泰矽微（Tinychip Micro）近日宣布推出 国内首款车规级无变压器直驱超声波雷达芯片TCAU33 ，进一步完 善和加强传感方向的车规产品布局，TCAU33实现了供应链全国产化，不但填补了该类产品的国内空白， 且较现有同类产品具有更简单的外围电路、更高的性能参数和更高的性价比。 超声波雷达，也叫倒车雷达。它的工作原理是利用超声波发射装置向外发射超声波，遇到障碍物产生反射，接 收器接收到回波并计算发射时刻和接收时刻的时间差来测算距离。超声波雷达防水、防尘、抗污，即使有少量 的泥沙遮挡也不影响。探测范围在0.1～7米之间，而且精度较高，因此非常适合近距障碍物检测。主要用于停 车辅助、自动泊车或辅助智驾的场景。泰矽微本次推出的TCAU33为"直接驱动"型超声波雷达芯片，借助泰矽 微自主知识产权的nV级超低噪声PGA，高精度ADC以及内部集成的电荷泵升压电路， 可免除外围大体积变压 器和储能电容，无论是PCB空间还是系统成本都具有明显优势 ，充分满足当下汽车降本的强烈需求。由于单 车用量较多，整体降本效果非常显著。 TCAU33产品特性 工作电压6V～18V，40V抛负载 TCAU33产品和方案优势 单芯片方案 ...

市场传闻与公司回应 - 联发科明确否认英伟达730亿美元收购传闻 称"不是真的" [2] - 传闻源自英媒《TechRadar》作者个人臆测 并非市场消息 [2] - 传闻基于英伟达公开的GB10超级芯片合作细节 引发市场猜测 [2] 技术合作与产品细节 - 英伟达与联发科共同开发GB10超级芯片 结合联发科CPU与记忆体设计和英伟达Blackwell GPU [2] - GB10规格包含20颗Arm v9.2 CPU核心 FP32效能达31 TFLOPs 最高128GB LPDDR5X统一记忆体 [2] - 采用双dielet封装和台积电N3制程 原定2025年7月推出但进度已延宕 [2] 收购可行性分析 - 大型收购存在严峻挑战 英伟达2022年400亿美元收购Arm因监管疑虑告吹 [3] - 若收购联发科将面临严格竞审 台湾政府可能不乐见关键半导体企业被美商并购 [3] - 文章强调该推测仅为假设性推论 非市场消息或传言 [3]

公司背景与技术独特性 - 公司为英国Pragmatic半导体 2010年创立于剑桥 拥有英国首条300毫米晶圆生产线[1] - 核心技术为柔性半导体技术 采用薄膜晶体管（TFT）技术与ASIC设计流程 在柔性基板上构建高密度柔性集成电路（FlexIC）[7] - 制造工艺基于180nm节点 使用玻璃载具和聚酰亚胺聚合物 生产周期仅需数天（传统硅基需数月）[6] 产品性能与技术参数 - 第三代技术平台基于300毫米晶圆 弯曲半径达5毫米 采用0.6µm最小沟道长度N型金属氧化物薄膜晶体管[8] - 器件场效应迁移率约20cm²/Vs 关态漏电流低至10fA/µm²（3V电压） 驱动电流达25µA（饱和状态）[8] - 集成200kΩ/sq专用电阻层和4.5fF/µm² MIM电容器 四层金属层布线间距4微米 总厚度约37微米[8] 应用领域与市场定位 - FlexIC可弯曲贴合曲面 适用于智能包装、服装、玩具、供应链管理等传统刚性电子无法触及的领域[7] - NFC Connect产品PR1301尺寸3mm×2mm×37μm 支持ISO/IEC 15693和NFC Forum Type 5通信 工作频率13.56MHz[11][12] - 产品定位非单纯替代硅基芯片 而是开拓新市场 目前价位具备高可及性[13] 生产优势与可持续性 - 年产量达数十亿芯片 预计成为英国晶圆产量最大的公司[4] - 生产过程中化学品、水、能源消耗量显著低于传统硅基制造 具备强可持续性[7] - 支持Cadence和西门子EDA工具兼容 客户可自主设计或通过公司产线生产芯片[9][11] 未来技术路线图 - 2026年推出第四代产品 功耗减半 面积缩减至1/3 集成OTP存储器[14] - 2027年第五代平台功耗降至1/100 面积再缩小一半 加入EEPROM技术 扩展UHF特高频产品线[14]

展会概况 - SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心举办 展会规模达30万平方米 覆盖集成电路全产业链 并与CIOE中国光博会双展联动[2][10] - 预计吸引超16万专业观众 汇聚5000家展商展示最新产品与技术[2] 参展企业 - 已吸引超1000家全球优质展商 涵盖芯片设计、晶圆制造、功率半导体、设备材料等全产业链环节[4] - 芯片设计领域包括紫光展锐、中兴微电子、兆芯等企业 晶圆制造及封装领域包括华虹半导体、通富微电等企业[4] - 功率半导体领域包括比亚迪半导体、瑞能半导体等 设备领域包括北方华创、中微半导体等 材料领域包括沪硅产业、江丰电子等[4] 特色展区 - 设立六大特色主题展示区 包括先进封装展示区（安牧泉、盛元半导体等）、功率器件展区（萃锦半导体、纳微半导体等）[5] - 硬核芯科技园专区展示海康存储、微容等企业的国产芯片自主供应链成果 2.5D/3D先进封装及CPO产业链展区覆盖从设计到AI/光模块终端应用[5] - 新一代工业软件展区展示CAD/CAE等工具在智能汽车等领域的创新应用 板级扇出型封装创新展区聚焦超薄互联与异质集成技术[5] 同期活动 - 同期举办超20场会议 覆盖端侧AI芯片、功率半导体、新型材料、设备零部件等热门话题[6] - 具体会议包括端侧AI芯片新架构研讨会（9月10日）、第三代半导体设备论坛（9月10日）、功率半导体器件技术论坛（9月11日）等[7] - 重要活动包括第27届集成电路制造年会主论坛（9月11日）、中国集成电路投资联盟理事会闭门会议（9月11日）等[7] 双展联动 - 与CIOE中国光博会同期同地举办 实现"光电+半导体"产业协同 展示光电芯片、光模块、激光雷达、3D视觉等关键产品[6][10] - 参展企业包括海思、光迅、华工正源、舜宇、高德红外等光电领域龙头企业[6]

High NA EUV光刻技术发展现状 - ASML确认高数值孔径EUV设备是未来重点 二季度财报显示一台High NA EUV收入确认拉低毛利率 但公司整体毛利率仍达53.7% [1] - 英特尔使用High NA EUV设备在一个季度内曝光超过3万片晶圆 使特定工艺层步骤从40个减少到10个以下 三星同一工艺层周期时间缩短60% 技术成熟速度远超早期低NA EUV设备 [1] 三星High NA EUV布局 - 三星确认Exynos 2600为首款2nm GAA芯片组并开始量产 目标是通过提升良率证明其晶圆代工技术可与台积电竞争 [2] - 三星正从ASML引进更多High NA EUV设备用于2nm GAA制程 尽管设备价格昂贵 但可帮助其将良率从30%提升至量产所需的70%水平 [2][4] - ASML每年仅能生产5-6台High NA EUV设备且受出口管制限制 三星计划2027年在1.4nm节点实现量产应用 [4] SK海力士技术突破 - SK海力士在M16晶圆厂组装业界首台High NA EUV光刻系统Twinscan NXE:5200B 该设备将用于下一代DRAM工艺开发并最终用于量产 [7] - 公司自2021年在10nm DRAM中引入EUV技术后持续扩大应用 High NA EUV将简化现有EUV工艺并加速下一代存储器开发 [7] - 该技术能帮助避免2-3次EUV图案化 首先用于加速DRAM原型设计 预计2030年代全面过渡至High NA EUV生产 [9] 台积电与技术替代路径 - 台积电明确A16（1.6nm）和A14（1.4nm）工艺无需采用High NA EUV设备 技术团队通过创新在1.4nm节点实现8nm分辨率而不依赖该技术 [10][11] - 公司强调只有当High NA EUV带来可衡量效益时才会采用 目前通过延长现有EUV设备寿命获得微缩优势 预计2027-2028年才可能引入 [11] - 行业出现技术架构转变 GAAFET和CFET等新型晶体管设计减少对光刻依赖 更注重蚀刻技术 High NA EUV设备单价高达4亿美元成本高昂 [14][15] 其他厂商动态 - 美光直到2025年才首次将EUV引入DRAM生产 High NA EUV采用计划尚未明确 [12] - 日本Rapidus计划2027年起在新建晶圆厂安装最多10台EUV设备（NXE:3800E型号） 未来可能引入High NA EUV [12]

价格调整 - Sandisk宣布自9月4日起对所有渠道和消费者客户产品价格上调10%以上 [2] - 价格调整仅适用于新报价和订单 不涉及现有承诺 [2] - 公司未来将继续定期评估价格 可能在未来几个季度进行其他调整 [2] 需求驱动因素 - 闪存产品需求强劲 受人工智能应用推动 [2] - 数据中心、客户端和移动领域存储需求增长 [2] - 价格调整旨在支持高性能闪存解决方案和持续创新投资 [2] 行业动态 - 半导体行业获得10万亿级别投资 [3] - 芯片巨头出现市值大幅下跌情况 [3] - HBM技术被行业领袖称为技术奇迹 [3] - RISC-V架构被专家预测将胜出 [3] - 全球市值最高的10家芯片公司名单受关注 [3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源 ：内容 编译自CNBC 。 美国总统唐纳德·特朗普再次发出警告，他将很快对那些没有将生产转移到美国的公司进口的半导 体征收"相当高"的关税，但不会征收苹果等在国内扩大投资的公司。 特朗普周四晚间在白宫与包括苹果在内的二十多位主要科技巨头共进晚餐时发表了上述言论。 总统说："我已经与这里的人们讨论过芯片和半导体问题，我们将对那些不进入的公司征收关税。" 我们很快就会征收关税。你可能听说了，我们会征收相当高的关税，或者说，虽然没那么高，但也 是相当高的关税。 特朗普上个月在与库克的一次活动中表示，他将对进口半导体征收 100% 的关税，同时豁免将制 造业转移到美国的公司的产品。当时，苹果承诺在国内制造业计划上再投入 1000 亿美元，这是苹 果在 2 月份宣布的 5000 亿美元投资基础上的额外投入。 在周四的活动中，特朗普指出，对于潜在的进口税，"蒂姆·库克将会表现得非常好"。 美国多年来一直致力于将其半导体供应链转移到美国本土。自2020年以来，全球最大的半导体公 司，例如台积电和三星电子已承诺斥资数千亿美元在美国建厂。 因此，预计这些大型半导体公司将在特朗普 ...

核心观点 - OpenAI计划于2026年推出首款AI芯片 旨在降低对NVIDIA GPU的依赖 优化AI模型推理性能与成本效益 [1] - 芯片由博通合作设计 台积电3纳米制程制造 合作金额超过100亿美元 目标处理GPT-4及未来模型计算需求 [1][2] - 自研芯片动机包括应对AI运算瓶颈 削减NVIDIA主导地位 缓解供应链压力 并维持OpenAI在生成式AI领域的领先优势 [2] 技术合作与制造 - 芯片开发由前Google工程师Richard Ho领导 团队包含前Google TPU开发人员 [1] - 选择与博通和台积电合作 避免自建晶圆厂的高成本与冗长时程 [1] - 采用台积电3纳米先进制程进行芯片制造 [1] 市场影响与竞争格局 - 可能挑战NVIDIA市场主导地位 OpenAI已开始将AMD芯片整合至基础设施 [2] - 合作有望提升博通在AI芯片市场的地位 [2] - 若芯片验证成功 可能侵蚀NVIDIA定价权 并推动产业类似行动 [3] 战略意义与行业定位 - 对市值超过1500亿美元的OpenAI至关重要 用于应对Google、Meta和Anthropic等竞争对手压力 [2] - 客制化芯片专注于AI推理任务 而非NVIDIA擅长的密集训练领域 [2] - 合作体现新创公司敏捷性与半导体巨头实力的结合 推动下一波AI发展 [3] 潜在挑战与限制 - 客制化芯片设计存在延迟和性能不足的风险 [2] - 半导体供应链地缘政治紧张 尤其台积电位于台湾带来不确定性 [2] - NVIDIA在CUDA等软件生态系统的既有优势 使OpenAI芯片不会立即颠覆其市场地位 [2]

全球DRAM市场竞争格局 - SK海力士第二季度DRAM市场份额达39.5% 连续两个季度位居全球第一[1] - 三星电子市场份额降至33.3% 与SK海力士差距扩大至6.2个百分点[1] - 两家公司营收差距超过19亿美元 SK海力士实现122.26亿美元营收[1] HBM市场领先优势 - SK海力士占据HBM市场50%以上份额 为主要供应商[2] - HBM产品主要供应英伟达等AI巨头企业[2] - HBM出货量增长推动公司第二季度DRAM产业营收增长17.3%[1] 财务表现与员工激励 - 全球DRAM产业第二季度营收达309.16亿美元[1] - 公司预计2025年营业利润达30-33万亿韩元[2] - 劳资协议决定支付营业利润10%作为奖励 平均每位员工可获得1亿韩元[2] - 取消超额利润分配上限 新设营业利润10%作为PS上限[2] 历史性市场地位变化 - 自1992年以来首次有企业超越三星电子成为DRAM市场第一[1] - 市场份额从第一季度36.9%提升至第二季度39.5%[1] - 与三星电子的份额差距从2.5个百分点扩大至6.2个百分点[1]

麒麟芯片回归 - 华为发布Mate XTs Ultimate Design三折叠手机 搭载全新麒麟9020旗舰处理器 标志着麒麟芯片组正式回归[3] - 麒麟9020处理器性能较上一代提升36% 搭配HarmonOS 5操作系统[3] - 芯片制程工艺处于保密状态 预计为7纳米节点 并持续进行性能优化[3] 海思半导体业绩表现 - 海思半导体2024年营收预计增长100% 受Pura 70和Mate 70智能手机成功推动[4] - 海思在全球高端Android智能手机SoC市场份额从2023年8%提升至12% 高通占59% 三星电子占13%[4] - 麒麟处理器用于Mate 60、Pura 70和Mate 70等高端机型[4] 技术自主与市场挑战 - 华为通过与中国厂商合作研发芯片打印工具 实现麒麟芯片组自主生产[3] - 缺乏谷歌移动服务影响国际影响力 限制海思全球市场份额[5] - 海思半导体增长存在长期不确定性 受供应链不确定性和海外业务有限影响[4] 战略背景与行业意义 - 海思半导体收入实现翻倍增长 体现公司对外部障碍的抵御能力[5] - 技术自力更生战略被比作"长征" 旨在摆脱对外国技术依赖[5] - 海思成功成为中国半导体技术自给自足的关键指标 涉及消费电子和国家安全领域[5]