公司股价表现 - 英诺赛科股价高开近15%，截至发稿时上涨14.99%至89港元 [1] - 成交额达到4016.57万港元 [1] 公司与NVIDIA合作 - NVIDIA将支持800 VDC电源架构，该架构为人工智能数据中心带来突破性进展 [1] - 800 VDC架构可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障 [1] 技术架构要求与公司优势 - 向800V机架电源过渡要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率 [1] - 只有氮化镓功率器件能够同时满足这些严苛要求 [1] - 作为业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，公司是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司 [1] - 公司可提供从800V到1V的全链路解决方案，成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [1] - 英诺赛科氮化镓在可靠性方面同样处于领先地位 [1]

股价表现 - 英诺赛科股价高开近15%，截至发稿时上涨14.99%至89港元，成交额为4016.57万港元 [1] 合作与行业动态 - NVIDIA将支持800 VDC电源架构，该架构为人工智能数据中心带来更高效率、更高功率密度，同时降低能耗和减少二氧化碳排放 [1] - 英诺赛科正与NVIDIA合作，共同支持800 VDC电源架构，以保障新一代GPU路线图的扩展 [1] 技术优势与市场定位 - 800 VDC架构要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率，只有氮化镓功率器件能够满足这些要求 [1] - 英诺赛科是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，并且是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司 [1] - 公司可提供从800V到1V的全链路解决方案，是唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [1] - 英诺赛科的氮化镓技术在可靠性方面处于领先地位 [1]

公司动态 - 英诺赛科为800VDC电源架构提供全GaN电源解决方案 [1] - 公司解决方案旨在赋能新一代AI Factories [1] 行业趋势 - NVIDIA将支持800VDC电源架构 [1] - 800VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展 [1] - 该架构可实现更高效率与更高功率密度 [1] - 该架构能降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1]

800 VDC电源架构的优势与必要性 - 800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 机架电压从48V提升到800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗并最大限度降低对铜材的需求 [1] - 基于48V电压的传统人工智能系统效率低下，超过45%的总功耗耗费在散热上，未来搭载超过500块GPU的机架若沿用旧式设计将无空间容纳计算单元 [1] - 800 VDC架构是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案 [1] 氮化镓技术的关键作用 - 为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，这可使磁芯尺寸相比最高300kHz的现有机架式电源缩减约50% [2] - 在800V到1V的电压转换中，只有氮化镓功率器件能够同时满足超高功率密度和超高效率的严苛要求 [1] - 在800V输入侧，氮化镓与碳化硅相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10% [3] - 在54V输出端，仅需16颗氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，将功率密度提升一倍，并使驱动损耗降低90% [3] - 在低压电源转换阶段，采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40% [3] 公司的技术实力与行业地位 - 公司是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案 [5] - 公司成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [5] - 公司第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温(175°C)验证及大样本失效验证，其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年 [5] - 公司正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障 [1]

800 VDC电源架构的行业趋势与优势 - 英伟达将支持800 VDC电源架构，为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 机架电压从48V提升到800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗并最大限度降低对铜材的需求 [1] - 基于48V电压的传统人工智能系统效率低下，超过45%的总功耗耗费在散热上，未来搭载超过500块GPU的机架若沿用旧式设计将无空间容纳计算单元 [1] - 800 VDC架构是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案 [1] 氮化镓技术在800 VDC架构中的关键作用 - 满足800 VDC架构的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，相比现有机架式电源最高300kHz的典型开关频率，提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50% [2] - 在800V输入侧，英诺赛科氮化镓与碳化硅相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10% [2] - 在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，将功率密度提升一倍，并使驱动损耗降低90% [2] - 在低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40% [2] - 基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，提升动态响应并降低电路板上的电容成本 [2] 英诺赛科的公司优势与产品竞争力 - 公司是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案 [4] - 公司是唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [4] - 公司第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温(175°C)验证及大样本失效验证，其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年 [4] - 公司第三代氮化镓器件具备卓越的快速开关特性、高效率、高功率密度及优异可靠性 [4] - 整合800 VDC电源架构与英诺赛科氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃 [4]

香港交易及結算所有限公司及香港聯合交易所有限公司對本公告的內容概不負責，對其準確性 或完整性亦不發表任何聲明，並明確表示，概不對因本公告全部或任何部份內容而產生或因倚 賴該等內容而引致的任何損失承擔任何責任。 自願公告 英諾賽科為800 VDC電源架構提供 全GaN電源解決方案，賦能新一代AI Factories 本公告由英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「本公司」或「英諾賽科」）自願作 出，旨在使本公司股東及潛在投資者了解本公司最新業務發展情況。 NVIDIA將支持800 VDC電源架構。800 VDC機架電源架構為人工智能數據中心 帶來突破性進展，可實現更高效率、更高功率密度，同時降低能耗需求並減少二 氧化碳排放。如同電動汽車行業從400V向800V的升級，機架電壓從48V提升到 800V可使電流降低16倍，從而大幅減少I²R損耗並最大限度降低對銅材的需求。 英諾賽科正與NVIDIA合作，攜手支持800 VDC電源架構，為新一代GPU路線圖 的擴展提供保障。 基於48V電壓的傳統人工智能系統正面臨嚴峻的挑戰—－效率低下、銅耗過高， 超過45%的總功耗耗費在散熱上。未來的人工智能集群（如搭載超過500塊GP ...

公司评级与估值 - 摩根士丹利首次覆盖英诺赛科 评级为与大市同步 目标价95港元 [1] - 目标价相当于预测明年市销率34倍 [1] - 目前估值在很大程度上反映了市场的高预期 [1] 业务与增长前景 - 公司是一家领先的氮化镓功率集成电路厂商 [1] - 公司已做好充分准备从人工智能数据中心、仿人机器人和电动车等世俗增长驱动因素中获益 [1]

摩根士丹利发布研报称，首次覆盖英诺赛科(02577)，评级与大市同步"，目标价95港元，相当于预测明 年市销率34倍。该行指，英诺赛科是一家领先的氮化镓功率集成电路厂商，相信该公司已做好充分准 备，从人工智能数据中心、仿人机器人和电动车等世俗增长驱动因素中获益。该行认为目前的估值在很 大程度上反映了市场的高预期。 ...

公司融资活动 - 公司拟配售2070万股新H股，配售价为每股75.58港元，较上日收市价82.05港元折让7.9% [1] - 此次配售预计所得款项总额为15.6亿港元，净额为15.5亿港元 [1] - 公司于2024年12月30日完成IPO，募资14.51亿港元 [1] 募集资金用途 - 约31%的资金（4.82亿港元）用于产能扩充及产品持续迭代升级，以满足市场指数级增长需求并生产更高等级产品 [1] - 约24%的资金（3.76亿港元）用于偿还有息负债，以优化资本结构，减轻财务负担 [2] - 约45%的资金（6.91亿港元）用作营运资金及一般公司用途，包括人力资源开支和潜在投资 [2] 公司财务状况 - 截至2025年8月末，公司有息负债为25.76亿港元，资产负债率接近50% [2] 公司市场地位与技术优势 - 以2023年末折算氮化镓分立器件出货量计，公司在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4% [2] - 公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓产品的公司 [2] - 与6英寸技术相比，公司8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能使每晶圆晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30% [2] 行业前景 - 预计到2028年，全球氮化镓功率半导体市场规模将达到501亿元人民币，占全球功率半导体市场的10.1% [3] - 相比传统硅材料，氮化镓凭借其性能优势，在电动汽车、数据中心、光伏发电站等领域展现出广阔应用前景 [3]

来源：市场资讯 （来源：第三代半导体产业） 10月10日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称"英诺赛科"）宣布与配售代理签订配售协 议，计划配售20,700,000股新H股，以增强公司财务实力并支持业务扩展。 根据协议，配售代理将尽力促使不少于六名独立专业及机构投资者认购新H股。配售价格定为每股75.58 港元，较最后交易日联交所收市价每股82.05港元折让约7.88%。配售股份占公司现有已发行H股约4.1% 及已发行股份总数约2.31%，配售后将分别占扩大后H股及已发行股份总数的约3.94%及2.26%。 | | | | 估配售 | | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | 配售 | 所得款項 | 2026年 | 2027年 | 2028年 | | 配售所得款項 | | 所得敷項 | 淨額總額的 | 12月31日 | 12月31日 | 12月31日 | | 淨額擬定用途 | | 淨額的分配 | 概約百分比 | 或之前 | 或之前 | 或之前 | | | | (日萬港元) | | (日萬花元) | (日萬港元) | (日萬薩元) | ...