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台积电痛失订单!
半导体芯闻· 2025-05-27 18:21
核心观点 - SpaceX押宝面板级封装(FOPLP)技术,要求供应链扩大建置产能并计划在马来西亚自建700mmx700mm基板产线,目标整合卫星射频晶片和电源管理晶片[1] - 群创获SpaceX NRE合约,有望取得电源管理晶片订单,并延揽日月光前研发总经理冲刺2025年FOPLP量产[1] - 群创利用3.5代线620mm×750mm玻璃基板发展FOPLP,面积达12吋晶圆6.6倍,具备量产效率优势[2] - 群创澄清日经亚洲报导误解,强调显示器前段制程与IC封装有60%工序相似,具备发展封装技术潜力[3][4] 技术发展 - 群创推进三项FOPLP制程:Chip first预计2024年出货,RDL-first处客户认证阶段,TGV处技术研发[2][4] - 公司基板尺寸可弹性调整,从310×310mm至620×750mm,大尺寸基板制程具备完整经验[4] - 大尺寸基板单次产能提升且成本降低,随晶片尺寸放大趋势经济效益日益显著[5] 产能规划 - 群创旧3.5代线转产FOPLP,初期营收占比预估不到1%,但具技术里程碑意义[2] - 台积电计划2027年在桃园建置面板级封装试验产线,可能形成潜在竞争[3] - SpaceX要求供应链扩产同时,自身将在马来西亚建立700mmx700mm基板产线[1] 市场影响 - 群创原手机电源管理晶片订单因市况与良率问题延后,转攻卫星应用领域[1] - 公司面板产能收敛后聚焦高利润产品,同时通过FOPLP切入半导体封装市场[2] - 与特斯拉的合作从车用面板延伸至类比晶片开发,强化供应链整合[2]
一颗改变历史进展的芯片
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
芯片技术突破 - Bellmac-32是全球首款商用32位微处理器,采用3.5微米CMOS工艺,单时钟周期完成32位数据传输,性能远超同期8位处理器[1][5] - CMOS技术通过混合N型和P型晶体管设计,在速度与功耗上全面超越NMOS/PMOS,尽管初期需双倍晶体管且成本较高[7] - 芯片架构原生支持Unix和C语言,引入复杂指令集减少内存占用(当时内存以KB计),并集成VME总线实现分布式计算[9] 研发与制造挑战 - 研发团队采用手工验证方法:打印6米见方的电路图,用彩色铅笔标记缺陷,无CAD工具支持[11] - 初期制造良率极低,工程师驻厂参与设备校准等基础工作,最终将良率提升至超需求水平[11] - 首版芯片频率仅2MHz(目标4MHz),因测试设备缺陷导致测量误差,二代产品突破至6.2-9MHz,超越同期IBM PC的4.77MHz 8088处理器[11][12] 行业影响与历史地位 - Bellmac-32虽未商业化成功,但其CMOS技术成为智能手机、笔记本电脑等现代设备芯片的基础[1][13] - 该产品推动半导体行业从NMOS转向CMOS主导,重塑技术路线[13][14] - 研发过程开创VLSI测试先例,实现多芯片组零错误协作,奠定复杂芯片系统设计方法论[10] 团队与创新精神 - AT&T集结半导体"梦之队",包括后来任职英特尔CTO的康德瑞、KAIST院长康成模等顶尖专家[7][9][11] - 团队突破性采用多米诺逻辑减少延迟,开发实时Unix系统,并首创大规模芯片验证技术[10][14]
中国快充,要统一了?
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自观察者 ,作者: 杨依婷,谢谢 。 近日,2025融合快充(UFCS)产业发展大会在深圳举行。华为、OPPO、vivo、荣耀共同签署 UFCS互授权意向,标志着国内快充产业协作的进一步深化。与此同时,UFCS 2.0标准的正式发布 及40W融合快充互通的启动,预示着中国统一快充生态建设已迈入全新阶段。 大会现场 大会发布了融合快充UFCS 2.0标准。新标准在技术层面进行了多项优化,不仅实现了40W无鉴权 功率互通,引入了"反向充电"特性,还将Power Change(适配器功率主动调节)升级为必选项, 这些关键增强充分展现了统一快充技术在提升用户体验方面的巨大潜力。 长久以来,由于缺乏统一标准,不同品牌手机之间充电协议及线缆互不兼容的问题普遍存在,这在 一定程度上制约了行业的健康发展。而UFCS 2.0的发布以及产业链的进一步协同,正是推动这一 问题解决的关键步骤。 会上,来自中国通信标准化协会、电信终端产业协会及广东省终端快充行业协会的领导,在讲话中 都高度肯定了融合快充UFCS在提升用户体验、推动绿色发展及构建产业协同方面的积极进展。 中国信息通信 ...
2nm,争霸战
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
全球半导体代工市场竞争格局 - 台积电和三星电子计划2023年下半年开始批量生产2纳米工艺半导体[1] - 2纳米工艺将首次采用三星电子在3纳米工程中引进的全环绕栅极(GAA)技术[1] - 台积电将在台湾新竹科学园区工厂和高雄工厂进行2纳米量产[1] - 三星电子计划下半年量产移动用2纳米半导体产品[1] 台积电市场表现 - 台积电3纳米工程在批量生产后5个季度内开工率达到100%[2] - 预计台积电2纳米工程将在量产后4个季度达到完全开工率[2] - 苹果、英伟达、超威半导体等主要客户将基于台积电2纳米工艺推出新产品[1] - 台积电在中国市场因美中矛盾而停滞[2] 三星电子市场表现 - 三星电子2022年6月全球首次宣布批量生产3纳米工程[2] - 三星电子获得任天堂"Switch 2"的8纳米工艺主半导体供应合同[2] - 三星电子正在扩大中国国内成熟工艺客户[2] - 预计三星3纳米工艺将应用于"Galaxy Z Fold·Flip 7"的Exynos 2500处理器[2] - 三星2纳米工艺可能应用于2025年初上市的Galaxy S26的Exynos 2600处理器[1] 技术发展动态 - 2纳米工艺(1纳米等于10亿分之1米)即将进入量产阶段[1] - 三星电子在3纳米工程中率先引进全环绕栅极(GAA)技术[1] - 台积电将在2纳米工艺中采用GAA技术[1]
芯片刻蚀,迎来巨变
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 想象一下,尝试在指甲大小的块体上雕刻出一个微小而复杂的雕塑,一遍又一遍,数十亿 次,几乎没有出错的余地。 芯片制造商在硅片上蚀刻复杂的图案,制造出驱动我们周围大多数电子设备和技术的半导 体,正是如此。随着我们要求更小的设备拥有更高的功率和速度,以极高的精度雕刻这些图 案的需求变得越来越迫切,也越来越具有挑战性。 为了满足半导体生产日益增长的精度标准,一个研究团队最近推出了一项名为 DirectDrive 的突破性技术,该技术为制造计算机芯片的等离子蚀刻工艺带来了前所未有的精度。这项创 新有望支持下一代电子产品的开发,尤其是用于人工智能系统、需要高度紧凑和超高速电路 的电子产品。 从厨房到实验室 DirectDrive 并非一周或一个月研究的成果,而是耗时 20 年才成型。早在 2006 年,加州大学洛 杉矶分校 (UCLA) 工程师 Patrick Pribyl 就提出了一个想法,即在芯片制造蚀刻过程中更好地控 制等离子体。 Pribyl 设计了一种装置,可以快速切换驱动等离子体的射频 (RF) 能量,从而实现更精细的蚀刻控 制。为了测试他的想法,他还在自家厨房里搭建 ...
中国如何突破芯片包围圈?
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
中国科技巨头应对美芯片限制的策略 - 腾讯目前拥有相当充足的GPU芯片库存 并强调能够用较少数量的芯片取得良好的AI训练效果 [1] - 腾讯通过软件优化提高效率 部署相同数量GPU执行特定功能 同时考虑使用运算需求较低的小型模型 [1] - 腾讯表示可利用中国现有的客制化芯片和半导体 认为有足够高端芯片支持多代模型训练 [1] 百度的人工智能发展路径 - 百度强调通过全端AI功能和软件优化降低模型运行成本 即使缺乏最先进芯片仍能提供价值 [1] - 百度认为管理大规模GPU集群及高效利用GPU的能力已成为关键竞争优势 [2] - 百度看好中国本土AI半导体进展 称国产芯片与高效软件堆栈将奠定AI生态创新基础 [2] 中国半导体行业整体进展 - 分析师指出囤货是中国企业应对出口限制的短期策略 同时肯定中国在半导体技术上的进步 [2] - 中国已建立从材料、设备到芯片封装的完整半导体生态系统 各环节均取得不同程度进展 [2] - 中国自主研发的AI芯片虽暂未达国际领先水平 但持续进步为其提供了替代采购途径 [2]
华为主导新技术,旨在替代HDMI
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
文明进步与信息存储传递 - 文明进步与信息存储介质和传递方法密切相关 存储介质从结绳记事演进到云存储 发展速度日益加快 [2] - 信息传递方法更新较慢 高清视频接口技术沿用20余年 现有接口在超高清传输 多设备协同等场景中难以胜任 [2] GPMI技术概述 - GPMI是面向智慧场景的接口范式重构 旨在解决现有接口在新应用场景中的适配问题 被称为万物互联时代接口的「全村的希望」 [3] - GPMI技术架构分为链路层 隧道底座 适配层和业务层 链路层包括主链路 辅助链路等 其中主链路和辅助链路为必选 [3] - 隧道底座由电气层 逻辑层和传输层组成 通过适配层实现设备管理 信号传输等功能 支持去中心化管理 [5] GPMI核心优势 - 七大核心优势包括双向多流 双向控制 高功供电 生态兼容 极速传输 快速唤醒和全链安全 [7] - 双向多流能力支持视频流和数据流混合双向传输 单根线支持192Gbps带宽 最多128个节点组网 适合智能家居和商用场景 [12] - 双向控制功能实现主副设备角色动态重构 例如机顶盒可借助电视网络能力 电视可作智能家居中控屏 [15] - 高功供电整合超高清视频 控制 数据和供电 Type-B接口支持480W供电 Type-C支持240W供电 [18] - 生态兼容方面 GPMI全面兼容USB接口标准 使用USB Promoters分配的SVID'0XFF10' 融入USB生态 [21] GPMI应用前景 - 解封受限于现有接口技术的智慧场景 如智慧家庭多屏生态 海尔已首发采用GPMI接口的智能电视 [24] - 在工业生产和物联领域可打通多个工业物联网 组成互联互通的智慧体系 [24] - 硬件层面消除电源线 信号线等物理区隔 协议层面构建统一传输层 可能催生「显示即服务」等新商业模式 [24] - 为智慧家庭 汽车电子 智能制造等行业打开创新之门 [24]
台积电首席科学家:长期遏制中国行不通
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
台积电研发战略 - 台积电在2018年建立前瞻性研究实验室,专注于与当前产品路线图不直接相关的技术探索[2] - 研发团队由来自大学、其他公司及内部人才组成,分布在台湾新竹和美国加州圣何塞(约20人)[3] - 研发分为两个阶段:先验证基础材料与器件技术可行性,再进行技术整合[3] - 台积电开始公开未商业化的学术研究成果,改变以往只发表已商业化技术的做法[3] - 公司认为对营收数千亿美元的企业,基础研究投入相当于"战略保险"[4] 半导体技术趋势 - 光刻技术重要性可能在20年内下降,因其成本过高(高数值孔径EUV光刻机)且分辨率需求可能已达极限[4] - 当前尖端制造工艺周期长达7个月(制造5个月+CoWoS封装2个月)[4] - 背面供电和堆叠FinFET等创新技术进一步延长了生产周期[4] - 未来技术发展重点应转向缩短周期时间而非继续提升分辨率[4] 中国半导体产业 - 美国出口限制意外推动中国半导体设备产业发展,创造了本土设备市场需求[5] - 中国半导体领域研究论文数量和质量在过去5-10年显著提升,在重要会议上发表量已超过任何单一美国大学[7] - 中国大学在确立新研究方向方面仍有不足,但追赶能力突出[7] - 中国本科生占全球半导体专业学生总数一半以上[6] 行业领导力 - 台积电在7纳米节点超越英特尔成为全球芯片制造领导者[2] - 行业领导者需要前瞻性团队识别优秀技术并获取应用,避免错失机会[3] - 摩尔定律仍有效,技术发展目标指向0.1纳米(氢原子尺度)[1]
存储路线图,三星最新分享
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
DRAM技术演变 - 1990年代采用平面n沟道MOS FET作为DRAM单元晶体管标准结构 进入21世纪后短沟道效应和关断漏电流问题促使开发横向微型化晶体管结构 [1] - 2010年代通过改进阵列布局将单元面积从"8F2"缩小至"6F2" 相同加工尺寸下面积减少25% 该布局至今仍是大容量DRAM标准 [1][3] - 10nm以下DRAM将转向"4F2"布局 采用垂直沟道晶体管(VCT)结构 位线/沟道/电容器垂直排列 [4][5][7] - 三维DRAM(3D DRAM)通过垂直堆叠单元提升容量 三星开发VS-CAT技术实现存储单元阵列与外围电路晶圆键合 [7][9] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存2010年代初达到小型化极限 3D化成为突破方向 垂直单元串结构使电荷存储量提升且干扰减少 [11][13] - 3D NAND堆叠层数从2010年代32层发展到2020年代300层 采用CMOS under Array布局缩小硅片面积 [13] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜 通过极化方向决定逻辑值 已实现4位/单元存储 可降低编程电压并抑制阈值波动 [14][15][17] 行业前沿技术动态 - imec推出纯金属栅极技术使3D NAND层间距缩至30nm 铠侠开发多级编码技术提升闪存随机存取速度 [18] - NEO Semiconductor展示类3D NAND结构的3D X-DRAM技术 Macronix改进晶闸管控制3D DRAM [18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料 佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出 [19] - 清华大学推出兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻存储器 旺宏国际优化OTS选择器性能 [19]
独家 | Arm芯片大拿James加盟知合计算
半导体芯闻· 2025-05-23 18:26
核心人物变动 - 阿里平头哥倚天芯片总负责人James(岱宗)加盟本土RISC-V芯片公司知合计算担任CTO [1] - James拥有近30年芯片领域经验 曾任职Intel MIPS 华为海思 主导华为自研CPU核心项目(代号泰山)和Arm服务器芯片倚天710 [1] - 职业生涯聚焦Arm芯片研发 对高性能计算有深刻见解 加盟后将加速RISC-V高性能芯片商用落地 [1] 公司团队背景 - 董事长严晓浪为集成电路行业泰斗 曾任浙大教授 复旦微电子学院院长 国家集成电路咨询委员会委员等职 [2] - CEO孟建熠为RISC-V产业领军人物 现任阿里达摩院首席科学家 中国RISC-V工委会轮值会长 曾获国家科技进步奖二等奖 [2] - COO李响为连续创业者 现任中国集成电路设计创新联盟副秘书长 [2] - 研发团队核心成员均拥有20年左右从业经验 来自阿里平头哥 Intel AMD 联发科等企业 [2] 公司业务与技术 - 知合计算成立于2022年10月 专注高性能"通推一体"RISC-V芯片研发 [1] - 产品基于自研创新芯片架构 具备全球领先的通用计算性能与高性价比AI算力 [1] 资本支持 - 已完成多轮融资 投资方包括华登国际 鼎晖投资 源码资本 上海人工智能基金等头部产业资本和国资资本 [2]