核心观点 - 存储芯片行业供需结构加速翻转，价格进入明确上升周期，预计2026年第一季DRAM与NAND闪存价格将呈现双位数涨幅 [2][3] 价格趋势与市场动态 - 三星及SK海力士预计在1月底或2月初揭晓最新合约价，价格趋势向上 [3] - 2026年第一季DRAM与NAND价格均朝双位数涨幅方向发展，价格循环持续进入上升段 [2][3] - 市场盛传的“三星存储全面涨价80%”一说，台系模组厂及代理商尚未收到正式通知，实际涨幅将因客户层级、产品组合与合约条件而异 [3] - 近期RDIMM现货价格快速上扬，部分NAND客户须预付现金才能取得配额，显示供应结构已转为卖方市场 [4] 价格传导结构与客户差异 - 原厂报价具有明确的层级传导结构：云端服务商率先取得报价与配额，其次为PC与笔记本品牌客户，最后才传导至模组与通路端 [3] - DRAM与NAND第一季均呈双位数涨幅，但实际涨幅依客户层级而异，云端服务商与高阶应用端承受较高涨幅，模组与通路端则相对温和 [4] 行业策略与风险管控 - 当前原厂与客户普遍采取“包全年产能”的长约策略，但需重点设计合约以确保实际出货可执行性，包括最低提货量、预付款、优先供货顺位与取消条款等 [5] - 随着存储价格上行预期升高，市场各层级出现囤货现象，为避免重复下单风险，中国台湾存储制造大厂及模组厂多采取依历史出货纪录分配配额的策略 [5] 行业展望 - 多家模组厂对2026年第一季营运展望“相当乐观”，预期订单与价格走势将与2025年第四季相差不大，维持高档水准 [3]

文章核心观点 - 近期AMD等X86处理器曝出硬件级安全漏洞（如StackWarp），凸显了X86阵营普遍面临的安全困扰 [1] - 相比之下，拥有完整X86授权的海光CPU因其自主研发的CSV虚拟化等技术，被证实对相关漏洞具有天然免疫能力，展现了国产CPU的自主创新价值 [1][3] - 海光CPU通过从X86到C86的自主技术演进，构建了独特的安全技术防线，在全球X86阵营中独树一帜，实现了技术自研价值的兑现 [5][6][7] 漏洞事件与技术分析 - **StackWarp漏洞详情**：该漏洞由德国CISPA亥姆霍兹信息安全中心发现，存在于AMD的SEV-SNP安全功能中 [3] - **攻击原理**：漏洞允许恶意的虚拟机主机操控客户虚拟机的堆栈指针（RSP寄存器），从而劫持控制流和数据流，实现远程代码执行和权限提升 [3] - **攻击路径关键**：攻击依赖于主机具备更改虚拟机页表并构造虚拟机单步执行的能力 [3][4] - **厂商回应**：AMD发布声明称该低危漏洞的补丁自去年7月起已可用于其EPYC产品 [3] 海光CPU的自主创新与安全优势 - **技术免疫**：行业人士指出，海光CPU对StackWarp漏洞展现出天然免疫能力，因其自主研发的CSV3虚拟化技术与AMD的SEV-SNP存在本质差异，导致攻击路径完全失效 [3] - **底层逻辑不同**：海光CSV3从底层技术逻辑上进行了革新，攻击者不具备虚拟机单步执行的条件，无法利用此漏洞 [4] - **自主技术演进**：海光已独立完成多轮产品自主迭代，形成了可持续演进的国产C86技术路线 [6] - **主动安全构建**：在C86国产化研发伊始，海光即自主拓展了安全算法指令，并在CPU中内置安全处理器，实现了密码技术、可信计算、隐私计算的原生支持 [6] - **漏洞防御能力**：得益于硬件级原生安全技术演进，海光CPU对许多其他X86芯片存在的漏洞（如熔断、幽灵等）能实现免疫或修复 [7] 行业格局与国产芯片发展 - **阵营分化**：频繁的安全漏洞事件使得国内外X86阵营的界限愈发分明 [1] - **创新关键**：芯片安全体系的构建最终落脚于自主创新，真正的“消化吸收再创新”才能避免陷入“抄到错误答案”的窘境 [5][6] - **价值兑现**：国产C86通过自主创新，成功在全球X86阵营中独树一帜，在客观意义上实现了技术自研价值的兑现 [7] - **行业趋势**：面对X86常见的漏洞，国产芯片正在经历一场全方位的自主性和安全性洗练 [7]

公司融资与投资者 - 人工智能芯片初创公司Neurophos Inc完成1.1亿美元早期融资，使其总融资额达到1.18亿美元 [1] - 本轮A轮融资由Gates Frontier领投，众多知名投资者参与，包括微软风投部门M12、Carbon Direct Capital、沙特阿美风险投资、博世风投等 [1] 公司技术与产品 - 公司开发名为“光学处理单元”的全新AI加速芯片，将超过一百万个微米级光学处理元件集成在单个芯片上 [2] - 其原型芯片性能可达现有AI处理器的100倍，旨在为数据中心提供即插即用解决方案以替代图形处理单元 [2] - 核心创新在于开发了专有的微米级超材料光调制器，尺寸比现有光子元件小1万倍，并结合内存计算技术以加速AI矩阵乘法运算并减少数据传输 [2] - 芯片利用光子实现超过100吉赫兹的时钟频率，早期测试显示其性能超过每瓦每秒300万亿次运算，能效远超现有标准 [3] 行业背景与市场需求 - 公司致力于解决人工智能技术普及所面临的日益增长的计算能力短缺问题，认为当前数据中心在计算能力、可扩展性和能源消耗方面存在关键限制 [1] - 行业分析师指出，由于对AI计算的预期需求巨大且英伟达GPU稀缺推高价格，许多公司正在寻求更快、更经济的AI模型运行方式，这为芯片初创公司创造了前所未有的机遇 [3] 发展规划与合作伙伴 - 公司正与挪威数据中心运营商Terakraft合作，计划于2027年启动光学AI加速器的实际应用试点项目 [3] - 目标是在2028年初制造出首批完整系统，并在同年晚些时候扩大生产规模，此时间表获得了投资方的认可 [3] - 本轮融资将用于加速首款集成光子计算系统的交付，包括OPU模块、完整软件栈及早期开发者硬件 [5] - 公司计划扩建其位于德克萨斯州奥斯汀的总部，并在旧金山开设新的工程中心以向潜在客户展示技术 [5] 行业评价与支持 - 分析师认为，Neurophos的努力将有助于决定光学处理单元能否像GPU一样普及 [4] - 微软不仅是公司的投资方，其高管也公开表示需要计算能力的突破以匹配AI模型的发展，并认可Neurophos团队的技术方向 [4][5]

文章核心观点 - 磷化铟（InP）凭借其在高频、高速光电融合场景下的卓越物理性能，正从一个小众半导体材料转变为支撑全球AI算力与光通信网络的战略核心材料，行业迎来规模商用的关键转折点 [1][19] - AI数据中心爆发式增长是当前磷化铟需求激增的核心驱动力，800G/1.6T高速光模块及CPO技术推动需求呈指数级增长，而全球产能高度垄断且存在巨大供需缺口，产业景气度持续攀升 [1][5][6][11] - 中国企业在政策与资本支持下加速国产化突围，通过技术攻关和产能扩张，正推动磷化铟产业链从“单点突破”向“全链条升级”跨越，有望重构全球产业竞争格局 [11][12][13] 磷化铟的材料性能优势 - 磷化铟是第二代III-V族化合物半导体，拥有硅材料10倍以上的电子迁移率（高达1.2×10⁴ cm²/V·s），支持100GHz以上的超高频信号处理，是唯一能适配高频、高速光电融合场景的核心材料 [2] - 在光纤通信的关键波长（1310nm和1550nm）上，磷化铟作为直接带隙材料表现无可替代，能高效制造光电器件，且与InGaAs、InGaAsP等合金具备晶格匹配性 [2] - 材料具备高耐热性与抗辐射特性，对长时间高温运作的AI服务器或数据中心至关重要，制成的光通讯芯片或模组更稳定可靠 [2] - 在应用场景上，磷化铟与硅材料形成差异化竞争：硅在中短距、中低端场景可替代，但磷化铟在高端长距通信领域地位无可撼动；与砷化镓相比，磷化铟光电转换效率更优，更适配800G、1.6T光模块、卫星通信等高端场景 [3] 核心需求驱动力：AI数据中心与CPO技术 - AI大模型训练进入万卡集群时代，数据中心内部数据传输需求呈指数级增长，全球AI基础设施支出预计2026年突破万亿美元，推动光模块向800G/1.6T及以上速率加速迭代 [1] - 单颗800G光模块需要4-8颗磷化铟激光器芯片，光模块速率向1.6T、3.2T演进过程中，对磷化铟的需求呈指数级增长 [5] - 英伟达Quantum-X交换机单台配备18个硅光引擎，均依赖磷化铟衬底激光器芯片，1.6T光引擎对衬底面积需求较800G提升300%以上 [5] - 共同封装光学（CPO）技术是突破“功耗墙”的核心方案，可将功耗降低50%以上，对磷化铟衬底的稳定性、低缺陷性提出极高要求，也将大幅提升单位芯片对磷化铟的需求密度 [6] - 2026年是CPO技术导入元年，英伟达、博通已实现产品出货，台积电COUPE平台验证完成，云巨头加速导入 [6] - 据富士总研预测，2030年CPO全球市场规模将较2024年增长约166倍，达到14.2万亿日元，而光收发器市场规模也将扩增至10.7万亿日元，较2024年增长约260% [7] 其他新兴应用领域 - 激光雷达：2030年全球激光雷达出货量预计达2000万台，磷化铟基方案在高端市场渗透率持续提升，例如Luminar Iris激光雷达搭载磷化铟探测器 [8] - 5G/6G移动通信与低轨卫星通信：恩智浦UWB芯片采用磷化铟工艺实现厘米级定位精度；中国“吉林一号”卫星的磷化铟红外相机实现10米分辨率夜间成像 [8] - 量子计算等前沿领域也在加速渗透磷化铟材料 [8] - Yole数据预测，全球InP衬底市场规模将从2022年的30亿美元增至2028年的64亿美元，年复合增长率达13.5%，其中数据中心芯片市场增长最为迅猛 [8] 全球供需格局与产能扩张 - 2025年全球磷化铟器件需求预计达200万片，而产能仅为60万片，供需缺口高达近70% [1][11] - 全球头部供应商订单已排满至2026年 [1][11] - 市场呈现高度寡头垄断格局：日本住友电工市占率60%，美国AXT（通过北京通美）占约35%，加上法国II-VI、日本JX金属等，几家巨头合计垄断全球95%以上产能 [10] - 头部厂商纷纷加码扩产：AXT募资1亿美元计划在2026年前将产能翻一番；住友电工计划2027年前将产能提升40%；日本JX金属宣布扩产20% [11] - Coherent公司2024年四季度磷化铟相关业务实现同比2倍增长，并计划在2026年前将产能提升至当前的5倍 [11] 中国国产化进展与产业链突破 - 政策支持：磷化铟衬底被纳入《重点新材料首批次应用示范指导目录》，科技部牵头攻关超高纯铟制备技术，政府采购明确国产化率要求 [12][13] - 云南锗业子公司鑫耀半导体已实现4英寸磷化铟衬底批量供货，6英寸产品通过华为海思验证，产能达15万片/年 [12] - 三安光电募资65亿元扩产，武汉基地月产1万片6英寸衬底，产品进入华为供应链 [12] - 九峰山实验室联合云南鑫耀成功开发6英寸磷化铟基外延生长工艺，6英寸晶圆单片可制造400颗以上芯片（是3英寸的4倍），单芯片成本降至3英寸的60%-70%，并计划在2026年前攻克8英寸外延技术 [12] - 博杰股份通过投资鼎泰芯源，建成国内首条自主知识产权InP衬底生产线 [12] - 华芯晶电采用VGF法突破4英寸InP衬底制备技术，产品良率达70%，价格仅为进口产品的50%，已进入苹果供应链 [12] - 广东平睿晶芯半导体科技产业园项目总投资11亿元，预计年产30万片磷化铟单晶衬底片 [12] - 随着6英寸工艺规模化应用，中国有望在2030年前占据全球InP市场30%份额 [13] 面临的技术挑战与成本问题 - 晶体生长环节工艺复杂，主流垂直梯度凝固法（VGF）过程犹如“黑盒子”，极易产生孪晶等缺陷，合格率波动剧烈（从个位数到40%不等），制约产能稳定快速释放 [15] - 磷化铟衬底价格高昂，6英寸射频级InP衬底价格已涨至1.8万元/片，成本远高于硅和砷化镓，限制了其向消费电子等价格敏感市场的扩张 [15] - 产业正通过扩大晶圆尺寸（从4英寸向6英寸及以上过渡）、优化长晶工艺、提升良率、实现关键设备国产化等路径来破解成本困境 [16] 地缘政治与供应链安全 - 铟已被中、美、欧、日等列为关键矿产，凸显其战略价值 [16] - 2025年2月，中国对铟等战略小金属实施出口管制，中国是全球50%以上铟资源的供应国 [16] - 美国通过CFIUS审查强化管控，近期以行政命令强行叫停了瀚孚光电收购美国Emcore公司（交易金额292万美元）的交易，原因涉及磷化铟技术的战略属性 [17] - 地缘政治博弈加剧了全球供应链的不确定性和重构 [17]

文章核心观点 - 半导体互连架构正从传统的两级（芯片和PCB）演变为复杂的五级系统（芯片、堆叠层、中介层、基板、PCB），这一渐进式演变旨在应对性能、功耗和集成度提升带来的挑战，但也显著增加了设计和验证的复杂性 [1][3][25][26] 互连架构的演变与挑战 - 传统互连采用两级结构：集成电路（IC）本身的金属布线和印刷电路板（PCB）上的金属布线，两者线间距差异可达六个数量级，缺乏中间尺度 [1][3] - 性能提升使得信号传输线路至关重要，过长的线路会降低性能 [3] - 芯片功率提升至千瓦级，散热难度增加，旧式封装通过引线框架和散热器的散热方法已不足够 [4] - 芯片集成度提高导致功率密度（单位面积或体积的功率）增长速度可能超过功率本身，加剧散热挑战 [4] 封装与基板的作用 - 倒装芯片封装取代引线框架，将芯片连接到由有机材料制成的封装基板上，基板成为一种全新的互连方式 [6] - 基板本质上是小型高精度PCB，可有多层布线，其线路可以比PCB上的线路更密集，有助于缩短线路、提高信号质量并提供更多I/O接口散热 [6][7] - 基板允许安装多个芯片，成为封装设计的一部分，改变了芯片与封装设计分离的传统 [7] 三维集成与硅通孔技术 - 通过硅通孔（TSV）技术实现芯片3D堆叠，允许信号在芯片间垂直传输，但每个TSV只能传输一个固定信号，灵活性较低 [9] - 芯片堆叠极大地增加了散热难度，堆叠中间的芯片缺乏有效散热路径，热量会在相邻芯片间传递 [11] - 堆叠结构的键合技术中，传统微凸点互连占主导，但混合键合是性能更高、成本也更高的解决方案 [11] 2.5D集成与中介层 - 2.5D集成利用中介层作为中间“PCB”，其线间距比PCB或基板上的更小，允许安装多个裸芯片 [13] - 中介层可以是成本较低的有机材料或可实现更精细尺寸的硅材料，目前约有四层布线，预计会增加到八到九层 [13] - 使用中介层可将原本在PCB上连接的芯片置于封装内部，或将单片系统级芯片（SoC）分割成多个小芯片，以提高功耗、性能和面积 [14] - 硅中介层线间距最小但成本高，有机中介层线间距约为2至5微米，基板线间距约为25至50微米，用基板代替中介层是更具成本效益的方案，但中介层对高性能计算应用仍有很高实用价值 [16] 设计与验证复杂性的提升 - 五层互连系统的设计和验证过程比过去复杂得多，封装内部的四层必须一起设计和验证 [17] - 早期架构设计阶段需评估包括是否需要封装盖在内的机械与散热方案，互连层级的选择影响布线性能和分区效果 [18] - 验证工作从早期开始，范围包括结构材料分析、布局规划、翘曲分析、电学仿真、功耗、热通量、散热方法评估以及多物理场分析 [20] - 集成团队需验证功能、信号完整性、电源完整性、抗翘曲鲁棒性及整体散热性能，而不仅仅是估算 [21] 电源传输与信号完整性的优化 - 互连层增加使得电压调节可更靠近芯片，电压调节器可置于封装内部，安装在基板或中介层上 [23] - 去耦电容可移至封装下方、基板上或中介层上，新技术使其能集成到基板或中介层的核心层中，以缓冲电压波动、提高信号完整性 [23] - 所有五个互连层级都为将电源和去耦电容电路更靠近芯片提供了机会，未来可能在所有层级采用以提升性能极限 [23]

文章核心观点 - 英特尔计划将其用于埃米级制程与先进封装的独家关键技术“Super MIM”超级电容授权给联电，双方合作可能从现有的12纳米平台扩大，此举将显著提升联电的技术能力，并共同抢占AI时代的商机，树立台美半导体合作新里程碑 [1] 合作动态与双方表态 - 联电表示，当前与英特尔的合作重心仍在12纳米平台，旨在强化制程竞争力与客户服务，但未来不排除扩大合作范围至更多元技术领域 [1] - 消息人士透露，联电内部已有专门团队开始为此新合作展开行动 [1] - 英特尔对相关消息不予置评 [1] Super MIM 技术的重要性与原理 - Super MIM是英特尔进军埃米级制程的关键技术，旨在解决先进制程下的电源噪声与瞬时功率波动问题，是支撑下世代制程节点稳定运作的秘密武器 [1] - 该技术采用铁电铪锆氧化物（HZO）、氧化钛（TiO）、钛酸锶（STO）等材料堆叠，能在兼容现有后段制程的情况下，大幅提升单位面积电容密度，并显著降低漏电水准 [2] - Super MIM被视为18A等埃米级制程能否顺利量产的关键电力基础模组之一，可在芯片内部即时提供瞬间电流支援、抑制电压下陷与电源杂讯 [2] - 从技术构成看，Super MIM属于内嵌的金属-绝缘体-金属结构电容，英特尔通过采用新型Hi-K介电材料，使得占据相同面积的MIM电容拥有5倍的容值，从而降低电压骤降情况 [4] 技术合作的具体规划与影响 - 英特尔正规划优先将Super MIM超级电容技术向下导入与联电现有合作的12纳米/14纳米制程平台，并延伸至先进封装相关应用 [2] - 通过取得英特尔授权，联电将在关键电力技术的商品化与模组化方面迈进大步，并建立其在成熟先进制程与先进封装领域的差异化技术门槛 [2] - 若成功导入该技术，联电将不仅是优化单一制程，而是获得“先进电力模组”这项跨世代关键能力，有助于其切入AI加速器、高速运算、先进封装电源层等高附加价值应用，对联电整体技术平台与客户结构具有指标意义 [2] 行业背景与技术挑战 - 随着晶体管尺寸持续微缩，芯片在高负载运算时会出现剧烈瞬时电流需求，传统去耦电容面临容量密度不足或漏电流过高等瓶颈，已难以支撑埃米级芯片的稳定运作 [1] - 在晶体管之上的电路层，英特尔通过SuperFin技术缩减紧邻线路的阻障层厚度，宣称能够减少通孔电阻达30% [4]

公司核心业务与市场表现 - 公司以高科技智能马桶和卫生陶瓷闻名，但其在陶瓷领域的专业知识也应用于半导体制造，生产静电吸盘等关键组件 [1] - 得益于与半导体供应链的联系及AI热潮，公司股价在1月2日收盘上涨近10%，1月22日股价上涨9.7% [1] - 公司预计其陶瓷业务部门在2024财年的营业利润将达到200亿日元（约合1.3亿美元），利润率接近40%，远高于公司整体7%的利润率预测 [5] 半导体业务产品与技术 - 公司自20世纪80年代以来生产的静电吸盘已成为现代半导体制造中不可或缺的工具，利用静电力固定硅晶圆 [2] - 静电吸盘是芯片生产多个环节的关键组件，包括极紫外光刻、等离子刻蚀、化学气相沉积、物理气相沉积等需要精确晶圆定位的工艺 [2] - 在极紫外光刻工艺中，由于需要高真空环境，静电吸盘比真空吸盘更易于使用，并能提供更均匀的夹紧力，改善套刻精度和关键尺寸控制 [3] - 随着极紫外光刻等需要精确晶圆定位的工序使用量增长，静电吸盘的使用量也随之上升 [4] 市场前景与竞争格局 - 随着对生成式人工智能的需求增长，存储数据的数据中心需求增加，公司预计对静电吸盘的需求也会增长 [1] - 预计到2025年，静电吸盘产品的营业利润将超过1亿美元 [2] - 公司目标到2026财年将陶瓷业务营业利润提升至250亿日元，并扩大产品范围 [5] - 公司面临新光电气工业和应用材料等竞争对手的挑战 [4] - 半导体行业预计将保持指数级增长 [6] 公司战略与产能投资 - 为巩固市场地位，公司在制造业领域投入巨资，于2020年斥资118亿日元在日本大分县兴建了一座陶瓷生产工厂 [4] - 从2020年4月到2024年4月，公司陶瓷生产员工人数增加了约20% [4] - 公司正在考虑新建一座工厂 [4] - 公司将业务目光投向晶圆加工以外的下游工序，如切割和封装，认为陶瓷有望在三维芯片堆叠等新工艺中发挥更重要作用 [6]

三星Exynos 2600芯片组性能表现 - 搭载与AMD合作开发的Xclipse 960 GPU，GPU性能据称比前代Exynos 2500的Xclipse 950提升至两倍[1] - 在Geekbench 6 OpenCL测试中取得24,964分，成为该Android基准测试列表中OpenCL速度最快的处理器，比高通骁龙8 Elite Gen 5处理器（23,634分）高出1000多分[2] - 在OpenCL测试中，其性能远超搭载骁龙X Elite Adreno X1-85 GPU的联想Yoga Slim 7x 14（得分20,771分），也比搭载骁龙X Elite的Galaxy Book4 Edge（得分20,492分）快了21.8%[2][5] - 前代产品Xclipse 950在相同OpenCL基准测试中得分为18,509分[2] - 在Vulkan测试中，Galaxy Book4 Edge以28,934分的成绩领先，但Exynos 2600的Vulkan跑分尚未公布[5][6] 三星Exynos 2600芯片组技术规格 - 采用三星晶圆代工的2nm GAA工艺制造，是全球首款2nm智能手机芯片[6][7] - 搭载基于Arm v9.3架构的10核CPU，包括1个3.8GHz主核心（C1-Ultra）、3个3.25GHz高性能核心（C1 Pro）和6个2.75GHz高能效核心（C1 Pro）[5][7] - 引入全新NPU，人工智能性能据称比上一代产品提升113%[9] - 配备Xclipse 960 GPU，与Exynos 2500相比，光线追踪性能提高50%，计算性能提高一倍[9] - 图像信号处理器（ISP）新增基于人工智能的视觉感知系统（VPS），支持高达320MP的摄像头传感器，并引入基于深度学习的视频降噪技术[9] - 首次采用热通道阻隔（HPB）技术，使用高介电常数EMC材料改善散热，据称可将温度降低高达30%[6][9] - 支持LPDDR5X内存、UFS 4.1存储以及刷新率高达120Hz的4K显示器[11] - 三星表示，新款芯片组的性能比Exynos 2500提升了39%，同时能效更高[7] 三星Exynos 2600芯片组市场与应用 - 预计将在即将推出的Galaxy S26和Galaxy S26+旗舰机型中使用[11] - 有传言称该芯片组将在全球多个市场使用，而最新说法指出可能仅限于韩国市场，最终计划需官方确认[11]

人工智能需求对PC硬件供应链的冲击 - 人工智能的蓬勃发展给PC组装商带来比预期更大的麻烦，不仅导致DDR5内存价格飙升，还引发了新一轮GPU短缺 [1] - 受人工智能数据中心需求激增推动，英伟达将至少在2026年第三季度之前削减RTX 50系列GPU 15%至20%的产量 [1] 英伟达RTX 50系列显卡的具体供应影响 - 减产将影响所有RTX 50系列显卡，包括旗舰级RTX 5090，使其供应量比以往更加稀缺 [1] - RTX 5070 Ti的产量将大幅下降，而RTX 5080和RTX 5060 Ti 8GB将继续限量供应 [1] - RTX 5060作为该系列中最经济实惠的型号之一，预计将彻底停产 [1] - 由于“人工智能产品销售严重超额”，英伟达已停止生产消费级显卡 [1] - 据称，RTX 5060将至少停产六个月，而RTX 5090、RTX 5070 Ti和RTX 5060 Ti 16GB将在一段时间内基本“无法购买” [1] - 另一消息来源证实RTX 5060的供应即将耗尽，至少要到第四季度才能恢复供应 [2] - 5050和5060 Ti 8GB将是整个夏季唯一能够以较充足数量供应且价格合理的型号 [2] - 5080和5070也将继续销售，但数量非常有限 [2] 行业供应短缺的持续性与更广泛影响 - 英伟达已通知其合作伙伴将在第四季度重新评估战略，但生产不会很快恢复正常，在可预见的未来显卡供应仍是难题 [2] - 去年内存短缺的局面已蔓延至PC硬件市场的其他领域，包括固态硬盘、机械硬盘和显卡 [2] - DRAM价格飙升对更广泛的消费电子市场造成影响，预计今年智能手机价格将上涨 [2] - IDC报告指出，如果DRAM短缺持续下去，到2026年，PC和智能手机的价格可能会上涨近10% [2]

科技和人文的世界瞬息万变，每个产业总需要一个适合的聚会来给大家展现我们所拥有的一切，并与 大家分享我们所成就的一切，半导体电子行业也不例外。 半导体产业每年会有多少盛会？ 2 0 2 6 半导体行业观察展会日历 我们怎样才能找到适合自己的展会和会议？ 了解半导体产业动态和产品，就要对每一年行业的展会、论坛、研讨会了如指掌。 半导体行业观察 特别总结了2026年知名的电子半导体产业盛会，方便大家了解和参与。 扫码下方 二维码 或 点击公众号名片 关注 【半导体行业观察】 2026 1月 1月17日 北京 2026年第五届 AIGC 开发者大会 | 论坛 https://mp.weixin.qq.com/s/1Cz1_jMR9C1WBFV7CiVnvw?scene=1&click_id=9 2026 3月 3月22日-24日 上海 CSTIC 2026 集成电路科学技术大会 | 论坛 https://www.semiconchina.org/zh/5 3月25日-27日 上海 ICAC 2026 华人芯片设计技术研讨会 | 研讨会 https://www.icacworkshop.cn/ SEMICON Chin ...