市场概况 - 1月15日，三大指数涨跌不一，沪指跌0.33%，深成指涨0.41%，创业板指涨0.56%，两市成交额2.91万亿元，较上一交易日缩量1.04万亿元 [1] - 指数均守稳于10日均线之上，尚未出现明显破位转弱信号 [1] - 近期市场热点板块轮动，包括光刻机、AI营销、有色金属、锂电池、人工智能大模型、航天、国产芯片、ST股、大消费、智能电网等 [2] 宏观政策 - 中国人民银行决定自2026年1月19日起，下调再贷款、再贴现利率0.25个百分点 [2] - 下调后，3个月、6个月和1年期支农支小再贷款利率分别为0.95%、1.15%和1.25%，再贴现利率为1.5%，抵押补充贷款利率为1.75%，专项结构性货币政策工具利率为1.25% [2] 台积电2025年第四季度业绩与展望 - 2025年第四季度营收332.04亿美元，环比增长5.7%，优于指引上限 [4] - 季度净利润160.53亿美元，环比增长11.8%，同比增长35%，创单季历史新高 [5] - 毛利率达62.3%，大幅超出57%-59%的指引，主要得益于产能利用率满载及3nm高良率贡献 [6] - 营业利益率达54.0%，显示出极强的盈利能力 [7] - 3nm和5nm先进制程合计营收占比超过68%，其中3nm占比达28% [7] - 高性能计算平台营收占比达55%，远超智能手机业务的32% [7] - AI加速器需求持续火热，抵消了消费电子季节性淡季影响 [7] - 2026年第一季度营收指引为346亿至358亿美元，环比增长约4%，同比增长高达38% [8] - 2026年第一季度毛利率指引为63%至65% [8] - 2026年全年营收预期以美元计价增长接近30% [8] - 2026年资本支出预算大幅上调至520亿至560亿美元，中值较2025年实际支出409亿美元激增约32% [9] - 约70%的资本支出将用于先进制程产能扩充，其余用于先进封装及特殊制程 [10] - 资本开支计划旨在全力缓解当前AI芯片全球短缺的产能瓶颈 [11] - 庞大的资本开支将直接惠及全球顶尖的半导体设备公司和先进材料供应商 [16] - 对AI客户而言，长期产能瓶颈有望缓解，但短期内争抢产能的竞争可能依然激烈 [16] - 对竞争对手如英特尔、三星等构成巨大压力，设定了行业竞争的高门槛 [16] 半导体光掩模行业分析 - 光掩模是半导体芯片制造中光刻工艺的关键材料，用于图形传递，直接影响芯片制造精度与质量 [13] - 光掩模具有资本密集、技术密集的特点，是产业链中不可或缺的工具 [17] - 空白掩模是光刻环节的核心上游材料，相当于“空白画布”，在硅片制造中光刻环节成本占比30%、耗时占比40%-60% [24] - 空白掩模在光掩模原材料中价值量占比高，全球市场增长动能强劲 [32] - 全球空白掩模市场由日本HOYA、信越化学等企业垄断，合计市占率85%-90% [35] - 中国大陆市场年需求估计可达40亿至50亿元，但国产化率极低 [33] 聚和材料收购空白掩模业务 - 聚和材料是全球光伏导电浆料龙头企业，为突破单一业务依赖，开启“光伏+半导体”双轮驱动战略 [33] - 公司以约3.5亿元人民币现金收购韩国SK Enpulse株式会社旗下空白掩模业务板块，直接或间接出资比例不低于95% [33] - 交易标的涵盖空白掩模业务相关的土地、厂房、设备、专利、人员及技术等全部资产，预计交割日为2026年1月30日 [34] - 收购的业务覆盖7-130nm制程，可量产DUV-ArF、DUV-KrF等高端品类，是全球少数非日系高阶DUV空白掩模供应商 [35] - 该业务已通过SK海力士、中芯国际、华虹等头部晶圆厂验证 [35] - 高端空白掩模单片售价可达数万元至数十万元，毛利率超50% [35] - 被出售的业务在2024年营业收入为429.86万元人民币，营业利润亏损约510万元人民币 [36] - SK集团正进行战略性重组，空白掩模业务并非其未来重点发展方向 [36] - 聚和材料已于2026年1月14日正式向香港联交所递交H股上市申请 [37] - 寻求港股上市旨在推进国际化战略，支持新业务拓展，募集资金将重点用于半导体材料领域布局 [39] 蘅东光业务与市场地位 - 蘅东光聚焦于光通信领域无源光器件，主要业务包括无源光纤布线、无源内连光器件及相关配套业务 [40] - 无源内连光器件主要用于光模块内部连接，是光模块中的重要无源光器件之一 [41] - 公司产品应用于数据中心互联、设备间连接、柜内传输及光模块内部光信号传输等多种场景 [42] - 公司直接客户包括全球数据中心光纤布线龙头AFL和光器件全球领导者Coherent [45] - 2025年上半年，AFL贡献了公司近六成收入，销售金额为5946.579万元 [46] - 2024年度，AFL在全球及北美数据中心光纤布线产品市场份额均排名前三，在北美市场占有率达5.2%，排名第一 [46][47] - Coherent是全球光子学领域领导者，在2022年至2024年全球光器件最具竞争力企业排名中连续三年第一，约占据25%的光通信市场份额 [49] - 公司产品最终用于谷歌、亚马逊、微软、甲骨文等云巨头的AI数据中心 [49] - 2025年前三季度，公司营收和归母净利润分别为16.25亿元和2.24亿元，同比增长91.38%和123.75% [49] 领湃科技业务澄清 - 领湃科技是一家具有“表面工程化学品+新能源电池”双主业布局的上市公司 [56] - 公司明确指出，目前没有固态电池技术研发项目，现有产品不涉及相关技术，也未形成固态电池生产工艺及产线，没有实际应用场景和生产能力 [56]

文章核心观点 - 半导体材料板块在2026年初持续走强，其强势表现由政策、需求与技术三大核心因素共振驱动，行业正迎来从“单点突破”向“全面突围”的历史性跨越，进入黄金增长期 [1][3][24] 三重驱动逻辑 - **需求爆发**：AI算力革命与全球晶圆厂扩产潮形成双轮驱动。全球AI服务器2026年出货量预计突破300万台，带动HBM、Chiplet等技术应用，使每片晶圆材料用量翻倍 [4]。2024年全球投入运营48座晶圆厂，2025年新建18座，其中15座为12英寸产线。中国大陆2024-2027年300mm晶圆厂将从29座增至71座，占全球比重近30% [5] - **技术突破**：成熟制程领域（如8英寸硅片、抛光液、靶材）国产化率已超40% [6]。先进制程领域（如12英寸硅片、ArF光刻胶）已实现小批量供货，并向14nm及以下工艺进军 [6]。第三代半导体材料（碳化硅、氮化镓）开辟新增长赛道，氮化镓年复合增长率保持25%以上 [6] - **政策护航**：商务部对日本进口二氯二氢硅发起反倾销调查，为国产替代打开验证窗口期 [8]。国家大基金三期规模达3440亿元，重点投向核心技术与关键零部件等“卡脖子”领域 [9][10] 细分赛道竞争格局与国产化进展 - **硅片**：占半导体材料市场份额37%，全球前四大厂商市占率超80% [11]。12英寸高端硅片日本两巨头合计市占率超90% [11]。国内8英寸硅片国产化率较高，12英寸硅片整体国产化率约10%，但2025年产能快速释放 [14] - **光刻胶**：全球市场日本四大厂商合计占80%份额 [14]。ArF光刻胶（14-28nm）前四大厂商市占率92%，EUV光刻胶（7nm及以下）日本企业全球市占率超95% [14]。国内G/I线光刻胶国产化率超40%，KrF光刻胶约10%，ArF光刻胶不足1% [14] - **电子特气**：全球市场日美企业合计占82%份额 [14]。国内整体国产化率约25%，但高端刻蚀气、掺杂气国产化率不足20%，先进制程所需7N级以上高纯度气体进口依存度达70% [15] - **其他关键材料**：溅射靶材高端产品国产化率不足5% [17]。光掩模领域28nm及以下高端产品国产化率不足5% [17]。CMP抛光液国产化率达30%，抛光垫仅20% [18] - **国产化率总结**：高替代（30%-55%）环节包括8英寸硅片、抛光液、G/I线光刻胶等；中替代（10%-20%）环节包括12英寸硅片、大宗电子特气、KrF光刻胶等；低替代（不足10%）环节包括EUV光刻胶、EUV光掩模、高端电子特气、ABF基板等 [20] 投资机会方向 - **高端攻坚型**：瞄准国产化率不足10%的核心环节，替代空间最大。包括ArF/EUV光刻胶的规模化量产与技术突破、钽靶/钨靶等先进制程专用靶材、以及六氟丁二烯/锗烷等高端电子特气 [22] - **政策受益型**：直接承接贸易政策调整红利。包括二氯二氢硅等工艺化学品、光刻胶上游原料（树脂、光引发剂）、以及受日本产能收缩影响的氟系电子特气 [23] - **需求爆发型**：受AI与扩产驱动需求指数级增长。包括12英寸硅片、第三代半导体材料（碳化硅、氮化镓）、以及CMP抛光液与抛光垫 [24]

公司业绩与市场反应 - 光掩模供应商Photronics公司发布的第一季度营收预期超出市场预期 [1] - 该业绩消息导致公司美股盘前股价大幅上涨15% [1] 行业与公司身份 - 公司是光掩模供应商 属于半导体产业链上游的关键材料环节 [1]

公司业绩与市场反应 - 光掩模供应商Photronics在美股盘前交易中股价大幅上涨15% [1] - 公司发布的第一季度营收预期超出了市场预期 [1]

大基金三期投资动态 - 国家大基金三期旗下国投集新（北京）股权投资基金向南通晶体有限公司认缴出资1亿元人民币，持股25%，成为其今年公开完成的首个被投项目 [4] - 国投集新基金成立于2024年12月31日，出资额为710.71亿元人民币，主要出资人是大基金三期，实控人为国务院国资委 [4] - 此前，国投集新曾计划以不超过4.5亿元参与拓荆键科融资，但该交易截至目前尚未完成 [4] 南通晶体业务与技术 - 南通晶体主要从事国内高性能合成石英材料业务，产品在激光、半导体及精密光学领域有广泛应用 [4] - 公司正着力发展光掩模方向，通过深耕合成石英气相沉积技术，旨在解决关键技术突破和国产化自主可控问题 [4][5] - 公司总经理钱宜刚强调，正在加快推进高性能合成石英产业发展，以助力光掩模行业实现跨越 [4] 光掩模行业概况 - 光掩模是芯片制造的上游关键材料，光掩模基板是半导体光刻工艺的核心材料，用于将芯片设计图案转移至晶圆，直接影响制程精度和良率 [5] - 在5纳米以下等先进制程中，光掩模具有不可替代的战略地位，是半导体产业链自主化的重要环节 [5] - 高端掩模基板国产化率仅有不到3%，市场主要被美国康宁、德国贺利氏和日本信越等公司垄断 [5] 中天科技关联信息 - 中天科技是南通晶体的母公司，持有其60%的股份，是国内光电缆品种最齐全的专业企业之一，其特种光缆在国内市场占有率达30%-40% [6] - 公司正在布局光通信模块，已建成用于400G和400G/800G硅光模块研发的COB高速光模块实验室，并成功掌握封装能力 [6] - 中天科技2025年前三季度营业收入为379.74亿元人民币，同比增长10.65%；归母净利润为23.38亿元人民币，同比增长1.19% [6]

光掩模行业核心观点 - 光掩模是集成电路制造的关键材料 连接芯片设计与制造 直接决定芯片性能与良率 技术壁垒极高 精度要求达原子级 价值量随制程进步暴涨[2] - 高端芯片掩模成本达750万美元 14nm制程整套掩模成本约750万美元 其中栅极掩模单片达50万美元[16][27] - 日本企业垄断超50%市场份额 EUV掩模基板对华完全禁运 国产替代需求迫切[3][61] - 2023年全球市场规模达95亿美元 空白掩模市场增速CAGR 9.07%[33][60] 行业技术壁垒 - 资本与技术双密集 新玩家需巨额资金投入和长期工艺积累[12] - 核心难点包括非标数据转换 OPC光学邻近效应校正 对位精度控制 工艺匹配 缺陷检测与修复[15][20][52] - 技术节点从90nm演进至14nm 线宽均匀性从10nm提升至1.5nm 精度要求提升近7倍[16][27] - EUV掩模采用反射式光学系统 基板镀有40-50层Mo/Si膜 制造难度和成本极高[43] 材料与工艺要求 - 基板材料分石英玻璃与苏打玻璃 石英玻璃热膨胀系数低 平整度高 适用于半导体制造 苏打玻璃成本低 适用于中低端领域[12][22][28] - 半导体掩模最小线宽0.5μm CD精度0.02μm 位置精度0.02μm 远高于PCB掩模的10μm和0.50μm[23] - 空白掩模占掩模厂商原材料成本50%-60% 是最大成本项[60] - 工艺涉及清洗 磨抛 镀膜 涂胶 缺陷控制是核心瓶颈[52] 市场竞争格局 - HOYA和信越化学垄断高端ArF及EUV空白掩模市场[61] - 国内厂商现状：i-line/KrF中低端开始替代 ArF高端几乎100%进口 EUV完全禁运[61] - 国产替代需突破材料 设备 产业链协同三大环节[62] 主要应用领域对比 - 半导体领域要求最高 最小线宽0.5μm 套刻层数达数十张[13][23] - 平板显示领域最小线宽1.2μm AMOLED需十数张掩模[9][23] - PCB领域要求最低 最小线宽10μm 套刻层数个位数[9][23] 国内主要企业进展 - 龙图光罩：定位第三方专业掩模厂商 聚焦半导体领域 石英掩模占比超80% 营收CAGR 46.93%[72] - 清溢光电：国内规模最大的综合掩模制造商 覆盖显示 半导体 PCB等多领域 营收超10亿元[72] - 非上市公司：无锡迪思微(0.13μm) 无锡中微掩模(0.35-0.13μm) 广州新锐光掩模 宁波冠石(规划45-28nm)等正积极突破[75][76][77][78] 市场驱动因素 - 半导体自主可控趋势向上游设备和材料领域蔓延[84] - 下游芯片制造需求与上游材料低国产化率的矛盾是核心驱动力[84] - 技术迭代推动掩模价值量指数级增长[27]

投资评级 - 行业投资评级为看好（维持）[1] 核心观点 - 光掩模是集成电路制造的光刻蓝本 连接IC设计与制造的关键图形蓝本 具有资本密集和技术密集的特点[6][10] - 先进制程推动光掩模产业迭代 精细度持续提升 价值量连续攀升 例如65-45nm制程时代单片掩模价值量约9-12万美元 全套价值量150-210万美元 32nm时代栅极掩模价值量提升至20万美元/片以上 全套价值量上升至300万美元及以上[19] - 光掩模是集成电路核心材料品类 2023年全球半导体材料市场规模预计达794亿美元 光掩模占比12% 预计2023年全球光掩模市场规模达到95.28亿美元[29][30][31] - 空白掩模作为光掩模之核 是掩模版中价值占比最高的原材料 2023年全球半导体空白掩模市场规模约18.4亿美元 2024年预计达20.1亿美元 2032年有望突破至40.2亿美元 2019-2032年CAGR预计达9.07%[56][58][60] - 空白掩模国产化率低 海外企业高度垄断 日本HOYA公司占据全球超50%的市场份额 国内技术代差明显 行业发展前景广阔[61][63] 光掩模：集成电路制造的光刻蓝本 - 光掩模广泛嵌入芯片制造等产业的核心工艺流程 按下游应用领域分类包括平板显示行业、触控行业、半导体行业和电路板[11][12][13] - 光掩模制造的技术难点体现在多环节协同的高精度制造体系 包括CAM设计、光刻、缺陷检测修复等环节 每个环节都存在具体的技术难点如非标数据识别与转换、图形补偿、对位标记、光刻制程管控、位置精度控制、曝光控制、工艺匹配、显影刻蚀控制、关键参数测量、缺陷修补与异常移除等[16][18] - 光掩模主要分苏打和石英两类 石英类广泛使用于集成电路制造中 石英掩模版基板材质为高纯度石英玻璃 热膨胀系数低稳定性高 表面平整度高适配精细光刻工艺 成本高 典型应用于功率半导体、MEMS、先进IC封装等 苏打掩模版基板材质为苏打玻璃 热膨胀系数相对较高 表面平整度相对较弱适用于中低精度需求 成本相对较低 典型应用于中低端半导体制造、半导体封装、光学器件、触控屏、电路板制造等[24][25][27] - 不同技术节点光掩模的技术指标存在差异 例如90nm波长248nm 基板平整度0.5pm 65nm波长193nm 基板平整度0.5pm 45nm波长193nm 基板平整度0.5pm 32nm波长193nm 基板平整度0.5pm 双折射参数10nm/cm 22nm波长193nm 基板平整度0.2pm 14nm波长193nm 基板平整度0.1pm[22] - 光掩模的关键参数包括掩模版最小线宽、CD精度、CD精度均值偏差、位置精度、套刻层数等 半导体掩模版最小线宽0.5μm CD精度0.02μm CD精度均值偏差0.02μm 位置精度0.02μm 套刻层数通常十几张到数十张不等 平板显示掩模版最小线宽1.2μm CD精度0.10μm CD精度均值偏差0.12μm 位置精度0.28μm 套刻层数一般数量相对较少即使AMOLED一般也仅需要十数张 PCB掩模版最小线宽10μm CD精度0.50μm CD精度均值偏差1μm 套刻层数通常张数为个位数[26] 空白掩模：光掩模之核 - 空白掩模是制造光罩的原材料 结构底部为玻璃基板（通常为高纯度石英材质） 表面镀有一层金属(如铬或钼硅材料)为遮光层 在基板最上方涂覆100～300nm不等的光刻胶 通过曝光、显影、刻蚀、去胶得到光罩 其质量直接影响芯片制造的精度和质量[39] - 空白掩模按基板材料分类包括石英、苏打、凸版、菲林等材质 其中石英基板相比于苏打基板更为平整和耐磨 可适用于高精度掩模版 按功能和结构可分为二元掩模基板、相移掩模基板和EUV掩模基板 二元掩模基板是最基本最传统的空白掩模类型 主要应用于制造具有较大线宽的微电子器件 相移掩模基板能够解决在半导体最小线宽小于130nm存在的曝光光束中的干涉现象 有效提升CD精度水平 在制造具有较小线宽的微电子器件时具有显著优势 EUV技术曝光波长极短（一般为13.5nm） 掩模版结构需改变为适应反射式光学系统多层堆叠结构的反射型掩模版 EUV空白掩模每片成本高达数万美元[41][42][43] - 空白掩模的发展伴随制程演进 新式掩膜持续引入 经历铬板时代（i-line光刻）采用单层铬遮光支撑0.35μm以上制程 相移光罩（PSM）时代（KrF/ArF光刻）引入MoSi复合层通过相位调制提升分辨率 OMOG时代（浸没式光刻）采用氧化钼硅材料光学密度提升3倍适配7nm以下节点 为适应特殊图形的制作需求 更多光罩基板种类逐渐兴起如高透光PSM和高耐久PSM[44][45][46] - 不同技术节点所需空白掩模种类不同 例如90nm波长248/193nm 掩模基板的类型COG 65nm波长193nm 掩模基板的类型Att. PSM 45nm波长193nm 掩模基板的类型Att. PSM 32nm波长193nm 掩模基板的类型OMOG 22mm波长193nm 掩模基板的类型OMOG 14nm波长193nm 掩模基板的类型OMOG[38] - 空白掩模的主要工艺流程包括初检、粗磨、粗抛、高抛、掩模版清洗、石英基板性能检测、掩模版镀Cr处理、掩模基板性能检测、PR涂覆、包装等流程[47][48][50][51] - 空白掩模的技术难点包括高平整度、更薄、更低缺陷率 掩模基板的平整度要求基板衬底表面平整 表面粗糙度达到纳米级 掩模基板表面沉积材料的性能和厚度要求减薄的吸收层仍需保持所需的吸收率和相移 掩模基板的缺陷检测要求精准识别与修复粒子/缺陷等异常[52][53][55] - 空白掩模在光掩模原材料中价值量占比高 根据龙图光罩招股说明书原材料采购数据 2021-2023年空白掩模组成部分占公司原材料采购份额的64%/59%/52%[57][60] 产业主要公司 - 龙图光罩是国内少数具备先进光掩模独立设计与制造能力的第三方专业厂商 产品体系覆盖半导体掩模版、显示掩模版、电路板掩模版等 广泛应用于集成电路制造、显示面板、触控模组及PCB等产业链关键环节 2024年公司实现归母净利润0.92亿元 同比增长9.84% 营业收入从2020年的0.53亿元提升至2024年的2.47亿元 年均复合增长率达46.93% 营收结构优化 石英掩模版营收占比持续扩大 2024年石英掩模版营收超过2亿元 占总营收比例超过80%[66][67][68] - 清溢光电是国内成立最早、规模最大的光掩模生产企业之一 主要从事光掩模的研发、设计、生产和销售业务 产品主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业 2024年公司营收规模实现11.12亿元 同比增长20.35% 石英掩膜版营收达10.2亿元 同比增长20.43% 整体毛利率较23年增长2.03pct 归母净利润增至1.72亿元 同比增长28.49%[69][70][71]

半导体制造行业业绩 - 中芯国际第二季度营收22.1亿美元同比增长16% 环比下降1.7% 上半年累计销售收入44.6亿美元同比增长22% 第二季度净利润1.325亿美元 资本支出18.9亿美元 [1] - 华虹半导体第二季度销售收入5.661亿美元同比增长18.3% 环比增长4.6% 毛利率10.9%同比上升0.4个百分点 母公司拥有人应占利润800万美元同比上升19.2% 预计第三季度销售收入6.2-6.4亿美元 毛利率10%-12% [3] 通信运营商业绩 - 中国移动上半年营业收入5438亿元 主营业务收入4670亿元同比增长0.7% 数字化转型收入1569亿元同比增长6.6% 归母净利润842亿元同比增长5.0% 中期派息每股2.75港元同比增长5.8% [2] 液冷服务器概念澄清 - 淳中科技澄清不涉及液冷服务器生产制造 仅参与液冷测试平台等测试环节 该业务2025年上半年未形成收入 计提存货减值准备和信用减值损失合计1078.65万元 [4] - 硕贝德向台湾客户送样服务器液冷板等散热产品 目前处于测试阶段 产品能否通过测试并实现量产存在不确定性 [5] 新能源汽车与装备制造 - 赛力斯7月新能源汽车销量44581辆同比增长5.7% [7] - 华明装备上半年归母净利润同比增长17.17% 拟每10股派现2元 [7] 电力与新能源项目 - 龙源电力7月完成发电量6328.76兆瓦时同比增长2.44% [8] - 吉电股份获得1507.93MW风电项目核准 [8] 重大合同与订单 - 源杰科技签订1.41亿元大功率激光器芯片销售订单 [8] - 先惠技术签订约7.02亿元销售合同 [8] - 协鑫集成签订4.5亿元硅料采购合同 交易价格随行就市一月一议 [8] 资本运作与股权变更 - 长江证券主要股东变更完成股份过户 长江产业集团成为第一大股东 [8] - 上峰水泥以5000万元投资半导体光掩模企业新锐光掩模 [8] - 利和兴拟定增募资不超过1.68亿元用于半导体设备精密零部件研发及产业化项目 [8] 医药行业进展 - 国药现代获得静脉麻醉药盐酸氯胺酮上市申请批准通知书 [8] - 复星医药控股子公司获美国FDA药品临床试验批准 [8] - 海思科收到创新药HSK47388片临床试验批准通知书 [8] 资产处置与业务调整 - 广西能源拟公开挂牌转让5个小水电站 评估价不低于3650万元 [8] - 中旗新材暂缓实施年产1万吨半导体级、光伏坩埚用高纯砂项目 [9]

政策支持 - 广州开发区、黄埔区发布《支持集成电路产业高质量发展若干政策措施》，鼓励发展光掩模、电子气体、光刻胶、抛光材料、高纯靶材等高端半导体和传感器制造材料 [1] - 政策支持光刻、清洗、刻蚀、离子注入、沉积等设备、关键零部件及工具国产化替代 [1] - 积极引进国内重点基础材料企业，稳步提升关键基础材料供应能力 [1] 资金扶持 - 对于新引进的固定资产投资1000万元以上的产业化项目，且政策有效期内实现小升规的企业，按照不超过其设备和工器具投资额的15%分档给予扶持 [1] - 最高扶持金额可达1000万元 [1]

产业发展布局 - 在芯片设计 特色工艺 先进封装测试 EDA工具 装备及零部件等领域实现突破 [1] - 打造涵盖设计 制造 材料 装备与零部件 封测等环节的全产业链 [1] - 建设综合性集成电路产业聚集区 [1] 材料与设备发展重点 - 鼓励发展光掩模 电子气体 光刻胶 抛光材料 高纯靶材等高端半导体和传感器制造材料 [1] - 积极引进国内重点基础材料企业 稳步提升关键基础材料供应能力 [1] - 重点围绕集成电路制造关键部件和系统集成开展持续研发和技术攻关 [1] - 支持光刻 清洗 刻蚀 离子注入 沉积等设备 关键零部件及工具国产化替代 [1] 投融资支持措施 - 争取国家 省 市集成电路基金支持 [1] - 充分发挥区科技创新创业投资母基金等基金平台作用 [1] - 支持国企基金等加大与集成电路企业的合作 [1]