氮化镓器件

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光刻机概念活跃 中船特气、凯美特气等涨停
证券时报网· 2025-08-13 11:12
光刻机概念股表现 - 光刻机概念股盘中走势活跃 中船特气、凯美特气、东材科技等涨停 华特气体、华懋科技涨超9% [1] 第三代半导体技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展 首次研制商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延 [1] - 该技术显著降低氮化镓外延材料缺陷密度 大幅提升散热性能 各项指标达国际领先水平 有望解决可靠性问题 [1] - 突破大尺寸氮化镓与碳化硅材料单片集成的技术瓶颈 可批量应用于大尺寸高质量氮化镓外延材料制备 为硅基氮化镓技术路线提供替代方案 [1] 氮化镓行业前景 - 5G技术、汽车、无线通信、航天航空等领域发展推动对耐高温、耐高压、高频及大功率性能的需求 [2] - 氮化镓作为第三代宽禁带半导体代表 具有宽禁带、高击穿场强、高热导率和高电子漂移速率等优势 [2] - 氮化镓器件导通电阻小、电子迁移率高、热导性好 在散热、能耗、体积方面优势明显 可提升电力电子器件性能并节省能源 [2] - 厂商正通过垂直型结构和提高集成度寻求技术突破 氮化硅功率器件性能及性价比提升后 在高、中、低电压场景均有发展潜力 [2] - 氮化镓在汽车电气系统、大规模集成电路、无线通讯等领域发展前景广阔 [2]
别再盯着稀土矿了!中国30年布下的产业天网,才是美国最怕的武器
搜狐财经· 2025-06-17 02:47
稀土产业生态构建 - 美国稀土储量占全球约10%,芒廷帕斯矿脉资源丰富,但产业瓶颈不在资源或技术层面[1] - 稀土精炼需复杂生态体系支撑,如金属镓生产需消耗十万吨级铝土矿原料及相当于十座核电站的能源[3] - 中国稀土产业通过副产品循环利用(如铝渣变建材、废酸再生、钍入核能链)使综合成本降低40%以上[5] 美国重建稀土链的挑战 - 美国缺乏配套产业消化稀土精炼伴生物,环保成本将几何级增长,模拟测算显示F-35战机造价或从1亿跃升至10亿美元[7] - 历史案例Molycorp公司因孤岛式生产模式破产,中国氮化镓器件已进入民用雷达领域形成竞争[9] - 华尔街资本评估显示重建需百亿美元起步且配套百万工人,面临负现金流深渊,中国可通过产能调控压制新建产线[11] 全球产业权力转移 - 中国稀土产业护城河在于资源、能源、人才、市场编织的精密网络,生态优势难以短期复制[12] - 美国五年重建计划被视作违背产业规律的豪赌,产业博弈核心已转向生态系统构建能力[14]
英伟达力推数据中心800V革新,需要大量碳化硅/氮化镓
行家说三代半· 2025-05-23 18:00
氮化镓(GaN)产业白皮书参编企业 - 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 英伟达数据中心电源架构革命 - 英伟达发起数据中心第二次电源架构革命,与英飞凌和纳微合作降低数据中心电源能耗[2] - 新架构需采用大量碳化硅和氮化镓器件,规格包括6500V、3300V、2300V、1200V和650V碳化硅器件,以及650V和1200V氮化镓器件[3] - 英伟达计划从2027年开始向800V HVDC数据中心电力基础设施过渡[4] 合作伙伴与技术方案 - 英飞凌与英伟达合作开发基于全新架构的800V高压直流(HVDC)系统,提供硅、碳化硅和氮化镓器件解决方案[5] - 纳微半导体与英伟达合作开发下一代800V HVDC架构,支持为GPU供电的"Kyber"机架级系统,采用GaNFast和GeneSiC电源技术[6] - 合作伙伴包括芯片厂商(英飞凌、MPS、纳微、罗姆、意法、德州仪器)、电源厂商(台达电、昂宝、Flex Power、Lead Wealth、麦格米特)及数据中心电力系统厂商(伊顿、施耐德、维谛技术)[10] 数据中心电源架构变革背景 - 数据中心耗电量惊人,2021年中国数据中心耗电量达2372亿千瓦时,相当于2个三峡电站发电量[7] - 第一次电源架构变革发生在2017年,谷歌提出将数据中心低压侧电源从12V转向48V[8] - 英伟达发起第二次革命,目标是将数据中心从54V低压直流转变为800V高压直流[13] 54V低压直流系统的问题 - 空间限制:兆瓦级机架下,54V系统占用高达64U机架空间,挤占计算资源[14] - 铜线需求量大:1MW机架需200公斤铜母线,1GW数据中心需50万吨铜[14] - 电源转换效率低:反复交流/直流转换导致能源效率低下并增加故障点[15] 800V HVDC架构优势 - 铜用量减少45%,效率提高5%,维护成本降低70%[17] - 端到端效率提高5%,总拥有成本(TCO)降低高达30%[24] - 维护成本降低70%,冷却费用降低[25][26] 技术实现细节 - 13.8kV交流转换为800V直流需大量碳化硅MOSFET器件(6500V、3300V、2300V、1200V)[20] - 800V直流转54V/12V需650V和100V氮化镓器件及650V和1200V碳化硅器件[20] - 800V架构减少带风扇电源(PSU)数量,提高系统可靠性并降低散热量[22] 行业影响与未来计划 - 800V HVDC数据中心全面投产将于2027年与NVIDIA Kyber机架级系统同步进行[26] - 该架构支持AI工作负载的可持续增长,应对日益苛刻的AI模型需求[24][26]