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3D NAND闪存
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长江存储致态“双11战绩”再超三星
观察者网· 2025-11-12 10:40
公司业绩表现 - 长江存储旗下零售品牌致态在11月12日京东平台上获得SSD品类交易总额与总销量双料冠军 [1] - 致态TiPlus7100固态硬盘获得SSD品类销量冠军 [1] - 这是继2024年双11大促、2025年618大促后,致态第三次获得京东电商大促SSD品类双料冠军 [1] 公司发展历程 - 长江存储成立于2016年7月,是一家专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业 [1] - 公司于2021年推出唯一零售存储品牌致态 [1] - 2017年10月,公司成功设计制造中国首款3D NAND闪存 [1] - 2019年9月,搭载自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产 [1] - 2020年4月,公司宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功 [1] 技术产品优势 - 第三代QLC闪存产品X2-6070型号拥有发布之时业界最高的I/O速度、最高的存储密度和最高的单颗容量 [1] 公司规模与研发 - 公司在武汉、北京等地设有研发中心,全球员工8000余人 [1] - 其中研发工程技术人员超过6000人 [1]
1000层3D NAND,实现路径
半导体芯闻· 2025-11-10 18:56
文章核心观点 - NAND闪存是数据存储的关键技术,行业正通过增加3D堆叠层数、提升单元密度和采用新技术来应对AI驱动下爆炸性增长的数据存储需求[2][10] - 随着3D NAND技术逼近物理极限,行业转向z间距缩放以持续降低成本,但面临单元干扰和电荷迁移等挑战[13][15] - imec开发的气隙集成和电荷陷阱层切割技术是解决上述挑战、实现未来z间距缩放的关键推动因素,有望支持存储密度在2030年达到约100 Gb/mm²[17][26][32] 3D NAND技术演进与市场驱动 - NAND闪存作为非易失性存储器广泛应用于从智能手机到数据中心的各个电子领域,并为AI模型训练提供高效存储方案[2] - 行业通过从二维NAND过渡到三维NAND以及增加每个芯片的存储单元层数(商用最高可达四比特)来提高存储密度[2] - 数据存储需求爆炸式增长驱动芯片公司竞相提高存储单元密度(以Gb/mm²为单位),同时降低每比特成本[2] 电荷陷阱单元与GAA架构 - 电荷陷阱单元取代浮栅晶体管,将电荷存储在绝缘体中,降低了单元间静电耦合,提高了读写性能并为更高存储密度铺平道路[3] - 全环栅架构已广泛应用于3D NAND闪存,存储单元堆叠成垂直链并通过水平字线寻址[5] - 电荷陷阱单元在3D NAND中通过GAA垂直沟道方法实现,制造过程涉及导体和绝缘层交替堆叠、钻孔及沉积,形成"通心粉沟道"结构[9] 存储密度提升路径与挑战 - 主流厂商正在推出超过300层堆叠的3D NAND芯片,预计到2030年堆叠层数将达1000层,相当于约100 Gbit/mm²的存储容量[10] - 提升存储容量的方法包括增加每个单元的比特数、减小单元横向间距、采用层叠技术(如将四层250层单元堆叠成1000层芯片)以及CMOS键合阵列技术[12][13] - 挑战在于如何在30微米厚的堆叠层中保持工艺均匀性,并对高深宽比刻蚀和沉积工艺提出更高要求[10][13] Z间距缩放的技术挑战 - 缩小存储层之间的z间距(目前约40纳米)是持续降低成本的关键,旨在减小字线层和氧化硅层厚度以在有限高度内堆叠更多层[13][15] - z间距缩放若不优化会导致阈值电压降低、数据保持能力下降、编程擦除电压增加、功耗上升以及相邻单元栅介质击穿风险[15] - 负面效应根源在于单元间干扰(栅极控制能力减弱导致静电耦合)和横向电荷迁移(电荷从垂直SiN层中迁出影响数据保持)[15][16] 气隙集成技术方案 - 在相邻字线间集成气隙可降低介电常数,从而减少存储单元间的静电耦合,是解决单元间干扰问题的潜在方案[17] - imec提出通过在沉积ONO堆叠前对栅间氧化硅进行凹陷,从存储孔区域内部引入与字线自对准的气隙,实现精确放置且具备可扩展性[22] - 测试表明带气隙器件对相邻单元干扰更不敏感,且不影响内存性能及可靠性(耐久性达1000次编程/擦除循环),是未来z间距缩放的关键步骤[22][24] 电荷陷阱层切割技术前景 - 电荷陷阱层切割(将气隙引入阻挡氧化层和电荷陷阱层区域)可增大存储单元的存储窗口,帮助每个单元实现更多电平以存储更多位数[26][29] - 该技术还能防止捕获电荷沿堆叠高度方向横向迁移,但集成挑战在于需要对极深窄孔壁进行定向蚀刻和沉积,imec正与供应商合作开发新技术[26][29] - imec计划将电荷陷阱切割与气隙集成结合,为z间距缩放挑战提供完整解决方案[29] 未来创新架构与发展路线 - 传统电荷陷阱单元架构收益开始放缓,存储器密度提升可能在本十年末前趋于平缓[32] - 研究人员正探索创新单元架构,如水平排列导电通道或沟槽式架构连接电荷陷阱单元,以大幅提高比特存储密度[32] - 多项在研技术将使行业逐步迈向100 Gb/mm²的数据存储目标,该需求主要由云计算和AI应用驱动[32]
3D NAND,如何演进?
36氪· 2025-11-10 09:37
3D NAND闪存技术发展背景与核心作用 - NAND闪存是一种非易失性存储器,自20世纪80年代末引入以来,已广泛应用于从智能手机到数据中心的各个电子领域,并成为大多数可移动和便携式存储设备(如SD卡和U盘)的基础 [1] - 近年来,3D NAND技术在人工智能发展中扮演重要角色,为训练AI模型所需的大量数据提供了高效的存储方案 [1] - 行业通过增加每个芯片的存储单元层数和每个单元的存储比特数(商用产品最高可达四比特)来提高存储密度,并经历了从浮栅晶体管向电荷陷阱单元的转变,后者因制造尺寸更小且能降低单元间静电耦合,为更高密度铺平了道路 [1] 3D NAND的基本架构与工作原理 - 全环栅(GAA)架构已广泛应用于3D NAND闪存,是该领域高密度数据存储的主力军;在此3D架构中,存储单元堆叠成垂直链,并通过水平字线进行寻址 [3] - 电荷陷阱单元是3D NAND中的基本存储器件,其结构类似于MOSFET,但在栅极氧化层内嵌入了一层薄薄的氮化硅(SiN),形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆叠 [3] - 当栅极施加正偏置电压时,沟道区的电子会隧穿氧化硅层并被捕获在氮化硅层中,从而改变晶体管的阈值电压,通过测量源极和漏极之间的电流即可判定存储单元的状态("1"或"0") [6] - GAA沟道的制造过程涉及导体和绝缘层的交替堆叠、向下钻孔形成圆柱形孔,以及在孔侧壁上交替沉积氧化硅和氮化硅层,最终形成被称为"通心粉沟道"的结构 [6] 下一代3D NAND的密度提升路径与挑战 - 行业计划将3D NAND闪存的层数从当前主流厂商推出的超过300层,预计到2030年进一步提升至1000层,相当于约100 Gbit/mm²的存储容量 [7] - 提升存储密度的主要方法包括增加每个单元的比特数、减小GAA单元的横向(xy)间距、提高存储阵列的面积效率,以及采用层叠技术(将闪存器件彼此堆叠,未来可能重复四次以创建更长的单元链) [9] - 为控制成本,行业正积极探索垂直或"z间距"缩放技术,以减小氧化层和字线层的厚度,从而在堆叠高度每增加一微米的情况下增加存储层数 [10] - 然而,z间距缩放若未经优化,会对存储单元的电性能产生负面影响,如导致阈值电压降低、亚阈值摆幅增大、数据保持能力下降,并增加编程/擦除电压及功耗,其根本原因在于单元间干扰和横向电荷迁移现象加剧 [11][12] 应对z间距缩放挑战的关键技术创新 - 在相邻字线之间集成气隙是解决单元间干扰的一种潜在方案,因其介电常数低于栅极间介质,可降低存储单元之间的静电耦合;imec提出了一种独特的集成方案,能够精确控制字线之间的气隙位置,并实现自对准 [13][17] - 测试结果表明,带有气隙的器件对相邻单元的干扰更不敏感(表现为阈值电压偏移更小),且其耐久性可达1000次编程/擦除循环,不影响内存运行 [17][19] - 电荷陷阱层分离(或称电荷陷阱切割)是另一项探索中的技术,仿真显示该技术可以增大存储单元的存储窗口,并防止捕获的电荷沿垂直方向横向迁移,从而有助于每个存储单元实现更多电平以存储更多位数 [20][23] - imec计划将电荷陷阱切割技术与气隙集成方案结合,为z间距缩放挑战提供完整解决方案,但目前面临对极深且狭窄的孔壁进行定向蚀刻和沉积的技术挑战 [23] 未来技术展望与发展趋势 - 随着传统电荷陷阱单元架构的收益开始放缓,存储器密度的提升可能在本十年末之前趋于平缓,因此研究人员正在探索更具创新性的单元架构以推动2030年后的发展路线图 [24] - 提出的未来方案包括重新构想整个布局,将存储单元的导电通道水平排列而非垂直排列,以及采用沟槽式架构连接电荷陷阱存储单元(而非圆形GAA几何结构),这有望大幅提高比特存储密度 [24] - 行业研发中的多项技术旨在逐步迈向100 Gb/mm²的数据存储密度目标,这一需求主要由云计算和人工智能应用驱动 [24]
3D NAND,如何演进?
半导体行业观察· 2025-11-10 09:12
公众号记得加星标⭐️,第一时间看推送不会错过。 自 20 世纪 80 年代末引入存储器市场以来,NAND 闪存从根本上改变了大量数据的存储和检索方 式。 这种专为高密度数据存储而设计的非易失性存储器几乎应用于电子市场的各个领域,从智能手机到数 据中心,无所不包。它被用于大多数可移动和便携式存储设备,例如 SD 卡和 U 盘。近年来,3D NAND 在人工智能的蓬勃发展中也扮演了重要角色,为训练人工智能模型所需的大量数据提供了高 效的存储方案。 随着数据存储需求的爆炸式增长,芯片公司正竞相提高NAND闪存的存储单元密度(以每平方毫米千 兆比特 (Gb/mm²) 为单位),同时降低每比特成本。十多年前,半导体行业从二维NAND过渡到三维 NAND,以克服传统存储器尺寸缩减的限制。近年来,各公司通过 增加每个芯片的存储单元层数和 每个单元的存储比特数(商用NAND闪存最高可达四比特)来提高存储密度。 其中一项最重要的进展是从浮栅晶体管向电荷陷阱单元的转变。浮栅技术将电荷存储在导体中,而电 荷陷阱单元则将电荷存储在绝缘体中。这降低了存储单元之间的静电耦合,从而提高了读写性能。此 外,由于电荷陷阱单元的制造尺寸比浮栅晶 ...
AI引爆存储芯片需求,相关板块能否起飞?
36氪· 2025-10-30 17:04
AI技术驱动存储芯片需求 - AI大模型训练需要处理PB级别数据,依赖高性能存储芯片进行存储和读取[1] - AI推理应用要求存储芯片具备极低延迟和极高读写速度以支持实时处理[1] - 全球数据量预计从2018年33ZB增长到2025年175ZB,涵盖医疗影像、自动驾驶等多领域数据爆发[2] - AI服务器对存储芯片需求量是传统服务器数倍甚至数十倍[4] - AI手机、AIPC等端侧产品放量带动存储容量向256GB、512GB甚至更高容量发展[10][17] 存储芯片市场现状 - 2025年上半年DDR4 16GB芯片价格从3.95美元涨至12.5美元,涨幅216%[3] - DDR5 16G芯片价格从4.8美元上涨到6.053美元,涨幅26.1%[3] - DRAM和NAND Flash价格自2023年第三季度启动上涨,累计涨幅约60%-70%,年内涨幅达50%-60%[16] - 存储芯片大厂将产能向DDR5和HBM等高带宽内存产品倾斜[5] - 三星减产DDR4,SK海力士计划将DDR4产能压缩至总产能20%以下,预计2026年4月停产[5] 市场竞争格局 - 全球存储芯片市场呈现三星、SK海力士、美光三强寡头垄断格局[6] - 2025年第二季度三星DRAM市场份额33.5%,SK海力士占38.2%,美光占22%[8] - 长鑫存储市场份额预计从6%涨到8%,DDR5和LPDDR5市场份额从1%左右预计升至7%和9%[8] - 长江存储在NAND闪存领域取得突破,产品性能达到国际先进水平[7][18] - 国产存储企业通过技术创新缩小与国际先进水平差距,LPDDR5芯片容量和速度提升50%,功耗降30%[7] A股存储芯片板块表现 - 香农芯创股价从20元涨至127.57元,累计最大涨幅450%[9][10] - 江波龙股价自低点累计最大涨幅233%,企业级SSD和DDR5产品通过AMD认证[10] - 佰维存储股价刷新历史新高,总市值超556亿元[10] - 2024年10月24日存储芯片板块整体涨幅超5%,多只个股20CM涨停[10] - 近一周板块主力资金净流入超30亿元,涨幅超5%远超大盘[11] 上市公司业绩表现 - 澜起科技2024年前三季度营收25.71亿元同比增长68.56%,净利润9.78亿元同比增长318.42%[12] - 江波龙2024年上半年营收90.39亿元同比增长143.82%,净利润5.94亿元同比增长199.64%[13] - 佰维存储2024年前三季度营收50.25亿元同比增长136.76%,净利润2.28亿元同比增长147.13%[14] - 兆易创新2024年前三季度营收56.50亿元同比增长28.56%,净利润8.32亿元同比增长91.87%[15] - 业绩增长主要受益于DDR5渗透率提升、AI芯片新品出货及存储价格上行周期[12][13][14][15] 行业发展趋势 - 到2030年全球AI服务器对存储芯片需求量将是2025年数倍[17] - HBM技术成为存储芯片热点,为AI服务器提供更高带宽和更快读写速度[19] - 国家政策支持存储芯片国产替代,大基金加大投资力度[18] - 行业存在周期性波动风险,2023年上半年因需求疲软导致价格下跌[21] - 原材料价格波动和供应链稳定性对生产成本产生影响[22]
长存集团完成股改估值超1600亿 旗下长江存储多次否认借壳上市
长江商报· 2025-09-26 09:26
公司股改进展 - 长存集团于2025年9月25日完成股份制改革 选举首届董事会成员 公司治理结构全面完善升级 [1][2] - 公司注册资本从562.7亿元增至1052.7亿元(2023年) 后进一步增至1132.79亿元(2025年7月) [2][3] - 通过两轮融资累计获得超百亿元资金 新增股东包括国家集成电路产业投资基金二期等15家机构 [2][3] 股权结构与估值 - 公司拥有29位股东 涵盖国有资本/产业资本/金融资本及知名私募机构 形成多元化股东阵容 [1][3] - 2025年4月养元饮品子公司出资16亿元获得0.99%股权 对应估值达1616亿元 [1][2] - 长江存储以1600亿元估值位列2025全球独角兽榜第21位 成为半导体行业估值最高新晋独角兽 [5] 业务生态布局 - 旗下子公司包括长江存储/新芯股份/长存资本等 构建闪存制造/晶圆代工/封装测试/产业投资/创新孵化全价值链业务生态 [3] - 长江存储为国内唯一3D NAND原厂 注册资本1246亿元 在全球设有研发中心 员工8000余人(研发人员占比75%) [4][5] - 2025年9月与湖北长晟三期共同出资207.2亿元成立长存三期集成电路公司 其中长江存储持股50.19% [5] 技术研发成果 - 长江存储2017年成功设计制造中国首款3D NAND闪存 2019年量产自主Xtacking®架构第二代产品 [4] - 2022年推出UFS 3.1通用闪存 2023年发布致态Ti600固态硬盘 目前拥有1.18万件专利申请(国际专利超5400件) [4][5] - 公司每年新增专利申请1300件 技术覆盖3D NAND闪存/TLC/QLC等多代产品 [4][5] 行业发展前景 - 全球AI算力热潮推高存储芯片需求 行业进入新一轮成长周期 [3] - 预计2031年全球存储芯片市场规模达15840亿元 2025-2031年复合增长率9.3% [3] - 国产存储芯片企业长鑫存储已启动上市辅导 行业整体迎来高速发展期 [1][3][5]
长江存储母公司完成股改,估值超1600亿元
南方都市报· 2025-09-25 15:51
前述相关人士介绍,上述两笔融资额累计超百亿元。 目前,长存集团的股东涵盖国有资本、民营资本、国家集成电路产业投资基金(下称"大基金")一期及 二期等产业资本、五大行等金融资本,以及多家市场知名私募股权投资机构。 天眼查显示,长存集团的前三大直接持股股东分别是湖北长晟发展有限责任公司(下称"湖北长晟")、 武汉芯飞科技投资有限公司(下称"芯飞科技")、大基金一期及二期。湖北长晟背后的主要股东为武汉 东湖高新区管委会、武汉市国资委和湖北省国资委;芯飞科技的主要股东则为东湖高新区管委会、大基 金一期。 国产存储芯片巨头长江存储的母公司——长江存储科技控股有限责任公司(下称"长存集团")已于近日 完成股份制改造。 9月25日,接近长存集团的相关人士告诉南都记者,长存集团已召开股份公司成立大会,并选举产生了 股份公司首届董事会成员。股改是长存集团提升公司竞争力、实现战略目标的关键举措。 此前4月25日,"六个核桃"生产商养元饮品(603156.SH)披露,旗下子公司泉泓投资已向长存集团投资 16亿元。交易完成后,泉泓投资持有长存集团0.99%的股份。若按照16亿元持股0.99%股权进行计算, 长存集团的市场估值约为16 ...
长江存储状告美国商务部及BIS:要求其公开制裁真相
是说芯语· 2025-09-25 08:34
诉讼背景与性质 - 长江存储及其日本子公司向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼 被告为美国商务部及其下属的工业与安全局[1] - 诉讼依据《信息自由法》要求美方公开2022年将公司列入实体清单的完整行政记录与内部决策过程 并非直接挑战出口管制措施本身[1] - 日本子公司主要负责在日本和韩国市场的推广与技术支持[1] 实体清单影响 - 2022年12月美国商务部BIS将包括长江存储在内的36家中国企业加入实体清单[1] - 对所有受《出口管制条例》管辖物项实行"推定拒绝"许可审查政策 公司几乎无法获得美国管辖的商品 软件 技术等[1] 列入理由异常点 - 公告中对其他33家企业明确写明由"最终用户审查委员会决定列入" 唯独长江存储措辞变为"ERC所代表的机构决定列入" 模糊决策主体[2] - 对大多数企业写明具体事实依据 如与新疆劳工转移项目联系 但长江存储部分仅笼统表述"可能存在向华为 海康威视等实体清单企业转移的风险"[4] 合规救济努力 - 2024年6月公司依据EAR第744.16条向ERC提交移除申请 内部审查未发现违反出口管制条例交易记录[4] - 2025年5月向美方递交数十页白皮书 详细说明合规体系 防止产品转移内部措施及制度改进计划[4] - 公司强调严格执行美国出口管制合规要求 积极配合BIS多次信息和数据请求[4] 美方回应与质疑 - 美方未对申请和材料做出实质回应 公司从未收到任何关于违法行为的指控[5] - 质疑可能存在竞争对手提交不实或误导性信息影响决策结果[5] FOIA请求内容 - 2025年8月1日公司正式提交FOIA请求 要求披露三类信息:2020年9月至2025年8月间与第三方通信记录 决策主体机构信息 完整行政记录[5] - BIS在20个工作日内未提供答复也未申请延期 构成"推定拒绝"[6] 诉讼要求 - 要求法院裁定强制美方披露所有相关文件 设定明确分批披露时间表 判令美国政府承担原告律师费及诉讼成本[6] 诉讼战略意义 - 借助FOIA要求美方公开完整行政记录和决策过程 展示企业在国际规则框架下的主动性[7] - 公司内部审查未发现违规交易记录 详实的记录和合规体系支撑诉讼行动[7] - 为其他企业面对不透明限制提供可借鉴路径[7]
韩媒:从制衣业到机器人,中国带来太多惊讶
环球网资讯· 2025-09-25 07:14
中国制造业全球主导地位 - 中国制造业增加值占全球比重约30% 是排名第二的美国的两倍 [1] - 在无人机市场 电动汽车市场 造船市场均占据主导地位 [1] - 影响力从制衣业延伸到机器人 人工智能领域 [1] 传统产业智能化升级 - 人工智能将制衣业重振为具有超级竞争力的产业 [2] - 阿里巴巴智能服装工厂利用AI预测畅销设计 制订生产计划 准确率达99% [2] - 广东和浙江数万家服装厂竞争焦点转向数据和速度而非劳动力成本 [2] - 顺丰物流采用AI计算最佳配送路线 机器人全天候进行分类包装 [2] 全产业链市场优势 - 从维生素C原材料 自行车到高端家电 太阳能电池板 通信设备 高铁等数百个行业占据全球主导市场份额 [2] - 世界对中国制造依赖持续增长 现代生活一天都离不开中国产品 [2] 对韩国产业的竞争压力 - 韩国钢铁行业面临黯淡未来 浦项制铁FINEX炼铁工艺被中国类似技术超越 [3] - 韩国石化行业遭遇前所未有的危机 因最大出口市场中国进行产能扩张 [3] - 韩国在汽车 造船 智能手机市场份额方面已落后中国 [3] - 中国迅速进入液化天然气运输船建造等韩企曾主导领域 [3] - 中国在存储半导体领域达到挑战三星电子和SK海力士3D NAND闪存地位的水平 [3]
2025年中期策略:望向新高
光大证券· 2025-07-10 15:42
核心观点 - 外部不确定性或从关税扩散,国内政策积极但克制,经济有韧性 [4] - 下半年预期差来自盈利修复、流动性热度、新兴产业发展 [5] - 短期预期差驱动下,下半年市场或冲击新高 [6] - 结构上关注内需、科技与红利个股 [7] 市场上半年回顾 - A股及港股市场上半年呈“N型”走势,分震荡上行、震荡调整、震荡上行三阶段 [8] 来自内部的确定性 外部不确定性将从关税逐步扩散 - 美国“对等关税”90天截止期限将至,多数经济体难在暂缓期解决关税问题 [13][15] - 我国关税政策压力与美国和其他经济体谈判进程有关 [17] - 投资者认为关税冲击最严峻阶段已过,但外部不确定性或从关税扩散 [19][25] 国内政策:积极但克制 - 国内政策将保持积极,延续去年9月及今年两会以来基调 [30] - 政策发力节奏和空间留有余地,应对极端风险并避免干扰中长期目标 [32] - 外部不确定性上升时,政策将迅速发力 [38] - 去年9月以来,国内经济明显修复,实现全年经济目标难度不大 [43] 国内经济:韧性较强 - 经济各部门修复速度有差异,内生需求好转,部分数据低迷 [48] - 出口维持强势,下半年或有压力,但不影响中期竞争力 [53] - 消费修复亮点多,政策支持下数据有韧性,服务消费改善 [57] - 投资数据分化,基建和制造业投资增速放缓,地产投资低迷 [62] 下半年预期差来自何处? 预期差之一:盈利修复的持续性 - 一季度盈利数据超季节性,A股非金融板块盈利增速同比转正 [68] - 内需改善持续性或超预期,补贴政策有望持续 [75][77] - 居民收入回升与财富效应将提升消费意愿 [78] - 地产销售和土地成交数据好转,地产链部分数据改善 [83][88][91] - 新政策性金融工具或带来投资增量,投向创新相关领域 [95][100] - 核心CPI触底回升,预计A股业绩持续改善 [106][112] 预期差之二:流动性热度与资本市场重要性 - 赚钱效应下微观资金热度高,两融资金流入持续性强 [116][122] - 个人投资者通过ETF投资权益市场,居民资产入市基础坚实 [128][133] - 政策持续关注权益市场,中长期资金流入保持积极 [136][138] 预期差之三:新兴产业星火燎原 - 新兴产业发展迅速,政策支持下高技术产业增加值和投资额增长 [144] - 外部压力成为转型动力,我国出口占比和贸易顺差优势仍存 [152][159] - 人工智能、机器人等新产业加速崛起,半导体领域补短板取得进展 [167][174] 市场展望:望向新高 中国资产仍然具有较高吸引力 - A股和港股估值有吸引力,下半年市场或冲击新高 [181][184] 8月份或许将是关键节点 - 8月是关键节点,中报业绩或延续增长,市场聚焦盈利主线 [193] - 关税不确定性将消解,美国对华态度似有软化 [194] - 外部流动性有望宽松,关注“十五五”规划 [197][202] H股表现是否会更强? - 港股超额收益源于稀缺板块和AH溢价收敛,基本面较A股更早修复 [206][211] - 南下资金流入将持续,海外流动性改善和新增资产吸引海外资金 [215][222] - 港股稀缺资产性价比高,有望维持强势 [228] 有哪些风险? - 贸易层面,美国与其他经济体谈判超预期,中国压力或加剧 [233] - 美国在科技、投资等领域颁布针对我国的行政命令 [238] - 地缘政治风险未终结,中东和俄乌局势仍有不确定性 [241] 结构展望:内需、科技与红利个股 内需消费:补贴、服务与新消费 - 消费提振政策将延续,消费数据有望保持韧性 [244][254] - 消费板块业绩筑底回升,关注内需补贴、线下服务和新消费领域 [259][265][270][274] 科技自立:AI机器人、半导体、军工 - 美国对华科技限制具持续性,中美产业布局重合 [280][284] - 国内新动能产业发展快,关注AI和机器人、半导体产业链、军工和低空经济 [288][294][300][305] 举牌逻辑下的红利股 - 高股息板块分化,银行成亮点,红利股频遭举牌 [310][322] - 红利板块投资转向个股驱动,关注部分高质量标的 [325][327]