存储价格动态 - 通用DRAM（DDR4 8Gb）平均现货价格在9月达到5.868美元，创年内新高，较第一季度1美元的低位上涨近五倍 [2] - 主流内存半导体DDR5 16Gb平均现货价格达到6.927美元，较年初的4.70美元上涨40%以上，正迅速逼近2018年半导体热潮期的价格水平（7.19-8.19美元） [2] - 机构预测今年第四季度多类DRAM产品将继续涨价 [2] OpenAI的“星际之门”项目与存储需求 - OpenAI与三星电子和SK海力士达成合作，作为其5000亿美元“星际之门”项目的一部分，该项目旨在到本世纪末构建下一代人工智能基础设施 [4] - OpenAI首席执行官Sam Altman要求三星和SK海力士每月供应90万片DRAM晶圆 [5] - 每月90万片晶圆的需求量相当于SK海力士所有季度的HBM销量，接近三星电子（月产能60-65万片）和SK海力士（月产能约50万片）的DRAM产能总和 [6] HBM（高带宽内存）的重要性与市场前景 - HBM因其带宽高于传统DRAM，在AI数据中心处理海量数据时至关重要 [4] - 从NVIDIA GPU的迭代可见，HBM容量是性能升级的关键因素，例如从H100到H200、B200到B300，HBM容量均提升50% [14] - SK海力士预测HBM行业在2024年至2028年期间的复合年增长率将达到50% [18] - SK海力士2025年的HBM供应已售罄，2026年的大部分产能也已售罄；美光同样表示其2025年HBM产能已卖光 [19] AI推动存储市场进入“超级周期” - 野村预计，在AI服务器投资推动下，2026年DDR4/DDR5内存需求将增长约50%，企业级SSD需求预计将增加近一倍 [20] - DRAM营业利润率预计将从目前的40-50%攀升至2026年的近70%，接近2017年超级周期峰值水平 [20] - 摩根士丹利预测存储器将迎来“超级周期”，因AI处理器制造商（如英伟达、AMD、博通）持续吞噬先进HBM供应 [21] - 树莓派公司首席执行官指出，由于AI应用对HBM的无限需求，内存成本比一年前高出约120% [9] HBM需求激增对传统存储市场的影响 - 主要存储供应商将先进工艺产能优先分配给利润更高的服务器DRAM和HBM，限制了PC、移动和消费芯片的产能 [23] - TrendForce预计传统DRAM价格将比上一季度上涨8%至13%，若计入HBM影响，涨幅可能达13%至18% [23] - 用于中低端智能手机的LPDDR4X内存因供应商减产而供应萎缩，第四季度价格可能上涨超过10% [24] - 图形内存（如GDDR7和GDDR6）也面临供应受限和价格上涨压力 [24]

文章核心观点 - 存储行业正迎来超级周期 由人工智能驱动的HBM需求激增所推动 三大存储厂商美光 三星和SK海力士竞争激烈 行业前景乐观 [5][6][27] 美光HBM业务进展 - 美光本季度营收达113.2亿美元 上一季度为93.0亿美元 全年营收从251.1亿美元增长至373.8亿美元 [5] - HBM 高容量DIMM和LP服务器DRAM总收入达100亿美元 较2024财年增长五倍 人工智能对HBM的需求支撑近50%收入增长 [5] - HBM营收增长至近20亿美元 年化运营率接近80亿美元 与几乎所有客户就2026年HBM3E绝大部分供应达成定价协议 [9] - 已向客户交付HBM4样品 实现业界领先11Gbps速度 带宽超过2.8 TB/s 预计HBM4E于2027年上市 [10] - 有六家HBM客户 DRAM市场份额约22.5% 预计2026年HBM市场规模500亿至600亿美元 公司目标份额125.8亿美元 2030年HBM潜在市场达1000亿美元 [11] 三星HBM业务动态 - 第二季度HBM市场份额跌至17% 低于美光21% 但预计明年份额将超过30% 因HBM3E产品认证和HBM4出口扩大 [13][14][18] - HBM3内存预计用于Nvidia DGX B300显卡 AMD Instinct MI350显卡已销售HBM3E芯片 [16] - HBM4样品通过NVIDIA可靠性测试 进入预生产阶段 最早年底量产 数据传输速度达11Gbps 能效提高40% [17][18][19] - 第三季度营业利润预计首次突破10万亿韩元 HBM和晶圆代工业务好转 [19] SK海力士HBM领先地位 - HBM市占率高达62% 反超三星成为全球DRAM龙头 [21] - 计划到2027年购置约20台EUV光刻机 设备数量翻番 提升下一代DRAM和HBM产能 [21] - 已完成HBM4内部验证和质量保证 准备大规模生产 实现每个引脚超过10Gbps吞吐量 速度提高25% [23] - 采用10纳米至10纳米工艺和MR-MUF技术 降低生产风险 产品开发完成并准备出货 [24] 存储市场趋势与预测 - 由于供应紧张 主要供应商将产能分配给利润更高的服务器DRAM和HBM PC内存价格预计上涨8%至13% 算上HBM涨幅可能达13%至18% [25] - 摩根大通将存储器半导体总可寻址市场预期上调高达24% 预计2027年HBM占DRAM市场43% 降低价格波动并提高盈利能力 [25] - NAND闪存价格可能呈上涨趋势 因eSSD普及和过去两年缺乏投资 [26]

美光科技业绩与HBM进展 - 本季度营收为113.2亿美元，上一季度为93.0亿美元；全年营收从251.1亿美元增长至373.8亿美元 [2] - HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM的总收入达到100亿美元，较2024财年增长五倍；人工智能对HBM的需求支撑了公司本财年近50%的收入增长 [2] - 来自HBM的营收增长至近20亿美元，年化运营率接近80亿美元，得益于HBM3E产品的增长 [3] - 公司已向客户交付HBM4样品，实现业界领先的11Gbps速度和超过2.8 TB/s的带宽 [3][4] - 与几乎所有客户已就2026年HBM3E的绝大部分供应达成定价协议，并正就HBM4的规格和供应量进行磋商 [3] - 预计到2026年，HBM市场规模将达到500亿至600亿美元，公司希望获得22.5%份额，即125.8亿美元；到2030年，HBM潜在市场总额预计达到1000亿美元 [5] - 公司有六家HBM客户，HBM份额有望再次增长，并与今年第三季度的整体DRAM份额（约22.5%）保持一致 [4] 三星电子HBM市场动态 - 第二季度在全球高带宽内存芯片市场的排名下滑至第三位，市场份额为17%，低于美光科技的21% [7][9] - 公司12层HBM3E产品此前未通过英伟达质量测试，但目前已获得认证，可以开始出货 [9][10] - HBM3内存预计将很快应用于Nvidia DGX B300显卡，HBM3E芯片已为AMD Instinct MI350显卡销售 [10] - 公司已完成HBM4的开发并向主要客户发送样品，预计最早于年底实现量产；HBM4样品已通过NVIDIA可靠性测试 [11][12] - 公司HBM4通过提高单元集成密度，能效提高40%，数据处理速度据称可达11Gbps [12] - Counterpoint预测，明年公司在HBM市场的份额将超过30% [12] - 公司预计今年第三季度营业利润将在一年左右时间里首次突破10万亿韩元 [12] SK海力士HBM市场领导地位 - 公司在HBM市场的市占率高达62%，帮助其反超三星成为全球领先的DRAM龙头 [14] - 计划到2027年再购置约20台EUV光刻机，使现有设备数量翻一番，以支持下一代DRAM和HBM生产 [14] - 已完成HBM4的内部验证和质量保证流程，准备大规模生产；HBM4开发的完成被视为行业新的里程碑 [15] - HBM4标准接口宽度为2048位，每个引脚吞吐量为8Gbps，公司正在实现每个引脚"超过10Gbps"的吞吐量，速度至少提高25% [15] - 公司采用10纳米至10纳米工艺和大规模回流模塑底部填充技术，以帮助降低生产风险 [15] 存储行业市场展望 - 由于供应紧张，主要供应商将先进工艺产能分配给利润更高的服务器DRAM和HBM，限制了PC、移动和消费芯片的产能 [17] - 传统DRAM价格预计将比上一季度上涨8%至13%，如果算上HBM，涨幅可能高达13%至18% [17] - 摩根大通预计，到2027年，HBM将占据DRAM内存市场的43%，这将降低价格波动并提高盈利能力 [17] - 摩根大通将全球存储器半导体总可寻址市场的预期较此前预估上调高达24% [17] - 随着企业固态硬盘的普及，NAND闪存产品价格可能会呈上涨趋势 [17]