产品发布与成本压力 - REDMI K90系列手机起售价为2599元，K90 Pro Max起售价为3999元[1] - 公司高管解释新品定价上涨源于内存芯片成本压力，内存涨价远超预期且可能加剧[1] - 存储芯片巨头三星电子和SK海力士将DRAM和NAND产品价格上调幅度高达30%[1] 存储芯片行业趋势 - AI技术发展导致存储芯片需求爆炸式增长，AI服务器存储容量需求是传统服务器的8至10倍[1] - 美国科技巨头增加AI基础设施投资，例如OpenAI项目每月需采购90万片DRAM晶圆，占全球总产能近40%[2] - 行业预测机构预估四季度一般型DRAM价格将单季度增长8%至13%，NAND Flash合约价平均涨幅达5%至10%[2] 市场前景与驱动因素 - 摩根士丹利预测人工智能热潮将推动存储芯片行业迎来“超级周期”[2] - 业内人士预计AI服务器存储产品涨价潮或延续至2026年[2] - 国内存储公司有望受益于“价格回升”和“国产替代”双重驱动[2]

公司运营动态 - 荷兰芯片制造商Nexperia的中国分公司已恢复向当地分销商供应半导体，此前因所有权纠纷曾暂停所有发货[1] - 恢复供应仅限于国内贸易，所有对分销商的销售现在都必须以人民币结算，而以前的交易只使用美元等外币[1] - 中国子公司指示分销商仅使用人民币与客户进行交易，旨在稳定中国供应并使其运营更加独立于荷兰母公司[1] - Nexperia目前由荷兰政府控制，在荷兰生产大量芯片，广泛应用于汽车工业和消费电子产品，这些芯片大部分在中国封装，主要销往分销商[1] - 由于与中国子公司的纠纷没有快速解决的迹象，Nexperia目前正在中国以外寻找替代封装合作伙伴[1] 公司声明与立场 - 安世半导体中国实体声明其作为运营扎根中国、战略放眼全球的中国企业，严格遵守中国法律，合法、合规、独立运营[2][3] - 公司表示其各项生产经营正有序推进，董事会、管理层及全体员工正尽最大努力致力于保障客户供应链稳定[2][3] - 安世中国指责荷兰安世半导体现任管理层无视中国实体的合法权益，试图干扰公司正常经营，并向客户散布与事实不符的信息[2][3] - 安世中国坚决反对荷兰管理层的做法，并表示将采取一切手段依法维权[2][3] 产品质量与客户承诺 - Nexperia警告中国客户，其不保证其中国子公司所生产产品的质量[1] - 安世中国承诺所有在华生产并交付的产品均符合中国法律法规及相关监管部门的要求，完全满足一贯的技术标准、生产工艺及品质要求[4][5] - 公司承诺产品符合与客户合同的各项约定，并在出厂检验环节通过严格质量检验[4][5] - 后续关于产品供应、生产工艺、技术标准等如有变更或调整，公司将按照正常流程与客户提前沟通[4][5]

行业需求趋势 - 人工智能基础设施和AI智能体生成数据爆炸式增长，导致对高带宽存储器和通用DRAM的需求急剧增加 [1] - 部分海外大型电子、服务器及数据中心企业因担心DRAM供应短缺，正与三星电子和SK海力士洽谈为期2至3年的中长期供应合同，改变了以往按季度或年度签约以保持库存灵活性的做法 [1] - 对DRAM短缺的担忧正促使需求方进行抢先采购，一些服务器客户已在商谈2027年及以后的订单 [2] 供应格局与产能制约 - 三星电子和SK海力士合计占据全球通用DRAM市场70%以上的份额，两家公司正将DRAM设备投资重点转向HBM，导致通用DRAM产能不可避免地萎缩 [2] - 由于HBM在晶圆上的产量约为通用DRAM的一半（假设一块晶圆产100个通用DRAM，HBM产量约为其一半），随着HBM生产份额增加，通用DRAM出货量将受到限制 [2] - 随着公司加大利润率更高的HBM占比，通用DRAM的产能扩张在短期内仍将举步维艰，花旗集团诊断未来1-2年DRAM供应增长将非常困难 [2] 价格动态与市场展望 - 通用DRAM产品DDR4 8Gb现货价格达到7.3美元，为自2018年10月（7.042美元）以来约七年间首次超过7美元，相较于4月份的2美元，价格在短短六个多月内飙升了265% [2] - 瑞银将第四季度DRAM固定交易价格增长率预测从5%（环比）上调至17%，并预测受AI服务器需求激增推动，存储器市场将在2026年迎来十年一遇的繁荣期 [3] - 内存价格上涨直接转化为半导体行业业绩提升，KB证券预测明年三星电子和SK海力士的合并营业利润将达到12.8万亿韩元，同比增长64% [3]

苹果A20芯片技术规划 - 苹果公司正为2026年推出的iPhone 18系列推进A20芯片研发，该芯片预计成为首款采用台积电2纳米制程的处理器 [1] - A20芯片将告别延续三代的台积电3纳米工艺，转向2纳米技术，预计性能和能效将大幅提升，并为后续M6系列Mac芯片铺路 [1] 芯片成本与定价影响 - 台积电已告知客户，其末代3纳米芯片单价比前代上涨20%，而2纳米制程在此基础上将再增加50% [1] - 供应链分析指出，2纳米初期因资本投入高、良率爬坡，代工厂难给折扣，量产版旗舰行动芯片成本恐高达280美元 [1] - 相较于A18芯片成本约45美元、A19芯片约150美元，A20成本涨幅达86.67%，将取代摄影机成为iPhone最贵的单一零件 [1] 产品策略与市场定位 - 高昂成本可能影响产品策略，苹果公司或因成本考量不会让所有iPhone 18机型标配2纳米芯片 [2] - 参考过往策略，可能只有高阶的Pro与Pro Max型号搭载A20芯片，标准版则可能沿用旧款或特供芯片，以平衡创新与市场竞争力 [2] - 苹果A20芯片作为台积电2纳米制程的首款落地产品，其量产与定价策略将成为iPhone 18系列竞争力的关键看点 [2]

特斯拉AI芯片生产策略 - 特斯拉首席执行官宣布三星电子将参与其自研AI芯片AI5的生产，此前该芯片被认为完全由台积电生产 [1] - 特斯拉当前一代自动驾驶芯片AI4由三星生产，下一代芯片AI6的生产订单也已由三星赢得 [1] - 首席执行官澄清AI5芯片将由台积电和三星电子联合生产，纠正了此前台积电独家生产的传闻 [1] 特斯拉AI芯片性能与部署规划 - 第五代自动驾驶芯片组AI5预计于2026年底量产，目标性能高达每秒2500万亿次运算 [2] - 第六代AI6芯片计划于2027年至2028年发布，目标性能达到每秒5000至6000万亿次运算 [2] - 公司计划将专有AI芯片组部署在特斯拉汽车以及更广泛的特斯拉生态系统中，包括人形机器人擎天柱 [2] 特斯拉AI芯片供应策略 - 公司的明确目标是确保AI5芯片供应过剩，若为汽车和机器人提供过多芯片，可直接在数据中心使用 [3] - 公司表示其策略并非试图取代英伟达，而是专注于满足自身需求，而英伟达需服务众多客户 [3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 近年来，随着智能制造向"精密化、集成化、高效化"加速渗透，半导体、电子制造等高端领域对检 测设备的技术门槛持续提升——从微观结构的纳米级观测，到全生产流程的自动化质量管控，企业 愈发需要易用性强、全场景适配的整合式解决方案，以破解传统设备碎片化、适配成本高、技术落 地慢的行业痛点。 在此趋势下，全球工业自动化领军企业基恩士率先响应需求，凭借其解决方案已深度赋能半导体全 产业链核心环节，助力全球头部晶圆厂实现制造精度与效能的突破性跃升。 近日，基恩士在上海办公室召开2025基恩士媒体交流日活动，向半导体行业观察等媒体系统性地 展示公司在半导体核心制程环节的关键产品与解决方案，通过沉浸式体验与讲解，针对5大核心应 用场景进行定制化解读，使与会者更深入了解基恩士在半导体全流程中的技术服务与优势，并近距 离接触基恩士在高精度监测等领域的尖端技术与应用案例，为企业解决实际生产中的检测难题提供 新思路。 从全球布局到中国深耕， 基恩士深度布局半导体行业 在本次以 "知识变革和加速进化"为主题的分享中，基恩士市场总监Avy Ruan表示，这是双向的目 标：一方面，我们通过内部变革加 ...

文章核心观点 - 二维半导体作为超越硅的下一代沟道材料，已被全球领先半导体公司和研究机构纳入后硅时代技术路线图，其商业化进程正在加速 [1] - 实现二维半导体商业化的最大技术障碍是高质量的栅极堆叠集成技术，现有硅基工艺直接应用会导致界面缺陷和漏电流等问题 [1] - 首尔国立大学李哲浩教授团队的研究制定了二维晶体管栅极堆叠工程的全面路线图，通过定量基准测试和分类评估，为行业提供了系统性的发展蓝图 [2][3][4] - 该研究不仅证实了超低功耗、高性能二维晶体管的可行性，还提出了面向未来单片三维集成和后段工艺兼容的具体技术方向，对推动AI半导体、移动芯片等下一代ICT基础设施至关重要 [4] 二维半导体技术背景与挑战 - 硅基CMOS技术随着技术节点进入亚纳米领域，进一步微缩受到物理和静电限制，二维半导体因其在原子厚度下仍能保持电学特性而成为有前景的替代材料 [1][7] - 二维半导体具有更短的特征长度，能更好地抵抗短沟道效应，并且其低温生长特性使其与后端工艺兼容，有利于实现单片三维垂直集成 [8] - 当前主要挑战在于二维半导体表面化学惰性，缺乏原子层沉积的成核位点，导致高质量栅极堆叠集成困难，引发界面陷阱密度高和栅极漏电流等问题 [9][13] 栅极堆叠集成方法分类与评估 - 研究将栅极堆叠集成方法分为五类：范德华电介质、范德华氧化电介质、准范德华电介质、范德华种子电介质和非范德华种子电介质 [3][13] - 每种方法根据界面陷阱密度、等效氧化层厚度、栅极漏电流密度等关键指标进行定量评估，并与国际器件与系统路线图目标进行对比 [3][14][16][18] - 范德华和范德华种子电介质通常能实现较低的界面陷阱密度，但在介电常数和可扩展性方面存在局限；非范德华种子电介质与现有CMOS工艺兼容性好，但界面陷阱密度较高 [18] 关键性能指标与IRDS基准对比 - 关键性能指标包括导通电流、栅极漏电流密度、亚阈值摆幅、阈值电压和电源电压，研究将其与IRDS设定的2031年目标进行对比 [12][22][23][24][26][27] - IRDS目标要求到2031年，等效氧化层厚度和电容等效厚度分别减小到0.5纳米和0.9纳米以下，高性能器件的亚阈值摆幅应低于70 mV dec⁻¹ [12] - 研究表明，部分二维晶体管在亚阈值摆幅和栅极漏电流密度等指标上已接近或满足IRDS要求，但在导通电流和阈值电压控制方面仍需改进 [26][27][28][29] 铁电嵌入式栅极堆叠的应用潜力 - 将铁电材料嵌入栅极堆叠可实现额外功能，如非易失性存储器、逻辑存储器器件以及利用负电容效应的超低功耗晶体管 [30][31] - 铁电场效应晶体管能够实现沟道电位的非易失性调制，而负电容场效应晶体管可以突破热电子极限，实现亚热电子摆幅 [30][36] - 多种铁电材料体系被研究，其中掺杂锆的氧化铪和氮化铝钪因在CMOS兼容性、可扩展性和稳定性方面的优势而显得尤为有前景 [33][36] 未来技术挑战与发展方向 - 主要技术挑战包括实现积极的等效氧化层厚度微缩、降低界面陷阱密度、确保与CMOS制造协议兼容并满足晶圆级均匀性 [37][38][39] - 针对后端工艺集成，热预算必须保持在400°C以下，同时需要开发p型MOSFET的栅极堆叠技术，以实现全CMOS逻辑电路 [37][38] - 随着器件向三维架构演进，可靠性问题变得愈发重要，需要开发能够解释关键故障机制的预测性模型，并优化接触工程以将接触电阻降至量子极限 [39][40][41]

核心技术突破 - 成功研制出基于阻变存储器的高精度、可扩展模拟矩阵计算芯片，首次实现精度可与数字计算媲美的模拟计算系统 [1] - 该芯片在求解大规模MIMO信号检测等关键科学问题时，计算吞吐量与能效较当前顶级数字处理器（GPU）提升百倍至千倍 [1] - 团队特色在于专注于更具挑战性的矩阵方程求解（AI二阶训练的核心），而非主流的矩阵乘法（AI推理的核心） [7] 技术原理与优势 - 模拟计算无需将数据转化为二进制数字流，可直接用连续的物理量（如电压、电流）来类比数学上的数字，取消了“过程性数据存储”，实现计算与存储合而为一的“存算一体” [4][5][7] - 模拟计算凭借物理规律直接运算，具有低功耗、低延迟、高能效、高并行的天然优势 [7] - 在实验上成功实现16×16矩阵的24比特定点数精度求逆，矩阵方程求解经过10次迭代后，相对误差可低至10⁻⁷量级 [9] 性能表现 - 在求解32×32矩阵求逆问题时，其算力已超越高端GPU的单核性能 [9] - 当问题规模扩大至128×128时，计算吞吐量达到顶级数字处理器的1000倍以上，传统GPU需一天完成的计算，该芯片一分钟即可完成 [9] 行业定位与应用前景 - 模拟计算在未来AI领域的定位是强大的补充，最有可能快速落地的场景是计算智能领域，如机器人和人工智能模型的训练 [11] - 未来计算架构将是互补共存：CPU作为通用“总指挥”，GPU专注于加速矩阵乘法计算，而模拟计算芯片旨在更高效地处理AI等领域最耗能的矩阵逆运算 [11]

产品发布与技术特点 - 公司正式发布全球首颗超高耐压毫米波隔离驱动芯片DKV56系列，该芯片集成MillConnex®毫米波无线隔离技术，在"高耐压、高CMTI、高集成、低延时"四个关键指标实现突破 [1] - DKV56系列采用创新的毫米波隔离架构，在高压可靠性测试中实现20kV隔离耐压与30kV浪涌电压下稳定运行零失效，其共模瞬态抗扰度（CMTI）>200kV/μs，传播延时仅38ns [1] - 芯片支持5个档位的电流组合分离输出能力，最高可达30A拉电流/灌电流，可高效驱动SiC等高性能器件，并内置实时故障检测与复位功能，工作温度范围为-40℃到125℃ [2] 市场定位与行业趋势 - 全球功率半导体市场规模已超过300亿美元，预计到2028年将保持8–10%的年复合增长率（CAGR），其中SiC与GaN驱动芯片增长最为迅速 [2] - 公司以毫米波无线隔离技术为核心的创新架构，顺应高频化、模块化的行业趋势，正推动功率器件驱动系统进入全新阶段 [2] - 产品主要面向AI数据中心、工业自动化、新能源与储能系统、新能源汽车、电力电子及高性能电机控制等领域，旨在提供更安全、更高效的电源系统解决方案 [1] 公司产品布局与发展进程 - 2025年9月，公司发布全球首颗基于毫米波超短距离通信的数字隔离芯片，隔离通信速率在超万伏耐压下无损传输高达5Gbps [3] - 目前，公司毫米波无线隔离芯片已通过多家产业链头部企业测试验证，正加速进入规模化量产阶段 [3] - DKV56系列芯片目前已进入量产阶段，并正在申请VDE/UL/CQC安规认证 [2]

公司内部控制与运营 - 欧洲芯片制造商Nexperia向其客户发出警告，无法再保证其中国工厂生产的芯片质量 [1] - 此次失控源于荷兰经济部对Nexperia奈梅亨总部的干预，以及中国分公司无需遵守荷兰新法规的媒体报道 [1] - 尽管中国宣布了出口禁令，但Nexperia芯片仍在市场上销售，引发对生产和分销管控的质疑 [1] 对客户与行业的影响 - Nexperia芯片应用广泛，尤其是在汽车行业，此次质量警告的影响被加剧 [1] - 作为主要客户，汽车行业可能直接感受到质量警告的后果，若存在质量差异可能导致生产问题、可靠性问题甚至召回和保修索赔 [2] 地缘政治与经济背景 - 围绕Nexperia的问题涉及政治和经济层面，荷兰经济部的介入以及中国的出口禁令表明更广泛的利益受到威胁 [2] - 这场冲突凸显了欧洲和中国在技术和经济领域日益紧张的关系，芯片生产是具有战略重要性的因素 [2]