台积电2025年业绩与2026年资本支出指引 - 2025年台积电营收达1220亿美元，同比增长35.9%，毛利率近60% [2] - 2025年归属母公司净利润达1.72万亿元新台币，同比增长超30%，创历史新高 [2] - 2025年资本支出为409亿美元，2026年资本支出指引为520亿至560亿美元，远超市场预期的450-480亿美元区间 [1][3] - 2026年资本支出中70%-80%投向先进制程，10%-20%用于先进封装、测试与掩膜制造 [3] - 2025年高效能运算业务收入占比升至58%，先进制程营收占比达77%，其中3nm与5nm制程合计贡献63%的晶圆销售金额 [2] 全球半导体市场与设备需求展望 - 全球半导体销售额预计从2025年的680亿美元提升到2035年的1741亿美元，年复合增长率为9.9% [4] - 服务器、数据中心和存储对半导体的需求预计从2025年的156亿美元提升到2035年的826亿美元，年复合增长率为18.6% [4] - 全球半导体制造产能预计从2025年的1120万片/月增长到2035年的1900万片/月，年复合增长率为5.4% [5] - 7nm及以下先进逻辑产能2025-2035年预计年复合增长率约15%，DRAM产能年复合增长率约7% [5] - 2024年全球半导体设备市场规模超1000亿美元，预计2025年达1210亿美元，2026年有望增长至1390亿美元 [5] 中国半导体市场产能缺口与国产替代机遇 - 中国内地半导体需求占全球约35%，但国内7nm及以下产能仅占全球不足5%份额，预计带来5~6倍的扩产空间 [1][6] - 全球7nm及以下先进逻辑制程产能在2024年约为每月85万片，预计2028年增长至每月140万片 [6] - 2025年全球存储芯片产能为350~400万片/月，国内产能占比约10%，而中国消耗全球超30%的存储芯片，存储领域有2~3倍的产能拓展空间 [6] - 预计未来国内先进制程需填补百万片月产能以上的缺口，对应数千亿美元的设备投资市场 [6] - 半导体设备国产化率预计从2022年的约18%提升至2025年的约30%，2026年有望达35%，未来有潜力提升至60%~70% [7] - 国产设备正从去胶、清洗等环节向刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光等核心环节加速渗透，从成熟制程向先进产线扩展 [7] 行业增长核心驱动力与投资逻辑 - AI算力需求旺盛推动半导体设备需求快速增长，台积电资本支出超预期增长侧面印证此趋势 [4] - 台积电超预期资本投入标志着2nm制程量产周期提前开启，并反映其在先进封装领域加速扩产以应对AI算力芯片需求的战略 [3] - 国内形成“AI算力高增”与“先进制程国产替代”的双轮驱动格局 [6] - 国内主流晶圆厂积极构建“非美系”设备供应链，为国产设备厂商提供了快速成长的窗口期 [7] - 在AI浪潮和国产替代驱动下，国产设备厂商需求呈现内生和持续性，具备穿越周期的能力，迎来长达5~10年的黄金发展期 [8]

（文章来源：证券日报） 证券日报网讯 1月16日，华润微发布公告称，公司2026年第一次临时股东会审议通过《关于预计2026年 度日常关联交易的议案》《关于修订等三项制度的议案》。 ...

公司业务与产能 - 公司关联的晶圆代工厂广芯微电子一期规划产能为6英寸硅基功率器件每月10万片 [2] - 广芯微电子目前处于产能爬坡阶段 [2] 公司信息披露 - 具体财务数据需关注公司定期报告及相关公告 [2] - 公司的关联交易事项已依法履行决策、审批程序和信息披露义务 [2]

投资评级与目标价 - 报告给予台积电(TSM.N)“增持”评级 [7] - 基于FY2027年22倍市盈率及1美元兑31新台币的汇率假设，对应美股目标价为407美元 [9][11] - 当前股价为341.64美元 [7] 核心观点与业绩指引 - 报告核心观点：AI需求真实且强劲，台积电确认了其强度和持续性，并全面上调了长期业绩指引和资本开支，这提振了AI叙事，同时晶圆制造仍是瓶颈环节，看好算力重回主线 [3][9] - 台积电指引2026年全年收入增速接近30%，高于彭博预期的25% [9] - 公司将2024至2029年AI加速器收入的复合年增长率(CAGR)预期上调至mid-to-high 50s（中高50%区间），此前预期为mid 40s（中40%区间） [9] 财务预测与业绩表现 - 报告调整了台积电FY2026E-FY2028E的营业收入预测至48,805.57亿、61,518.36亿和75,327.92亿新台币（FY2026E/FY2027E前值分别为46,897亿和59,155亿新台币） [9][11] - 报告调整了FY2026E-FY2028E的GAAP净利润预测至23,621.06亿、29,765.46亿和36,505.95亿新台币（FY2026E/FY2027E前值分别为19,442亿和24,511亿新台币） [9][11] - FY2025A营业收入为38,068.16亿新台币，同比增长32%，FY2025A GAAP净利润为17,153.97亿新台币，同比增长46% [5] - 预测FY2026E-FY2028E营业收入同比增长率分别为28%、26%和22%，同期GAAP净利润同比增长率分别为38%、26%和23% [5] - 预测毛利率持续提升，从FY2025A的59.9%上升至FY2028E的64.0% [5] - FY25Q4毛利率达到62.3%，环比提升2.8个百分点，超出指引上限，主要得益于成本优化、产能利用率提升和汇率顺风 [9] - 预计FY26Q1毛利率为63%-65%，且N3制程毛利率将在2026年某个时间点超过公司平均毛利率 [9] 业务与技术进展 - 先进制程持续放量，Blackwell出货是主要推动力 [9] - FY25Q4晶圆收入中，N3/N5/N7制程收入占比分别为28%、35%和14%，三者合计达77% [9] - 展望2026年，预计以N2/N3/N5为代表的晶圆制造和后端CoWoS先进封装均将供不应求 [11] 资本开支与行业地位 - 台积电2026年资本开支(Capex)指引为520-560亿美元，远高于彭博预期的459亿美元，并表态“未来三年Capex显著增加” [9] - 在制程从N3向N2、A14演进的过程中，单位晶圆产能所需的资本开支投入显著提升 [9] - 报告认为，台积电历史上扩产谨慎，此次坚定加大资本开支投入，确认了AI需求愈发确定和持续，对算力本身、上游设备及下游云厂商资本开支叙事有重大支撑作用 [9] - 台积电与云厂商共同指出，晶圆制造仍是数据中心的瓶颈环节，有望催化算力重回投资主线 [9] 估值与可比公司 - 报告选取全球晶圆代工厂作为可比公司，FY2027年可比公司平均市盈率为41倍 [11] - 基于台积电更强的盈利能力，给予其FY2027年22倍市盈率，低于行业平均值 [11]

公司定位与核心工艺 - 公司定位于"电镀+光刻"双核心工艺平台 [1] - 公司深度卡位先进封装、晶圆制造先进节点等高增长赛道 [1] 市场地位与增长动力 - 公司已成长为半导体市场高景气度的核心受益者与有力参与者 [1] - 公司业务增长由行业整体景气度提升、国产化率提升和产品渗透率提高共同推动 [1]

战略合作协议概述 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作基于天域半导体在碳化硅材料领域的优势以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升天域半导体集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固天域半导体集团的市场地位 [1]

战略合作协议核心内容 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日交易时段后订立战略合作协议 [1] - 协议旨在建立战略合作，共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代 [1] - 合作涉及的键合材料包括键合碳化硅(SiC)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上压电基板(POI)及超大尺寸(12英吋及以上)SiC复合散热基板 [1] 合作基础与目标 - 合作将凭借天域半导体在碳化硅材料领域的优势及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [1] - 合作目标为促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺 [1] 预期合作效益 - 预期合作将提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力 [1] - 预期合作将确保设备稳定性 [1] - 预期合作将进一步巩固集团的市场地位 [1]

战略合作协议概述 - 天域半导体与青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司于2026年1月16日订立战略合作协议，旨在建立战略合作 [1] 合作基础与目标 - 合作基于天域半导体在碳化硅材料领域的优势以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力 [1] - 合作旨在共同开展键合材料的工艺开发及技术迭代，具体材料包括键合碳化硅、绝缘体上硅、绝缘体上压电基板及超大尺寸(12英寸及以上)SiC复合散热基板 [1] - 董事会认为合作将结合天域半导体在SiC外延片领域的行业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识 [3] - 预期合作将促进先进键合材料解决方案的开发并优化生产工艺，提升集团在大尺寸复合基板方面的技术能力，确保设备稳定性，并进一步巩固集团的市场地位 [3] 具体合作内容 - **工艺开发**：天域半导体将就键合SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等键合材料开展工艺开发及量产导入 [1] - **设备与技术支持**：青禾晶元将向天域半导体提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等方面的设备及相关技术支持 [2] - 技术支持具体包括：为单晶—多晶SiC键合衬底(8英寸)提供设备定制、优化及工艺调试；为单晶—单晶SiC键合衬底(8英寸)、SOI(8英寸及12英寸)及SionSiC(12英寸)键合衬底提供整线设备选型、设备定制、工艺优化及量产支持；提供适用于金刚石、氧化镓、氮化镓、铌酸锂、钽酸锂等材料的键合设备 [2] - **设备改进及技术支持**：天域半导体将从工艺开发、批量制造的角度给予设备改进及升级迭代的指导；青禾晶元应配合天域半导体量产需求，加大研发投入，提升设备能力，并积极应对使用中遇到的技术问题 [2] 合作条款 - **知识产权**：在技术开发过程中，协议订约方各自独立研发的知识产权归各自独立所有 [3] - **优先合作**：在合作期间及同等条件下，天域半导体应优先与青禾晶元开展整线项目合作，并优先采购其相关设备 [3] - 若青禾晶元提供的设备无法满足天域半导体的技术指标、量产良率要求或货期需求，天域半导体有权向第三方采购，不视为违约 [3]

【1月16日联电盘前涨5.7%，报9.27美元】近日，全球载板龙头欣兴电子与联电达成合作。联电拟投入7 亿新台币参与欣兴现金增资，欣兴计划发行不超150亿新台币无担保普通公司债。 从战略布局看，双方 合作聚焦AI时代高端制造需求。联电将欣兴纳入半导体先进封装核心产业链，强化生态整合，应对台 积电CoWoS产能瓶颈。 本文由 AI算法生成，仅作参考，不涉投资建议，使用风险自担 ...

文章核心观点 - 外资大摩研究报告指出，成熟制程记忆体（Old Memory）供需缺口持续扩大，行业将在2025年第二季至2026年迎来新一波超级周期，目前没有理由悲观 [1] 成熟制程DRAM市场动态 - 主流制程（如DDR5或HBM）产能需求强劲，持续排挤成熟制程（如DDR4、DDR3）的产能分配 [1] - 第一梯队企业买家在2026年1月对DDR4采购转趋积极，试图抢占额外出货额度 [1] - 在供应受限下，预计第一季DDR4价格涨幅可能高达50%，且涨势将延续至第二季 [1] - 由于产能从DDR3转向DDR4，导致高密度DDR3产品出现严重短缺，进而带动DDR3供应商业绩追赶 [1] Flash记忆体市场动态 - 预计第一季NOR Flash报价将调升20-30%，且涨价趋势有机会延续至2025年下半年 [2] - 由于供应量大幅缩减，预计第一季MLC与SLC NAND的价格涨幅将超过50% [2] - 高密度SLC NAND的价格涨势预计将在2026年第一季跟上 [2] - 某家美国主流供应商可能减少产能，为台湾供应商提供了切入AI伺服器供应链的良机 [2] 供应商转型与成长机会 - 部分成熟制程供应商正积极转型，共享高效能记忆体（HBM）与先进封装技术的成长红利 [2] - 力积电的P5晶圆厂具备WoW（晶圆堆叠）与混合键合（Hybrid Bonding）的充足产能，这在HBM4e标准下将至关重要 [2] - 爱普（AP Memory）有望受惠于主要美国客户对CoWoS-S技术的需求，其硅电容（IPD）业务预计在2026年展现强劲成长 [2]