台积电先进制程技术路线图 - 2纳米工艺预计在2025年底启动全面量产，仍将利用现有的EUV设备并保持较高良率 [1] - 1.4纳米节点计划在2028年左右开始生产，公司已在新竹厂启动研发并采购了30台标准EUV设备 [1] - 1.4纳米工艺基于第二代纳米片全环绕栅极晶体管，在相同功耗下可实现15%的性能提升，或在相同频率下实现25%至30%的功耗降低 [4] - A14相比N2工艺在混合逻辑/SRAM/模拟配置下晶体管密度提升20%，在纯逻辑配置下提升23% [4] - A16工艺本质上是N2P的延伸版本，采用Super Power Rail背面供电网络，计划在2029年推出带SPR的A14后续版本 [5][6] 台积电对High-NA EUV设备的战略选择 - 公司明确表示在A16和A14等下一代制程中不需要使用High-NA EUV设备 [3][4] - 选择不采购单价高达4亿美元的High-NA EUV设备，认为其投入成本与实际价值不成正比，转而采用成本远低的光掩模薄膜方案 [1][2] - 技术团队通过创新方法，使得在1.4纳米节点生产芯片无需使用分辨率为8纳米的High-NA EUV设备 [5] - 公司立场是只有当High-NA能带来有意义、可量化的收益时才会采用，目前重点是延长现有EUV设备使用寿命 [4][6] - 与英特尔计划在2027-2028年引入High-NA EUV不同，台积电至少在2030年前甚至更晚都不会在量产中使用该技术 [6] 次2纳米节点的技术挑战与解决方案 - 推进至1.4纳米和1纳米节点将面临更多技术瓶颈，光掩模薄膜成为防止灰尘污染光刻过程的刚性需求 [1][2] - 使用标准EUV设备生产次2纳米晶圆需要更多次曝光步骤，光罩使用频率大幅上升可能影响良率 [2] - 公司计划投资1.5万亿新台币用于先进制程研发，将采取"试错式"方式逐步提高光掩模薄膜方案的可靠性 [1] - ASML每年仅能生产5至6台High-NA EUV设备，而台积电计划采购30台标准EUV设备以应对苹果等客户的巨大需求 [2]

据报道，英特尔（Intel）的 Jaguar Shores 人工智能产品线正与专用集成电路（ASIC）设计商世 芯科技展开合作洽谈，开发工作预计于明年上半年完成。 作为行业内常被称作 "蓝色军团"（Team Blue）的英特尔，多年来其人工智能战略规划几经调 整。最初，该公司计划聚焦人工智能行业的 "推理" 领域，但随着时间推移，人工智能热潮势头渐 猛，英特尔最终被竞争对手甩在身后。近期，英特尔宣布计划将人工智能产品更新节奏调整为每年 一代，与此同时，还推出了一款 "优化推理性能" 的 Xe3P 架构 "新月岛"（Crescent Island）人工 智能芯片，彰显其在人工智能领域竞争的决心。 据 @QQ_Timmy 援引世芯科技内部消息人士透露，目前双方正就 Jaguar Shores 产品线的合作进 行洽谈，计划在 2026 年上半年敲定相关事宜。 该公司是一家无晶圆厂（fabless）ASIC 设计服务企业，主要服务对象是需要定制化产品的客户， 对英特尔而言，具体则是人工智能图形处理器（GPU）的定制需求。 世芯科技同时扮演设计与制造合作伙伴的角色：实际晶圆制造会外包给台积电（TSMC）等企业， 而自身 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源： 内 容 编译自 zdnet 。 三星电子计划在 NAND 闪存中引入FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺。这意味着公司希望开发出 更大容量、适用于 AI（人工智能）芯片组的高性能 NAND 闪存。不过，业内预计，这一技术距 离实际应用仍需要一段时间。 参考链接 https://zdnet.co.kr/view/?no=20251022154842 点这里加关注，锁定更多原创内容 *免责声明：文章内容系作者个人观点，半导体芯闻转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体芯闻对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。 推荐阅读 10万亿，投向半导体 芯片巨头，市值大跌 黄仁勋：HBM是个技术奇迹 Jim Keller：RISC-V一定会胜出 宋在赫表示："如今我们正聚焦于在有限的晶体管堆叠面积上，实现客户所要求的性能与功耗水平 的技术创新。" 而此次 在 NAND 闪存中引入 FinFET 工艺 的宣布，是首次公开提出。如果 FinFET 工艺应用于 NAND，将大幅提升与现有存储器相比的集成度。在半导体中，集成度越高，意味着单位面积可容 纳的元件越多，性 ...

展会概况 - 韩国半导体产业协会将于10月22日至24日在首尔COEX会展中心举办为期三天的SEDEX 2025展会 [1] - 本届展会主题为“超越极限，协同创新” [1] 三星电子战略与产品 - 公司将首次展出计划用于英伟达下一代AI加速器“Rubin”的12层HBM4产品原型机 [2] - 公司计划凭借HBM4产品实现市场逆转 [2] - 公司将展示其作为全解决方案供应商的实力，产品组合涵盖HBM4、采用2纳米工艺制造的下一代移动应用处理器Exynos 2600、系统半导体及晶圆代工业务相关产品 [2] - 公司在晶圆代工领域近期与OpenAI签署了下一代AI加速器开发合作意向书，并成功获得特斯拉下一代自动驾驶芯片AI6的订单 [2] SK海力士战略与产品 - 公司将着重强调其“AI内存全栈”供应商的愿景 [3] - 公司产品布局不仅包含HBM4，还涵盖高容量DDR5内存、Compute Express Link以及高性能企业级固态硬盘，以全方位满足AI时代爆发式增长的数据处理需求 [3] - 公司核心战略是通过提供AI数据中心运行所需的全套核心内存产品组合，进一步巩固市场主导地位 [3] 行业竞争焦点 - 行业目光聚焦于已垄断第四代HBM3与第五代HBM3E市场的SK海力士将制定的防御策略 [2] - 行业同时关注试图凭借HBM4实现逆转的三星电子将推出的进攻策略 [2]

行业核心观点 - 2025年是电力电子行业的转折点，尽管电动汽车销量增速放缓，但电动汽车电力电子市场规模预计到2036年将增至420亿美元，实现三倍增长 [1] 碳化硅（SiC）发展趋势 - 尽管纯电动汽车销量增速放缓，但SiC MOSFET的增长潜力依然巨大，插电式混合动力汽车牵引逆变器中SiC MOSFET部署量的增加抵消了纯电动汽车增长放缓的影响 [2] - SiC MOSFET正逐步走向市场成熟，已成为比一年前更主流的电动汽车选择，主要原始设备制造商和一级供应商已宣布或公布采用SiC MOSFET的插电式混合动力汽车传动系统细节 [2] - SiC MOSFET总成本下降的主要推动力是碳化硅晶圆供应商竞争加剧，多家企业正在扩大200毫米碳化硅晶圆产能，碳化硅晶圆成本最高可占SiC MOSFET芯片总成本的一半 [3] - 中国企业已完成碳化硅晶圆生产的验证并扩大产能，为国内原始设备制造商供应链提供更强支撑 [3] 氮化镓（GaN）应用进展 - 汽车行业是氮化镓极具高增长潜力的市场，氮化镓已应用于激光雷达和低压直流-直流转换器 [4] - 长安启源E07的车载充电器将首次采用氮化镓器件，其功率密度可达6千瓦/升，远高于行业内现有车载充电器2千瓦/升的标准水平 [4] - 多家企业正致力于研发采用氮化镓的牵引逆变器，未来十年内氮化镓在性能和成本节省方面的优势将推动其技术成熟度提升和市场活跃度增长 [5] 其他电力电子行业趋势 - 混合逆变器是推动宽带隙半导体在电动汽车中应用的关键发展方向，通过并联不同类型的晶体管可在优化全负载性能的同时将成本降至最低 [6][7] - 嵌入式功率模块是另一种提升功率密度的方式，通过将功率半导体芯片嵌入印刷电路板中，无需引线键合并减少寄生参数和振铃现象 [7]

为应对人工智能（AI）带来的半导体需求激增，LG 电子正全力开拓尖端封装设备市场。该公司计 划逐步实现人工智能（AI）半导体、高带宽内存（HBM）等相关工艺设备的国产化，进而扩大业 务规模。 10 月 21 日，LG 电子生产技术院先行设备技术研究所所长朴明柱（音译）出席了在首尔阳川区 El Tower 举办的 "技术峰会"。他表示："随着尖端封装的重要性日益提升，预计到 2030 年，后工 序设备市场规模将增长至 43 万亿韩元（约合人民币 2300 亿元）。LG 电子将以需要新技术支持 的工艺设备为核心，推进相关开发工作。" LG 电子生产技术院的前身为 1987 年成立的金星生产技术研究所。长期以来，该机构主要致力于 提升集团旗下子公司在显示器、石油化工、二次电池等领域的生产效率。但近年来，随着 AI 的普 及，半导体需求大幅增长，该机构已将半导体后工序设备确定为下一代核心业务方向。 LG 电子并未选择与现有工艺设备企业正面竞争，而是采取了聚焦下一代半导体设备开发的战略， 重点通过与外部企业及机构的战略合作推进项目。由于生产技术院本身是专注于设备开发的组织， 其还通过分工协作进一步提高了开发效率。 朴所 ...

公司战略与财务目标 - 公司力争到2030财年实现综合营收2250亿美元，复合年增长率达到31% [1] - 公司已实现5000亿美元的剩余履约义务，并在约30天内新增甲骨文云基础设施总合同价值约650亿美元 [1][2] - 甲骨文云基础设施预期营收目标上调：2027财年从320亿美元上调至340亿美元，2028财年从730亿美元上调至770亿美元，2029财年从1140亿美元上调至1290亿美元，2030财年从1440亿美元上调至1660亿美元，新目标对应复合年增长率为75% [6] 人工智能与云基础设施 - 公司通过提高硬件灵活性、投资去中介化降低网络费用、与微软和谷歌合作为多云客户提供零出口费用等方式优化基础设施 [6] - 公司在美国得克萨斯州阿比林市开发的数据中心项目最终耗电量将达12亿瓦，全面部署后将拥有超过45万个英伟达GPU的集群，并计划在2026年下半年推出可扩展至80万个GPU的Zettascale10人工智能超级计算机集群 [7] - 非人工智能类基础设施即服务组件增长强劲，分布式云年度合同收入同比增长77%，平均交易规模6700万美元，毛利率最高可达60% [8] - 人工智能基础设施即服务平台上约有700个客户，营收同比增长超过一倍，预计毛利率最高可达40% [8] - 1吉瓦数据中心容量的成本估计约为390亿美元，未来六年可实现100亿美元收入 [9] 人工智能应用程序与数据平台 - 公司帮助客户利用存储在数据库中的私有数据开发人工智能应用场景，如缩短招聘时间、解决服务工单等 [12] - 人工智能数据库和人工智能数据平台营收预计从2025财年的约24亿美元增长至2030财年的约200亿美元，五年复合年增长率为53% [13] - 全球系统集成商和咨询公司已承诺为人工智能数据平台投入超过15亿美元资金，包括培训8000多名专业人员及开发100多个特定行业应用场景 [13] - 人工智能数据平台提供自动化数据摄取、语义增强和向量索引功能，并支持多云扩展 [13] 人工智能代理发展 - 公司Fusions应用套件中已提供超过400个人工智能代理，垂直产品中超过200个，超过2400家客户在行业应用程序中使用人工智能功能 [15] - 推出全新甲骨文人工智能数据库26ai，具备自主人工智能数据湖仓功能及多种人工智能能力，并扩展了人工智能代理工作室，新增代理市场和对模型上下文协议的支持 [15][16] - 在企业资源规划和人力资本管理等产品中新增智能代理功能，如应付账款代理、团队同步顾问代理等 [18] 行业与多云策略 - 公司在医疗保健应用领域的参与度超过云服务竞争对手，并专注于开发规模化应用程序以实现行业自动化 [20] - 公司通过采取对超大规模云服务商更友好的策略实现增长，多云消费收入同比增长16倍，与微软的合作是主要增长动力 [21] - 推出新的转售合作伙伴计划，允许解决方案提供商在AWS、谷歌云和Azure上提供甲骨文数据库服务 [22] 市场机遇与商业模式 - 当客户从使用一款Fusion应用程序扩展到使用整套应用套件时，其支出可能会增加150倍，目前仅2%的客户使用整套产品套件 [24] - 公司专注于拓展人工智能培训业务，以推动围绕CPU和GPU的推理和平台即服务追加销售 [24] - 推出多云通用信用许可模式，允许客户通过一份合同在AWS、Azure和谷歌云上使用甲骨文服务 [24] - 公司未在软件即服务产品中明确收取人工智能使用费，而是采用基于信用的收费方式 [25]

公司财务表现 - 第三季度营收为47.4亿美元，同比增长14%，超过分析师预期的46.5亿美元 [1] - 第三季度每股收益为1.48美元，略低于分析师预期的1.49美元 [1] - 第三季度净利润为13.6亿美元，与去年同期大致持平 [1] - 第四季度营收指引为42.2亿至45.8亿美元，低于分析师平均预期的45亿美元 [1] - 第四季度每股利润指引约为1.26美元，低于此前预期的1.39美元 [1] 各业务部门表现 - 模拟部门收入为37.3亿美元，同比增长16% [1] - 嵌入式处理部门收入为7.09亿美元，同比增长9% [1] - 其他收入为3.04亿美元，同比增长11% [1] 市场动态与需求 - 整体半导体市场正在持续复苏，但复苏速度低于以往的回升 [2] - 第三季度中国市场已恢复正常，此前经历的“提前需求”已不复存在 [6] - 工业客户对其工厂扩张计划采取“观望”态度 [2] - 客户因贸易紧张局势加剧和经济动荡正在放缓订单 [1] 公司战略与运营 - 公司在新产能方面投入巨资，今年工厂和设备支出约50亿美元，明年可能缩减至20亿至30亿美元 [6] - 公司在美国境外拥有四家工厂，其中一家位于中国，并在达拉斯地区和犹他州建造新工厂 [6] - 公司库存已达到最佳水平，已开始放缓工厂生产速度以避免产生过多库存，这将在短期内拖累盈利能力 [7] - 公司承诺一旦扩建完成，将重新将重点放在股东回报上 [6] 行业地位与影响 - 公司是全球最大的模拟芯片制造商，其业绩是衡量整个经济需求的重要指标 [6] - 公司拥有半导体行业最广泛的产品线和最长的客户名单 [6] - 公司约20%的销售额来自中国，并面临来自本地客户日益激烈的竞争 [6] 市场反应 - 业绩预测公布后，公司股价在盘后交易中下跌超过8% [2] - 公司股价今年迄今已下跌约3% [2] - 公司股价今年以来已经落后于整体半导体市场的涨势 [5]

台积电熊本第二晶圆厂建设进展 - 台积电日本熊本第二晶圆厂选址协定将于10月24日正式缔结，标志着工厂本体工程即将正式开始建设[1] - 协定签署方包括工厂所在地菊阳町及台积电日本子公司JASM，熊本县政府以见证者身份列席[1] - 熊本县知事木村敬对第二工厂建设启动表示高度肯定与欣喜，并称此前存在的不确定感将逐渐消散[1] 台积电熊本第二晶圆厂建设时间表 - 熊本第二晶圆厂原计划2025年3月动工，后推迟至2025年底前动工[1] - 动工推迟原因被归咎于交通堵塞等问题[1] - 尽管有外媒报导开建时间可能进一步延后，但公司表示预计2025年内开建的计划并无更改[1] 熊本县基础设施配套工程 - 为缓解第一晶圆厂周边交通拥堵问题，熊本县政府启动两项关键基础设施工程动工仪式[2] - 两项工程由熊本县作为事业主体，旨在改善当地交通状况并提高区域联通性[2] - 基础设施工程目标于2028年度完成[2]

文章核心观点 - 全球芯片制造商因争相生产人工智能芯片，导致用于智能手机、电脑和服务器的普通内存芯片供应紧张，引发客户恐慌性购买和芯片价格飙升 [1] - 人工智能热潮带来的连锁反应给内存芯片制造商带来急需的提振，行业可能进入“超级周期” [1] - 供应紧张和价格飙升推动了内存芯片制造商的股价大幅上涨，但同时也给下游消费电子和服务器制造商带来利润压力 [4][5] 人工智能热潮对芯片行业的影响 - ChatGPT于2022年11月发布引发生成式人工智能热潮，导致全球人工智能数据中心建设热潮 [2] - 内存芯片制造商将更多产能分配给用于构建Nvidia人工智能芯片组的高带宽内存芯片 [2] - 主要科技公司包括Alphabet、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave预计今年将在人工智能基础设施上投入4000亿美元 [2] - 人工智能繁荣恰逢传统数据中心和个人电脑的更新换代周期，以及手机销量好于预期，加剧了非HBM内存芯片供应紧张 [2] - 传统数据中心运营商开始升级或更换他们在2017-2018年繁荣时期购买的服务器 [2] 内存芯片供应与价格动态 - 过去一两个月需求激增，事情发展得又快又猛，出现抢购潮且订单量翻了一番甚至三倍 [1] - 全球内存芯片行业即将进入“超级周期”，设备制造商疯狂囤积内存芯片 [1] - DRAM现货价格在4月份仅上涨4%之后，9月份较去年同期上涨了近两倍 [3] - 本季度DRAM芯片的平均库存从去年同期的10周和2023年初的31周下降至仅8周 [3] - DDR5服务器内存市场繁荣，DDR5服务器模块的平均售价一路飙升 [3] 芯片制造商财务状况与市场表现 - 非HBM内存芯片供应紧张推高其价格，对美光、海力士和三星来说是个好消息 [3] - 7月至9月期间，三星标准DRAM的营业利润率约为40%，HBM的营业利润率约为60% [3] - 如果当前价格上涨趋势持续，非HBM内存芯片明年的盈利能力将超过HBM [3] - 美光公司预测2026年HBM和非HBM的利润率都将保持健康 [3] - 内存芯片制造商股价今年大幅上涨，三星股价上涨逾80%，SK海力士和美光股价分别飙升170%和140% [5] 下游产业影响与市场展望 - 芯片价格飙升给消费电子产品和服务器制造商带来更多利润压力 [4] - 英国个人电脑制造商Raspberry Pi因内存成本比一年前上涨约120%而宣布涨价 [5] - 有观点认为“超级周期”一词有些夸张，该行业正在经历通常持续一两年的典型短缺 [5] - TechInsights预测芯片行业将在2027年陷入低迷 [5] - 三星在非HBM芯片领域投入较大，有望从这波热潮中获益，但投资者对其缩小与SK海力士在HBM芯片领域差距持谨慎态度 [5]