市场行情表现 - 2025年11月10日A股市场热点分化，大消费概念盘中异动拉升，免税、食品饮料板块领涨，中国中免涨停，股价创近两年新高 [1] - AI存储概念股集体走强，美系闪存龙头闪迪11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%，相关模组厂决定暂停出货并重新评估报价 [1] - 截至2025年11月10日14:31，中证A500指数上涨0.18%，A500ETF龙头红盘蓄势，成分股立昂微、九安医疗、中国中免、锦江酒店等纷纷涨停 [3] - A500ETF龙头跟踪指数前三大权重行业为电子（13.86%）、电力设备（11.14%）、银行（7.62%） [3] 消费板块驱动因素 - 海南离岛免税新政实施首周（11月1日到7日），海口海关共监管免税购物金额5.06亿元，购物人数7.29万人次，同比分别增长34.86%、3.37% [1] - 10月份CPI环比上涨0.2%，同比上涨0.2%，扣除食品和能源价格的核心CPI同比上涨1.2%，涨幅连续第6个月扩大 [1] - 10月份PPI环比由上月持平转为上涨0.1%，为年内首次上涨，同比下降2.1%，降幅比上月收窄0.2个百分点，连续第3个月收窄 [1] 机构市场观点 - 市场分析称在政策与业绩空窗期环境中，市场热点预计维持快速轮动，消费作为内需重要部分，服务消费赛道、新型消费等细分领域值得重点关注 [2] - 银河证券分析认为上市公司三季报展现出基本面韧性，随着后续政策落地节奏明确，A股市场中长期向好趋势不改 [2] - 兴业证券表示A股在平稳的经济和政策预期支撑下或仍将具备韧性，继续“以我为主” [2] - 中金公司研报展望2026年，A股市场风格可能更趋于均衡，建议关注景气成长、外需突围、周期反转三条主线 [3]

公司财务表现 - 2025年前三季度实现归母净利润7.13亿元，同比增长27.95% [1] - 2025年第三季度实现归母净利润6.98亿元，同比大幅增长1994.42%，环比增长318.94% [1] - 公司经营业绩自第二季度以来持续改善，多个业务领域取得突破 [1] 行业趋势与公司前景 - AI高景气度持续催生存储需求，推动行业发展 [1] - 存储行业库存消化顺利，价格自2025年第二季度起开始筑底回升 [1] - 当前市场供需状态良好，存储上行周期有望延续 [1] - 公司作为国内领先的存储厂商，有望充分受益于此轮行业向上周期，盈利水平预计将持续改善 [1]

报告行业投资评级 - 行业投资评级为“推荐”（维持）[2] 报告核心观点 - 存储行业已全面进入由AI时代存储需求爆发推动的加速上行周期，不同于以往由供给侧调整引发的短暂上行，本轮周期因需求强劲且供给侧产能开出有限，导致供需缺口持续扩大，价格加速上涨 [1][6][11] - 海外存储原厂盈利能力持续提升，国内存储模组公司快速扭亏为盈，预计25年下半年利润将加速释放，利基存储芯片及产业链配套公司将持续受益 [1][6] - 展望2026年，行业供需缺口或进一步扩大，价格上涨趋势有望延续，上行周期预计将持续 [6][12] AI时代下存储需求爆发推动周期上行，供需紧张态势下价格加速上涨 - 存储行业自2010年至今经历了三个完整的周期，本轮周期自2025年3月启动，25年第三季度起加速上行，价格上涨持续性更强且涨势加速 [6][11][12] - 需求侧：AI时代下数据中心存储需求从2020年的600EB激增至2028年的2.4ZB；多模态应用如Sora2模型单段10秒4K视频消耗近100MB存储空间，较文本需求提升数百至数千倍；2026年全球NAND Flash位元需求预计增长超200EB至1237EB [6][13][16][18] - 技术侧：HBM4产品将于2026年批量出货，美光2026年HBM产能已售罄；近存计算方案向边缘侧扩散，华邦电推出CUBE方案；铠侠采用CBA架构提升存储密度和性能；闪迪提出HBF方案以解决内存墙问题 [6][24][25][26][30][32][34] - 供给侧：存储原厂资本开支聚焦HBM等高端产品，无明确NAND Flash大幅扩产意愿，2026年NAND Flash资本支出将保持低位，新增产能难以满足需求增长 [6][37][40][41] - 价格端：2025年10月各存储型号价格加速上涨，环比涨幅从40%至102.6%不等，例如DDR5 16G价格上涨102.6%，DDR4 16G价格上涨96.8% [6][42][44][48] 海外原厂盈利能力不断增强，国内存储模组厂商等利润持续释放 - 海外原厂25年第三季度业绩亮眼：三星存储业务收入创历史新高，达26.7万亿韩元（约187亿美元），环比增长26%；SK海力士营收同比增39%，净利率达52%创历史新高；美光FY25Q4收入113.2亿美元，同比增46%，毛利率45.7%；闪迪FY26Q1营收23.08亿美元，同比增23%，净利润环比大增331% [51] - 国内存储模组厂商25年第三季度毛利率和净利率环比提升，利润扭亏为盈，并在三季度增大备货力度，预计25年第四季度利润将加速释放 [6][55][56][59] - 中国台湾模组厂营收增长显著：群联10月营收70.65亿新台币，同比增90%；创见10月营收17.2亿新台币，同比增119.6%；威刚10月营收44.6亿新台币，同比增31% [60][61][64] - 利基存储价格温和上涨，国内厂商如兆易创新、东芯股份、恒烁股份等毛利率和净利率逐季改善，亏损幅度缩小 [6][65][67][68][72] 投资建议 - 建议关注海外存储标的如闪迪、美光、SK海力士、西部数据、凯侠、三星、希捷等 [6][73][74] - 建议关注国内存储模组厂商如江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、大为股份等 [6][73][74] - 建议关注国内利基存储芯片厂商如兆易创新、普冉股份、聚辰股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等 [6][73][74] - 建议关注存储产业链配套厂商如香农芯创、联芸科技、有方科技、同有科技等，以及存储代工和封测厂商如华虹半导体、长电科技、汇成股份、通富微电、华天科技、深科技等 [6][73][74]

行业投资评级 - 报告对电子行业给出“增持”评级 [7] 核心观点 - AI驱动算力与存力需求持续高景气，存储和光芯片领域出现显著的供需失衡，涨价趋势强劲且周期长度超越以往 [1][10] - 存储市场正经历结构性重大变革，DDR5、DDR4等技术标准的产能转换冲突导致缺货情况严峻，预计将持续至2027年 [1][10] - 光芯片因数据中心内部互联及数据中心互联需求激增，供需缺口扩大，主要厂商订单积压，产能提升成为关键 [1][37][49] - 产业链核心公司如SK海力士、闪迪、Lumentum、Coherent及AMD的业绩与产品路线图均显示AI相关需求是核心增长动力 [2][3][13][43][50][59] 存储市场供需与价格趋势 - 根据华邦电和创见资讯口径，当前DRAM内存缺货情况为30年来最严重，上游供应商11月报价大幅上涨五成 [1][10] - DRAM现货价格持续上涨，截至2025年11月7日，DDR5 16G(2G×8) 4800/5600均价20.938美元，涨幅达9.3%；DDR4 16G(1G×16) 3200均价31.5美元，涨幅5% [11][12] - 闪迪法说会预计存储供应短缺将至少持续至2026年以后，其FY26Q1 NAND bit出货量增长约15%，平均售价呈中个位数百分比增长 [3][29] - 三大原厂集中资源拓展HBM市场，导致DDR5及DDR4供不应求，其中DDR4未来较难有新增产能 [10] 主要公司战略与业绩 SK海力士 - 发布向“全线AI存储创造者”转型战略，产品路线图涵盖定制化HBM、AI DRAM和AI NAND，旨在解决AI推理瓶颈并提升计算效率 [2][13] - 定制化HBM通过将GPU/ASIC功能整合至HBM基础裸片，最大化性能并降低功耗 [14] - AI DRAM从优化、突破、扩展三大方向应对不同场景需求；AI NAND从性能、带宽、密度三重维度重构存储性能 [20][25] - 2026-2028年规划推出HBM4、LPDDR5R/LPDDR6及PCIe Gen6 SSD等产品；2029-2031年将进入HBM5与3D DRAM世代 [21][23][26] 闪迪 - FY26Q1业绩超预期，Non-GAAP营收23.08亿美元，环比增长21%，同比增长23%；净利润1.81亿美元，环比大增331% [3][29] - 数据中心业务营收2.69亿美元，环比增长26%，预计2026年数据中心将首次替代移动市场成为NAND闪存最大细分市场 [3][32][35] - 资本支出主要用于BiCS8技术投资，产能利用率已达100%，FY26Q2营收指引为25.5-26.5亿美元，毛利率41%-43% [34][35] Lumentum - FY26 Q1营收5.3亿美元，同比增长58.4%，环比增长11.0%；Non-GAAP毛利率39.4%，同比提升6.6个百分点 [43] - 光芯片供需缺口从上季度的20%扩大至25%-30%，EML激光器出货量创新高，磷化铟晶圆厂产能已全部投入使用 [43][47] - FY26 Q2营收指引为6.3-6.7亿美元，环比增长18.0%-25.5%，预计组件与系统业务各贡献一半增长 [49] Coherent - FY26 Q1营收15.8亿美元，同比增长17.0%；数据中心与通信业务营收10.9亿美元，同比增长26.2%，占总营收69% [50] - 磷化铟激光器产能成为瓶颈，未完成订单积压至下季度，公司正扩大6英寸晶圆产能，预计2026年内部产能翻倍 [50][57][58] - FY26 Q2数据中心业务预计环比提升10%，增长主要由1.6T收发器采用推动 [57] AMD - 25Q3营收92.46亿美元，同比增长36%，创历史同期新高；数据中心部门营收43.41亿美元，营业利润10.74亿美元，营业利润率25% [59][61] - 增长主要受益于第五代EPYC处理器和Instinct MI350系列GPU需求，云计算领域销售额创新高，全球公共EPYC云实例超1350个，同比增近50% [61][64] - 与OpenAI达成多年合作，计划部署6吉瓦Instinct GPU；25Q4营收指引96亿美元，同比增长约25% [59][73] 光芯片市场动态 - 光芯片是光通信核心元件，在高端光模块中成本占比接近50% [37][40] - Lumentum和Coherent均指出光芯片供需失衡加剧，主要受数据中心需求驱动 [1][37] - Coherent表示磷化铟激光器产能瓶颈影响业绩，正积极提升6英寸磷化铟晶圆生产，预计2026年产能翻倍 [1][58] 相关投资标的 - 光芯片：东山精密（索尔思）、源杰科技、长光华芯等 [81] - 海外AI：胜宏科技、东山精密、工业富联等 [81] - 存储模组：香农芯创、开普云（金泰克）、德明利等 [81] - 存储芯片：兆易创新、澜起科技、东芯股份等 [81] - 半导体设备与材料：中微公司、北方华创、雅克科技等 [81] - 封测：长电科技、通富微电、甬矽电子等 [81]

投资评级 - 报告对江波龙的投资评级为“买入”，且为维持评级 [2] 核心观点 - 公司作为国内独立存储器龙头企业，自研主控芯片部署规模快速增长，有望受益于AI数据中心存储需求爆发的浪潮 [8][10] - 存储器周期持续上行，公司2025年第三季度业绩同环比显著改善，盈利能力大幅提升 [6][8] - 公司企业级存储产品在国内处于领先地位，已成功适配多个国产CPU平台，并积极布局AI数据中心应用的高性能存储产品 [8][10] 2025年第三季度业绩表现 - 2025年前三季度公司实现营收167.34亿元，同比增长26.12%；归母净利润7.13亿元，同比增长27.95% [6] - 2025年第三季度单季度实现营收65.39亿元，同比增长54.60%，环比增长10.09%；归母净利润6.98亿元，同比增长1994.42%，环比增长318.94% [6] - 2025年前三季度毛利率为15.29%，同比下降6.25个百分点；但第三季度单季度毛利率为18.92%，同比提升1.58个百分点，环比提升4.10个百分点 [8] - 2025年第三季度单季度净利率达到11.00%，环比大幅提升7.90个百分点 [8] 公司业务与行业地位 - 公司是全球第二大及中国最大的独立存储器企业，拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线 [8] - 截至2025年三季度末，公司自研主控芯片累计部署量突破1亿颗，部署规模保持快速增长 [8] - 公司自主设计的UFS4.1产品性能优秀，并与国际知名存储原厂闪迪达成战略合作 [8] - 2025年上半年中国企业级SATA SSD总容量排名中，公司位列第三，在国产品牌中位列第一 [10] 行业趋势与AI驱动 - AI推理需求扩张导致Nearline HDD严重缺货，交期从数周急剧延长至52周以上 [8] - TrendForce预计2026年大容量企业级SSD出货量有望呈现爆发性增长 [8][9] - AI数据中心创造的庞大数据量带来巨大的存储需求 [10] - 公司已推出多款高速企业级eSSD产品，并积极拓展CXL2.0、MRDIMM等多种新型内存，专为AI数据中心设计的产品SOCAMM2能突破传统RDIMM的性能瓶颈 [10] 盈利预测 - 预计公司2025-2027年营收分别为233.63亿元、296.40亿元、354.04亿元 [10] - 预计2025-2027年归母净利润分别为14.19亿元、24.67亿元、30.04亿元 [10] - 对应的每股收益（EPS）为3.39元、5.88元、7.17元 [10] - 对应的市盈率（PE）为79.38倍、45.68倍、37.51倍 [10]

存储市场趋势与价格 - 北美云服务商加大AI投资导致HDD持续缺货并出现明显供应缺口，云服务商追加大容量QLC SSD订单导致服务器市场需求远超原厂预期，原厂产能转向服务器市场导致消费级及嵌入式存储供应收紧 [2] - 9月至10月下旬现货市场512Gb TLC/1Tb TLC/QLC NAND普遍价格累计涨幅超过近40% [3] 公司供应链与成本管理 - 晶圆采购至存储器销售的生产周期间隔使存储晶圆价格上行时对公司毛利率产生正面影响，但原材料价格波动仅为业绩结果的部分因素 [4] - 公司作为全球领先独立存储器厂商具备优秀存货周转效率，能够运用不同原厂生产的存储晶圆，与全球主要存储晶圆原厂建立长期伙伴关系并通过长期合约（LTA）或商业备忘录（MOU）保障供应链韧性和多元性 [4] 企业级存储业务进展 - 2025年上半年中国企业级SATA SSD总容量排名中公司位列第三，在国产品牌中位列第一，RDIMM产品已批量出货且规模稳步扩大 [5] - 公司布局数据中心高性能存储产品，拓展CXL2.0、MRDIMM等新型内存，发布专为AI数据中心设计的SOCAMM2产品（尚未形成收入），该产品在带宽和功耗上有突破性表现并能解决传统RDIMM性能瓶颈及高温问题 [5][6] 技术创新与产品突破 - 公司凭借自研主控芯片实现UFS4.1产品突破，经原厂及第三方验证在制程、读写速度和稳定性上优于市场可比产品，获得闪迪等存储原厂及多家Tier1大客户认可并加速导入 [6] - 公司已推出4个系列多款主控芯片，采用领先Foundry工艺和自研核心IP，自研主控芯片累计部署量突破1亿颗且部署规模保持快速增长，搭载自研主控的UFS4.1产品正处于多家Tier1厂商导入验证阶段 [6]

行业周期与市场展望 - AI驱动存储行业供需失衡加剧，预计开启持续数年的“超级周期”，到2027年全球存储市场规模有望向3000亿美元迈进 [1] - 存储芯片周期性显著，近13年呈现3-4年一轮的规律，当前正处于由AI算力基建与HBM技术革命驱动的第四轮周期，需求重心从个人消费端转向企业级AI资本开支 [2] - 2024年至今，AI需求驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长，改写传统周期逻辑 [2] 龙头企业财务表现 - 三星电子Q3营业利润为12.1万亿韩元，同比增长31.81%，环比大增158.55%，创下自2022年第二季度以来的最高记录 [3] - 三星电子Q3销售额为86万亿韩元，同比增长8.72%，环比增长15.33%，创下历史新高 [3] - SK海力士Q3运营利润首次突破10万亿韩元大关，达到11.38万亿韩元，同比激增62%；营收24.45万亿韩元，同比增长39%；净利润12.598万亿韩元，三项核心指标均刷新历史纪录 [3] HBM市场动态与影响 - HBM业务成为驱动业绩增长的核心引擎，12层堆叠的HBM3E及服务器DDR5等高端产品推动SK海力士毛利率攀升至57% [4] - HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上，内存制造商优先生产HBM导致DRAM产能受挤压、价格攀升 [4] - 三星与SK海力士通知客户，2025年第四季度DRAM与NAND Flash产品价格将调高约30% [4] - 多家国际电子与服务器厂商积极与三星、SK海力士磋商2-3年期中长期供货协议，以锁定未来资源 [4] DRAM市场竞争格局 - 2025年Q1，SK海力士以36.9%的市占率首次超越三星电子（34.4%），终结三星长达33年的霸主地位 [5][6] - 2025年Q2，SK海力士DRAM市占率飙升至39.5%，三星市占率续跌至33.3%，两者差距扩大至6.2个百分点 [7] - 2025年Q3，SK海力士以35%的营收份额连续第三个季度稳居全球DRAM市场第一，三星电子以34%的市场份额位居第二 [8][9] - 在HBM市场，SK海力士以58%的市场份额继续占据主导地位，HBM在其第三季度DRAM总销售额中占比高达40% [10] 技术发展与产品路线 - High NA EUV光刻机能提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度，光学精度提升40%，对生产2nm芯片及先进存储产品至关重要 [14] - 三星电子从ASML购入5台全新High-NA EUV光刻机，其中部分专供存储事业部，用于产品量产属首次 [14] - SK海力士已将业界首款量产型High NA EUV引进其韩国工厂 [14] - SK海力士成功开发全球首款第六代10nm等级1c制程DDR5 DRAM，并将其1c制程DRAM制造首次升级到了6层EUV光刻，良率达80%-90% [15][16] - 三星电子在1c DRAM制程开发上遭遇挑战，其HBM4良率约为50% [16] - 美光科技采用将EUV与多重图案化DUV技术结合的工艺，仅对关键金属层使用EUV光刻 [17] 未来产能与客户合作 - 12层HBM4产品的预计售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上 [12] - SK海力士已完成与核心客户关于HBM4的供应谈判，计划于2025年第四季度启动量产出货，并已锁定2026年所有DRAM和NAND产能的客户需求 [11][12] - 三星电子计划在2025年晚些时候量产其第六代12层HBM4产品 [11] - 三星电子和SK海力士与OpenAI签署协议，作为核心合作伙伴参与其价值5000亿美元的Stargate人工智能基础设施项目 [21] - 合作包括在韩国建设两个初始容量为20兆瓦的数据中心，三星和SK海力士将扩大内存芯片产量，目标是每月90万片DRAM晶圆，据称是当前全球产能的两倍 [22][24] - Stargate订单可能包括服务器DRAM、图形DRAM甚至SSD，HBM3E带宽可达3.35TB/s，能让GPU集群效率提升30%，延迟降低20% [22][23]

公司业绩表现 - 前三季度实现营业收入167.34亿元，同比增长26.12% [2] - 实现归属于上市公司股东的净利润7.13亿元，同比增长27.95% [2] - 业绩增长得益于从消费级存储向企业级存储的战略聚焦及AI存储领域的前瞻布局 [2] 战略转型与增长驱动 - 公司已从传统存储厂商转型为AI算力基础设施服务商 [3] - 企业级业务有望保持高速增长，成为驱动业绩的核心引擎 [3] - 增长与全球AI算力需求爆发共振，数据中心、云计算及边缘计算领域对高密度、低功耗存储产品需求激增 [2] 技术产品与市场定位 - 技术路线紧密贴合中国算力生态自主化需求，通过深度协同构建产业竞争力 [2] - LPCAMM2产品已完成与飞腾D3000M处理器的适配验证，支持LPDDR5高速接口，形成"CPU+内存"一体化解决方案 [2] - 为智能汽车、工业互联网、AR/VR等新兴场景提供存储支持，把握AI算力从云端向边缘侧延伸的趋势 [3]

行业核心观点 - 国泰海通证券给予电子行业“增持”评级 [1][2] - AI创造的庞大数据量冲击全球数据中心存储设施 [1][2] - 基于SSD的存储卸载技术方案可为AI模型高效运行提供新路径 [1][3] 技术挑战：KV Cache与内存瓶颈 - 键值缓存（KV Cache）技术通过存储已生成token的Key和Value来优化计算效率、减少重复运算，显著提升推理效率 [2] - 随着Agentic AI时代到来，模型规模化扩张、长序列需求激增以及推理任务并发量增长，推理的KV Cache容量增长已超出HBM的承载能力 [2] - KV Cache需要占用GPU的显存（如HBM），生成的文本越长，缓存数据量越大，可能导致HBM和DRAM超载，造成频繁的内存溢出和卡顿迟缓 [2] 解决方案：存储卸载技术 - 业界探索KV Cache分级缓存管理技术，支持将KV Cache缓存从GPU内存卸载到CPU、SSD甚至网络存储，以解决大模型显存瓶颈 [2][3] - 英伟达推出的分布式推理服务框架Dynamo支持KV Cache卸载，其KVBM提供从GPU memory到CPU host memory、SSD、远端存储的卸载，避免大量KV Cache重计算 [3] - 三星电子提出基于SSD的存储卸载方案，将KV Cache卸载至NVMe SSD，可使首token延迟（TTFT）最高降低66%，token间延迟（ITL）最高降低42% [3] 市场趋势：存储设备更替 - 传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD已出现供应短缺，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点 [1][2][4] - AI推理应用推升实时存取、高速处理海量数据的需求，促使HDD与SSD供应商积极扩大供给大容量存储产品 [4] - 由于HDD市场面临巨大供应缺口，NAND Flash业者加速技术转进，投入122TB、甚至245TB等超大容量Nearline SSD的生产 [4]

2025年第四季度MLCC市场展望 - 2025年第四季度全球市场面临更高不确定性 冲击消费者与投资市场信心 对年末消费支出构成压力[2] - 供应链厂商保守看待接下来的节庆消费需求[2] - MLCC供给呈现两极化加剧趋势[2] OLEDoS显示技术发展前景 - Apple通过升级版Vision Pro继续布局VR/MR头戴式装置 注重提升运算效能与改善配重问题[3] - OLEDoS作为中高阶VR/MR装置显示技术 正迎来供应链与应用端的双重突破[3] - 预估OLEDoS在VR/MR的渗透率将于2030年迅速提升至58%[3] 其他行业动态 - 光伏行业终端需求疲软 光伏价格拐点将至[9] - 2025年下半年晶圆代工产能利用率优于预期 零星业者酝酿涨价[11] - AI存储需求激发HDD替代效应 NAND Flash供应商加速转进大容量Nearline SSD[13]