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思尔芯迈入国产EDA发展新征程
半导体芯闻· 2025-12-17 18:31
投资事件与战略意义 - 思尔芯获得来自大湾区基金与华大九天的联合投资,旨在通过资本纽带深化产业协同,共同推动国产数字EDA加速发展,提升自主创新水平与生态协同效应 [1] - 此次投资被定位为“产业龙头+战略资本”的联合投资,是思尔芯发展历程中的一个重要里程碑,为公司注入了强劲的信心与动力 [1] - 大湾区基金投资方看重思尔芯团队长达21年对国产EDA的坚守、扎实的技术积累、清晰的产品布局和遍布全球的客户群体 [1] 公司业务与市场地位 - 思尔芯是国内首家数字EDA供应商,业务覆盖架构设计、软件仿真、硬件仿真、原型验证、数字调试、EDA云等工具及服务 [2] - 公司已与超过600家国内外企业建立合作关系,服务于人工智能、高性能计算、图像处理等数字电路设计,产品广泛应用于物联网、云计算、5G通信、智慧医疗、汽车电子等领域 [2] - 公司建立了全球化的研发与市场网络,在北京、深圳、西安、香港、东京、首尔及圣何塞等地设有分支机构或办事处 [2] 技术实力与行业认可 - 思尔芯在数字前端EDA领域构筑了技术与市场的双优势地位,并参与了我国EDA团体标准的制定,承担了多项国家及地方重大科研项目 [2] - 公司获得了国家级专精特新“小巨人”企业、国家工业软件优秀产品、上海市企业技术中心等多项荣誉资质 [2] 未来发展规划与协同 - 思尔芯将依托华大九天平台的影响力与客户基础,拓展更广阔的市场空间,特别是在高端CPU、AI芯片、GPU等大型芯片设计市场 [1] - 公司计划持续巩固和扩大在数字EDA前端的领先优势,积极与华大九天深化合作,共同探索前沿技术,致力于成为国产EDA全流程工具链中坚实的一环 [1] - 公司将与投资方及各战略伙伴紧密协作,深化技术协同攻关与业务联动发展,为国产EDA发展贡献力量,助力实现高水平科技自立自强 [2]
两家芯片公司,挣翻了
半导体芯闻· 2025-12-17 18:31
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 尽管存在对"人工智能泡沫论"的担忧,三星电子和SK海力士明年的盈利预测仍在不断上调。此 前,市场普遍预期两家公司合计年度营业利润将超过150万亿韩元,其中三星电子为83万亿韩元, SK海力士为75万亿韩元。然而,由于海外市场研究机构预测明年存储器价格上涨趋势将更加明 显,市场预期两家公司的营业利润均可能接近100万亿韩元。 截至17日,主要市场研究公司对明年DRAM和NAND闪存价格的预测汇总显示,DRAM和NAND 闪 存 价格预 计 将 继 续 上 涨 15% 至20% 。TrendForce 将DRAM 平均 售 价 (ASP) 的 涨 幅 设 定 为 8% 至 15%,并预测供应短缺情况可能会根据供需状况而加剧。Counterpoint Research则指出,由于人 工智能数据中心投资增加以及内存供应恢复正常化进程的延迟,DRAM价格明年可能每年上涨高 达20%。 也有观点认为,NAND闪存供应短缺问题十分严重。由于NAND闪存利润下滑,三星电子和SK海 力 士 已 连 续 数 年 削 减 生 产 线 , 并 调 整 了 资 本 投 资 方 向 , 将 重 ...
DRAM,突破10nm
半导体芯闻· 2025-12-17 18:31
三星发布10纳米以下DRAM制造技术 - 三星及其先进技术研究院发布了制造尺寸小于10纳米的DRAM技术,该技术名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管” [1] - 该技术采用单元-外围电路架构,将存储单元垂直堆叠在外围电路之上,这与当前将外围晶体管置于存储单元下方的传统方式不同 [1] 技术细节与创新 - 传统CoP架构在堆叠过程中温度可达约550摄氏度,容易损坏存储单元下方的外围晶体管,导致性能下降 [1] - 三星利用非晶铟镓氧化物解决了高温问题,其沟道长度为100纳米的垂直沟道晶体管可承受高温工艺 [1] - 经过550摄氏度的氮气热处理后,该晶体管的阈值电压变化小于0.1电子伏,在高温高压实验中阈值电压漂移仅为-8毫伏,表明其具有超过10年的稳定工作寿命 [1][2] - 晶体管的高热稳定性源于其抑制沟道与电极界面处正负离子迁移的能力,公司利用分子动力学和密度泛函理论模拟对材料进行了分析 [2] 技术现状与应用前景 - 该技术目前仍处于研发阶段,距离应用于商用DRAM产品还需要一段时间 [2] - 该技术有望应用于未来的10纳米以下DRAM工艺节点 [1] - 具体而言,该技术未来将应用于10纳米以下的0a和0b代DRAM工艺节点 [2]
这家芯片初创公司,要单挑英伟达
半导体芯闻· 2025-12-17 18:31
韩国人工智能半导体初创公司Rebellion首席执行官朴成铉周二表示,该公司希望与英伟达"正面竞 争"。当天,该公司庆祝成立五周年,并表示其估值已达到约2万亿韩元(约15亿美元),达到了 通常用于"独角兽"地位的门槛。 "即使为此付出生命,我也想和英伟达同台竞技,正面交锋,"朴在首尔以南城南市Rebellion总部 举行的媒体日活动上说道。 Rebellion成立于2020年,定位为一家专注于推理(即运行人工智能服务所需的计算)而非大规模 模型训练的人工智能芯片制造商。该公司表示,已通过在电信、公共部门和企业市场等具有实际流 量的服务中部署其芯片,积累了"真实世界"的应用案例。 高管们表示,随着人工智能服务的普及和推理能力成为关键战场,人工智能半导体领域的竞争格局 正在发生变化,能效和运营成本的重要性与原始性能不相上下。该公司指出,谷歌将其张量处理单 元(Tensor Processor Unit,TPU)扩展到大规模云服务等举措表明,为内部使用而开发的专用人 工智能芯片可以应用于商业服务。 Rebellion表示,公司希望通过从一开始就专注于推理优化设计,在并非完全由英伟达主导的市场 中脱颖而出。Park表 ...
芯片设备,大卖
半导体芯闻· 2025-12-17 18:31
全球半导体市场长期展望 - 全球半导体市场预计将以8%的复合年增长率增长,到2029年市场规模将超过1万亿美元 [2] - 人工智能将成为增长主要驱动力,人工智能相关半导体预计将以16%的复合年增长率增长,到2030年将占市场份额的一半 [2] - 行业可能已进入由人工智能需求驱动的持续强劲“超级周期”,该势头预计将持续到2030年左右 [4] 半导体制造设备市场预测 - 2025年全球半导体制造设备年出货量预计为1080亿美元,较上年增长15.7% [2] - 预计2025年全球半导体制造设备销售额将达到创纪录的1330亿美元,比上年增长13.7% [3] - 市场预计将继续增长,2026年达到1450亿美元(同比增长9%),2027年达到1560亿美元(同比增长7%) [3] - 到2030年,对人工智能和高性能计算的投资预计将占半导体制造设备总投资的57% [2] 各地区设备市场表现 - 台湾和韩国市场增长尤为强劲,2025年设备出货量分别增长108%和25% [2] - 日本市场同比增长27%,表现稳健 [3] - 中国市场同比下降4%,但表现好于预期 [3] - 北美市场下降17%,欧洲市场下降44%,降幅较大,主要因部分项目延期及汽车和工业领域复苏缓慢 [3] 各细分设备市场分析 - 晶圆制造设备(含晶圆加工、晶圆厂加工和掩模制造设备)预计2025年销售额达1157亿美元,较上年增长11% [3] - 预计到2027年,晶圆制造设备销售额将达到1352亿美元 [3] - 半导体测试设备2025年销售额预计同比增长48.1%,达到112亿美元 [4] - 组装和封装设备2025年销售额预计同比增长19.6%,达到64亿美元 [4] 技术领域投资趋势 - 人工智能需求正推动DRAM和高带宽内存领域的投资超出预期 [3] - 2026年至2030年间,日本前端工艺投资预计将显著增长至180亿美元,其中逻辑相关投资占比将增长至约50% [4] - NAND闪存投资预计将保持在总投资量的25%左右,DRAM投资有望复苏 [4] - 模拟和功率半导体领域的投资预计将会下降,原因包括来自中国的竞争以及功率半导体向300毫米晶圆的转变 [4] 内存市场动态 - 人工智能服务器大量供应高带宽内存,影响了消费级内存和标准DRAM的供应,目前的供应紧张局面可能会持续到2026年 [4] - DRAM和NAND闪存通常每四年经历一次繁荣与衰退周期,但人工智能需求的增长可能改变了这一模式 [4]
昆仑芯将赴港上市
半导体芯闻· 2025-12-16 18:57
公司概况与股权结构 - 昆仑芯是百度旗下的自研芯片项目,其历史可追溯至2011年,于2021年开始独立融资 [1] - 公司由百度芯片首席架构师欧阳剑出任CEO,百度为控股股东 [1] - 截至目前,昆仑芯已完成6笔融资,最新一轮融资发生在今年7月 [1] - 公司即将完成股改,正加速推进冲刺上市的步伐 [1] 核心产品与性能 - 当前主打产品为2024年上市的P800芯片 [1] - 2024年上半年,百度正式点亮基于P800芯片的三万卡集群 [1] - P800芯片在百度内部得到充分验证,绝大多数推理任务运行于P800之上 [1] - 基于P800的五千卡单一集群,已高性价比地训练出一款多模态模型 [1] 新一代芯片产品路线图 - 2025年11月,公司正式发布新一代昆仑芯,包括两款产品 [1] - 昆仑芯M100针对大规模推理场景优化,提供极致性价比,计划于2026年上市 [1] - 昆仑芯M300面向超大规模多模态模型的训练和推理,提供极致性能,计划于2027年上市 [1] - 公司预计于2029年上市新一代的N系列芯片 [4] 超节点系统规划 - 计划于2026年上半年上市“天池256超节点”,最高支持256张卡互联 [3] - 相比2024年4月基于P800推出的超节点,“天池256超节点”卡间互联总带宽提升4倍,性能提高50%以上,主流大模型推理任务单卡tokens吞吐提升3.5倍 [3] - 计划于2026年下半年推出“天池512超节点”,最高支持512张卡互联 [3] - 相比“天池256超节点”,“天池512超节点”卡间互联总带宽再提升1倍,单个节点即可完成万亿参数模型训练 [3] - “天池256超节点”和“天池512超节点”均基于P800芯片 [3] - 从2027年下半年开始,公司将陆续推出千卡和四千卡的超节点 [3] 长期技术愿景 - 公司计划于2030年点亮百万卡昆仑芯单集群 [4] - 在硬件迭代的同时,公司将持续优化软硬件之间的协同效果 [3] - 超节点方案考验AI芯片厂商在芯片、内存、通讯、供电、冷却等一系列能力上的积累 [3]
三星制定芯片新战略
半导体芯闻· 2025-12-16 18:57
公司战略会议与高层动态 - 三星电子在行业压力下召开年终全球战略会议,制定2026年发展路线图,此为11月领导层调整后的后续行动 [1] - 会议由新任命的消费电子设备业务联席CEO卢泰文和半导体业务联席CEO全英铉主持 [1] - 会长李在镕在会议前从美国返回,并与特斯拉CEO埃隆·马斯克及AMD CEO苏姿丰会晤,重点讨论半导体合作及扩大其作为美国科技巨头关键芯片供应商的地位 [1] 人工智能供应链战略 - 公司计划扩大在人工智能供应链中的角色,定位为AI计算领域内存和代工服务的关键供应商 [1] - 服务对象不仅包括通用图形处理器,也越来越多地包括亚马逊和Meta等公司使用的定制ASIC芯片 [1] - 计划在2026年将其高带宽内存产能的60%分配给ASIC客户 [2] - 公司最新的HBM4芯片仍在接受英伟达的质量认证,而其竞争对手SK海力士已开始向英伟达供应HBM4芯片 [2] 晶圆代工业务进展 - 公司位于美国德克萨斯州泰勒市的工厂投资370亿美元,计划于2026年投产,采用先进的2纳米工艺 [2] - 该工厂是三星晶圆代工战略的核心,7月份已签署一份价值165亿美元的合同,为特斯拉即将推出的AI6芯片代工 [2] - 特斯拉CEO埃隆·马斯克确认,三星将代工部分原计划由台积电代工的AI5芯片系列 [2] - 三星晶圆代工部门在2纳米制程的进展将影响其缩小与台积电技术差距的能力,台积电占据全球晶圆代工市场70%以上份额,三星目前市场份额为8% [2] 移动与消费电子业务 - 公司正在敲定Galaxy S26系列的发布计划,预计2026年2月上市,亮点是采用自主研发2纳米制程的全新Exynos 2600处理器 [3] - 产能良率是制约因素,分析师预测Exynos 2600可能只会在部分市场推出,高通骁龙8 Gen 4预计将成为全球S26系列的主要处理器 [3] - 消费电子部门加倍投入AI驱动功能以保持竞争力,计划在2026年1月的国际消费电子展上推出新款扫地机器人和人工智能电视,以应对中国品牌的竞争压力 [3] 内部战略方向 - 半导体业务负责人、副董事长Jun在内部讲话中强调,公司必须将其专有技术与人工智能能力相结合,以成为一家“真正由人工智能驱动的公司” [3]
AI芯片竞争,再起波澜
半导体芯闻· 2025-12-16 18:57
文章核心观点 - 英伟达过去十年主导AI芯片市场,但其市场主导地位正面临来自多个方面的挑战,包括主要云服务商转向自研芯片、AMD的竞争、中国构建独立半导体生态以及行业向专用硬件和光纤连接转型 [1][13][14] 英伟达的市场地位与挑战 - 过去十年,英伟达一直主导用于机器学习/人工智能的高性能计算机芯片市场,其市值预计将在2025年短暂达到5万亿美元 [1] - 2025年2月至10月期间,支持人工智能发展的硬件(包括半导体芯片和网络连接)收入达到1478亿美元 [1] - 英伟达的强劲销售和高利润率得益于有限的产量稀缺,高端芯片的主要瓶颈在于台积电在芯片封装(CoWoS)先进封装方面的产能有限 [1] - 随着行业向更加专业化的硬件方向发展,英伟达面临的挑战不再仅仅局限于与一家公司竞争,而是来自多个方面 [1] - 随着业界从试验大规模基础模型转向优先发展大规模、高性价比的推理,英伟达面临着巨大的风险 [1] 主要云服务提供商转向自研芯片 - 主要的云服务提供商正在摆脱对英伟达CUDA生态系统的依赖,并投资开发自己的芯片用于高容量推理,因为在高容量推理中,运营成本超过了训练成本 [2] - 北美四大超大规模数据中心运营商——谷歌、亚马逊网络服务、微软和Meta——集体转向定制芯片是一项旨在确保竞争优势的战略举措 [4] - **谷歌**:已开始向定制人工智能芯片转型,其首款产品是张量处理单元(TPU) [4] - 最新版本第七代TPU Ironwood针对推理进行了优化,拥有大量共享内存,单个SuperPOD最多可连接9216个芯片 [4] - 根据表格数据,TPU Ironwood(2025)的HBM带宽/容量为192 GB @ 7.4 TBps,每芯片峰值算力达4614 TFLOPS,远超TPU v5p(2023)的95 GB @ 2.8 TBps和459 TFLOPS [5] - Meta Platforms可能从2027年开始租赁或采购谷歌的TPU芯片,这标志着谷歌正转型成为一家商业芯片供应商 [5] - 据估计,谷歌可能会占据英伟达年总收入的10%,这笔收入可能高达数十亿美元 [5] - **亚马逊网络服务 (AWS)**:致力于提升性价比以吸引寻求英伟达高价芯片替代方案的企业 [6] - AWS声称其"Trainium"芯片与GPU相比可将训练成本降低高达50%,主要面向中等规模的AI工作负载 [6] - AWS还在扩展其Graviton5定制芯片,该芯片采用3nm工艺,据称在通用任务中比上一代产品性能提升高达25% [6] - Anthropic等合作伙伴正在使用Trainium2进行模型训练 [6] - **Meta**:其Meta训练和推理加速器 (MTIA) 专为Facebook和Instagram等平台的推荐系统等高容量任务而设计 [6] - 通过将这些任务卸载到其定制芯片上,该公司可以将Nvidia H100芯片用于更高级的AI研究 [6] - **微软**:其定制芯片项目遭遇挫折,下一代芯片Maia(代号Braga)的发布已被推迟至2026年 [7] - 此次延期意味着微软必须继续采购昂贵的英伟达Blackwell GPU来满足OpenAI的计算需求 [7] - 为了降低成本,微软也使用了AMD的Instinct MI300X GPU,并且是AMD最大的客户之一 [7] AMD作为替代选择崛起 - AMD的目标是成为"NVIDIA的替代选择" [8] - AMD的MI300X芯片配备192GB的HBM3显存,远超NVIDIA的H100,使其成为降低大规模模型推理成本的理想之选 [9] - AMD预计其数据中心GPU的年销售额将达到数十亿美元,从而与NVIDIA展开直接竞争 [9] - AMD之前的软件限制已通过OpenAI的Triton编译器得到解决,该编译器允许开发人员编写与NVIDIA和AMD硬件兼容的高性能代码,而无需深入了解CUDA或AMD的ROCm [10] - Triton提高了硬件兼容性,简化了从CUDA的迁移,降低了成本,使制造商更容易采用其他供应商 [10] 中国构建独立半导体生态 - 由于美国的出口限制,中国正努力在国内构建一个平行且独立的生态系统,这加剧了英伟达面临的挑战 [11] - 华为引领着中国国内的这一基础设施建设,并通过替代架构策略弥补了极紫外(EUV)光刻设备获取渠道有限的不足 [11] - 华为的尖端芯片Ascend 910C由国内企业制造,据报道其训练性能可达NVIDIA H100的60-80%,在某些推理任务中也能与H100相媲美 [11] - 高性能得益于"横向扩展"设计:在诸如Atlas 950 SuperPoD之类的系统中,数千个Ascend神经处理单元 (NPU) 通过一种名为统一总线的新型光纤链路连接 [11] - 但发展这种独立的计算能力是有代价的:中芯国际的昇腾910C芯片良率只有30-40%,远低于行业标准 [11] - 据报道,华为计划在2026年推出新版本的Ascend芯片,其中Ascend 950PR预计将于第一季度发布,而其高端版本Ascend 950DT预计将于第四季度发布 [11] - 2025年12月,尽管美国总统特朗普批准出口英伟达高性能H200芯片并表示愿意放宽限制,中国政府却宣布计划自行实施严格的准入限制,考虑如何限制对H200的获取 [12] - 中国也在推进存储芯片制造,这将有助于减轻未来与存储相关的制裁的影响 [12] 行业未来趋势与英伟达的应对 - 英伟达承认,由于台积电产能受限,公司难以维持高利润率,因此正在投资新市场,包括诺基亚等电信基础设施制造商 [13][14] - 预计英伟达将在2026年之前保持其在高利润、高性能模型训练领域的领先地位,然而,更广泛的大规模推理市场可能由主要云提供商的定制芯片主导 [14] - 下一个主要的竞争挑战将出现在半导体芯片连接领域,随着电气连接的局限性日益凸显,商用产品开始采用光纤连接 [14] - Marvell收购Celestial AI,以及Lightmatter等公司提供用于更快芯片连接的3D光子晶圆,都表明到2026年,光纤连接将成为人工智能芯片的主要标准 [14] - 这一转变将使Broadcom和Marvell等公司成为关键供应商 [14] - 人工智能计算的未来将不再由任何一家公司垄断,而是由专业化、高度互联的系统融合而成 [14]
加速头部主动降噪品牌BRISONUS规模化,苏州国芯加码华研慧声
半导体芯闻· 2025-12-16 18:57
公司融资与合作 - 华研慧声获得苏州国芯科技新一轮战略投资,资金将用于加速车载主动降噪解决方案规模化落地及推进AI声学算法研发 [1] - 此次投资是双方自2022年Pre-A轮战略投资后的深度协作延续,旨在共同推动国产高性能车载音频DSP芯片研发及量产 [1] - 国芯科技此次增资是对过去三年合作成果的认可,也表明了对智能声学赛道未来战略方向的坚定信心 [3] 公司技术与产品进展 - 公司以“3D主动降噪”和“空间沉浸音频”双轮驱动,打造“无界声”声学品牌,构建商业护城河 [1] - 2024年6月,公司自主研发的RNC路噪主动降噪技术作为国内首个集成于座舱域控制器的方案为上汽智己量产,实现毫秒级超低延时响应,峰值降噪可超过10分贝 [2] - 2025年,公司完成了ERNC耦合降噪控制技术的全球首发与量产,行业首创实现发动机噪声与路噪的协同主动抑制,使增程器介入时车内噪声增量控制在0.5dB以内 [2] - 截至2025年10月,公司RNC系统累计交付超过15万套,市场占有率位居中国第一、全球前三 [2] - 2025年3月,合作方苏州国芯的国产高性能音频DSP芯片CCD5001开发与量产落地,采用12nm工艺与HIFI5内核,单核算力达6.4GFLOPS,填补了国内车载高性能DSP芯片市场空白 [3] 公司客户与市场地位 - 过去三年,公司为上汽智己、奇瑞汽车、吉利汽车、一汽集团、小鹏汽车、福特、大众等国内外优质OEM提供数十款车型开发 [2] - 公司RNC技术实现本土化突破,进一步奠定了其在车载主动降噪领域的领先地位 [2] - 以华研慧声为代表的新一代中国声学品牌崛起,打破了国际音响品牌垄断,体现了中国在智能声学控制领域的国际领先地位 [2] 行业前景与公司战略 - 第三方数据显示,在智能化新能源汽车推动下,全球车载系统近年来以14%年复合增长率快速发展,预计2028年全球汽车声学产业总产值将突破1000亿元人民币 [2] - 未来,公司将依托国芯科技在AI算力平台、算法框架与芯片生态方面的优势,围绕“声学场景”核心,构建面向整车环境感知、情绪识别等垂类声学模型 [3] - 公司计划通过打通用户—整车厂—供应商的业务流,实现声学系统的自学习、自适应与个性化进化,突破传统音响方案在多场景体验中的技术瓶颈 [3]
HBM 4,正式供货
半导体芯闻· 2025-12-16 18:57
文章核心观点 - 三星电子和SK海力士在向英伟达供应下一代HBM4内存的竞争中处于领先地位,均已进入付费样品供应和最终验证阶段,预计供货量和价格将在明年第一季度确定 [2] - SK海力士在HBM4供应上进展迅速,已与英伟达完成明年供货量和价格的框架谈判,并计划在平台投产后立即开始供货 [3] - 三星电子正通过战略举措(如采用4纳米代工工艺)提升HBM4竞争力,力图从HBM4开始重振市场地位,并正在扩建产能 [4] - 美光在HBM4的竞争中因技术难题和性能局限而落后,预计将位列第三供应商 [4] HBM4供应竞争格局 - 三星电子和SK海力士实际上正在向英伟达供应第六代高带宽内存HBM4样品,并已进入最终协调阶段 [2] - 两家公司均已进入付费提供最终样品的阶段,这被视为正式合同签订前的信号,且它们在付费样品供应和最终验证方面处于同一水平 [2] - 尽管最终质量验证环节尚未完成,但业内人士预计具体的供货量和价格将在明年第一季度确定 [2] - 美光似乎仍将位列第三供应商,落后于SK海力士和三星电子,主要是由于遭遇技术难题导致谈判延期 [4] SK海力士的HBM4进展 - SK海力士已建立HBM4芯片量产体系,并将在年内向英伟达批量供应HBM4显存芯片 [3] - 该公司已完成与英伟达关于明年HBM4总供应量及大致合同单价的框架内谈判,并同意尽可能满足英伟达的最大产能需求 [3] - 英伟达已进入最终验证阶段,在Rubin平台上安装SK海力士的HBM4芯片以确认运行正常,平台全面投产后将立即开始供货 [3] - SK海力士在第三季度财报中预测,明年第四季度将开始出货,并全面扩大销售规模 [3] 三星电子的HBM4战略与进展 - 三星电子与英伟达就明年HBM4芯片供应的谈判也接近尾声,很可能成为继SK海力士之后的第二大供应商 [4] - 该公司已向英伟达提供了付费的HBM4芯片样品,英伟达正在Rubin芯片上进行质量验证 [4] - 三星电子正采取战略举措,通过建立自有4纳米工艺的晶圆代工厂来生产领先竞争对手一代的DRAM,以重振HBM4市场竞争力 [4] - 该公司正在平泽园区扩建HBM4产能,以满足市场需求 [4] 美光面临的挑战 - 美光在HBM4供应竞争中落后,主要是由于遭遇技术难题,包括对HBM4进行部分重新设计,导致谈判延期 [4] - 尽管美光提供的最终样品符合英伟达要求的HBM4产品标准,但其性能仍逊于竞争对手 [4] - 美光采用自主研发的DRAM工艺,而非代工厂工艺来制造HBM的核心逻辑芯片,分析显示其在性能提升方面存在局限性 [4]