公司战略与市场进入 - 高通正式进军AI数据中心领域，发布AI200系列芯片，意图挑战英伟达的霸主地位[1] - 公司采用差异化策略，凭借新芯片的内存相关功能及源自移动技术的节能设计来吸引客户[1] - 高通正努力减少对智能手机业务的严重依赖，将业务扩展到汽车、个人电脑及AI数据中心芯片领域[3] - 高级副总裁透露公司正与几家大型芯片买家洽谈，探索基于高通硬件的服务器机架部署解决方案[3] 产品与技术细节 - AI200系列芯片将于明年开始出货，首家客户是沙特AI初创公司Humain，计划从2026年开始部署总容量达200兆瓦的计算系统[1] - 产品将以多种形式推出，包括独立芯片、扩展卡以及整机机架服务器，并计划在2027年推出后续产品AI250[2] - 新产品基于神经处理单元构建，具有前所未有的内存容量，最高可达768GB的LPDDR[4] - 芯片主要针对“推理”任务，为已完成训练的大型语言模型提供计算能力[5] 市场反应与财务影响 - 发布新芯片后高通股价当日飙升11%，收于187.68美元，创下15个月新高及今年4月以来最大单日涨幅[2] - 分析师指出，即使只占据价值超过5000亿美元的AI加速器市场的一小部分，也能为高通带来数十亿美元的额外收入[2] - 人工智能相关业务的增长可能有助于抵消高通失去苹果订单的影响，苹果此前贡献了约20%的营收[5] - 截至上周，高通股价今年已上涨10%，远低于费城半导体指数40%的涨幅[3] 市场竞争格局 - 英伟达预计今年其数据中心部门的收入将超过1800亿美元，超过包括高通在内的所有芯片制造商的总收入[4] - 若作为完整系统提供，高通产品将与英伟达等竞争对手的处理器展开正面竞争[3] - 获得微软、亚马逊和Meta等客户的订单将为高通带来重要的新收入来源[3]

2025年10月28日，西安奕斯伟材料科技股份有限公司（以下简称"西安奕材"）科创板挂牌， 开盘 大涨461%，市值最高达1600亿。 作为"科八条"发布后首家过会并上市的未盈利企业，其成功上 市将直接推动12寸硅片国产化率突破20%，助力我国半导体产业链提升整体竞争力；同时在资本市 场上，为其他处于高速发展的科技企业提供了示范。 西安奕材的成功上市，在现阶段意义非凡，这是多方共同努力的结果，其中资本在其发展过程中起 到了重要作用。作为最早的投资方之一，孙达飞及其投资团队（三行资本与众行资本投资团队）自 2019年初投资奕斯伟科技，到后期硅材料板块在西安落地并成长为国内12英寸硅片龙头，这段历 程不仅是一家半导体企业的国产突围史，更是三行&众行团队聚焦、深耕产业的投资打法的生动实 践。 道远且阻，但行则必至 在半导体产业的宏大版图中，12寸硅片是芯片制造的关键基底，但长期被五大国际巨头垄断，其 占比高达92%。不再受制于人的决心，让16年底成立的奕斯伟科技一年后正式启动了硅晶圆项目。 彼时，下游需求正在发生结构性爆发：3D NAND存储因智能手机容量升级与数据中心建设的需 求，带动了12英寸硅片广泛和持续性的 ...

文章核心观点 - 中美芯片战争正威胁欧洲的人工智能基础设施规划，欧洲在AI芯片和稀土元素供应上陷入对美中的两级依赖，面临战略脆弱性且短期内难以找到出路 [1][2] 欧洲AI基础设施现状与规划 - 美国和中国主导全球人工智能基础设施，共同运营90%以上的人工智能工厂，欧洲缺乏以竞争速度开发和部署自身AI模型的规模和能力 [2] - 欧盟正加大投资以缩小差距，预计到明年年底将至少有15家AI工厂投入运营，其旗舰计划是建设多达五家AI超级工厂，每家配备约10万块AI芯片，耗资30亿至50亿欧元 [2] 第一级依赖：美国AI芯片 - 欧洲几乎完全依赖美国的AI芯片，NVIDIA公司占据市场主导地位，控制全球80%至90%的AI GPU销量，欧洲未来AI超级工厂的GPU几乎肯定来自NVIDIA [3][4] - 欧洲AI工厂的竞争力取决于美国持续供应最先进的NVIDIA GPU，但供应存在短缺风险，全球对AI GPU的需求预计明年将超过产能 [4][6] - 美国政策可能加剧供应风险，例如《人工智能增益法案》要求芯片制造商优先满足美国国内订单，这可能迫使欧洲在数据中心订单上排队 [6] AI芯片全球供应链 - 尖端AI芯片的全球分工由“三巨头”主导：美国NVIDIA负责设计，中国台湾台积电负责制造，荷兰ASML提供关键的极紫外光刻设备 [7][8] - 供应链最终追溯到原材料，特别是稀土元素，这些元素对AI芯片的一些最先进特性至关重要 [8] 第二级依赖：中国人工智能稀土 - 中国控制着全球稀土供应链，约70%的稀土矿开采以及90%的分离和加工 [9] - 中国近年来加强管控，2025年实施两轮升级限制，对多种稀土元素实施出口管制和配额，导致5月份出口同比大幅下降74% [9] - 尽管当前限制对AI芯片行业的直接威胁可能小于国防领域，但中国在稀土领域的主导地位使其在AI芯片供应链中拥有强大影响力 [10][11] 地缘政治动态与未来风险 - 中美之间的行动存在自我强化机制：美国对AI芯片的进一步限制可能引发中国加强对稀土元素的控制回击，反之亦然，最大的冲击将落在世界其他地区 [13][14] - 中国仍有进一步收紧管控的空间，例如将管控范围扩大到其余五种稀土元素，或强化现有措施如降低配额和收紧许可证 [14] 欧洲的困境与潜在应对 - 欧洲对不断升级的芯片战争缺乏真正的主动权，其两级依赖是几十年积累的结果，短期内难以重建 [15][16] - 外部因素可能提供机会，如美国“AI泡沫”破灭导致全球芯片供应放松和价格下跌，或AI发展遭遇技术瓶颈，但这被视为不负责任的赌博 [16][17] - 欧洲应巩固其现有优势，将维护ASML作为全球唯一极紫外光刻机供应商的地位作为绝对优先事项，这使其能掌控供应链中的关键瓶颈 [18] - 欧盟的中期目标是到2030年确保关键原材料年开采需求的10%、加工需求的40%和回收需求的25%，并计划建立战略性稀土储备，但这些目标被批评为力度不足、进度太晚 [19] - 从长远看，减少依赖的有效途径是投资研发，开发可行的稀土元素合成替代品，并降低其生产成本 [19]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源： 内容编译自 eletimes 。 半导体行业正面临着复杂的挑战。设计一款现代芯片需要数十亿个晶体管、大量的验证工作量以及 易受干扰的全球供应链，这使得整个过程变得举步维艰。阻碍创新和市场响应的关键因素之一是漫 长的交付周期，通常超过20周。虽然采购和供应链经理需要不断协调晶圆厂、管理库存并应对快 速变化的市场，但该行业的核心瓶颈在于设计阶段的复杂性和迭代性。 包括大型语言模型 (LLM) 和新型多智能体生成系统在内的人工智能技术正在从根本上改变电子设 计自动化 (EDA)。这些系统可以自动生成寄存器传输级 (RTL)，更早地检测验证错误，并帮助预 测晶圆厂的计划。将人工智能与采购团队和供应链规划人员相结合，有助于应对行业波动和资源配 置的不确定性。它正在悄然重塑整个生态系统，将设计从依赖小型专家团队的艺术形式转变为计算 优化的流程。 人工智能在芯片设计自动化中的作用 RTL 设计定义了芯片的逻辑，传统上是手工完成的，需要工程师耗费数月时间进行调试。现在， 基于大型 HDL 数据集训练的 AI 可以识别 RTL 碎片，加速设计探索，并标记出不一致之处。强 化学习 ...

文章核心观点 - 纳米压印光刻技术理论上可匹敌甚至超越EUV光刻，但在实际应用中存在严重问题且缺乏明确发展方向，目前尚未准备好替代EUV用于先进芯片制造 [1][27][35] NIL技术基础知识与历史 - 纳米压印光刻技术使用带图案的"印章"在树脂上压印图案，其目标与ASML光刻技术相同，即将掩模图案转移到晶圆上 [2] - 最先进的纳米级NIL技术发明于1996年，2001年成为商业实体Molecular Imprints Inc，佳能于2014年收购该公司 [4] - 佳能是唯一进军NIL技术的先进商业企业，中国竞争对手Prinano和由明尼苏达大学分拆的Nanonex成熟度较低，EV集团则瞄准超透镜、MEMS等不太先进的应用 [6][7] NIL工艺流程与技术细节 - 佳能技术称为"J-FIL"，采用喷墨打印机以优化液滴图案沉积光刻胶，改善图案形成过程中的流动性 [7] - 光刻胶涂覆在图案化工具内部完成以最小化排队时间，涂覆速度优化至一次三分之一秒完成 [9] - 掩模压印过程采用中心先接触的弯曲方式，弯曲通过二氧化碳加压产生仅10微米的中心凸起，确保更好的重复性和对称性 [11] - 紫外线闪光灯固化树脂后掩模在不到十分之一秒内被提起，完成单个曝光场图案化 [11] - 由于树脂在压印过程中固化，无需曝光后烘烤，但节省的时间成本仅占晶圆总周期时间和成本的不到1% [12] 掩模制作流程 - NIL掩模版使用与DUV光学掩模版相同的空白材料，采用"主模板→子模板→工作模板"的三步制作流程 [14][16] - NIL模板必须以与晶圆所需尺寸相同的特征尺寸进行写入，最先进的NIL掩模需要接近20纳米的特征尺寸，而光掩模仅需40纳米左右 [16][17] - NIL需要写入的区域面积比光掩模小4倍，最终主模板写入时间可能更短，但需要最佳的多光束掩模写入机 [17] 佳能NIL工具性能 - 佳能NIL工具晶圆和掩模运动平台移动精度达1纳米，采用"i-MAT"技术在实际图案刻印同时进行对准计量 [19][22] - 低阶对准误差通过16个独立压电致动器校正，高阶误差通过微镜阵列控制的激光选择性加热掩模版校正 [23] - 单个NIL设备单元压印过程耗时约1.3秒，最高吞吐量25片/小时，佳能以4单元一组销售，总吞吐量100片/小时 [25] - 相比之下，ASML的DUV工具产能为330wph，EUV工具产能为220wph [25] NIL与EUV技术比较 - 理论上NIL分辨率可超越EUV，且能基本避免EUV中的随机误差问题 [27] - NIL设备成本优势巨大，四单元设备成本可能只有EUV光刻机的十分之一，每片晶圆成本仅为EUV的四分之一 [27] - NIL功耗约为100千瓦，比EUV设备超过1兆瓦的功耗降低了90% [27] NIL技术面临的主要挑战 - 掩模寿命极短，目前仅约50张晶圆，而光刻掩模使用寿命远超10万片晶圆，导致模板检测和缺陷率问题严重 [29] - 套刻误差目前比EUV大约4倍，NIL架构只能读取区域角落处的测量标记，而ASML工具可读取10倍以上的标记 [30][31][32] - 佳能NIL设计的对准标记尺寸过大，浪费昂贵晶圆面积 [33] - 掩模图案粗糙度问题导致芯片缺陷或性能下降，20纳米以下特征必须采用间距分割技术 [34][35] - 关键客户如Kioxia和美光反馈指出缺陷是NIL最大弱点，模板成本和寿命是主要挑战 [35]

交易规模与结构 - 公司高管团队主导了总额高达1.5万亿美元的一系列合作交易 [1] - 交易结构异常复杂且缺乏明确财务细节 带有“循环结构”将供应商、投资者和客户交织在一起 [1] - 合作协议通常跨越多年 付款与里程碑挂钩 使公司能在资金紧张或战略调整时缩减芯片采购规模 [2] 谈判方式与核心团队 - 谈判过程几乎绕过了公司的投行和律师团队 由首席执行官亲自与多家科技巨头协商 [1] - 首席执行官依赖核心幕僚推进交易 包括公司总裁、首席财务官和基础设施融资负责人 [1] - 谈判方式倾向于依靠内部员工而非外部顾问 以简化流程、减少对抗性 [4] - 首席财务官在谈判中“发挥了强势作用” 主要负责确保交易最终可获得融资 [2] 具体合作案例 - 与AI云服务商CoreWeave的算力供应协议从119亿美元扩大至220亿美元 公司并获得后者3.5亿美元股份 [3] - 与英伟达的交易涉及公司采购高达3500亿美元、总计10吉瓦芯片 英伟达同意投资高达1000亿美元 双方均未聘请外部顾问 [4] - 与AMD的合作中 AMD向公司授予以每股1美分购买最多10%股份的认股权证 作为公司采购6吉瓦芯片的交换条件 [4] - 与甲骨文签署了3000亿美元、为期五年的合作协议 源于接手其数据中心原客户退出的项目 [4] 市场反应与战略目标 - 交易公布后 对方公司的股价都会大幅上涨 反映出市场对未来数千亿美元营收的期待 [2] - 公司的战略目标是尽可能刺激芯片制造与研发产能 具体的财务安排可事后完善 [2] - 公司有实现“每周1吉瓦”算力目标的基础设施扩张计划 [3]

文章核心观点 - 生成式人工智能热潮推动全球IT支出预测被大幅上调，预计到2026年总支出将首次突破6万亿美元 [2] - 数据中心系统支出增长最为迅猛，2024年支出约为疫情前水平的两倍，2025年预测增长率高达46.8% [7] - 核心IT支出（数据中心系统、企业软件、IT服务）的增长持续超越整体IT支出和全球GDP增长 [11] IT支出整体预测 - 2024年全球IT总支出预计为5.04万亿美元，2025年预计增长10%至5.54万亿美元，2026年预计增长9.8%至6.08万亿美元 [2][5] - 当前对2025年的IT支出预测比Gartner在7月份的预测高出约10.49万亿美元，且该水平几乎与早前对2026年的预测一致 [5] - 全球IT支出增长持续高于全球GDP增长，后者预计2025年和2026年分别为2.3%和2.5% [4] 各细分领域支出预测 - **数据中心系统**：2024年支出预计为3334亿美元（同比增长40.3%），2025年预计增长46.8%至4895亿美元，2026年预计增长19%至5824亿美元 [2][7] - **企业软件**：2025年支出预计为1.24万亿美元（增长11.9%），2026年预计增长15.2%至1.43万亿美元 [2] - **IT服务**：2025年支出预计为1.72万亿美元（增长6.5%），2026年预计增长8.7%至1.87万亿美元 [2] - **设备**：2025年支出预计为7832亿美元（增长8.4%），2026年预计增长6.8%至8363亿美元 [2] - **通信服务**：2025年支出预计为1.30万亿美元（增长3.8%），2026年预计增长4.5%至1.36万亿美元 [2] 数据中心系统支出深度分析 - 数据中心系统支出在2024年达到约2386亿美元，较2023年增长40.3%，约为新冠疫情前支出水平的两倍 [7] - 即使经过通胀调整（以2021年美元计），从2019年到2026年的数据中心系统支出增幅仍达到2.55倍 [9] - 从2022年到2026年，通胀累积效应使数据中心系统的原始支出数字增加了1031亿美元 [9] 核心IT支出趋势 - 核心IT支出（数据中心系统、企业软件、IT服务之和）的增长速率常年高于整体IT支出增长 [11] - 核心IT支出占整体IT支出的份额持续攀升，从2012年的35.9%预计将增长至2025年的62.3% [4] - 2025年核心IT支出预计为3.45万亿美元（增长12.85%），2026年预计为3.88万亿美元（增长12.58%） [4]

SK海力士AI存储产品战略 - 公司在OCP全球峰会上发布面向AI时代的“AIN (AI-NAND) Family”产品阵容，旨在满足AI推理市场快速增长带来的对快速、高效处理海量数据的NAND存储需求 [1] - AIN产品系列从性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三个维度进行优化，目标是同时提升数据处理速度和存储容量 [1] AIN产品系列具体规划 - **AIN P (Performance)**：专注于在大规模AI推理环境中高效处理海量数据读写，通过最小化AI计算与存储之间的瓶颈来提升处理速度和能效，采用全新架构设计NAND与控制器，计划于2026年底推出样品 [2] - **AIN D (Density)**：定位为高密度解决方案，目标是以低功耗、低成本存储大容量AI数据，计划将基于QLC的TB级SSD容量提升至PB级，兼具SSD速度与HDD经济性，作为中间层级存储 [2] - **AIN B (Bandwidth)**：是通过垂直堆叠NAND来扩大带宽的解决方案，采用了名为“HBF（高带宽闪存）”的技术，其概念借鉴自HBM [1][2] HBF (高带宽闪存) 技术发展 - 开发AIN B的初衷是为了解决内存容量不足问题，核心是将高容量、低成本的NAND与HBM堆叠结构相结合，公司正在研究将其与HBM协同部署以补充容量 [3] - 为推动HBF生态系统发展，公司与美国SanDisk于8月签署了HBF标准化谅解备忘录（MOU），并在OCP峰会期间举办“HBF之夜”活动，邀请全球大型科技公司代表及专家参与，提议业界携手加速NAND存储产品创新 [3] HBM产能与未来规划 - 公司已开始向正在清州建设的M15X HBM生产基地搬入首批设备，该工厂是公司在现有M15工厂基础上追加投资超过20万亿韩元建设的扩建基地 [5] - M15X计划重点量产下一代HBM产品，公司将根据明年客户对产量的需求可见性逐步扩大产能，并预计到明年年底不会因厂房空间限制出现HBM供应不足的情况 [5] - 公司今年的HBM产能已全部售罄，并且在三大存储厂中率先完成第六代HBM（HBM4）的量产准备，目前正与英伟达就供应量进行谈判 [5] 公司战略定位 - 公司通过OCP全球峰会和HBF之夜活动，展示了其作为“全球AI内存解决方案提供商”在AI驱动市场中的现状与未来，计划在下一代NAND存储领域继续与客户及合作伙伴携手，成为AI内存市场的核心玩家 [4]

大会概览 - 是德科技设计论坛（KDF 2025）作为EDA行业极具影响力的年度盛会，将于11月18日在上海张江科学城希尔顿酒店举行 [2] - 大会汇聚顶尖专家与工程师，聚焦AI创新、射频设计、高速互连、通信系统、功率优化及多物理场仿真等方向 [2] 射频与通信系统专题技术亮点 - 针对智能手机射频匹配流程繁琐问题，自动化仿真平台实现从链路提取到匹配优化的“一键贯通”，效率提升达200% [8] - 在SAW滤波器优化中，通过集成AI优化算法与高性能计算（HPC）并行能力，实现高达30倍收敛加速与16倍计算提速 [10][11] - 借助ADS Python API与AI/ML技术，实现1500倍加速的负载牵引仿真，并探索生成式AI打造的“二维码”滤波器等颠覆性设计思路 [8][19] - ADS的电路与3D EM一体化能力，正助力异构集成模块实现“首次设计成功” [8][21] 6G前沿技术与平台创新 - 分享深入解析6G关键技术趋势，包括ISAC、RIS、NTN等 [8] - 首次揭示是德科技新一代AI驱动无线仿真平台WirelessPro，为AI RAN部署与系统级验证提供强大支撑 [8][16] - SystemVue在6G关键技术如ISAC、RIS、NTN等系统级仿真建模方面有应用案例 [16]

行业核心数据与趋势 - 2024年中国集成电路设计业全行业销售额约为6460.4亿元人民币 [5] - 2024年产业区域分布为：长三角3828.4亿元、珠三角1662.1亿元、中西部地区985.5亿元 [5] - 2024年营收过亿元的企业数量为731家，较上年增加106家，其销售额占全行业87.15% [5] - 行业面临龙头增长乏力、产品结构偏中低端等挑战 [5] 2025年行业盛会概况 - 2025集成电路发展论坛暨第三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2025）将于2025年11月20日-21日在成都中国西部国际博览城举行 [6][7] - 大会将汇聚全国半导体行业主管机构领导、国家芯火基地、国内外知名半导体企业CEO、技术领袖与行业专家 [8] - 现场将汇聚数百家覆盖EDA、IP、设计、制造、封测全产业链的头部展商 [8] - 预计吸引超80%经理级以上、其中30%为总监/VP以上级别的高质量专业观众与决策者 [8][16] 大会核心内容与活动 - 中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授将在高峰论坛发布《2025中国集成电路设计业现状与发展报告》 [9][15] - 大会设置1场高峰论坛、10场分论坛、1场产业展览，深度聚焦行业前沿技术、应用场景、政策及宏观趋势 [11] - 分论坛主题覆盖IP与IC设计服务、成渝集成电路发展、IC设计与创新应用、先进封装与测试、EDA与IC设计服务、FOUNDRY与工艺技术等 [12] - 同期举办ICCAD-Expo专业展览，时间为11月20-21日 [12] 参会企业与人员规模 - 预计集结8000+行业精英、2000+ IC设计企业、300+ IC行业上下游服务商 [10][16] - 参展商包括台积电、中芯国际、华大九天、安谋科技、阿里巴巴达摩院、三星半导体等300多家海内外领军企业 [14] - 参展商覆盖EDA、IP、设计服务、制造、封测等全产业链环节 [14]