文章核心观点 - 英特尔计划将其用于埃米级制程与先进封装的独家关键技术“Super MIM”超级电容授权给联电，双方合作可能从现有的12纳米平台扩大，此举将显著提升联电的技术能力，并共同抢占AI时代的商机，树立台美半导体合作新里程碑 [1] 合作动态与双方表态 - 联电表示，当前与英特尔的合作重心仍在12纳米平台，旨在强化制程竞争力与客户服务，但未来不排除扩大合作范围至更多元技术领域 [1] - 消息人士透露，联电内部已有专门团队开始为此新合作展开行动 [1] - 英特尔对相关消息不予置评 [1] Super MIM 技术的重要性与原理 - Super MIM是英特尔进军埃米级制程的关键技术，旨在解决先进制程下的电源噪声与瞬时功率波动问题，是支撑下世代制程节点稳定运作的秘密武器 [1] - 该技术采用铁电铪锆氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）、钛酸锶（STO）等材料堆叠，能在兼容现有后段制程的情况下，大幅提升单位面积电容密度，并显著降低漏电水准 [2] - Super MIM被视为18A等埃米级制程能否顺利量产的关键电力基础模组之一，可在芯片内部即时提供瞬间电流支援、抑制电压下陷与电源杂讯 [2] - 从技术构成看，Super MIM属于内嵌的金属-绝缘体-金属结构电容，英特尔通过采用新型Hi-K介电材料，使得占据相同面积的MIM电容拥有5倍的容值，从而降低电压骤降情况 [4] 技术合作的具体规划与影响 - 英特尔正规划优先将Super MIM超级电容技术向下导入与联电现有合作的12纳米/14纳米制程平台，并延伸至先进封装相关应用 [2] - 通过取得英特尔授权，联电将在关键电力技术的商品化与模组化方面迈进大步，并建立其在成熟先进制程与先进封装领域的差异化技术门槛 [2] - 若成功导入该技术，联电将不仅是优化单一制程，而是获得“先进电力模组”这项跨世代关键能力，有助于其切入AI加速器、高速运算、先进封装电源层等高附加价值应用，对联电整体技术平台与客户结构具有指标意义 [2] 行业背景与技术挑战 - 随着晶体管尺寸持续微缩，芯片在高负载运算时会出现剧烈瞬时电流需求，传统去耦电容面临容量密度不足或漏电流过高等瓶颈，已难以支撑埃米级芯片的稳定运作 [1] - 在晶体管之上的电路层，英特尔通过SuperFin技术缩减紧邻线路的阻障层厚度，宣称能够减少通孔电阻达30% [4]

公司融资与投资者 - 人工智能芯片初创公司Neurophos Inc完成1.1亿美元早期融资，使其总融资额达到1.18亿美元 [1] - 本轮A轮融资由Gates Frontier领投，众多知名投资者参与，包括微软风投部门M12、Carbon Direct Capital、沙特阿美风险投资、博世风投等 [1] 公司技术与产品 - 公司开发名为“光学处理单元”的全新AI加速芯片，将超过一百万个微米级光学处理元件集成在单个芯片上 [2] - 其原型芯片性能可达现有AI处理器的100倍，旨在为数据中心提供即插即用解决方案以替代图形处理单元 [2] - 核心创新在于开发了专有的微米级超材料光调制器，尺寸比现有光子元件小1万倍，并结合内存计算技术以加速AI矩阵乘法运算并减少数据传输 [2] - 芯片利用光子实现超过100吉赫兹的时钟频率，早期测试显示其性能超过每瓦每秒300万亿次运算，能效远超现有标准 [3] 行业背景与市场需求 - 公司致力于解决人工智能技术普及所面临的日益增长的计算能力短缺问题，认为当前数据中心在计算能力、可扩展性和能源消耗方面存在关键限制 [1] - 行业分析师指出，由于对AI计算的预期需求巨大且英伟达GPU稀缺推高价格，许多公司正在寻求更快、更经济的AI模型运行方式，这为芯片初创公司创造了前所未有的机遇 [3] 发展规划与合作伙伴 - 公司正与挪威数据中心运营商Terakraft合作，计划于2027年启动光学AI加速器的实际应用试点项目 [3] - 目标是在2028年初制造出首批完整系统，并在同年晚些时候扩大生产规模，此时间表获得了投资方的认可 [3] - 本轮融资将用于加速首款集成光子计算系统的交付，包括OPU模块、完整软件栈及早期开发者硬件 [5] - 公司计划扩建其位于德克萨斯州奥斯汀的总部，并在旧金山开设新的工程中心以向潜在客户展示技术 [5] 行业评价与支持 - 分析师认为，Neurophos的努力将有助于决定光学处理单元能否像GPU一样普及 [4] - 微软不仅是公司的投资方，其高管也公开表示需要计算能力的突破以匹配AI模型的发展，并认可Neurophos团队的技术方向 [4][5]

文章核心观点 - 磷化铟（InP）凭借其在高频、高速光电融合场景下的卓越物理性能，正从一个小众半导体材料转变为支撑全球AI算力与光通信网络的战略核心材料，行业迎来规模商用的关键转折点 [1][19] - AI数据中心爆发式增长是当前磷化铟需求激增的核心驱动力，800G/1.6T高速光模块及CPO技术推动需求呈指数级增长，而全球产能高度垄断且存在巨大供需缺口，产业景气度持续攀升 [1][5][6][11] - 中国企业在政策与资本支持下加速国产化突围，通过技术攻关和产能扩张，正推动磷化铟产业链从“单点突破”向“全链条升级”跨越，有望重构全球产业竞争格局 [11][12][13] 磷化铟的材料性能优势 - 磷化铟是第二代III-V族化合物半导体，拥有硅材料10倍以上的电子迁移率（高达1.2×10⁴ cm²/V·s），支持100GHz以上的超高频信号处理，是唯一能适配高频、高速光电融合场景的核心材料 [2] - 在光纤通信的关键波长（1310nm和1550nm）上，磷化铟作为直接带隙材料表现无可替代，能高效制造光电器件，且与InGaAs、InGaAsP等合金具备晶格匹配性 [2] - 材料具备高耐热性与抗辐射特性，对长时间高温运作的AI服务器或数据中心至关重要，制成的光通讯芯片或模组更稳定可靠 [2] - 在应用场景上，磷化铟与硅材料形成差异化竞争：硅在中短距、中低端场景可替代，但磷化铟在高端长距通信领域地位无可撼动；与砷化镓相比，磷化铟光电转换效率更优，更适配800G、1.6T光模块、卫星通信等高端场景 [3] 核心需求驱动力：AI数据中心与CPO技术 - AI大模型训练进入万卡集群时代，数据中心内部数据传输需求呈指数级增长，全球AI基础设施支出预计2026年突破万亿美元，推动光模块向800G/1.6T及以上速率加速迭代 [1] - 单颗800G光模块需要4-8颗磷化铟激光器芯片，光模块速率向1.6T、3.2T演进过程中，对磷化铟的需求呈指数级增长 [5] - 英伟达Quantum-X交换机单台配备18个硅光引擎，均依赖磷化铟衬底激光器芯片，1.6T光引擎对衬底面积需求较800G提升300%以上 [5] - 共同封装光学（CPO）技术是突破“功耗墙”的核心方案，可将功耗降低50%以上，对磷化铟衬底的稳定性、低缺陷性提出极高要求，也将大幅提升单位芯片对磷化铟的需求密度 [6] - 2026年是CPO技术导入元年，英伟达、博通已实现产品出货，台积电COUPE平台验证完成，云巨头加速导入 [6] - 据富士总研预测，2030年CPO全球市场规模将较2024年增长约166倍，达到14.2万亿日元，而光收发器市场规模也将扩增至10.7万亿日元，较2024年增长约260% [7] 其他新兴应用领域 - 激光雷达：2030年全球激光雷达出货量预计达2000万台，磷化铟基方案在高端市场渗透率持续提升，例如Luminar Iris激光雷达搭载磷化铟探测器 [8] - 5G/6G移动通信与低轨卫星通信：恩智浦UWB芯片采用磷化铟工艺实现厘米级定位精度；中国“吉林一号”卫星的磷化铟红外相机实现10米分辨率夜间成像 [8] - 量子计算等前沿领域也在加速渗透磷化铟材料 [8] - Yole数据预测，全球InP衬底市场规模将从2022年的30亿美元增至2028年的64亿美元，年复合增长率达13.5%，其中数据中心芯片市场增长最为迅猛 [8] 全球供需格局与产能扩张 - 2025年全球磷化铟器件需求预计达200万片，而产能仅为60万片，供需缺口高达近70% [1][11] - 全球头部供应商订单已排满至2026年 [1][11] - 市场呈现高度寡头垄断格局：日本住友电工市占率60%，美国AXT（通过北京通美）占约35%，加上法国II-VI、日本JX金属等，几家巨头合计垄断全球95%以上产能 [10] - 头部厂商纷纷加码扩产：AXT募资1亿美元计划在2026年前将产能翻一番；住友电工计划2027年前将产能提升40%；日本JX金属宣布扩产20% [11] - Coherent公司2024年四季度磷化铟相关业务实现同比2倍增长，并计划在2026年前将产能提升至当前的5倍 [11] 中国国产化进展与产业链突破 - 政策支持：磷化铟衬底被纳入《重点新材料首批次应用示范指导目录》，科技部牵头攻关超高纯铟制备技术，政府采购明确国产化率要求 [12][13] - 云南锗业子公司鑫耀半导体已实现4英寸磷化铟衬底批量供货，6英寸产品通过华为海思验证，产能达15万片/年 [12] - 三安光电募资65亿元扩产，武汉基地月产1万片6英寸衬底，产品进入华为供应链 [12] - 九峰山实验室联合云南鑫耀成功开发6英寸磷化铟基外延生长工艺，6英寸晶圆单片可制造400颗以上芯片（是3英寸的4倍），单芯片成本降至3英寸的60%-70%，并计划在2026年前攻克8英寸外延技术 [12] - 博杰股份通过投资鼎泰芯源，建成国内首条自主知识产权InP衬底生产线 [12] - 华芯晶电采用VGF法突破4英寸InP衬底制备技术，产品良率达70%，价格仅为进口产品的50%，已进入苹果供应链 [12] - 广东平睿晶芯半导体科技产业园项目总投资11亿元，预计年产30万片磷化铟单晶衬底片 [12] - 随着6英寸工艺规模化应用，中国有望在2030年前占据全球InP市场30%份额 [13] 面临的技术挑战与成本问题 - 晶体生长环节工艺复杂，主流垂直梯度凝固法（VGF）过程犹如“黑盒子”，极易产生孪晶等缺陷，合格率波动剧烈（从个位数到40%不等），制约产能稳定快速释放 [15] - 磷化铟衬底价格高昂，6英寸射频级InP衬底价格已涨至1.8万元/片，成本远高于硅和砷化镓，限制了其向消费电子等价格敏感市场的扩张 [15] - 产业正通过扩大晶圆尺寸（从4英寸向6英寸及以上过渡）、优化长晶工艺、提升良率、实现关键设备国产化等路径来破解成本困境 [16] 地缘政治与供应链安全 - 铟已被中、美、欧、日等列为关键矿产，凸显其战略价值 [16] - 2025年2月，中国对铟等战略小金属实施出口管制，中国是全球50%以上铟资源的供应国 [16] - 美国通过CFIUS审查强化管控，近期以行政命令强行叫停了瀚孚光电收购美国Emcore公司（交易金额292万美元）的交易，原因涉及磷化铟技术的战略属性 [17] - 地缘政治博弈加剧了全球供应链的不确定性和重构 [17]

公司核心业务与市场表现 - 公司以高科技智能马桶和卫生陶瓷闻名，但其在陶瓷领域的专业知识也应用于半导体制造，生产静电吸盘等关键组件 [1] - 得益于与半导体供应链的联系及AI热潮，公司股价在1月2日收盘上涨近10%，1月22日股价上涨9.7% [1] - 公司预计其陶瓷业务部门在2024财年的营业利润将达到200亿日元（约合1.3亿美元），利润率接近40%，远高于公司整体7%的利润率预测 [5] 半导体业务产品与技术 - 公司自20世纪80年代以来生产的静电吸盘已成为现代半导体制造中不可或缺的工具，利用静电力固定硅晶圆 [2] - 静电吸盘是芯片生产多个环节的关键组件，包括极紫外光刻、等离子刻蚀、化学气相沉积、物理气相沉积等需要精确晶圆定位的工艺 [2] - 在极紫外光刻工艺中，由于需要高真空环境，静电吸盘比真空吸盘更易于使用，并能提供更均匀的夹紧力，改善套刻精度和关键尺寸控制 [3] - 随着极紫外光刻等需要精确晶圆定位的工序使用量增长，静电吸盘的使用量也随之上升 [4] 市场前景与竞争格局 - 随着对生成式人工智能的需求增长，存储数据的数据中心需求增加，公司预计对静电吸盘的需求也会增长 [1] - 预计到2025年，静电吸盘产品的营业利润将超过1亿美元 [2] - 公司目标到2026财年将陶瓷业务营业利润提升至250亿日元，并扩大产品范围 [5] - 公司面临新光电气工业和应用材料等竞争对手的挑战 [4] - 半导体行业预计将保持指数级增长 [6] 公司战略与产能投资 - 为巩固市场地位，公司在制造业领域投入巨资，于2020年斥资118亿日元在日本大分县兴建了一座陶瓷生产工厂 [4] - 从2020年4月到2024年4月，公司陶瓷生产员工人数增加了约20% [4] - 公司正在考虑新建一座工厂 [4] - 公司将业务目光投向晶圆加工以外的下游工序，如切割和封装，认为陶瓷有望在三维芯片堆叠等新工艺中发挥更重要作用 [6]

三星Exynos 2600芯片组性能表现 - 搭载与AMD合作开发的Xclipse 960 GPU，GPU性能据称比前代Exynos 2500的Xclipse 950提升至两倍[1] - 在Geekbench 6 OpenCL测试中取得24,964分，成为该Android基准测试列表中OpenCL速度最快的处理器，比高通骁龙8 Elite Gen 5处理器（23,634分）高出1000多分[2] - 在OpenCL测试中，其性能远超搭载骁龙X Elite Adreno X1-85 GPU的联想Yoga Slim 7x 14（得分20,771分），也比搭载骁龙X Elite的Galaxy Book4 Edge（得分20,492分）快了21.8%[2][5] - 前代产品Xclipse 950在相同OpenCL基准测试中得分为18,509分[2] - 在Vulkan测试中，Galaxy Book4 Edge以28,934分的成绩领先，但Exynos 2600的Vulkan跑分尚未公布[5][6] 三星Exynos 2600芯片组技术规格 - 采用三星晶圆代工的2nm GAA工艺制造，是全球首款2nm智能手机芯片[6][7] - 搭载基于Arm v9.3架构的10核CPU，包括1个3.8GHz主核心（C1-Ultra）、3个3.25GHz高性能核心（C1 Pro）和6个2.75GHz高能效核心（C1 Pro）[5][7] - 引入全新NPU，人工智能性能据称比上一代产品提升113%[9] - 配备Xclipse 960 GPU，与Exynos 2500相比，光线追踪性能提高50%，计算性能提高一倍[9] - 图像信号处理器（ISP）新增基于人工智能的视觉感知系统（VPS），支持高达320MP的摄像头传感器，并引入基于深度学习的视频降噪技术[9] - 首次采用热通道阻隔（HPB）技术，使用高介电常数EMC材料改善散热，据称可将温度降低高达30%[6][9] - 支持LPDDR5X内存、UFS 4.1存储以及刷新率高达120Hz的4K显示器[11] - 三星表示，新款芯片组的性能比Exynos 2500提升了39%，同时能效更高[7] 三星Exynos 2600芯片组市场与应用 - 预计将在即将推出的Galaxy S26和Galaxy S26+旗舰机型中使用[11] - 有传言称该芯片组将在全球多个市场使用，而最新说法指出可能仅限于韩国市场，最终计划需官方确认[11]

人工智能需求对PC硬件供应链的冲击 - 人工智能的蓬勃发展给PC组装商带来比预期更大的麻烦，不仅导致DDR5内存价格飙升，还引发了新一轮GPU短缺 [1] - 受人工智能数据中心需求激增推动，英伟达将至少在2026年第三季度之前削减RTX 50系列GPU 15%至20%的产量 [1] 英伟达RTX 50系列显卡的具体供应影响 - 减产将影响所有RTX 50系列显卡，包括旗舰级RTX 5090，使其供应量比以往更加稀缺 [1] - RTX 5070 Ti的产量将大幅下降，而RTX 5080和RTX 5060 Ti 8GB将继续限量供应 [1] - RTX 5060作为该系列中最经济实惠的型号之一，预计将彻底停产 [1] - 由于“人工智能产品销售严重超额”，英伟达已停止生产消费级显卡 [1] - 据称，RTX 5060将至少停产六个月，而RTX 5090、RTX 5070 Ti和RTX 5060 Ti 16GB将在一段时间内基本“无法购买” [1] - 另一消息来源证实RTX 5060的供应即将耗尽，至少要到第四季度才能恢复供应 [2] - 5050和5060 Ti 8GB将是整个夏季唯一能够以较充足数量供应且价格合理的型号 [2] - 5080和5070也将继续销售，但数量非常有限 [2] 行业供应短缺的持续性与更广泛影响 - 英伟达已通知其合作伙伴将在第四季度重新评估战略，但生产不会很快恢复正常，在可预见的未来显卡供应仍是难题 [2] - 去年内存短缺的局面已蔓延至PC硬件市场的其他领域，包括固态硬盘、机械硬盘和显卡 [2] - DRAM价格飙升对更广泛的消费电子市场造成影响，预计今年智能手机价格将上涨 [2] - IDC报告指出，如果DRAM短缺持续下去，到2026年，PC和智能手机的价格可能会上涨近10% [2]

科技和人文的世界瞬息万变，每个产业总需要一个适合的聚会来给大家展现我们所拥有的一切，并与 大家分享我们所成就的一切，半导体电子行业也不例外。 半导体产业每年会有多少盛会？ 2 0 2 6 半导体行业观察展会日历 我们怎样才能找到适合自己的展会和会议？ 了解半导体产业动态和产品，就要对每一年行业的展会、论坛、研讨会了如指掌。 半导体行业观察 特别总结了2026年知名的电子半导体产业盛会，方便大家了解和参与。 扫码下方 二维码 或 点击公众号名片 关注 【半导体行业观察】 2026 1月 1月17日 北京 2026年第五届 AIGC 开发者大会 | 论坛 https://mp.weixin.qq.com/s/1Cz1_jMR9C1WBFV7CiVnvw?scene=1&click_id=9 2026 3月 3月22日-24日 上海 CSTIC 2026 集成电路科学技术大会 | 论坛 https://www.semiconchina.org/zh/5 3月25日-27日 上海 ICAC 2026 华人芯片设计技术研讨会 | 研讨会 https://www.icacworkshop.cn/ SEMICON Chin ...

法案核心内容与进展 - 美国众议院外交事务委员会以压倒性多数投票通过“人工智能监管法案” 该法案旨在赋予国会更大权力控制人工智能芯片出口[1] - 法案由佛罗里达州共和党众议员布莱恩·马斯特于去年12月提出 背景是特朗普政府批准向中国交付英伟达H200人工智能芯片[1] - 法案若经众议院和参议院全体通过 将给予众议院外交事务委员会和参议院银行委员会30天时间审查并可能阻止向中国等国出口先进AI芯片的许可证[1] - 法案要求美国商务部向立法者提供详细申请书 证明相关芯片不会被用于针对美国的军事、情报或监视活动[1] 法案支持方观点与目的 - 法案支持者认为先进芯片应像其他军事系统一样接受严格监管 关乎“军事战争的未来”[1] - 科技倡导组织“美国人负责任创新协会”表示 法案将“减缓中国在人工智能领域取得足以与美国匹敌的成就的进展”[1] - 法案提出者马斯特强调“美国必须赢得人工智能军备竞赛”[2] - 支持法案的议员指责反对者为“特殊利益集团” 利用数百万美元资金发动社交媒体攻势 反对法案是为了保护美国国家安全利益[3] 反对方观点与争议 - 白宫人工智能事务负责人戴维·萨克斯反对该法案 并赞同社交媒体上称该法案由“永不挺川者”及奥巴马、拜登前幕僚策划 旨在破坏特朗普“美国优先”战略的观点[2] - 社交媒体上的反对运动指责该法案是“伪装成监督的亲华破坏”[2] - 人工智能公司Anthropic的首席执行官Dario Amodei公开表示阻止中国获得H200等先进芯片很重要 称“运送这些芯片将是一个巨大的错误”[2] - 针对法案的协调一致的媒体宣传活动增加了其获得通过的可能性[1] 涉及公司与机构 - 法案直接涉及英伟达公司及其强大的H200人工智能芯片[1] - 人工智能公司Anthropic及其首席执行官Dario Amodei被卷入争议 被指控雇佣拜登前工作人员推动芯片出口管制问题[2] - 负责出口管制的美国商务部被法案要求向立法者提供证明文件[1] - 英伟达公司和美国商务部均未对相关置评请求作出回应[3]

项目概况 - 美光科技在纽约州克莱市破土动工建设一座巨型存储芯片晶圆厂，总投资额达1000亿美元，有望成为该州历史上最大的商业开发项目及全美最大的芯片制造基地 [1] - 项目预计将获得超过200亿美元的公共补贴，并承诺创造9000个就业岗位 [2][7] - 首批芯片有望在五年内交付，但整个厂区需要20年才能完全建成 [1] 社区联盟的核心诉求 - 由约25个地方倡导团体组成的“纽约中部社区福利联盟”要求美光签署一份具有法律约束力的社区利益协议，以确保其“好邻居”承诺可强制执行 [1][2] - 联盟认为，鉴于巨额公共补贴，美光应致力于为当地居民创造优质就业，并主动将项目对住房、公共服务、居民健康及环境的负面影响降至最低 [2] 协议具体要求：就业与劳动力 - 要求美光提供足以让家庭和当地经济繁荣发展的工资和福利 [2] - 确保来自各种背景的锡拉丘兹居民都有公平机会获得美光的工作，并拥有公平的晋升渠道 [2] - 保障员工、家人及社区成员免受危险工作环境和有毒化学品的侵害，确保工作安全 [3] 协议具体要求：住房、交通与公共投资 - 要求美光与政府确保项目不会加剧该地区的房价、交通和空气污染问题，并提供安全、可靠、经济实惠且低排放的交通工具 [4] - 要求美光将其直接投资用于公立学校的职业和技术教育项目，并确保公共服务因其存在而变得更好 [4] - 美光已承诺2.5亿美元社区投资，并已发放1500万美元拨款 [6] 协议具体要求：环境与公共卫生 - 要求美光对项目将破坏的湿地、水道和栖息地进行补偿 [6] - 要求美光采取措施减少温室气体排放，包括购买新的可再生能源，并确保其大量消耗能源和水资源不影响社区成员的负担成本 [6] - 特别关注芯片制造中使用的“永久性化学物质”可能对水道和员工健康构成的威胁，目前尚无计划在污水流入安大略湖前去除这些物质 [8] 协议具体要求：透明度与问责 - 要求美光做出具体承诺，并定期向公众分享这些承诺的进展情况 [6] - 协议条款可包括设立监督小组和年度公开报告，以确保透明度和可执行性 [6][7] 美光公司的回应与现有承诺 - 美光发言人表示公司致力于成为社区的优秀成员和负责任的环境管理者 [6] - 公司承诺80%的建筑工人将来自当地，并已获得表彰其作为优秀雇主的奖项 [6] - 为获得许可和税收优惠，美光已承诺投资1000万美元用于儿童教育，修复受损湿地，并与地方政府合作解决住房短缺问题 [9] 联盟的行动与行业背景 - 联盟计划呼吁民选官员，并利用审批过程中的公众评论机会向美光施压以促使其谈判 [9] - 类似具有法律约束力的社区利益协议在美国其他大型建设项目（如机场、公交车厂）中已有成功先例，可通过法院强制执行 [6] - 芯片制造厂因消耗大量的水和电而面临前所未有的公众审视，一些项目因阻力已被放弃或迁址 [7] 潜在影响与各方立场 - 联盟组织者认为，若与美光达成协议，可成为在大型开发项目中争取社区让步的模板 [7] - 工会组织IUE-CWA曾与美光进行初步接触，但因立场相左谈判陷入僵局，故加入联盟以寻求合作 [9] - 地方当局认为该项目是“美国历史上研究最深入的项目”，并驳回了相关法律挑战仅为“施压行为” [10]

被动元件行业涨价动态 - 华新科宣布自2月1日起调升所有芯片电阻产品线报价，业界透露涨幅上看二成[1] - 华新科是继国巨、厚声之后又一家宣布涨价的被动元件大厂，产业新一波涨价周期态势确立[1] - 国巨已率先宣布自2月1日起调涨部分芯片电阻价格，涨幅约落在10%至20%区间[2] 涨价原因分析 - 全球产业环境挑战加剧，人力、电力及原物料成本持续上升[1] - 核心金属材料如银、钯、镍、锡、铜等受市场波动影响，成本压力明显提高[1] - 新应用市场持续发展、产能需求提升，整体营运成本逐步累积[1] - AI伺服器、资料中心与规格升级需求支撑，抵销部分消费性电子疲弱[2] - 原材料价格推力明确，形成价格上扬的驱动力[2] 市场与供应链影响 - 涨价效应已在大陆供应链扩散，大型被动元件代理商已陆续接获国巨转投资凯美的涨价通知[2] - 国巨、华新科与厚声等一线、二线厂启动首波调涨，将带动通路端备货意愿升温[2] - 过去数年被动元件供给相对充裕，通路商备货意愿偏低，库存水位一路下探，目前多已回到安全水位以下[2] 公司具体措施与展望 - 华新科价格调整幅度将依各产品规格、型号及种类另行提供详细方案，进行差异化调整[1][2] - 华新科此次调整幅度预期不会低于国巨水准[2] - 华新科强调将持续致力于提供稳定供应、高品质产品与即时支援服务，与客户维持长期合作关系[2]