政策支持 - 深圳出台《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》，设立总规模50亿元的"赛米产业私募基金"，以"政策+资本"推动半导体产业链优化 [1] - 政策提出10条支持举措，重点任务包括加速化合物半导体成熟，聚焦氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等第三代半导体材料的研发与产业化 [1] - 政策支持化合物半导体材料制备、器件设计、芯片制造等关键环节的技术突破，鼓励企业开展碳化硅功率器件、氮化镓射频芯片等产品的量产化应用 [1] 基金投资 - "赛米产业私募基金"于2025年5月完成工商登记注册，首期出资36亿元，重点投向半导体产业链关键环节，包括化合物半导体芯片的研发和产业化 [1] - 基金由深圳市引导基金、龙岗区引导基金等政府资本牵头，深创投担任管理人 [1] - 基金投资方向明确指向"构建自主可控的本地化产业链供应链"，优先支持与深圳现有产业生态互补的项目，如碳化硅衬底材料、氮化镓外延片制造、车规级化合物半导体模块等 [3] 产业布局 - 深圳不同区域各有侧重：宝安区规划石岩第三代半导体产业园重点发展碳化硅功率器件，目标引进15家以上企业，形成200亿元年产值 [4] - 龙华区规划建设化合物半导体集聚区，聚焦材料、器件制造与封装测试环节 [4] - 龙岗区已形成四大集成电路产业基地，覆盖设计、制造、封测，集聚企业超千家 [4] 企业动态 - 截至2025年6月，深圳已集聚化合物半导体相关企业超过80家，涵盖材料、器件、设备等全链条环节 [4] - 比亚迪半导体的碳化硅功率模块已实现大规模装车应用，自研量产全新碳化硅功率芯片电压高达1500V [4] - 重投天科的6英寸碳化硅衬底生产线产能逐步释放，技术指标达到国际先进水平 [4] 产业链协同 - 龙岗区正规划建设专业集成电路产业园，重点承接化合物半导体制造项目 [5] - 市级产业联盟推动龙头企业与32家中小企业达成供应链合作 [5]

证券代码：688693 证券简称：锴威特 公告编号：2025-036 苏州锴威特半导体股份有限公司 关于近期经营情况的自愿性披露公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 一、近期经营情况 苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称"公司"）专注于功率半导体的设 计、研发与销售，并提供相关技术服务。公司坚持"自主创芯，助力核心芯片国 产化"的发展定位，采取应用牵引产品技术迭代，围绕应用进行产品布局，立足 为用户提供高性能的功率芯片的系统解决方案，不断培育新质生产力，推动工艺 和技术高效升级，确保关键核心技术的自主可控，提升公司核心竞争力，引领公 司高质量发展。 才建设等多方面工作稳步推进，同时受益于新研产品的量产以及下游领域需求回 暖，公司营业收入较上年同期有所改善。截至目前，公司经营情况良好，据公司 财务部门初步测算，公司 2025 年 1-6 月预计实现营业收入 9,000-11,000 万元， 较去年同期增长 56.17%-90.87%。 二、相关风险提示 本公告所载近期财务数据为初步核算数据，未经会计师事务所 ...

苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称"公司"）专注于功率半导体的设 计、研发与销售，并提供相关技术服务。公司坚持"自主创芯，助力核心芯片国 产化"的发展定位，采取应用牵引产品技术迭代，围绕应用进行产品布局，立足 为用户提供高性能的功率芯片的系统解决方案，不断培育新质生产力，推动工艺 和技术高效升级，确保关键核心技术的自主可控，提升公司核心竞争力，引领公 司高质量发展。 2025 年以来，公司研发投入、市场开拓、供应链管理、产品质量管理、人 才建设等多方面工作稳步推进，同时受益于新研产品的量产以及下游领域需求回 暖，公司营业收入较上年同期有所改善。截至目前，公司经营情况良好，据公司 财务部门初步测算，公司 2025 年 1-6 月预计实现营业收入 9,000-11,000 万元， 较去年同期增长 56.17%-90.87%。 二、相关风险提示 证券代码：688693 证券简称：锴威特 公告编号：2025-036 苏州锴威特半导体股份有限公司 关于近期经营情况的自愿性披露公告 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。 ...

碳化硅行业与Wolfspeed发展历程 行业背景与技术优势 - 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，具有耐高压、高频、高温特性，在电动车逆变器等场景优势显著[8] - 特斯拉Model 3首次大规模采用碳化硅MOSFET，逆变器重量仅4.8kg（竞品11.15kg），实现技术突破[4] - 碳化硅晶圆制备难度大：6英寸晶圆每小时仅生长0.5-2mm，切割损耗率高（废料多转为莫桑钻销售）[13] Wolfspeed战略转型 - 公司前身CREE原以LED业务为主（2017年占比90%），2018年后转向碳化硅半导体[15][20] - 2019年投资15亿美元建设全球最大8英寸碳化硅晶圆厂（莫霍克谷工厂），市值从40亿飙升至165亿美元[31] - 半导体业务收入占比从2017年10%提升至2021年53%，2021年出售LED业务并更名Wolfspeed[20] 市场竞争与成本压力 - 电动车爆发使碳化硅需求激增：每辆车消耗100-150颗芯片（半块6英寸晶圆）[24] - 中国企业采取差异化策略：天科合达（17.3%）、天岳先进（17.1%）主攻6英寸，2024年合计份额追平Wolfspeed（33.7%）[37][38] - 6英寸晶圆价格从1500美元降至500美元，中国产业链分工模式（晶圆-器件-代工-模组）效率更高[39] 战略失误与财务危机 - 8英寸工厂产能利用率仅20%，2024年营收下降12%，股价暴跌84.7%[34] - 垂直一体化模式导致债务高企（2022年资本开支50亿美元），未能应对电动车增速放缓（欧美市场个位数增长）[39][40] - 2024年6月申请破产重整，成为技术领先但成本管控失败的典型案例[40] 行业启示 技术路线选择 - 晶圆尺寸升级需平衡成本与难度：8英寸单芯片成本比6英寸低50%，但量产技术门槛更高[27][30] - 特斯拉计划减少75%碳化硅用量，反映车企对成本极度敏感[35] 产业规律 - 电子产业兼具技术突破与成本管控双重属性，过高良率（如尔必达98% vs 三星83%）可能反致成本劣势[43] - 标准化产品最终竞争锚定成本，技术优势需转化为经济性才有持续竞争力[41][42]

碳化硅行业与Wolfspeed公司发展 碳化硅技术突破与行业地位 - 特斯拉Model 3逆变器采用碳化硅（SiC）替代传统硅材料，重量仅4.8kg（竞品11.15kg），耐高压且低损耗，解决行业难题[4] - 碳化硅作为第三代半导体材料，适用于高频、高温、高电压场景，在高压快充等特定领域优势显著[9] - 碳化硅晶圆制备工艺复杂，生长速度缓慢（6英寸晶圆每小时仅生长0.5-2毫米），切割损耗高，部分残次品转为莫桑钻销售[15] Wolfspeed（原CREE）战略转型 - 公司2017年新任CEO Gregg Lowe推动业务重心从LED转向碳化硅半导体，半导体收入占比从10%（2017年）提升至53%（2021年）[20][24] - 2021年公司剥离LED业务（原占营收90%）并更名为Wolfspeed，全面押注碳化硅[19][24] - 2019年投资15亿美元建设全球最大8英寸碳化硅晶圆厂（莫霍克谷工厂），目标维持技术领先优势[37][39] 市场竞争与成本压力 - 电动车需求爆发推动碳化硅市场扩容，一辆Model 3消耗半块6英寸晶圆（约300颗芯片/片），2021年全球缺芯加剧供需矛盾[29] - 中国厂商天科合达（17.3%）、天岳先进（17.1%）2024年合计市场份额接近Wolfspeed（33.7%），主攻6英寸晶圆低成本路线[44] - 6英寸晶圆价格两年内从1500美元降至500美元，中国产业链分工模式（晶圆-器件-模组分环节）效率高于Wolfspeed垂直一体化[46] 技术路线与经营困境 - 8英寸晶圆单位芯片成本理论可降50%，但量产难度高且资本开支沉重，Wolfspeed工厂2024年利用率仅20%，远低于预期[42][46] - 电动车增速放缓（2023年欧美市场个位数增长或负增长）叠加车企成本敏感（如特斯拉计划减少75%碳化硅用量），加剧经营压力[43][46] - 2024年公司营收下降12%，股价暴跌84.7%，最终申请破产重整[42][47] 行业规律与启示 - 碳化硅产业竞争核心是成本控制，技术领先性需与商业化效率平衡，过度追求良率（如尔必达DRAM案例）可能导致成本失控[49][50] - 电子产业兼具技术冒险与成本管控双重属性，标准化产品市场中规模效应与投资回报周期是关键胜负手[48][50]

中国集成电路产业创新能力提升 - 中国集成电路产业创新能力不断提升，全产业链自主可控能力显著提升 [1] - 从"十三五"末期到"十四五"时期，强化集成电路产业自立自强的技术基础不断夯实 [1] - 大量高校科研院所和创新型企业围绕细分领域和重点领域加速突破，产业链安全水平显著提升 [1] 先进制程突破与国际差距缩小 - 全球集成电路制程进步降速，将缩小中国与国际领先制程的差距 [1] - 在"国产替代"策略下，28纳米及以下成熟制程将驱动中国在显示驱动芯片、功率芯片、射频芯片等领域的自给率显著提升 [1] - 成熟制程成为保障中国国内安全需求的重要支撑 [1] 材料领域"卡脖子"问题缓解 - 中国集成电路产业在材料方面的"卡脖子"问题将得到有效缓解 [2] - 中国在光刻胶和电子特气方面取得突破 [2] - 推动国产设备、材料、设计工具的自主化，集成电路产业链供应多元化将取得成效，关键环节自主可控能力显著提升 [2]

汽车芯片市场变局 - 汽车芯片市场面临电动化与智能化浪潮、EV增长放缓、关税与地缘政治风险、中国厂商崛起等多重挑战 [1] - 全球五大IDM巨头（恩智浦、瑞萨、意法半导体、德州仪器、英飞凌）正通过生产布局优化、技术路线调整、本土化策略应对行业变局 [1] 恩智浦战略转型 - 关闭4座8英寸晶圆厂（包括荷兰奈梅亨和美国三座工厂），全面转向12英寸晶圆生产 [2] - 合资模式分散财务风险： - 德国德累斯顿合资厂（持股10%），总投资100亿欧元，2029年满产月产能4万片 [4] - 新加坡VSMC合资公司（持股40%），投资79亿美元，2029年满产月产能5.5万片 [4] - 2025年Q1营收28.35亿美元（同比-9%），净利润4.9亿美元（同比-23%） [3] 瑞萨战略调整 - 放弃内部生产SiC功率芯片计划，转向自主设计+外包制造的轻资产模式 [3][5] - 退出原因：EV市场增长放缓+中国厂商低价竞争（天科合达、山东天岳合计占34%市场份额） [5] - 与Wolfspeed的10年SiC晶圆供应协议（预付20亿美元）面临减值风险 [5] 意法半导体全球布局 - 重塑全球制造布局，目标2027年建成更具竞争力的生产生态 [6] - 区域化分工： - 意大利Agrate：300mm晶圆厂扩产至每周4000片（长期目标1.4万片） [8] - 法国Crolles：300mm厂扩产至每周1.4万片（长期2万片） [8] - 意大利卡塔尼亚：200mm SiC晶圆厂2025年Q4投产 [8] 德州仪器产能扩张 - 谢尔曼300mm晶圆厂2025年5月投产，总投资300亿美元，规划四座厂，2030年前全部建成 [7] - 其他产能：理查森RFAB2（2022年投产）、犹他利希LFAB（2023年投产）及第二座厂（2026年投产） [7] - 宣布追加600亿美元扩产投资，巩固模拟芯片龙头地位 [7] 英飞凌中国战略 - 产品本土化：计划2027年覆盖微控制器、功率器件、传感器等主流产品 [9] - 后端瘦身：出售菲律宾甲美地与韩国天安封测厂给日月光（交易额21亿新台币） [9] 行业趋势 - 12英寸晶圆成为主流：恩智浦、ST、TI均重点布局，生产效率与成本优势显著 [10] - SiC与GaN技术竞争：ST与英飞凌持续加码，瑞萨退出可能错失风口 [10] - 供应链多元化：本地生产+全球协作成为新趋势（恩智浦合资、ST区域分工、TI美国布局、英飞凌中国战略） [11] - 未来技术方向：AI与自动化制造、Chiplet技术、差异化竞争（ST布局面板级封装） [11][17]

重大项目签约 - 卫星化学高性能催化新材料项目聚焦贵金属催化剂等系列产品的生产 [4] - 斯达半导体车规级功率器件全球制造总部项目聚焦车规级功率芯片/模块的研发和制造 [4] - 两个重大项目签约落户嘉兴南湖区 [2] 公司背景 - 卫星化学是全球前二、国内第一的丙烯酸生产企业 [4] - 卫星化学位列2024年浙江民营A股上市公司盈利能力第一 [4] - 斯达半导体是国内功率半导体行业龙头，IGBT模块市场份额全球第五、中国第一 [4] 公司发展 - 卫星化学2024年营收规模超千亿、利税破百亿 [4] - 卫星化学在南湖区建设了卫星全球营销中心、卫星年产30万吨树脂项目 [4] - 斯达半导在南湖区落地了6英寸车规级SiC MOSFET芯片、高压特色工艺功率芯片等项目 [4] 区域经济影响 - 两家企业为嘉兴和南湖的高质量发展作出突出贡献 [4] - 卫星化学已成为推动全区乃至全市高质量发展的重要动力 [4] - 斯达半导为南湖区微电子产业发展、全市智造创新强市建设贡献重要力量 [4] 政府支持 - 南湖区全力打好主城牌、科创牌、链主牌、基金牌"4张牌" [5] - 南湖区大力支持链主企业增资扩产、二次创业 [5] - 南湖区将全力保障项目早开工、早建成、早投产 [5]

公司经营情况 - 2024 年生产经营向好，业绩扭亏为盈，原因是重视业务拓展、保障产品品质、加大研发投入 [2] - 2024 年营收 42,256.75 万元，同比增长 21.25%，产能稼动率未来将随新客户开发等提升 [9] 募投及新厂项目 - 募投项目以中晶新材料为实施主体，处于增产上量和新客户认证过程，将有序推进产能释放 [2] - 江苏皋鑫新厂处于建设阶段，将加大研发投入推动投产，建设成半导体芯片研发和生产基地 [3] 财务相关 - 计提资产减值准备依据《企业会计准则》及公司会计政策、估计，基于谨慎性原则 [4] - 中晶新材料 2024 年营业收入 2,458.88 万元，同比增长 92.89%，净利润 -3,316.34 万元，较去年同期增长 37.12%，增长因客户、规格、订单增加 [5] 应对措施 - 面对原材料价格波动，通过加强市场研判、与供应商合作、提高利用率降低不利影响 [6] 业务与发展 - 主营业务为半导体硅材料及其制品研发、生产和销售，产品有半导体研磨硅片等，未来开拓新产品和新市场，以技术创新推动发展 [7] 激励计划 - 2024 年回购股份拟用于股权激励或员工持股计划，将结合实际安排，按规定履行程序并披露信息 [7] 产品定价 - 产品定价以成本为基础，结合市场需求和客户关系综合定价，通过技术创新降本增效 [8][9]

公司概况 - 宏微科技是国内功率半导体领域的领军企业 专注于以IGBT FRD为核心的功率半导体芯片 单管及模块的设计 研发 生产与销售 [3] - 公司于2006年成立 2021年9月1日在上交所挂牌上市 股票代码688711 [3] - 依托第三代半导体材料与工艺创新 公司在超微沟槽结构+场阻断技术 续流用软恢复二极管芯片技术 模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒 [3] - 自主研发的第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平 [3] 产品与技术 - 产品全面覆盖新能源汽车(电控系统 充电桩和OBC电源) 新能源发电(光伏逆变器 风能变流器和电能质量管理) 储能 工业控制(变频器 伺服电机 UPS及各种开关电源等) 和家电消费等领域 [3] - 通过技术迭代与产线协同优化 持续提升产品竞争力 构建以SiC GaN为核心 兼顾第四代半导体的多元化技术体系 [5] - 率先实现12英寸晶圆量产工艺突破 通过沟槽栅场阻断结构 超微沟槽技术等工艺创新 推动IGBT SiC MOSFET等产品性能对标国际先进水平 [6] - 第七代IGBT模块产品已实现批量生产 与英飞凌EDT3技术处于同一水平 成功进入头部车企供应链 [6] - 自主研发的1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功 已通过可靠性验证 车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品 可靠性正在评估中 车规级1200V SiC自研模块已通过可靠性验证 [6] 战略与合作 - 与华虹宏力等产业链伙伴深化合作 加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入 并探索机器人 机械臂等成长性应用场景 [5][6] - 通过"双碳"战略驱动的新能源 储能等场景需求 凭借技术领先性与产能布局 进一步巩固其在国产替代浪潮中的核心地位 [6] - 未来将继续秉持"以客户为中心 以创新为驱动 以人才为根本"的发展理念 坚定不移地走自主创新之路 [7] 投资者活动 - 上交所组织开展"我是股东"投资者走进上市公司活动 本次活动由上海证券交易所指导 浙商证券主办 浙商证券投资者教育基地 宏微科技承办 全景网协办 [1] - 投资者参观了公司展厅 生产车间 深入了解企业发展历程 产品形态 企业愿景 近距离观看智能化生产 检测全过程 [3] - 董秘与投资者就下游市场空间 产品竞争壁垒 技术迭代等多个问题进行了深入讨论 [6] - 活动增强了投资者对公司的信心 让投资者更加深入地了解了公司的经营状况和战略发展方向 [7]