报告行业投资评级 - 看好（Overweight），即行业超越整体市场表现 [9] 报告的核心观点 - 全球三大DRAM原厂确定从DDR4转向先进制程产品，DDR4时代加速落幕，全球内存市场迎来新一轮技术迭代周期 [3] - 受原厂退出影响，DDR4现货价大幅上涨，下游客户积极囤货 [3] - 国产存储的崛起加速了国际巨头退场，国内厂商也在加速向高端产品转型 [3] - 本土存储厂商有望承接转单与利基市场，兆易创新在利基市场品类初具规模 [3] - 存储模组厂商的存货价值或受益于DDR4价格上涨 [3] - 投资分析意见为重点关注兆易创新、澜起科技以及江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创等存储模组厂商 [3] 根据相关目录分别进行总结 原厂决策与市场趋势 - 全球三大DRAM原厂三星、SK海力士、美光确定从DDR4转向先进制程产品，预计未来2 - 3个季度内消费类、手机、PC及数据中心用DDR4逐步缩产或减产 [3] - 三星2025年重点生产1a/1b纳米制程的DDR5和HBM3E，DDR4库存主要用于长约客户；SK海力士聚焦企业级与AI市场，大连工厂转产HBM3E和LPDDR5X；美光仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品 [3] 价格变化 - 受原厂退出影响，下游客户积极囤货，DDR4现货价大幅上涨，6月涨幅加速，DDR4 8Gb和DDR4 16Gb相较于月初分别涨85.1%/110.2%和65.6%/85.5% [3] 国产存储发展 - 长鑫存储等中国内存厂商的崛起对传统巨头构成竞争压力，2024年长鑫产能分别已达到三星/海力士/美光的23%/38%/40% [3] - 国内厂商在产品升级背景下，紧跟趋势加速向高端产品转型 [3] 本土厂商机会 - 兆易创新布局较早，2021年成立DRAM事业部，2024年推出DDR4 8Gb产品，后续继续研发LPDDR4小容量产品，预计2025年能覆盖主要利基市场需求并实现量产供应 [3] 模组存货价值 - 存储模组厂商的存货价值或受益于DDR4价格上涨，截止25Q1，江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创存货分别为78.14亿、43.95亿、38.11亿、10.2亿 [3] 投资建议 - 重点关注兆易创新（DDR4），澜起科技（接口芯片）以及江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创等存储模组厂商 [3] 重点公司估值 | 证券代码 | 证券简称 | 收盘价(元) | 总市值（亿元） | 2025E净利润 | 2026E净利润 | 2027E净利润 | 2025E PE | 2026E PE | 2027E PE | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 603986 | 兆易创新 | 118.96 | 790 | 1578 | 2068 | 2541 | 50.1 | 38.2 | 31.1 | | 688008 | 澜起科技 | 81.57 | 934 | 2208 | 3009 | 3806 | 42.3 | 31.0 | 24.5 | | 301308 | 江波龙 | 80 | 335 | 691 | 1054 | 1318 | 48.5 | 31.8 | 25.4 | | 001309 | 德明利 | 124.25 | 201 | 558 | 781 | 860 | 36.1 | 25.7 | 23.4 | | 688525 | 佰维存储 | 62.49 | 288 | 488 | 715 | 942 | 59.1 | 40.3 | 30.6 | | 300475 | 香农芯创 | 36.02 | 167 | 633 | 832 | 1205 | 26.4 | 20.1 | 13.9 | [4]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：电子存储行业，细分包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash、企业级SSD等市场 - **公司**：SK海力士、三星、美光、兆易创新、北京君正、江波龙、德明利、百维存储、朗科科技、万润科技、深科技、铜芯科技、华邦电子、紫光国芯、青云科技、亿联网络、亿恒创园、大普微电子、威刚科技、浪潮信息等 [18][24][28] 纪要提到的核心观点和论据 存储市场价格上涨原因 - 存储需求回暖，5月DRAM和NAND价格连续两月上涨，DRAM 5月平均价格上涨27%，4月上涨22%；多家原厂上调DRAM价格、停产DDR3和DDR4推动补货需求；美国对等关税政策和90天暂停期提升囤货热情 [3][4] AI技术对存储市场的影响 - 全球AI驱动的存储市场预计从2024年的287亿美元激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达22.4%；中国存储产业链受益于AI自主可控政策，在利基DRAM、NAND和NOR Flash领域开拓；AI应用使Flash市场容量和需求上升，驱动企业级SSD和NOR Flash市场增长 [1][5] 存储行业国产化前景 - 国产化前景广阔，虽2024年国产DRAM份额低于5%，国产NAND Flash芯片市场份额低于10%，但市场需求与政策驱动下国产化率有望提升；国内上市公司覆盖利基DRAM、NOR Flash、小容量NAND Flash等领域，形成差异化格局 [14] HBM与传统内存对比 - HBM具备更高带宽、更低功耗等优势，为端侧AI提供适配存储方案；预计2025年HBM占全球DRAM总产能比例超10%，产值占比超30%，市场规模从2024年的6979亿增长到2029年的8934亿，年复合增长率约5% [1][8] CXL技术重构算力基础设施 - CXL通过内存池化等特性改善计算系统组件间通讯效率；预计到2028年新增市场规模近160亿美元，中国占50%约80亿美元；与传统方案相比每GB内成本降低约一半 [1][9][10] MRDIMM在AI时代的作用 - MRDIMM借助DDR5规范提升带宽及运算效能，容量大、成本低、扩展方便，可兼容DDR5插槽，在科学计算、大语言模型推理等场景效能提升显著，推动终端市场需求增长，加速AI基础设施建设 [3][11] 分布式存储技术在AI中的应用优势 - 分布式存储技术提供系统可扩展性和容错性，优化AI训练和推理中的数据保护和管理，满足高阶智能驾驶时代数据闭环和传感器多模态数据存储需求 [12] 自动驾驶对边缘侧数据存储的要求 - 自动驾驶对边缘侧数据存储可靠性要求极高，需同步提升存储能力以满足实时性要求，多数数据在边缘侧处理和存储，带动边缘侧存储空间增长，预计边缘存储增长速度是核心存储的两倍，需采用多种数据冗余和保护机制 [13] DRAM市场趋势 - 呈现利基市场格局重塑与3D DRAM走向产业化趋势；中国DRAM市场增速预计高于全球，到2029年规模有望增长至3440亿元；短期内DDR4利基市场行情优于主流存储市场 [3][16] NAND Flash市场状况及预测 - 2024年Q4和2025年Q1受库存和需求影响营收下滑，Q2行情好转营收有望反弹，品牌厂营收环比增长10%左右；Q3企业级SSD需求成价格上涨主要支撑，价格季涨幅有望达10%左右 [21] 云服务供应商AI投资计划 - 多个海外云服务供应商大厂维持或提高2025年资本支出计划，如Meta、谷歌、微软；国内阿里巴巴、腾讯、百度、字节跳动也有相关投入，推动企业级SSD市场增长 [22][23] 中国企业级SSD市场发展情况 - 2024年市场规模为62.5亿美元，同比增长显著；预计到2029年达91亿美元，本土存储模组厂市场份额有望快速提升 [3][24] NOR Flash利基市场发展前景 - 受益于物联网、汽车电子、5G等领域发展及端侧AI扩容，总需求增长；汽车电子和物联网对NOR Flash需求增加，预计到2028年全球市场规模持续增长 [25] AI PC与智能可穿戴设备对Flash存储的影响 - AI PC渗透率增长为Non - Volatile Storage业务带来增量；智能可穿戴设备对NAND Flash容量要求提升；国内企业在NAND Flash行业逐步形成竞争优势 [27] 其他重要但是可能被忽略的内容 - **DDR3和DDR4市场迭代**：DDR3从推出到市场占比达84%用了约7年，DDR4推出后DDR3价格下跌但未完全脱离主流市场，目前DDR3价格因市场景气度和停产计划临近有所提高；短期内DDR4利基市场行情因供需不平衡优于主流市场，兆易创新等有望受益 [17] - **高带宽堆叠DRAM发展趋势**：需求因AI产业崛起增加，2024 - 2029年复合年增长率超25%；技术路径有HBM和堆叠晶圆；SK海力士、三星和美光垄断全球HBM市场，多家厂商投入3D DRAM研发 [18] - **先进半导体设备与产线要求影响**：头部厂商推动DRAM制程进步，未来可能有更多存储厂商与台积电等合作；先进封装方面，行业共识混合键合技术适用于未来多层次HBM [19] - **北京君正3D DRAM研发情况**：3D DRAM处于研发中，进展基本符合预期，可满足客户个性化需求，提供更好带宽 [20] - **值得关注的公司**：包括存储IC设计、互联控制芯片、存储模组、封测、系统解决方案等领域的公司，如兆易创新、蓝思科技、德明利等 [28] - **风险提示**：需关注国际形势变化引发进出口政策调整、下游行业不及预期、AI产业发展不及预期等风险，可能影响价格、行情和盈利水平 [29]

报告行业投资评级 - 看好（维持） [5] 报告的核心观点 - AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔存储需求回暖，5月DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度AI已成为存储需求增长的关键动力，全球AI驱动存储市场预计将从2024年的287亿美元激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达24.4%中国存储产业链有望受益于AI自主可控政策双重驱动，国产化前景广阔 [8] - DRAM利基市场格局重塑中，3D DRAM走向产业利基DRAM领域供需不平衡下价格持续高企，Tier2厂商有望快速提升市场份额和盈利能力3D DRAM产业化进程加速，定制化存储市场规模有望随端侧AI渗透率提升快速成长 [8] - FlashAI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速AI技术发展促使Flash市场容量和总需求显著上升，企业级市场尤为突出国内存储模组厂市场份额有望提升，NOR Flash市场有望保持增长 [8] 根据相关目录分别进行总结 1. AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔 1.1 存储需求回暖，价格上涨趋势持续 - 5月存储器半导体DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨NAND Flash方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑；DRAM方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4系列有望大幅上涨 [8][11] 1.2 AI浪潮已成为存储市场增长的强劲动力 - 全球DRAM市场规模及HBM规模预计保持增长，AI芯片相关产品迭代促使HBM单机搭载容量扩大，推动HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上 [19] - MRDIMM新型内存模组有望缓解AI时代“内存墙”问题，随着技术成熟，预计更多服务器CPU将支持MRDIMM，推动终端市场对其的需求增长 [20] - CXL技术凭借其内存池化、缓存一致性和低延迟特性，有望成为重构算力基础设施的关键，市场规模有望快速增长 [21] - AI技术发展带来更多数据创建和存储需求，对存储系统提出更高要求大容量、高性能的AI存储系统能够显著节省训练所需的时间，并确保AI集群计算能力的高可用性 [22] - 分布式存储技术通过将数据分散到多个节点上存储，提高了系统的可扩展性和容错性，为AI应用的训练和推理过程提供有力支持 [23] - 边缘侧计算能力增长需存储能力同步提升，业界预测边缘存储的增长速度是核心存储的2倍 [26] - 高阶智能驾驶时代，数据闭环是核心要素，存储系统需要具备灵活的数据管理能力和高可靠性 [27] - 全球AI驱动存储市场预计保持高速增长，越来越多企业正在积极寻求更智能、更灵活的数据管理解决方案 [28] 1.3 存储行业国产化前景广阔 - 国内存储晶圆厂商在技术进步和产能扩张方面持续展现出强劲的发展势头，国内半导体存储企业在核心技术领域不断加强自主研发，持续提升半导体存储产业的综合竞争力 [30] - 目前存储芯片国产化率较低，国产化前景广阔国产存储产业前景广大，国内上市公司主要覆盖利基DRAM芯片，NOR Flash芯片、小容量NAND Flash芯片和EEPROM芯片领域，与存储原厂形成差异化格局 [30][32] - 国内上市公司已实现嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存条等产品线的广泛覆盖，并在主控芯片领域有所延伸 [33] 2. DRAM：利基市场格局重塑中，3D DRAM走向产业 2.1 利基DRAM：原厂计划逐步停产，供需平衡重建机会多 - 头部厂商明确2025年逐步停产DDR4，原厂退出导致供应收缩，而DDR4/4x及LPDDR4/4x市场需求仍然可观 [43] - 回顾DDR3的迭代过程，DRAM代际更迭的完整周期或在15年以上，新一代DRAM产品推出后上一代产品行情仍可与主流存储市场景气度保持较长时间相关 [47][48] - DDR4和LPDDR4利基市场有望一段时间内持续处于行情优于主流存储市场的“倒挂”，兆易创新等全球Tier2供应商有望深度受益 [50] 2.2 堆叠DRAM：各大原厂持续迭代HBM，3D DRAM走向产业 - 高带宽堆叠DRAM能够更好满足AI计算的需求，市场对其需求正在大幅上升，预计2024 - 2029年将保持超过25.2%的复合年增长率 [51] - HBM和堆叠晶圆是实现高带宽堆叠DRAM的两条技术路径，HBM已成为数据中心新一代内存解决方案，预计HBM4 2026年量产 [52][55] - HBM市场高度集中，海力士具有领先优势，HBM迭代依赖制程和封装技术的升级 [57] - 多家存储设计公司已投入3D DRAM技术研发和应用中，定制化存储受关注，兆易创新、北京君正等存储IC公司也已开展3D DRAM相关产品开发工作 [60][67] 3. Flash：AI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速 3.1 NAND：数据中心和服务器需求驱动企业级SSD市场增长 - 24Q4到25Q1，受库存压力和终端需求疲软影响，NAND Flash整体产业营收连续两个季度环比下滑，预计二季度有望反弹 [68] - 二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑，AI投资持续强劲，带动NAND需求增长和技术迭代 [70] - 云端服务业者持续加强AI投资，中国企业级SSD市场有望快速增长，国内存储模组厂市场份额有望快速提升 [71][72][77] 3.2 NOR：端侧AI带动NOR Flash扩容和总需求增长 - 受益于物联网、汽车电子、5G等新兴领域的发展和端侧AI的拉动，NOR Flash市场有望保持增长 [78] - 端侧AI的发展有望进一步加速NOR Flash容量和总需求量的提升 [81] - NOR Flash市场为寡头垄断格局，国内企业逐步形成竞争优势 [82] 投资建议 - 存储需求回暖，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，建议关注存储产业链存储IC设计、存储互联和控制等芯片、存储模组、封测、系统级解决方案等相关公司 [3][83]

电竞显示器面板行业 - 2025年OLED显示器面板出货量从280万片上调至340万片，年增率从40%上调至69% [1] - 2024年OLED显示器面板出货量实现爆发性增长，年成长率达132% [1] - 尽管总体经济面临压力，但OLED显示器面板买卖双方态度积极 [1] 企业级SSD市场 - 2025年第一季企业级SSD平均售价显著下滑近20% [4][5] - 前五大企业级SSD品牌厂第一季营收均呈现季减 [4][5] - 三星营收18.89亿美元，季减34.9%，市场份额39.6% [6] - SK集团营收9.937亿美元，季减56.8%，市场份额20.8% [6] - 美光营收8.52亿美元，季减27.3%，市场份额17.9% [6] - 铠侠营收5.664亿美元，季减21.8%，市场份额11.9% [6] - SanDisk营收2.32亿美元，市场份额4.9% [6] - 市场调整主要受AI产品组装挑战和北美库存消化影响 [4] 其他行业动态 - 2025年第一季晶圆代工产业营收达364亿美元 [12] - 2025年第一季全球前十大IC设计厂营收季增6% [12] - 2Q25 Server与PC DDR4模组合约价涨幅扩大 [14]

行业技术迭代 - 美光科技正式通知客户DDR4内存产品将进入停产阶段，预计未来2-3个季度内逐步停止出货，标志着DDR4时代加速落幕 [2] - 全球内存市场正迎来以DDR5、HBM为代表的新一轮技术迭代周期，DDR4生命周期已超10年，其退伍是技术迭代的必然 [2] - 长鑫存储等中国内存厂商崛起对三星、美光等传统巨头构成竞争压力，国外巨头加速向DDR5、HBM等高端存储业务调整 [3] 市场供需动态 - DDR4市场需求出乎意料地强劲，主要供应端产能同步缩减，终端市场向DDR5产品代际转换存在滞后性，工业、安防、电视等市场对DDR4仍有稳定需求 [2] - DDR4现货价格持续飙升，部分型号价格甚至超过新一代DDR5产品 [2] - DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，均价为3.775美元，DDR4 8Gb（512M×16）3200劲扬7.99%，均价为3.824美元，DDR4 16Gb（1G×16）3200大涨7.9%，均价为8.2美元 [3] - DDR4 8Gb（1G×8）3200最新报价比半个月前上涨了38.27% [3] 厂商战略调整 - 国内厂商紧跟趋势加速向高端产品转型，长鑫存储或将最迟于2026年上半年全面停止DDR4供货 [3] - 美光停产DDR4不仅是技术迭代信号，更是全球存储产业战略重构的缩影，内存市场正从"规模竞争"转向"技术生态博弈" [4] - 中国厂商需在DDR4退场前完成技术积累、突破DDR5专利封锁，以决定未来市场地位 [4] 终端影响 - 技术革命将带来更高效的算力支持，但升级的成本与阵痛仍需时间消化 [4]

合作备忘录签署 - 公司与全球存储巨头闪迪签署《有约束力的合作备忘录》，面向移动及IOT市场推出定制化UFS产品及解决方案 [1][2] - 合作基于公司在主控芯片、固件研发和封测制造的能力，以及闪迪在NAND Flash技术和系统设计的优势 [2] - 解决方案采用闪迪BiSC8 218层3D闪存技术及CBA技术，强调成本竞争力与性能可靠性 [2] - 公告后首个交易日公司股价大涨6 83%，收盘报76 6元/股 [1][3] 全球化布局与市场地位 - 公司为全球第二大独立存储器企业及中国最大独立存储器企业 [3] - 2017年收购美光旗下Lexar品牌，构建覆盖60多国的销售网络 [3] - 2023年收购巴西SMART Brazil（现Zilia）股权，强化海外布局 [3] - 境外营收持续增长：2022年65 11亿元（占比78 16%）、2023年78 06亿元（77 1%）、2024年124 25亿元（71 15%） [3] 财务表现与研发投入 - 2019-2021年营收CAGR达30 54%，归母净利润CAGR达182 42% [4] - 2024年营收174 64亿元（同比+72 48%），归母净利润4 99亿元（扭亏） [4] - 2025年Q1营收42 56亿元（同比-4 41%），亏损1 52亿元（主因存货跌价计提） [5] - Q1经营现金流净额1 53亿元（同比环比均转正），企业级存储产品收入3 19亿元（同比+200%） [5] - 研发费用持续增加：2022年3 56亿元、2023年5 94亿元、2024年9 10亿元、2025年Q1 2 29亿元，累计20 89亿元 [5] 产品与技术能力 - 主营业务覆盖嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线 [4] - 具备存储芯片设计、主控芯片设计等核心能力 [4] - 企业级存储产品组合（eSSD和RDIMM）取得突破 [5]

公司发展历程与战略布局 - 公司成立于2017年，已从主控芯片厂商发展为提供"One Total Solution"的全方位解决方案提供商，覆盖消费级、工业级和企业级市场[1] - 公司战略分为四个阶段：先立足消费级市场，再进军高端企业级存储，随后布局智算一体等场景，最终实现智能存储和边缘存储目标[3][4][10] - 已完成从消费级向企业级市场的成功转型，积累技术储备并形成差异化竞争优势[7] 产品与技术优势 - 消费级产品线覆盖PCIe 3.0/4.0/5.0全系列，形成从基础款(<5GB/s)到旗舰款(14GB/s+)的完整性能梯度[3] - 企业级产品实现SATA到PCIe 5.0全栈覆盖，单盘容量最高达64TB（可扩展至128TB），Dongting-N3系列顺序读取速度超14GB/s，读写延迟低至55/5μs[1][5] - 采用自研"硬件加速引擎"架构，通过软硬件联合优化在不依赖先进制程下实现性能突破[7] - 在存储主控中引入RISC-V架构，提升产品灵活性和可靠性[8] 人工智能领域创新 - 针对AI算力需求推出Dongting-N3系列PCIe 5.0 SSD，通过硬件加速增强IO并行处理能力，提升多GPU间数据传输效率[5] - 专为AI服务器设计的Dongting-N3X系列实现13μs/4μs读/写延迟和14GB/s+带宽，全盘稳态4K随机写性能达2M IOPS[6] - 探索AI技术在存储介质生命周期预测、数据流优化等领域的应用[10] 市场应用与客户拓展 - 产品已部署在上海银行、邮储银行等客户数据中心[1] - 工业级方案支持SATA与NVMe协议，能在极端环境下保持稳定性[13] - 与长江存储、鲲鹏、海光等国产供应链完成产品适配认证[13] 未来发展规划 - 计划2025年推出PCIe 6.0产品，支持64GT/s高带宽需求[13] - 布局CXL技术方向，加强国产生态链合作[13] - 推进全球化布局，通过直供跨国厂商形成差异化出海模式[13] - 探索边缘存储技术，将数据处理能力下沉至数据源附近[10]

美光DDR4停产计划 - 美光已向客户发出DDR4停产通知(EOL)，预计未来2~3季陆续停止出货 [1] - 美光执行副总裁表示DDR4将继续"严重缺货" [1] - DDR4/LPDDR4停产通知主要针对PC及数据中心领域 [1] 生产调整计划 - 未来3个季度后，消费性、PC及数据中心用DDR4 DRAM将进行缩产或减产 [1] - 未来美光DDR4/LPDDR4 DRAM主要提供给"车用、工业、网通"的长期合作客户 [1] 行业影响 - 韩系两大存储原厂已先后释出DDR4停产时程 [1] - 美光成为最新确认DDR4停产计划的存储厂商 [1]

新能源产业进展 - 桂阳大为矿业大冲里矿区长石矿勘探报告矿产资源储量通过评审备案，为新能源产业注入强心针 [1] - 大冲里矿区位于湖南郴州桂阳县，地质条件优越，矿产资源丰富 [1] - 截至2024年10月底，矿区长石矿矿石量20,953.3万吨，伴生氧化锂矿物量32.37万吨（平均品位0.154%），钨锡等战略金属储量达中大型规模 [1] - 公司郴州锂电新能源产业项目累计投入14,900余万元，包括竞买探矿权、购买碳酸锂项目土地等 [1] 矿产资源与开采技术 - 大冲里矿区拥有超大型长石矿及丰富锂、钨、锡伴生矿资源，矿体连续稳定且杂质含量低，适合露天开采 [2] - 公司采用"磁选+浮选"为主、"重选"为辅的联合选矿工艺，在粗磨条件下回收锂矿并注重尾矿综合回收利用 [2] - "磁—浮"工艺可降低成本，有利于石英、长石回收并减小环境影响 [2] - 公司攻克选锂尾矿中石英长石分离技术难题，采用浮选分离产出高纯石英与优质长石粉，同时用重选回收钨锡等有价元素 [2] 业务协同发展 - 大冲里矿区伴生锂矿资源将为年产4万吨电池级碳酸锂项目（一期）提供原料保障，降低采购成本与供应风险 [2] - 半导体存储业务新增BGA NAND Flash产品线，完善DDR3、DDR4、LPDDR4X系列，完成LPDDR5样品认证 [3] - 汽车业务与宇通、金龙等客车企业深度合作，保持缓速器技术领先地位，实现电涡流缓速器在新能源纯电动客车批量上线 [3] - 大冲里矿区资源储量评审通过为公司"双主线"战略（新能源+半导体存储）协同发展注入动能 [3]

报告行业投资评级 - 看好（维持） [4] 报告的核心观点 - 存储需求回暖，NAND Flash价格预计在第二、三季度持续上涨，DRAM原厂陆续涨价，AI浪潮是存储需求可持续增长的关键支撑，供应短缺风险带动消费级存储补货需求增长 [7] 各部分总结 存储需求与价格趋势 - 存储需求回暖，5月DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨，NAND Flash方面，5月用于存储卡和USB驱动器的NAND闪存通用产品平均固定交易价格环比上涨约5％，已连续5个月上涨；DRAM方面，5月PC DRAM普通产品固定交易均价较上月大幅上涨27%，连续两个月涨幅超20% [8] - NAND Flash市场因供应商保守产能策略转向供需平衡，四月初国际形势影响第二季价格走势，预计季增3% - 8%，第三季度CSP加强AI投资带动企业级SSD需求增长，季增幅度有望达10% [7][10] - DRAM原厂陆续涨价，5月PC DRAM普通产品价格大幅上涨，此前三星、SK海力士等原厂均上调价格，预计第三季度整体价格保持增长趋势，DDR5价格涨幅会减缓 [7][11] 投资建议 - AI服务器和AI终端带动存储需求增长，叠加国产替代机遇，建议关注兆易创新、北京君正、复旦微电等公司 [2][12]