公司战略与产能规划 - 公司制定了15年远期战略规划，计划通过建设2-3个核心基地和若干个现代化12英寸硅片工厂，最终成为12英寸大硅片领域全球领导者[3] - 公司第一工厂于2018年动工，2023年实现50万片/月的规划产能达产，位居中国12英寸大硅片领域第一[3] - 公司于2022年启动第二工厂建设并于2024年投产，2025年10月登陆科创板，募集资金将全部用于第二工厂的产能提升[3] - 基于团队产业运营经验，两座工厂产能均能通过技术革新和效能提升至60万片/月以上，2026年通过效能提升，两个工厂计划产能有希望达成120万片/月以上[3] - 提升产能的关键内因包括产线管理、设备稼动、品质和良率保障等综合能力建设，外因主要是匹配并满足客户既有及新工艺技术需求，并跟随或联合研发推动客户技术迭代[3] 行业地位与客户情况 - 从结构看，存储产品所需12英寸硅片国内自给率较高，基本可自给自足；逻辑产品所需12英寸硅片自给率较低，海外采购占比约50%以上，且制程越先进自给率越低[4] - 半导体硅材料行业是投资体量大、技术密集度高的行业，成为全球行业头部需要具备相当产能规模、在大规模生产基础上具备高水平的研发和品质控制能力并不断迭代、以及成为客户首选供应商的能力[4] - 截至2025年6月末，公司已通过验证的客户累计161家，其中中国大陆客户122家，中国台湾及境外客户39家[4] - 公司坚持立足国内、放眼全球的市场策略，中短期内要达成“国内客户一供，海外客户三供”的市占率目标[6] - 公司持续导入海外客户，与多家海外头部晶圆厂持续合作并稳定量产供应，海外销售收入约占公司总收入的30%，基于当前产品验证进展，未来外销占比有望进一步提升[6] 行业发展与市场需求 - 全球半导体市场本轮从2020年开始进入景气上升周期，各国晶圆厂加速资本支出，2020至2023年，全球新增投资超过30条12英寸晶圆产线[5] - 根据SEMI统计，截至2024年末，全球共有189条12英寸量产晶圆厂，预计到2026年全球12英寸晶圆厂量产数量将达到220座，将对12英寸硅片带来巨大需求[5] - 根据SEMI预测，全球12英寸晶圆厂产能将从2024年的834万片/月增长至2026年的966万片/月，年复合增长率达到8%，下游晶圆厂产能的快速扩张将大幅拉升12英寸硅片需求[5] - 行业竞争格局呈现“高壁垒、集中化”特征，全球市场长期由少数海外巨头主导，公司通过不断技术突破和产能提升，持续保持高质量发展[5] - 行业存在结构性差异，成熟制程领域竞争较激烈，中高端制程领域目前仍大部分依赖进口[5] 产品技术与应用进展 - 公司产品已量产用于2YY层NAND Flash存储芯片、先进际代DRAM存储芯片和先进制程逻辑芯片[6] - 更先进制程NAND Flash存储芯片、更先进际代DRAM存储芯片以及更先进制程逻辑芯片所需的12英寸硅片均已在主流客户验证[6]

预计2025年分立器件市场将同比下降0.4%，较此前预测的2.6%的降幅有所上调。从2025年1月至10月的实际数据来看，同比下降1.7%，但预计未 来将出现复苏。与去年同期相比，降幅正在收窄，因此这一预测是合理的。最大的不利因素是功率晶体管市场（占该领域的大部分）的低迷期持续 时间超出预期。这主要是由于电动汽车需求下降所致，但该市场目前已开始复苏，因此需求可能会稳步增长。然而，由于许多中国企业正试图在该 领域实现量产，中长期来看，由于供应过剩，单价可能会继续下降。虽然预计2026年将同比增长8.2%，但我个人预计增幅将仅限于0-5%左右。 | | 2019CY 2020CY 2021CY 2022CY 2024CY 2025CY 2026CY | | | | | | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | Total Semiconductor(MS) | 412,307 440,389 | | | | 555,893 574.084 526,885 630,549 772,243 975,460 | | | | | Dis ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 随着芯片规模越来越大，芯片架构从单芯片走向Chiplet、芯片布局从2D走向3D，芯片设计师面临着前所未有的重大挑战。与此同时，诸如EDA厂 商、制造厂商和封装厂商等供应链参与者，也正在历经重重考验。 在日前举办的ICCAD 2025峰会期间，思尔芯副总裁陈英仁就从EDA厂商的角度，给我们分享了他的看法和破局之道。 深耕原型验证20年 "功能验证对芯片开发来说极为重要，芯片功能上如果有问题，就会导致流片失误、失败，进而影响项目的成败。我们提供了一个很好的方案，让 我们的使用者可以加速验证、设计、开发。"陈英仁告诉半导体行业观察。 如他所说，这其实是思尔芯过去二十多年里一直聚焦于解决的问题。 据"芯思想"引述相关资料报道，2003年，EDA学术界的大牛、加州大学伯克利分校（UC Berkeley）教授Alberto Sangiovanni-Vincentelli在DAC 40周年上发表了题为《The Tides of EDA》的演讲，讲述了如何看待40年来DAC相关的研究成果，同时还阐述EDA未来的趋势和挑战，并强调这 是一个EDA大变革的年代。 在DAC 2003结束 ...

文章核心观点 - NVIDIA对其CUDA软件堆栈进行了重大升级，推出了CUDA Tile，将传统的SIMT编程模型转变为基于图块的方法，旨在简化GPU编程并提升对张量核心等专用硬件的抽象[2] - 芯片架构师Jim Keller认为，此次更新可能标志着CUDA软件独占性的结束，因为基于图块的方法在业界普遍，可能简化代码向其他GPU平台的移植[2] - 然而，文章也指出，CUDA Tile通过其专有技术优化了NVIDIA硬件，实际上可能巩固了公司对CUDA生态的控制，加强了其竞争优势[5] CUDA Tile 更新的核心内容与意义 - CUDA Tile是NVIDIA CUDA平台自2006年诞生以来最大的进步，引入了基于图块的并行编程虚拟指令集，是GPU编程领域的一次“革命性”更新[6] - 更新彻底改变了编程模式：此前程序员需精细调整图块大小、内存等参数；之后，程序员可将更多精力集中于核心算法逻辑，而由编译器和运行时自动处理硬件复杂性[4] - 新模型专注于结构化矩阵运算和卷积等高度常规的操作，成功减少了手动优化需求，使更广泛的用户群体能够轻松上手GPU编程[4] - 此次更新是NVIDIA让AI惠及所有人的方法之一，尽管其性能可能略逊于底层手动优化实现[4] 技术架构与实现细节 - CUDA Tile的基础是CUDA Tile IR，这是一套全新的底层虚拟机，引入了一套用于原生图块操作的虚拟指令集[4][9] - 它允许开发者以更高层次编写算法，抽象化张量核心等专用硬件的细节，使代码能够兼容当前及未来的张量核心架构[7] - CUDA Tile IR通过原生支持基于图块的程序，扩展了CUDA平台功能，类似于PTX确保SIMT程序可移植性的角色[9] - 编程范式允许开发者通过指定数据块来编写算法，并定义对这些块执行的计算，无需逐个元素设置执行方式，类似于Python中NumPy库的操作方式[7][9] - 大多数开发者将通过NVIDIA cuTile Python等高级接口与CUDA Tile交互，而CUDA Tile IR主要面向编译器或库的开发者[12] 对行业生态与竞争格局的潜在影响 - 基于图块的方法在业界已十分普遍，例如Triton等框架就采用了这种方法，这可能使将CUDA代码先移植到Triton，再移植到AMD等公司的AI芯片上变得更加容易[5] - 当抽象层级提高时，开发者无需再编写特定于架构的CUDA代码，理论上代码移植会变得更加容易[5] - 然而，CUDA Tile背后的专有技术针对NVIDIA硬件语义进行了深度优化，因此即使移植变容易，实现高性能仍然复杂[5] - 通过简化CUDA编程，NVIDIA实际上可能是在巩固其对CUDA软件堆栈的控制，加强其竞争优势[5] - CUDA Tile并非要取代SIMT，两者可以共存：开发者可根据需要选择编写SIMT内核或使用张量核心的分块内核，两者在软件堆栈中作为互补路径存在[10]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 对于英伟达来说，圣诞节或许提前到来了。美国总统唐纳德·特朗普周一在社交媒体上发文称，美国政府将允许这家人工智能巨头向中国出售其 Hopper 200芯片，以换取25%的销售额。 特朗普表示，同样的做法也将适用于AMD、英特尔和其他美国公司。 英伟达首席执行官黄仁勋此前曾表示，世界第二大经济体是一个任何国家都无法取代的市场，错失这个市场对美国的打击将比对中国的打击更大。 尽管华盛顿对H200采取了新的立场，但H200能否成功重返中国市场还远未可知。 以下是关于这一情况需要了解的5件事： 一、H200是什么？特朗普对此说了些什么？ 特朗普周一在社交媒体上发文称："我已经告知中国，美国将允许英伟达向中国及其他国家的合格客户交付其H200产品，但前提是必须确保国家安 全。"他还表示："中国对此作出了积极回应！" H200 配备了 HBM3e 内存芯片，相比之前 H100 产品中使用的 HBM3 芯片有所升级，并且是 Hopper 系列中最先进的 AI 处理器，直到英伟达推 出最新一代 Blackwell 产品。 Nvidia 此前从未获得过向中国出口 H200 的许可。 这是 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 谷歌在人工智能竞赛中的秘密武器是一款芯片，它帮助谷歌的模型超越了 OpenAI，促使科技投资者重新评估英伟达的统治地位所面临的新威胁。 这家大型科技公司的"张量处理单元"在提升谷歌新推出的 Gemini 3 AI 模型的性能方面发挥了核心作用，这些模型在独立基准测试中表现优于 OpenAI 的 GPT-5。 这一发展是 ChatGPT 制造商上周发出"红色警报"的原因之一，当时首席执行官 Sam Altman 指示员工将资源重新集中用于改进其聊天机器人和模 型。 分析师预测，谷歌计划到 2028 年将其 TPU 的产量提高一倍以上，因为该公司正在加大对处理器的投入。芯片咨询公司 SemiAnalysis 表示，谷歌 的处理器现在在构建和运行尖端人工智能系统方面"与业界之王英伟达不相上下"。 英伟达的投资者也对谷歌可能向其云计算平台以外的客户提供TPU感到不安。这其中包括谷歌最近与人工智能初创公司Anthropic达成的一项协 议，该公司将向Anthropic提供100万个TPU，价值数百亿美元。 谷歌认为，垂直整合——主要在公司内部开发人工智能硬件、软件和芯片——将带 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 三星电机于 1997 年在拉古纳省卡兰巴市成立了当地公司，并于 2000 年开始生产信息技术 (IT) MLCC 和电感器。随着 MLCC 业务的扩张，该公 司于 2012 年建成了一座新的 MLCC 工厂，并于 2015 年投资 2880 亿韩元，扩大了整个菲律宾生产线。 由于来自全球大型科技公司的MLCC订单纷至沓来，该公司决定14年来首次在菲律宾新建工厂。近期，微软(MS)宣布了一项944亿美元（138万亿 韩元）的人工智能投资计划，亚马逊1250亿美元（183万亿韩元），谷歌920亿美元（135万亿韩元），Meta 710亿美元（104万亿韩元），这些举 措加剧了人工智能行业的竞争。 随着人工智能产业的快速扩张，生产控制电子电路中电流的关键元件的MLCC行业也迎来了超级周期。人工智能半导体需要处理海量数据并进行计 算，因此其性能取决于能效，这也导致高性能MLCC的需求激增。例如，人工智能服务器芯片需要3万个MLCC，是普通服务器（2000到3000个） 的13到15倍。 随着产品产量大幅提升，市场对三星电机的业绩预期也随之提高。据悉，该公司明年的MLCC（多层 ...

美国对华AI芯片出口政策动态 - 美国商务部将允许英伟达向中国境内指定客户出口H200芯片 [1] - 美国政府将从这些销售额中抽取25%的佣金 [1] - 出口的H200芯片版本是大约18个月前的产品，但仍比专为中国市场开发的H20芯片先进得多 [1] - 特朗普总统在是否允许出口的问题上犹豫不决，最终决定权掌握在其手中 [1][2] 美国国内的政治分歧与立法进程 - 国会两党长期以来明确反对向中国出口先进AI芯片 [2] - 内布拉斯加州共和党参议员皮特·里基茨和特拉华州民主党参议员克里斯·库恩斯于12月4日提出《安全可行出口法案》（SAFE芯片法案） [2] - 该法案要求商务部在30个月内拒绝向中国发放任何先进人工智能芯片的出口许可证 [2] - 此项决定与国会关于国家安全的担忧相冲突 [2] 政策演变与商业条件 - 今年4月，特朗普政府对英伟达等芯片公司向中国出口芯片实施了许可限制 [2] - 5月，特朗普政府正式撤销了拜登政府一项旨在监管AI芯片出口的扩散规则 [2] - 今年夏天，美国政府曾暗示，只要政府能从所有收入中获得15%的分成，企业就可以开始向中国出口芯片 [2] 中国市场环境变化 - 到今年夏天，美国开发的芯片在中国的市场已经趋于紧张 [3] - 9月，中国国家互联网信息办公室禁止国内企业购买英伟达芯片 [3] - 中国企业因此只能依赖阿里巴巴和华为等技术水平较低的国产芯片 [3] 各方反应与影响 - 英伟达发言人赞赏特朗普总统允许美国芯片产业参与竞争的决定，认为这支持了美国高薪就业和制造业 [1] - 特朗普在Truth Social上发帖称，中国对H200的最新消息做出了“积极回应” [4]

文章核心观点 - 半导体产业竞争范式正从单一制程竞赛转向系统级协同优化，实现“工艺 + EDA + 设计”的深度协同是关键，EDA是其中最关键的桥梁[3] - 国际巨头如英伟达入股新思科技、台积电与楷登电子紧密合作，已率先布局以构建护城河[3] - 本土半导体产业需抓住此范式转换机遇，硅芯科技提出的“EDA+”新设计范式是一个代表性样本，旨在重构先进封装设计协同体系[3][4] 产业趋势与范式转换 - 摩尔定律逼近极限，先进封装成为算力增长核心引擎[3] - 产业竞争范式正从单一的制程竞赛，转向系统级的协同优化[3] - 继续提升性能、控制成本，必须实现“工艺 + EDA + 设计”的深度协同，EDA是最关键的桥梁[3] - 国际巨头已率先落子构建护城河，例如英伟达入股新思科技，台积电与楷登电子在先进制程与3D封装上紧密合作[3] 硅芯科技的“EDA+”新设计范式 - 在ICCAD高峰论坛上，硅芯科技创始人系统性提出“2.5D/3D EDA+新设计范式”，旨在重构先进封装全流程设计、仿真与验证的协同创新[7] - EDA+不是对传统EDA工具的简单加减，而是围绕先进封装场景，对设计方法、数据底座与协同模式的一次整体重构[7] - EDA+是一条完整链路：以“2.5D/3D全流程先进封装EDA工具链”为桥梁，一端深度对接工艺协同，另一端面向多Chiplet集成验证，实现从系统架构规划到制造验证的工程闭环[7] - EDA+不是一套“软件产品组合”，而是一种面向Chiplet与3DIC的新设计范式[7] 3Sheng Integration Platform平台 - EDA+范式的底层基石是硅芯科技自研的2.5D/3D全流程先进封装EDA平台——3Sheng Integration Platform[12] - 该平台涵盖系统架构设计、物理实现、Multi-die测试容错、分析仿真与多Chiplet验证五大中心，贯通从设计到制造的完整链条[12] - 平台将EDA+理念转化为可落地、全协同的工程实践，支撑Chiplet与3DIC时代的集成创新[12] EDA角色转变与产业需求 - 算力需求爆发与摩尔定律放缓，使得通过Chiplet和2.5D/3D集成提升系统性能的先进封装成为技术主流[13] - 芯片设计重心从单一晶体管优化，下沉至包含多颗异质芯粒的系统级封装协同，封装成为需要在架构阶段通盘考虑的核心要素[13] - EDA角色发生根本转变：不仅是设计或封装工具，而是链接工艺与设计的必经桥梁与协同平台[13] - 设计者需在统一环境中同时考量不同工艺节点芯粒的划分、互连拓扑、热应力分布与制造可行性[13] - 国际巨头的紧密捆绑（如台积电与Cadence、英伟达与Synopsys）旨在率先打通“工艺-EDA-设计”协同链路，巩固系统级竞争优势[13] - 硅芯科技的EDA+正是基于对此产业深层需求的洞察，旨在为国内半导体行业提供重构的设计方法学与全流程工具链支持[13] EDA+的工程化落地与价值 - EDA+已在一批2.5D/3D协同验证项目中走向工程化落地[14] - 在某个约3万网络互连的2.5D设计中，传统分段式流程需近三个月实现设计收敛，而使用自研3Sheng平台后，一次完整的端到端迭代被压缩到十天左右[14] - 在与先进封装企业的联合项目中，平台开始承载“芯粒模型 + 接口标准”的探索工作，为构建可复用的芯粒库奠定结构基础[14] - EDA+的价值在于提供“串联”与“沉淀”的框架：不仅是工具，更是串联工艺制造与设计应用的产业深度协同机制[14] - 使工艺知识得以向前端传递，设计思路能向制造端准确贯彻[14] - 帮助产业沉淀在不同应用场景下经过验证的设计经验、规则与模板，降低先进封装的设计门槛与重复开发成本，加速创新迭代[14] - 为推动国产半导体先进封装生态协同快速发展提供了基础[14] 本土半导体产业的突围策略 - 面对国际巨头通过深度捆绑构建体系优势，本土半导体产业或可通过“合纵连横”实现突围[15] - “合纵”：强化产业链上下游纵向协同，以EDA+这类平台为技术支点，把本土工艺、先进封装能力和设计需求串成一条真正打通的链路[15] - “连横”：本土EDA产业内部横向协作，在Chiplet与3DIC新赛道上，通过统一的接口框架进行能力互补与协同，形成合力，共同承接产业升级带来的巨大市场空间[15] - 未来比拼的不再只是制程和芯片规模，而是谁能够在系统层面实现工艺、EDA与应用的深度协同[18] - 围绕先进封装的产业变革，真正的角逐在于生态的广度与协同的深度[18]

SK海力士HBM4量产计划调整 - 公司已开始调整其第六代高带宽内存HBM4原定于明年全面量产的时间安排 [3] - 原计划从明年第二季度末开始大幅提升HBM4产量 但近期计划有所调整 [3][4] HBM4技术特点与初始计划 - HBM4是英伟达下一代AI加速器Rubin将采用的内存 预计明年发布 [3] - 与上一代产品相比 HBM4的输入/输出终端数量翻倍 达到2048个 [3] - 其最显著特点是控制HBM的逻辑芯片采用代工工艺量产 而非沿用现有DRAM工艺 [3] - 公司原计划于明年2月左右开始量产HBM4 并从第二季度末开始大幅提升产能 [3] - 该策略旨在迅速扩大产能 以便赶在英伟达正式完成HBM4质量测试之前交付产品 [3] - 为此公司已进行批量样品生产 据报道应英伟达要求已供应了2万至3万颗芯片 [3] 计划调整的具体内容 - HBM4的量产已推迟至明年3月或4月 [4] - HBM4产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整 [4] - HBM4量产所需材料和零部件的采购速度将较以往有所放缓 [4] - 公司原计划从明年上半年开始逐步提高HBM4产量 并在第二季度末大幅提高其占比 [4] - 但公司现在决定至少在明年上半年之前 保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比 [4] 计划调整的背景与原因 - 在与英伟达讨论明年HBM产量时 公司大幅增加了HBM3E的产量 远超预期 [4] - 英伟达Rubin的发布计划推迟的可能性增加 [4] - 现有配备HBM3E的Blackwell芯片的强劲需求可能也产生了影响 [4] - 业内普遍担忧英伟达Rubin芯片的全面量产可能会延迟 [4] - 随着英伟达不断提升Rubin芯片性能 HBM4等技术的复杂性也随之增加 [4] - 台积电的2.5D封装技术"CoWoS"作为Rubin芯片生产的关键技术 仍然面临瓶颈 [4] - 公司表示计划灵活应对市场需求 [4]