2025 年一季度归母净利润同比大幅增长，原因一是产品结构优化和成本管控增强使毛利增加，二是 2024 年 7 月收购国联万众剩余股权后归母比例由 94.6029% 上升为 100% [6]

碳化硅行业动态 - 国内外新增2个碳化硅项目动态 包括扬杰科技SiC车规级功率半导体模块封装项目开工和EYEQ Lab 8英寸SiC晶圆厂即将投产 [2][4][6] - 扬杰科技SiC车规级模块项目总投资10亿元 占地62亩 规划建筑面积11.2万平米 聚焦车规级框架式 塑封式IGBT模块和SiC MOSFET模块 [4] - 扬杰科技计划2025年Q4开展全国产主驱碳化硅模块的工艺和可靠性验证 [4] - 扬杰科技SiC芯片工厂已完成厂房装修和设备搬入 实现650V/1200V SiC SBD产品从第二代升级到第四代 650V/1200V SiC MOS产品从第二代升级到第三代 [4] - 扬杰科技1200V SiC MOS平台的比导通电阻已做到3.33 mΩ·cm²以下 [5] - EYEQ Lab韩国首家8英寸碳化硅功率半导体制造工厂将于2024年9月竣工投产 [6] - EYEQ Lab开发出采用沟槽技术的8英寸SiC功率半导体器件 减小芯片面积同时提高电气稳定性和耐用性 [6] - EYEQ Lab 8英寸SiC晶圆厂初始投资约1000亿韩元(5.44亿人民币) 年产能14.4万片 [6] - EYEQ Lab从无晶圆厂公司转型为功率半导体领域的综合性半导体公司 [6] 行业活动 - 上海将举办"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会" 参会企业包括三菱电机 意法半导体 Wolfspeed 三安半导体等 [1] 行业技术进展 - 天科合达披露8英寸SiC衬底和外延技术进展 [8] - 2个GaN项目披露8英寸量产新进展 [8] - 30家SiC企业集结欧洲 英飞凌等发布创新产品 [8]

公司经营与财务表现 - 2024年公司营业收入5.81亿元同比下降39.72%，归母净利润1.08亿元同比下降28.85%，扣非净利润亏损0.55亿元主要因半导体业务战略投入期亏损及房地产业务收尾[33][37] - 半导体设备子公司凯世通2024年新增订单总金额近14亿元，已交付40余台离子注入机，低能大束流/超低温/高能机型客户分别达11/7/2家[7][8][9] - 研发投入持续加码，研发人员从157人增至213人增长35.67%，2024年研发费用1.84亿元占预算106.36%[15][38] 半导体设备业务进展 - 凯世通完成CIS低能大束流离子注入机首台验收，突破金属污染控制关键技术，实现国产CIS离子注入机重要突破[8] - 布局SiC化合物半导体设备，研发高温离子注入机应对新能源汽车等领域需求，与苏州第三代半导体创新中心建立战略合作[9][16] - 上海金桥基地扩建后达年产百余台产能，筹建检测中心提升国产化测试能力，供应链新增70余家国内供应商[13] 铋材料战略布局 - 通过子公司安徽万导切入铋材料深加工，2025年计划完成安徽五河/湖北荆州基地产能扩张，产品涵盖铋系合金/氧化物/化合物等[22][23] - 受益于商务部铋材料出口管制政策，公司作为先导科技旗下唯一铋材料平台，将整合全球市占率领先的铋产业链资源[23][26] - 2025年铋业务预计贡献主要营收，1-3月已发生关联采购5285万元占同类业务1.89%[50] 行业趋势与战略规划 - SEMI预测2025年全球半导体设备销售额达1215亿美元增长7.7%，中国未来三年晶圆厂设备投资超1000亿美元[19][21] - 公司采取"外延并购+产业整合"双轮驱动，依托先导科技集团在材料/零部件领域优势，构建国产供应链安全体系[25][26] - 重点攻关离子注入"卡脖子"机型，开发SOI氢离子注入机等特色工艺设备，提升国产设备工艺覆盖率[27]

报告公司投资评级 - 首次覆盖给予公司“买入”评级 [4] 报告的核心观点 - 报告研究的具体公司是全球首家实现量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的企业，在氮化镓领域具备成本、产能、客户和技术三大核心优势，未来有望受益于 GaN 渗透率提升，预计 25 - 27 年营收增长显著，27 年实现盈利，给予 2025 年 35xPS，目标价 52.55 港币 [2][3][4] 根据相关目录分别进行总结 一、推动氮化镓功率半导体行业创新的全球领军企业 - 报告研究的具体公司是全球首家量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆且唯一具备全电压谱系产品量产能力的公司，2015 年英诺珠海成立提供研发基础，2017 年苏州成立扩大产能，2024 年 12 月港交所上市，2025 年 3 月入选恒生综合指数成分股纳入港股通 [15] - 公司股权结构稳定，实际控制人 Weiwei Luo 持股 32.70%，创始人及高管从业经验丰富 [17] - 公司采用 IDM 模式，产业链自主可控，产品涵盖 15V - 1200V 的 GaN 工艺节点 [20][21] 二、氮化镓是拥有稳定晶体结构的宽禁带半导体材料，具备高频、高效的特性 2.1 氮化镓材料的物理特性优异 - 氮化镓是坚硬稳定的 III/V 族直接带隙半导体，可在多种基材生长，在 Si 上生长可利用现有硅制造基础设施，在高频应用场景优势显著，与 SiC 是不同特性和应用场景的第三代半导体材料 [24] - GaN 功率器件导通电阻和栅极电荷小，适合高频场合，能提升变换器效率和功率密度，主要应用于电源适配器、车载充电、数据中心等领域 [26][27] - GaN 器件分横向和纵向结构，横向适用于高频和中功率应用，垂直用于高功率模块，垂直结构目前处于研究商业化阶段 [28] - GaN 器件 1998 - 2017 年受制备技术限制难商业化，2018 年后工艺成熟进入商业化应用阶段，应用场景拓展至消费电子等领域 [30] 2.2 多元下游驱动，氮化镓功率半导体市场前景广阔 2.2.1 消费电子：PD 快充和电源适配器仍将是氮化镓的主要增长动力之一 - 电源适配器是消费电子 GaN 主要增量，与传统适配器的 Si MOSFET 相比，GaN 器件可减少开关损耗、改善充电效率、实现小尺寸化，提高充电器功率密度 [41] - 在 PD 快充领域，GaN 可推动充电速度和效率提升，具备卓越兼容性和稳定性，支持多种设备快充协议 [44] - 随着电源适配器充电功率提高，过电压保护电路需求上升，手机厂商可用 GaN 器件替换 Si MOSFET 降低 OVP 成本和尺寸，OPPO 多款产品采用公司 GaN 技术提升性能和竞争力 [48][49] - 预计 2025 年 GaN 在快充市场渗透率超 50%，消费电子主流厂商推出高功率 GaN 适配器有望拉动出货放量 [53] 2.2.2 数据中心、AI 服务器：对电力的庞大需求，提升氮化镓需求 - 数据中心是数字经济关键基础设施，GaN 在数据中心电源市场应用迈出大步，AI 技术兴起更添动力，NVIDIA Blackwell 平台 2025 年放量，单颗 GPU 功耗大幅上升，数据中心机柜功率规格提高，GaN 与液冷技术结合是提升能效关键 [54][55] - 元脑服务器等厂商导入 GaN 钛金电源方案，转换效率高达 96%，相比传统铂金电源，可减少轻中载电能损耗、节省电费、降低发热、消除多级转换损耗 [55][57] - 公司等行业龙头推出创新 GaN 解决方案，公司的 INN100EA035A 器件可提升功率密度和效率，稳态损耗减少 35%以上，系统级效率达 98% [58] - 到 2030 年全球数据中心电力消耗将达 3000 太瓦时，占全球总电力消耗 10%，电源转换效率提升可节省大量电力消耗，公司推出的 E - GaN 功率 IC 功率密度提高一倍以上 [63] 2.2.3 新能源车电动化 + 智能化升级，氮化镓功率器件的竞争力逐步显现 - GaN 功率器件在智能汽车应用涉及双向 DC/DC、自动驾驶核心电源等多个方面，为 48V 总线系统提供高效、紧凑、低成本解决方案，在自动驾驶汽车激光雷达电路中起关键作用 [66][68] - GaN FET 和 IC 可减小无刷直流电机尺寸和重量、降低噪声、提高扭矩和效率，公司的 InnoGaN 在音响 Class - D 功放中具有高开关频率等显著优势 [71][75] - 2025 年国内乘用车和电车销量增长，新能源汽车市场需求受政策和新车周期刺激有望维持强势，电车渗透率有望破新高 [76][77] 2.2.4 新能源锂电、光储：助力客户降低系统成本 - 化成分容设备是锂电生产能耗最高环节之一，采用 GaN 方案可提高设备充电和放电效率、降低综合耗电量、减少线损能耗、降低运营和建设成本、缩短调试周期、提升生产效率 [78][81] - 预计 2025 年中国锂电池化成电源市场规模达 40 亿元，公司开发全 GaN 模组的电池化成分容设备电源模组满足战略客户需求，宁德时代港股上市再融资海外扩产将带动锂电池化成电源需求增长 [82][83] 2.2.5 人形机器人：自由度急剧上升，人形机器人对电机驱动器的需求大幅增加 - 人形机器人集成多个子系统，需部署约 40 个伺服电机和控制系统，电机电源要求取决于具体功能，其伺服系统对控制精度、尺寸和散热要求更高 [84] - 设计人形机器人需考虑高电流回路和 PWM 频率，MOSFET 型伺服驱动器增加 PWM 开关频率会带来额外损耗和发热问题，GaN FET 在高频下开关损耗低，开关速度可达 Si - MOSFET 的 100 倍 [85] - 中科半导体 GaN 驱动器成功应用于具身机器人动力系统芯片，在高频神经反射系统中表现优异 [85] 三、公司能够在氮化镓领域保持全球行业领先的三大核心竞争力 3.1 收入保持高增，规模效应逐步显现亏损幅度有望进一步收窄 - 2021 - 2024 年公司收入规模从 0.68 亿元增长至 8.28 亿元，复合增长率达 129.86%，目前虽因前期投入大仍亏损，但亏损幅度持续减小，预计未来利润有望转正 [87][91] - GaN 分立器件及集成电路、GaN 晶圆贡献公司主营营收，2024 年分别贡献 3.61 和 2.81 亿元，占比 43.55%和 33.86%，2023 年起推出的 GaN 模组 2024 年贡献收入 1.84 亿元，占比 22.2% [92] - 公司研发开支大，截至 2024 年末累计专利授权 422 项，核心技术覆盖全电压谱系，2024 年研发费用率 38.99%，随着转入大规模生产阶段费用率下降，应收账款周转速度略有放缓 [96] - 与同行业公司对比，公司收入增速领先，毛利率受固定资产折旧影响曾为负，随着收入规模增长和降本增效措施实施，毛利率大幅改善，未来有望进一步提升 [97][99] 3.2 公司的三大核心竞争力 3.2.1 成本优势：IDM 模式运营成本可控，制造良率行业领先 - 硅基半导体领域主要有 Fabless 和 IDM 两种模式，公司采用 IDM 模式，能保障产能和供货时间，不受代工厂限制，2023 年在全球 GaN 功率器件公司中排名首位，市占率 33.7% [103][104] - 公司制造工艺持续改进，生产工艺良率超 95%，高于其他 GaN 功率半导体公司平均水平，8 英寸 GaN - on - Si 晶圆与传统 6 英寸晶圆相比，每晶圆晶粒产出数提升 80%，单颗芯片成本降低 30% [107] - GaN 半导体产业链含多个环节，外延片制造环节成本占 GaN - on - Si 器件 Die 生产成本近一半，公司产业链布局涵盖从 GaN 外延生长到晶圆制造和器件封装等环节 [108] 3.2.2 产能优势：先发优势，具备全球领先的规模化供应能力 - 公司苏州和珠海工厂产能逐步爬坡，苏州工厂产能从 2021 年的 1.8 万片增长至 2023 年的 4.8 万片，截至 2024 年上半年达 4.9 万片，珠海工厂产能从 2021 年的 3.0 万片扩大至 2023 年的 4.5 万片，截至 2024 年上半年为 2.4 万片 [109] - 苏州工厂产能利用率 2021 - 2022 年下降后 2023 年回升，2024 年上半年珠海基地产能利用率提升，截至 2024 年末公司拥有全球最大的 GaN 功率半导体生产基地，产能为每月 1.3 万片晶圆 [112] - 公司港股上市融资净额约 13 亿港元，60%用于扩大 8 英寸 GaN 晶圆产能，20%用于研发及扩大产品组合以提高 GaN 产品渗透率 [115] 3.2.3 客户和技术优势：携手合作伙伴做大做强氮化镓赛道 - 公司产品覆盖 15V - 1200V 广泛电压范围，与众多知名厂商建立合作关系，产品在多个领域实现大批量量产 [118] - 美国政策调整增加半导体行业地缘政治风险和制造成本，公司与 ST 的合作在 IDM 之间实现跨制度、跨区域的产线协同，为“制造自由”提供操作样本，建立具备可调性与可背书能力的交付体系 [119][120] 四、盈利预测与投资建议 4.1 盈利预测 - 预计公司氮化镓分立器件及集成电路业务 2025 - 2027 年收入分别为 6.44/12.39/20.85 亿元，同比 +78.50%/92.40%/68.30% [121] - 预计公司氮化镓晶圆业务 2025 - 2027 年营收分别为 4.59/7.27/10.93 亿元，同比 +63.56%/58.40%/50.35% [121] - 预计公司氮化镓模组业务 2025 - 2027 年营收分别为 2.13/2.37/2.68 亿元，同比 +15.74%/11.36%/13.08% [122] - 预计公司 2025 - 2027 年营收分别为 13.20、22.08 和 34.52 亿元，同比增速分别为 59%、67%和 56%，2025 - 2026 年分别亏损 5.65/1.45 亿元，分别减亏 46%和 74%，2027 年实现归母净利润 2.38 亿元，同比增长 265% [123][129] - 预计公司 2025 - 2027 年毛利率分别为 12.82%/30.90%/36.47%，销售费率分别为 10.0%/8.0%/7.0%，管理费用率分别为 30.0%、20.0%、15.0%，研发费用率分别为 20.0%、15.0%和 12.0% [123][128] 4.2 投资建议及估值 - 选择中芯国际、华虹半导体、天岳先进、士兰微作为可比公司，考虑公司处于业务高速发展期且未盈利，采用 PS 估值，2025 - 2027 年可比公司 PS 均值分别为 5/5/4 倍 [130] - 给予公司 2025 年 35xPS 对应市值 429.17 亿元（461.96 亿港币），目标价 52.55 港币/股，首次覆盖给予“买入”评级 [130]