人民财讯12月19日电，12月19日，安森美与格罗方德达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓 功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮 化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工 业、航空航天等应用场景，提供更小、更高能效的优化系统解决方案。 ...

| 序号 | 名称 | 接待机构数量 | 接待方式 | 接待人员 | 接待地点 | 接待日期 | 公告日期 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 1 | 步科股份 | 47 | 现场参观 | 董事长、总 ... | 深圳市南山 ... | 2025/12/11 | 12月15日 | | 2 | 凯众股份 | 32 | 特定对象调研 | 公司董事长 ... | 上海市浦东 ... | 2025/12/11 | 12月15日 | | 3 | 中集集团 | 24 | 路演活动,一 ... | 中集集团董 ... | 北京 | 2025/12/11 | 12月15日 | | 4 | 浙江鼎力 | 10 | 公司现场接待 | 董事会秘书 ... | 公司会议室 | 2025/12/9 | 12月15日 | | 5 | 特宝生物 | 9 | 公司现场接待 | 董事长、总 ... | 公司会议室 | 2025/12/11 | 12月15日 | | 6 | 国机精工 | 6 | 特定对象调研 | 董事长 蒋 ... | 国机精工会 ... | 2025/1 ...

公司动态 - 英诺赛科发布自愿公告，宣布其采用650V氮化镓（GaN）的新一代6.6kW车载充电机（OBC）系统在长安汽车顺利装车 [2] - 该系统由苏州汇川联合动力系统股份有限公司（证券代码：301656，简称“联合动力”）打造，为车载二合一电源产品，将OBC与车载直流变换器（DC-DC）高度集成 [2] - 公司表示，此次成功装车是氮化镓技术在车载电源领域应用的重要里程碑，标志着公司与联合动力在新能源汽车领域的合作迈出了坚实且具有开创性的一步 [2] - 未来，双方将持续紧密合作，共同推动新能源汽车产业向更高效、更可持续的方向升级 [2] 产品与技术 - 新一代6.6kW车载充电机（OBC）系统采用650V氮化镓（GaN）功率器件 [2] - 产品凭借业内领先的充电效率和整机功率密度，为车载电源技术树立了新标杆 [2] - 通过全局效率优化设计，结合英诺赛科650V高压GaN功率器件的低开关损耗和高频特性，该产品显著提升了充电效率与功率密度，实现了技术性能的突破 [2]

公司股价与市场反应 - 英诺赛科股价上涨5.66%，报88.7港元，成交额达1.67亿港元 [1] 技术产品里程碑 - 采用英诺赛科650V氮化镓功率器件的新一代6.6kW OBC系统在长安汽车顺利装车 [1] - 该系统由苏州汇川联合动力系统股份有限公司开发，实现了业内领先的充电效率和整机功率密度 [1] - 该产品为车载二合一电源，高度集成了OBC与车载直流变换器，通过全局效率优化设计提升了性能 [1] - 该事件标志着氮化镓在车载电源技术应用取得突破性进展，是公司在新能源汽车领域的开创性一步 [1] 行业合作与前景 - 英诺赛科与联合动力的合作推动了车载电源技术新标杆的建立 [1] - 双方未来将紧密合作，共同推动新能源汽车产业向更高效、更可持续的方向升级 [1]

产品促销信息 - 绿联UGREEN速显充100W氮化镓充电器正在进行重磅促销活动 [2][3] - 产品活动售价为305元人民币，通过参与立减46元、叠加88VIP双十二消费券满160减20元以及支付宝65元专属补贴券后，最终实付价格仅为174元人民币 [2][3] - 相比原价305元，本次促销直降131元人民币，性价比突出 [2][3] 产品技术规格与性能 - 该充电器采用先进的氮化镓技术，具有体积小巧和散热性能强的特点 [2][3] - 产品支持PD快充协议，最高可实现100W大功率输出 [2][3] - 充电器兼容多口同时快充，Type-C多口设计可满足多设备用户的充电需求 [2][3] 产品兼容性与应用场景 - 产品兼容多种品牌设备，包括iPhone、小米、华为等品牌手机，以及MacBook、笔记本电脑、平板电脑等 [2][3] - 该充电器适用于高效办公与日常出行等多种场景，被描述为全家适用的理想之选 [2][3]

产品发布与规格 - 绿联UGREEN推出了一款45W氮化镓充电器Type-C快充头 支持PD30/20W快充协议 [2][3] - 该产品适配苹果iPhone 16 Pro Max 15 Plus 14等机型 同时也适用于华为和三星的耳机及手机 [2][3] - 其中一款颜色分类为“适用iPhone8-17的冰速白-30W氮化镓款” [2][3] 定价与促销 - 该款充电器的原价为79.90元人民币 [2][3] - 在天猫商城当前到手价仅为39.90元人民币 [2][3] - 相比降价前的价格45.90元 此次降幅达到13% [2][3] - 当前价格低于上次爆料价 [2][3] 技术与市场定位 - 产品采用了氮化镓技术 能够实现快速充电 [2][3] - 产品设计旨在满足多种设备的充电需求 [2][3]

合作概述 - 安森美与英诺赛科于12月4日签署谅解备忘录，布局氮化镓功率器件市场，预计2026年上半年开始提供样品 [1] - 合作旨在整合英诺赛科的氮化镓制造能力与安森美在系统封装与集成的优势，加速氮化镓技术在多个关键领域的应用 [2] - 双方合作将首先从40-200V功率器件入手，以提升客户采用率 [1] 合作战略与目标 - 合作旨在利用英诺赛科业界最大的氮化镓生产基地，迅速扩大面向全球客户的氮化镓产品交付，推动在主流电力应用中的普及 [1] - 战略合作有望在未来几年为英诺赛科带来数亿美元的氮化镓销售额，并为双方在市场开拓中带来先机 [2] - 目标是通过优化封装、减少元器件数量和简化热管理，实现更紧凑的设计并降低整体系统成本 [3] 技术优势与市场机遇 - 氮化镓相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗，但此前在低压和中压领域的应用受成本和供应限制 [1] - 氮化镓器件凭借更高的开关速度、更小的尺寸和更低的能耗，能在更小空间内提供更大功率 [2] - 预计到2030年，氮化镓将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024至2030年期间复合年增长率预计达42% [2] 应用领域与产品规划 - 合作产品将覆盖工业、汽车、电信基础设施、消费电子和AI数据中心市场 [1] - 具体应用包括：工业领域的机器人电机驱动器、太阳能微型逆变器及优化器；汽车领域的DC-DC转换器、同步整流；电信基础设施的DC-DC转换器与负载点转换器；消费及大众市场的电源、适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、音频设备、轻型电动汽车、电动工具、机器人；AI数据中心的中间总线转换器、DC-DC转换器、备用电池 [3] - 合作将结合双方优势实现快速原型制作、加速设计导入，并迅速进入主流市场，满足大批量产能爬坡需求 [3]

产品信息 - 绿联冰速充30W氮化镓充电器是一款多口快充充电器 [2][3] - 该产品适用于苹果、华为等安卓手机 [2][3] - 产品采用氮化镓技术，充电效率高 [2][3] 促销活动 - 该产品在天猫精选的活动售价为39.9元 [2][3] - 下单领取首购礼金优惠券后，买1件实付价格可低至28.9元 [2][3] - 产品原价为39.9元，促销后以28.9元的价格销售 [2][3]

信越化学与QST衬底技术进展 - 2025年11月，信越化学与imec合作，在300mm QST衬底上制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构，实现超过650V的高击穿电压，据称为全球最高[2] - QST衬底由美国Qromis开发，信越化学于2019年获授权生产150mm和200mm QST衬底，并于2024年9月开始合作交付300mm QST衬底样品[2] - 实验显示，在300mm QST衬底上制备的5μm厚GaN HEMT结构击穿电压超过800V，得益于衬底与GaN热膨胀系数匹配，解决了大直径硅片生长GaN时的"衬底翘曲"问题[3] - 采用大直径衬底进行大规模生产可降低器件成本，公司已开始扩建150mm和200mm QST衬底生产设施，并推进300mm QST衬底的大规模生产[3] imec 300mm GaN功率电子项目 - 2024年10月，imec宣布启动300mm GaN开放创新项目，首批合作伙伴包括AIXTRON、GlobalFoundries、KLA、Synopsys和Veeco，项目旨在开发300mm GaN外延生长技术及低压/高压HEMT工艺流程[5] - 项目首先建立基准横向p-GaN HEMT技术平台用于低压应用（100V及以上），采用300mm Si(111)衬底，后续针对650V及以上高压应用将采用300mm QST工程衬底[6] - 过渡至300mm晶圆优势包括扩大生产规模、降低制造成本，并可利用先进300mm设备开发更先进GaN功率器件，如用于CPU/GPU节能电源分配的超小型低压p-GaN栅极HEMT[6] - imec预计2025年底前在其300mm洁净室全面安装工艺设备，项目成功依赖于从外延生长到封装解决方案的生态系统创新[7] 英飞凌300mm GaN技术突破 - 2023年9月，英飞凌宣布成功开发业内首款300mm功率GaN晶圆技术，利用其现有300mm硅晶圆制造基础设施，在奥地利菲拉赫的300mm功率晶圆厂试验线生产[8] - 300mm晶圆可从每片晶圆生产出两倍数量的功率集成电路，降低单个芯片成本，使GaN芯片成本在同等效率下更接近硅芯片水平[8] - 更大尺寸晶圆若制造成本增加50%但可生产两倍数量芯片且良率更高，则每个器件单位成本降低，公司持续加大对宽禁带半导体技术的投资[9] - 英飞凌在高压碳化硅解决方案市场亦非常活跃，拥有Cool SiC MOSFET、二极管和集成功率模块产品组合[9] GaN技术应用与市场前景 - GaN技术潜力在快速电池充电器等电力电子应用中凸显，产品以更小尺寸、更轻重量和更高能量转换效率进入市场，优于硅基解决方案[6] - 应用领域包括汽车车载充电器、直流/直流转换器、太阳能逆变器、电信和人工智能数据中心配电系统，有助于社会整体脱碳、电气化和数字化[6] - 晶圆直径增大是显著趋势，200mm晶圆产能已基本满足市场需求，imec凭借200mm领域专业技术向300mm迈进[6] - GaN功率电子器件在电动汽车、太阳能逆变器、充电器和AI处理器电源等高密度功率转换应用中迅速占据一席之地[8]

800 VDC电源架构的优势与必要性 - 800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放 [1] - 机架电压从48V提升到800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗并最大限度降低对铜材的需求 [1] - 基于48V电压的传统人工智能系统效率低下，超过45%的总功耗耗费在散热上，未来搭载超过500块GPU的机架若沿用旧式设计将无空间容纳计算单元 [1] - 800 VDC架构是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案 [1] 氮化镓技术的关键作用 - 为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，这可使磁芯尺寸相比最高300kHz的现有机架式电源缩减约50% [2] - 在800V到1V的电压转换中，只有氮化镓功率器件能够同时满足超高功率密度和超高效率的严苛要求 [1] - 在800V输入侧，氮化镓与碳化硅相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10% [3] - 在54V输出端，仅需16颗氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，将功率密度提升一倍，并使驱动损耗降低90% [3] - 在低压电源转换阶段，采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40% [3] 公司的技术实力与行业地位 - 公司是业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案 [5] - 公司成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商 [5] - 公司第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温(175°C)验证及大样本失效验证，其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年 [5] - 公司正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障 [1]