HBM技术路线图概述 - HBM技术围绕"更高带宽"目标发展，从HBM1的256GB/s带宽提升至HBM8的64TB/s，I/O数量从1024个增至16384个，数据速率从2Gbps提升至32Gbps [3] - 存储容量实现指数级增长，HBM1单颗容量4/8GB，HBM4达36/48GB，HBM8将突破200/240GB，堆叠层数从4/8-Hi增至20/24-Hi [4] - 3D集成技术持续突破，键合精度从35μm级向10-15μm级演进，HBM5采用无凸点Cu-Cu直接键合技术 [3] HBM4关键技术特征 - 电气性能实现144%带宽提升，通过2048个I/O和8Gbps数据速率达到2TB/s带宽，采用2μm以下金属线宽和多层RDL设计优化信号完整性 [10] - 封装工艺创新显著，微凸点间距缩小至25μm级，中介层尺寸从2194mm²扩大至4788mm²，TSV密度达10000个/mm² [13][14] - 架构革命性突破在于集成NMC处理器和LPDDR控制器的自定义基底die设计，支持7种数据操作模式，带宽利用率提升30% [16][17] 计算存储融合趋势 - HBM5开始嵌入NMC处理器die与L2缓存die，形成3D异构计算单元，使矩阵运算能效提升数倍 [5] - HBM7引入"双塔式HBM-NMC"架构，通过两堆DRAM与2048条中介层通道连接GPU，构建存储为中心的计算架构 [5] - HBM8采用全3D集成架构，GPU可直接部署在存储堆叠顶部，实现"存储即计算"的终极形态 [6] 散热与能效优化 - 散热技术从HBM1的被动冷却演进至HBM7的嵌入式冷却结构，可应对160W级功耗，HBM8采用双面冷却设计控制180W功耗 [7] - HBM4能效比提升50%，功耗仅从25W增至32W，采用D2C液冷技术将热密度控制在500W/cm²以下 [12][15] - AI驱动的电源管理优化，通过强化学习算法布局去耦电容，电源噪声降低20% [19] AI设计范式革新 - AI工具应用于HBM4全流程设计，信号完整性提升15%，研发效率提高50%，采用生成式AI技术优化均衡器设计 [19][20] - LLM模型介入前端架构设计，实现自然语言交互的SI/PI指标估算，开启智能设计新时代 [8] - 多物理场仿真与机器学习代理模型可在数小时内完成传统需数周的设计空间探索 [20] 中介层与封装创新 - HBM6采用硅/玻璃混合中介层突破尺寸限制，支持超大规模HBM堆叠与GPU集成 [50] - HBM7引入HBF（高带宽闪存）架构，通过128GB/s链路实现内存-存储一体化网络 [53][56] - HBM8采用双面中介层设计，嵌入冷却通道与垂直互连柱，实现存储堆叠与GPU的全3D集成 [69][70]

根据提供的金融工程日报内容，该报告主要聚焦市场表现和资金流向监测，未涉及量化模型或量化因子的构建与分析。以下是报告核心内容的分类总结： --- 市场表现指标 1. **宽基指数表现** - 沪深300指数上涨0.12%，中证500成长指数涨幅最高（0.64%）[6][7] - 科创100指数领涨板块指数（+0.87%）[6] 2. **行业与概念表现** - 电子（+1.51%）、通信（+1.22%）行业涨幅居前[7] - 覆铜板（+5.45%）、电路板（+5.22%）概念表现最佳[9] 3. **市场情绪指标** - 封板率66%（较前日+1%），连板率25%（较前日+7%）[16] - 昨日涨停股今日平均收益1.12%，跌停股平均收益-5.64%[13] --- 资金流向监测 1. **两融数据** - 两融余额18,273亿元（融资占比99.3%），占流通市值2.3%[18][21] - 两融交易额占市场总成交额9.1%[21] 2. **折溢价指标** - ETF溢价最高：游戏ETF华泰柏瑞（+1.01%）[23] - 大宗交易折价率5.57%（近半年均值5.54%）[25] 3. **股指期货贴水** - 中证1000股指期货贴水率22.79%（近一年13%分位）[27] --- 机构行为追踪 1. **调研热度** - 乐鑫科技获253家机构调研（近一周最高）[29] 2. **龙虎榜资金** - 机构净流入前三：中超控股、中科磁业、金橙子[35] - 陆股通净流入前三：沪电股份、南华期货、生益电子[36] --- 注：报告未包含量化模型/因子构建相关内容，以上均为市场监测数据[1][2][3][4][5]

6月18日，上证指数早盘一度小幅回升，随后回落下探，之后震荡回升，午后持续回升，随后窄幅震荡；深证成指、创业板 指早盘一度小幅回升，随后震荡回落，午后回升上扬，之后有所回落；科创50指数早盘一度上扬，随后回落走低，临近午 盘震荡回升，午后拉升上扬，随后有所回落。截至收盘，上证指数报3388.81点，涨0.04%，成交额4410.11亿元；深证成指 报10175.59点，涨0.24%，成交额7500.77亿元；创业板指报2054.73点，涨0.23%，成交额3718.48亿元；科创50指数报968.18 点，涨0.53%，成交额204.43亿元。沪深两市合计成交11910.88亿元，成交额较上一交易日减少161.34亿元。 电子、通信等行业走强金牛化工、贝肯能源等股均4连板 盘面上来看，行业板块、概念跌多涨少。其中，电子、通信、国防军工、银行、电力设备等行业涨幅靠前；PCB、存储芯 片、光通信模块、AI眼镜、玻璃基板、复合集流体等概念走势活跃。美容护理、房地产、建筑材料、证券、轻工制造、保 险、纺织服饰、教育等行业跌幅居前；盲盒经济、人脑工程、稀土永磁、谷子经济、乳业、户外露营、化妆品、AI医疗、 宠物经济等概 ...

存储芯片概念板块表现 - 截至6月18日收盘，存储芯片概念上涨2.14%，位居概念板块涨幅第6位，板块内87股上涨 [1] - 科翔股份20%涨停，大为股份、中京电子等涨停，聚辰股份、信宇人、有方科技等涨幅居前，分别上涨8.85%、8.73%、8.00% [1] - 跌幅居前的有成都华微、东方中科、怡亚通等，分别下跌1.99%、1.90%、1.13% [1] 资金流向 - 存储芯片概念板块获主力资金净流入16.38亿元，62股获主力资金净流入，5股主力资金净流入超亿元 [1] - 中京电子主力资金净流入1.66亿元居首，科翔股份、澜起科技、大为股份分别净流入1.58亿元、1.56亿元、1.54亿元 [1] - 中京电子、大为股份、科翔股份主力资金净流入率分别为28.81%、18.01%、15.32% [2] 个股资金流入情况 - 中京电子今日涨跌幅10.01%，换手率11.18%，主力资金净流入1.66亿元 [2] - 科翔股份今日涨跌幅19.98%，换手率31.73%，主力资金净流入1.58亿元 [2] - 澜起科技今日涨跌幅1.00%，换手率1.51%，主力资金净流入1.56亿元 [2] 其他资金流入个股 - 同有科技主力资金净流入1.05亿元，涨跌幅7.63%，换手率14.47% [2] - 全志科技主力资金净流入9996.83万元，涨跌幅3.09%，换手率4.78% [2] - 德明利主力资金净流入8859.97万元，涨跌幅4.47%，换手率10.07% [2] 资金流出个股 - 东方中科主力资金净流出1641.23万元，涨跌幅-1.90%，换手率4.53% [6] - 北方华创主力资金净流出3806.00万元，涨跌幅0.02%，换手率0.48% [7] - 信宇人主力资金净流出3499.06万元，涨跌幅8.73%，换手率35.37% [7]

MiniLED概念板块表现 - 截至6月18日收盘，MiniLED概念上涨2.14%，位居概念板块涨幅第7位 [1] - 板块内72股上涨，逸豪新材、科翔股份、联建光电等20%涨停，中京电子涨停 [1] - 中富电路、威尔高、华灿光电等涨幅居前，分别上涨11.86%、7.65%、6.58% [1] - 跌幅居前的有厦门信达、ST德豪、*ST高斯等，分别下跌10.06%、3.96%、2.97% [1] 概念板块涨跌幅对比 - 兵装重组概念涨幅最高达3.51%，PCB概念涨3.29%，CPO涨2.63% [2] - MicroLED概念涨2.24%，AI PC涨2.17%，存储芯片涨2.14% [2] - 草甘膦概念跌幅最大达2.82%，稀土永磁跌2.57%，可燃冰跌2.48% [2] 资金流向情况 - MiniLED概念板块获主力资金净流入10.17亿元 [2] - 53股获主力资金净流入，8股主力资金净流入超5000万元 [2] - 生益科技净流入2.11亿元居首，中京电子、科翔股份、弘信电子分别净流入1.66亿元、1.58亿元、1.03亿元 [2] 个股资金流入详情 - 中京电子主力资金净流入率最高达28.81%，逸豪新材19.36%，科翔股份15.32% [3] - 生益科技主力资金净流入2.11亿元，净流入比率12.55% [3] - 联建光电流入9098万元，比率11.96%；中富电路流入7066万元，比率9.85% [3] - 逸豪新材流入6746万元，比率19.36%；鹏鼎控股流入6688万元，比率6.68% [4]

高压氧舱概念板块表现 - 截至6月18日收盘，高压氧舱概念下跌2.26%，位居概念板块跌幅榜前列 [1] - 板块内澳洋健康、国际医学、威奥股份等跌幅居前 [1] - 高压氧舱概念在今日涨跌幅榜中排名倒数第四，仅次于草甘膦(-2.82%)、稀土永磁(-2.57%)和可燃冰(-2.48%) [2] 资金流动情况 - 今日高压氧舱概念板块获主力资金净流出3.63亿元 [2] - 板块内7股获主力资金净流出，创新医疗净流出3.08亿元居首 [2] - 澳洋健康、大湖股份、盈康生命分别净流出2701.35万元、853.17万元、679.71万元 [2] - 三星医疗和国际医学获得主力资金净流入，分别为124.28万元和42.78万元 [2] 个股表现详情 - 创新医疗今日下跌2.29%，换手率36.76%，主力资金净流出30813.97万元 [2] - 澳洋健康跌幅达7.93%，换手率17.53%，主力资金净流出2701.35万元 [2] - 威奥股份下跌2.54%，换手率2.03%，主力资金净流出184.61万元 [2] - 三星医疗逆势上涨1.30%，换手率0.87%，主力资金净流入124.28万元 [2] - 国际医学下跌2.66%，换手率1.76%，主力资金净流入42.78万元 [2]

报告核心观点 报告对2025年6月18日市场情况进行回顾，展示主要指数、申万一级行业和概念板块表现 [1] 市场回顾 - 今日沪指涨跌幅为0.04%，深证成指涨跌幅为0.24%，创业板指涨跌幅为0.23% [1] - 申万一级行业中电子、通信、国防军工涨幅居前，非银金融、轻工制造、纺织服饰涨幅居后 [1] - 概念板块中电路板、连板、存储器概念表现较好，稀土永磁、稀土、营销传播概念表现较差 [1]

合作备忘录签署 - 公司与全球存储巨头闪迪签署《有约束力的合作备忘录》，面向移动及IOT市场推出定制化UFS产品及解决方案 [1][2] - 合作基于公司在主控芯片、固件研发和封测制造的能力，以及闪迪在NAND Flash技术和系统设计的优势 [2] - 解决方案采用闪迪BiSC8 218层3D闪存技术及CBA技术，强调成本竞争力与性能可靠性 [2] - 公告后首个交易日公司股价大涨6 83%，收盘报76 6元/股 [1][3] 全球化布局与市场地位 - 公司为全球第二大独立存储器企业及中国最大独立存储器企业 [3] - 2017年收购美光旗下Lexar品牌，构建覆盖60多国的销售网络 [3] - 2023年收购巴西SMART Brazil（现Zilia）股权，强化海外布局 [3] - 境外营收持续增长：2022年65 11亿元（占比78 16%）、2023年78 06亿元（77 1%）、2024年124 25亿元（71 15%） [3] 财务表现与研发投入 - 2019-2021年营收CAGR达30 54%，归母净利润CAGR达182 42% [4] - 2024年营收174 64亿元（同比+72 48%），归母净利润4 99亿元（扭亏） [4] - 2025年Q1营收42 56亿元（同比-4 41%），亏损1 52亿元（主因存货跌价计提） [5] - Q1经营现金流净额1 53亿元（同比环比均转正），企业级存储产品收入3 19亿元（同比+200%） [5] - 研发费用持续增加：2022年3 56亿元、2023年5 94亿元、2024年9 10亿元、2025年Q1 2 29亿元，累计20 89亿元 [5] 产品与技术能力 - 主营业务覆盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线 [4] - 具备存储芯片设计、主控芯片设计等核心能力 [4] - 企业级存储产品组合（eSSD和RDIMM）取得突破 [5]

DDR4价格快速上涨 - DDR4价格近期快速上涨 8GB和16GB规格的DDR4现货出现单日价格上涨近8% [1] - 深圳华强北电子市场经销商反映价格跳涨 每天报价不同 暂时很难拿到货 [1] - 第二季度个人电脑DDR4模组合约价预计环比增长13%至18% 涨幅较此前估计的3%至8%明显扩大 [1] - 第二季度服务器DDR4模组价格涨幅由此前估计的5%至10%上修为18%至23% [1] DDR4价格上涨原因 - 国际原厂逐步削减甚至停产DDR4 市场上DDR4供应减少 而需求未降低 供需失衡 [1] - 国际三大原厂三星 SK海力士 美光产能持续向DDR5 LPDDR5x及HBM等高性能存储领域倾斜 形成显著市场真空 [1] - 工业控制系统 汽车电子基础模块等领域仍对DDR4有较强需求 客户向DDR5切换对部分应用领域容量太大 而DDR3无法支持所需容量 [2] DDR4市场现状 - DDR4技术2016年进入成熟期并成为市场主流技术 目前或进入产品生命周期后期阶段 [2] - 从DDR4的生命周期来看 它问世已经超过10年 未来几年仍将在一些场景中使用 [2] - 当下正处于DDR5技术市场渗透率提升的窗口期 [2] 上市公司布局与机遇 - 澜起科技DDR4及DDR5内存接口芯片广泛应用于国际主流内存 服务器和云计算领域 占据全球市场重要份额 [2] - 江波龙DRAM产品以DDR4 DDR5为主 涵盖LPDDR及DDR内存条等主流产品 [2] - 东芯股份在标准DDR3 DDR4以及低功耗产品系列上都有相应规划 在产能端逐步拓展 客户端逐步发力 [3] - 澜起科技是DDR5RCD芯片国际标准的牵头制定者 2024年公司DDR5内存接口芯片出货已超过DDR4 [3] - 受益于AI产业趋势推动及内存接口行业迭代规律 预计2024年DDR5内存接口芯片需求及渗透率较2023年大幅提升 [3] 行业发展趋势 - 国际原厂腾出巨大市场空间 为我国厂商发展创造机遇 [3] - 已在DDR4市场占据一席之地的公司及能迅速调整生产线满足市场需求的公司 有望因价格上涨和转单效应受益 [3] - 相关企业需把握产品迭代红利 掌握下一代产品先发优势 [3]

报告行业投资评级 - 看好（维持） [1] 报告的核心观点 - 价格周期+AI产业趋势+关税多重共振，存储芯片价格有望持续上涨 [3] 根据相关目录分别进行总结 原厂减产叠加关税推动存储芯片价格持续上涨 - DRAM和NAND闪存芯片平均市场价格均呈上涨趋势，5月8GB DDR4内存颗粒价格升至2.10美元，较4月上涨约27%，6月DDR4维持涨势，美光6月DDR4报价大幅跳涨50%，三星8GB DDR4现货价格达4.8美元，DDR4 16Gb已涨价至6美元，超过DDR5同规格市场行情；韩国内存公司三星和SK海力士停止DDR4生产，受供应商收敛产出和美国关税导致买方提前备货等因素，第二季server与PC DDR4价格上涨，预期涨幅分别季增18% - 23%和13% - 18% [4] - 5月用于记忆卡和USB的128GB NAND平均价格达2.92美元，较4月上涨4.84％，原厂减产叠加关税将推动存储价格持续上涨 [4] 存力在AI产业链中至关重要，AI产业浪潮推动存储芯片需求提升 - 存储模组是数据中心及服务器关键组成部分，海外云厂商资本开支维持较高水平，饱满的服务器需求推动存储模组市场持续扩容，国内云厂商资本开支持续加码，国内算力芯片出货量持续提升，国产存储模组有望迎来市场规模及国产化率提升 [5] - HBM采用TSV技术堆叠DRAM die以大幅提升I/O数，配合2.5D先进封装制程，在维持较低内存频率的同时达到更显著的总通道宽度提升，已广泛应用于各类算力芯片中 [5] - 随边缘端算力发展，NPU + 3DRAM或成为产业趋势，AI端侧将拉动Nor Flash等利基存储需求 [5] 受益标的 - 存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创 [6] - 先进存储厂商：兆易创新、恒烁股份等 [6] - 边缘侧Nand/Nor flash厂商：兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等 [6]