具体来看，SK 海力士有三个布局：定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。 在HBM方面，SK海力士将推出HBM4 16层堆叠产品，并从HBM4E开始供应定制化HBM解决方案。定制化HBM通过 将协议和控制器从XPU芯片移至HBM基础裸片，为计算单元释放更多空间，显著降低接口能耗。 今年下半年来，存储涨价已经成为大众热议的话题。未来，存储将怎么走？ 01 SK 海力士的野心：AI 在最近自家举行的SKAI Summit 2025峰会上，SK海力士CEO郭鲁正宣布了新的战略愿景："全线AI存储创造者"。并且 给出了非常详细的产品路线图，涵盖了从2026年至2031年的时间跨度。 当前，NAND闪存晶圆供应进一步收紧，部分产品11月份合同价格涨幅超过60%。 内存价格上涨显著推高了消费电子产品的物料清单成本，导致智能手机、笔记本电脑、游戏机等设备出货量减少。 人工智能基础设施持续推动NAND闪存需求增长，全球排名前五的NAND 闪存供应商的总营收环比增长 16.5%，接近 171 亿美元。 在DRAM领域，公司将推出LPDDR5R和LPDDR6等标准解决方案， ...

AI驱动存储市场进入超级繁荣周期 - AI浪潮推动存储市场进入前所未有的超级繁荣周期，HBM成为AI服务器关键组件，通过堆叠多层DRAM与GPU结合提供更快数据通道[1] - 存储巨头业绩爆发：三星电子第三季度净利润同比增长21%，SK海力士创下公司史上最高季度利润，美光科技实现净利同比增长三倍[1] - HBM需求旺盛，SK海力士2025年前的HBM产能已被客户预订一空[1] - 传统DRAM和NAND芯片意外走俏，因存储厂集中扩产HBM导致常规内存产能趋紧，亚马逊、谷歌、Meta等数据中心巨头大规模采购传统DRAM[1] LPDDR在AI推理市场的崛起 - 高通发布AI200和AI250数据中心加速器，预计2026年和2027年上市，采用LPDDR内存技术路线，AI200配备768GB LPDDR内存，约为英伟达H100 HBM容量的10倍[2][4] - 英伟达下一代Vera Rubin超级芯片首次采用LPDDR内存，尽管仍配备HBM4，但LPDDR的出现显示技术路线调整[5] - 英特尔发布配备160GB LPDDR5X内存的数据中心GPU，专为AI推理工作负载设计[6] - LPDDR内存性价比比HBM高出13倍，使得大型语言模型推理工作负载可直接在内存中运行，高通Cloud AI 100 Ultra架构比同类英伟达配置功耗低20到35倍[10] 技术路线分野与市场影响 - 到2030年，推理工作负载数量将是训练工作负载的100倍，AI推理越来越受内存限制而非计算限制[8] - LPDDR方案存在内存带宽较低、延迟更高、服务器环境可靠性待验证等问题，但在推理场景中容量和成本优势远超带宽劣势[10] - 高通AI250引入近内存计算架构，有效内存带宽提升10倍以上，支持分解推理功能，两款方案机架级功耗仅160千瓦[4][10] - AI硬件市场呈现分层结构：训练市场HBM不可替代，推理市场LPDDR有望异军突起[18] LPDDR供应链潜在危机 - 单个AI推理机架LPDDR内存容量可达数十TB，相当于数十万至百万部智能手机用量，2026-2027年多家厂商量产将导致需求指数级增长[11] - LPDDR产能主要由三星、SK海力士和美光控制，数据中心订单可能挤占消费电子份额，导致手机厂商面临采购成本上升、交货周期延长[11] - 手机厂商可能被迫接受更高内存成本、降低内存配置或寻找替代方案[12] LPDDR6技术发展 - JEDEC正式发布LPDDR6标准，核心架构演进为四个24位子通道，数据速率达10,667至14,400 MT/s，有效带宽28.5至38.4 GB/s[14][16] - LPDDR6引入DVFSL等功耗管理机制，Synopsys基于台积电N2P工艺的LPDDR6 IP带宽达86 GB/s，JEDEC标准理论峰值可达115 GB/s[14][17] - 主要厂商计划2025年起逐步停产DDR4，LPDDR6预计快速被行业采用，可能成为智能手机新标配但售价可能上涨[16][17] 产业格局变革 - AI产业正从不计成本的技术竞赛转向精打细算的商业化部署，推理领域对价格敏感为高通、英特尔等公司打开竞争大门[18] - 高通将移动领域基因与数据中心可扩展性结合，英特尔强调从AI PC到数据中心的端到端能力[18] - AI推理效率革命可能以牺牲消费者利益为代价，数据中心需求可能导致智能手机用户面临内存短缺、价格上涨或配置缩水[19][20]

AI驱动存储市场进入超级繁荣周期 - AI浪潮推动存储市场进入前所未有的超级繁荣周期，HBM成为AI服务器关键组件，通过堆叠多层DRAM与GPU结合提供更快数据通道[2] - 全球三大存储巨头业绩爆发：三星电子第三季度净利润同比增长21%，SK海力士创公司史上最高季度利润，美光科技净利同比增长三倍[2] - SK海力士2025年前的HBM产能已被客户预订一空，传统DRAM和NAND芯片因存储厂集中扩产HBM导致产能趋紧，市场供需再平衡[2] - 亚马逊、谷歌、Meta等数据中心巨头为扩充AI推理与云服务能力大规模采购传统DRAM，AI推理阶段普通内存仍发挥不可替代作用[2] 芯片巨头转向LPDDR技术路线 - 高通发布AI200和AI250数据中心加速器，预计2026年和2027年上市，采用专为数据中心AI工作负载定制的Hexagon NPU[4] - AI200机架级解决方案配备768GB LPDDR内存，使用PCIe互连和以太网扩展，采用直接液冷技术，机架功率达160kW[7] - AI250保留相同架构但增加近内存计算架构，有效内存带宽提升10倍以上，支持分解推理功能实现计算和内存资源动态共享[7] - 英伟达下一代Vera Rubin超级芯片在其88核Vera CPU周围采用SOCAMM2模块搭载LPDDR内存，尽管GPU仍配备八个HBM4内存堆栈[8] - 英特尔发布代号"Crescent Island"的数据中心GPU，配备160GB LPDDR5X内存，针对风冷企业服务器优化，预计2026年下半年客户采样[9] LPDDR方案的技术优势与应用场景 - 到2030年推理工作负载数量将是训练工作负载的100倍，AI推理工作负载越来越受内存限制而非计算限制[11] - LPDDR内存性价比比HBM高出13倍，使得大型语言模型推理工作负载可直接在内存中运行无需频繁数据混洗[13] - 高通Cloud AI 100 Ultra架构在某些推理工作负载下比同类英伟达配置功耗低20到35倍[13] - 训练场景需要极致内存带宽处理海量数据反向传播，HBM不可替代，而推理场景模型参数已固定，重点是大容量存储和高效读取[13] - LPDDR存在内存带宽较低、延迟较高及服务器环境可靠性未充分验证等问题，但容量和成本优势远超带宽劣势[13] LPDDR6技术标准与性能突破 - JEDEC正式发布LPDDR6标准，核心架构从双通道演进为四个24位子通道，实现更高并行度与更低访问延迟[19] - LPDDR6数据速率达10,667至14,400 MT/s，有效带宽约28.5至38.4 GB/s，超越DDR5-12054超频纪录[22] - Synopsys完成基于台积电N2P工艺节点的LPDDR6 IP硅验证，带宽可达86 GB/s，JEDEC标准理论峰值甚至达115 GB/s[23] - LPDDR6预计明年进入量产阶段，可能取代LPDDR5成为智能手机标配，但售价可能大幅上涨[23] 供应链影响与市场格局变化 - 单个AI推理机架配备LPDDR内存量级惊人，高通AI200单个机架总内存容量可达数十TB，相当于数十万至百万部智能手机用量[16] - 当高通、英特尔、英伟达等公司在2026-2027年大规模量产LPDDR方案时，对LPDDR需求将呈指数级增长[16] - LPDDR产能主要由三星、SK海力士和美光控制，数据中心客户采购量大、利润率高、订单稳定，可能挤占消费电子份额[16] - 手机厂商面临LPDDR采购成本上升、交货周期延长，可能导致中高端手机在内存配置上妥协或大幅提高售价[16] - AI硬件市场呈现明显分层结构：训练市场HBM不可替代，英伟达/AMD主导；推理市场LPDDR有望异军突起[27]

涉及的行业与公司 * 行业：全球半导体行业，特别是AI内存解决方案领域[1] * 公司：三星电子和SK海力士，两家韩国内存供应商[2] 核心观点与论据 HBM4产品技术细节 * 三星电子强调其HBM4产品具有最大11Gbps的I/O数据传输速度和每堆栈2.8TB/s的带宽，超越了JEDEC标准[3] * 三星电子利用其1cnm工艺实现卓越性能，并强调其DRAM、逻辑半导体、CMOS图像传感器和封装等不同业务部门之间的协同效应[3] * SK海力士则突出其基于MR-MUF封装的16层堆叠技术，并说明其HBM4的能效优于同行，功耗比前代产品降低了20%[4] AI内存解决方案多样化 * 两家公司展示了一系列先进的AI内存解决方案，包括LPDDR6、SOCAMM2、LPCAMM、MRDIMM、PIM、服务器DDR5和eSSD等[2][5] * 此举旨在满足客户日益增长的定制化内存需求，突显了由AI影响驱动的内存产品多样化趋势[5] 行业中长期展望 * 由于内存产品根据客户需求持续多样化，预计全球内存行业的波动性将从中长期视角看有所降低[1][5] * 定制化内存解决方案的增量需求增长将有助于减少内存行业的波动性[5] 公司估值与风险 三星电子 * 基于2026年预估EBITDA的分类加总估值法，得出12个月目标股价为145，000韩元，其内存业务估值为7.9倍EV/EBITDA[7] * 下行风险包括：向关键客户的HBM发货审批延迟时间长于预期、PC销售弱于预期且NAND需求不及预期、竞争对手在内存半导体/晶圆代工领域的激进投资对价格产生负面影响、手机市场竞争加剧降低公司手机利润率、韩元大幅升值影响公司收益[8] SK海力士 * 目标股价为640，000韩元，通过应用2.8倍26年预估市净率得出，该倍数参考了结构性需求增长阶段的历史最高市净率平均水平[9] * 下行风险包括：DRAM需求下滑、NAND需求弱于预期、全球消费崩溃[10] 其他重要内容 * 花旗集团与所涉公司存在业务关系，例如在过去12个月内曾担任SK海力士证券发行的经理或联合经理，并从SK海力士获得投资银行服务报酬，并预计在未来三个月内寻求从三星电子获得此类报酬[17][18] * 花旗集团或其关联公司对三星电子拥有重大财务利益[21]

行业投资评级 - 增持（维持）[6] 核心观点 - AI驱动下存储需求动能强劲，存储市场高景气度持续，具体表现为NAND Flash供应商加速技术迭代以替代HDD、存储价格大幅上涨且供应紧张、以及AI新方案频出推动产业升级 [1][3][5] - AI算力需求强劲，带动先进制程产能需求，相关公司业绩超预期，资本开支上调以应对未来增长 [2][9] - AI Agent训练范式迎来革新，“中训练”理念有望解决现有训练路径的高成本局限，推动通用AI发展 [10] 存储市场动态 - NAND Flash供应商加速转进大容量Nearline SSD，以替代因HAMR技术导致成本上升的HDD市场，HDD的ASP Per GB从0.012-0.013美元升至0.015-0.016美元，预计2026年2Tb QLC芯片产能释放将拉低Nearline SSD成本 [1][14][15] - 存储价格大幅上涨，DRAM市场价格创年度最大单周涨幅，Flash颗粒成交价普遍较合约价溢价20%以上，威刚10月开始惜售，因DRAM三大原厂库存仅能维持2至3周正常供应 [3][25][26][34] - 存储涨价已传导至终端消费电子领域，vivo X300系列手机在相同存储配置下售价较前代X200系列高出100-300元，16GB+1TB版本售价上调500元 [4][36][37] 主要公司业绩与规划 - 三星电子25Q3营业利润为12.1万亿韩元（约85亿美元），营收攀升约9%至86万亿韩元，存储营收达194亿美元重返全球第一，并计划于2027年量产HBM4E [2][21] - 台积电25Q3营收331亿美元，毛利率达59.5%，7纳米及以下先进制程占晶圆营收74%，预计25Q4营收中值为327.8亿美元，全年资本开支计划上调至400-420亿美元，2nm制程将于25Q4量产 [9][53][55][59][61] AI技术演进与产业动态 - 2025年OCP峰会聚焦AI，英伟达发布800 VDC架构白皮书，单机柜功率可从200KW升至1MW，并联合其他11家公司成立ESUN工作组，旨在构建基于标准以太网的可扩展AI加速器互联架构 [5][40][42][46] - AMD展示全新“Helios”机架级平台，整合Instinct GPU与EPYC CPU；英特尔推出下一代数据中心GPU Crescent Island，聚焦推理和Agentic AI优化 [49][48] - Meta提出“早期经验”的“中训练”范式，通过隐式世界建模和自我反思，使AI Agent能从自身行为结果中学习，实验显示该方法较传统模仿学习任务平均成功率提升9.6% [10][62][66][69][73] 相关投资标的 - 报告列出多个产业链环节的相关公司，包括存储模组、存储芯片、海外AI、半导体设备、半导体材料及封测等领域 [11][83]

本地生活服务行业动态 - 京东、美团、饿了么等平台试点取消骑手订单超时罚款，改为“服务分”管理机制，推动管理方式向正向激励转变 [2] - 美团核心本地商业CEO王莆中表示餐饮堂食客单价已跌至十年前水平，强调超级性价比时代线上线下一体化及复购率的重要性 [2] 智能网联汽车行业生态 - 小米集团雷军呼吁智能网联汽车行业团结一致，共同抵制水军、黑公关等网络乱象，集中资源于科技创新和技术研发 [3] 人工智能与大模型进展 - 火山引擎发布豆包大模型系列更新，豆包大模型使用量从2024年5月的1200亿tokens增长253倍至今年9月的超30万亿tokens [4] - 天猫双11推出6款AI导购应用，平台每个直播间平均流量上涨40% [5] 机器人技术与应用 - 智元机器人发布新一代工业级交互式具身作业机器人智元精灵G2，已获数亿元订单并开启首批商用交付 [6] - 兆丰股份与纽鼐机器人签订战略合作框架协议，将在人形机器人、关键零部件等领域展开合作 [7] - 凯龙高科拟设立控股子公司拓展机器人生产与多元应用市场，公司认缴出资460万元占比46% [13] - 瑞龙诺赋完成6700万美元D轮融资，2025年1-9月融资总额突破1亿美元，资金将用于手术机器人市场推广与研发 [15] 半导体与芯片产业 - 三星电子宣布HBM4E目标引脚速度13Gbps，计划2027年量产，数据传输速度可达3.25TB/s，能效是HBM3E两倍以上 [8] - 三星电子首款LPDDR6产品功率效率较LPDDR5X提高20% [8] - 晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现全线设备100%国产化 [9] - 芯联集成拟向控股子公司增资18亿元，用于“三期12英寸集成电路数模混合芯片制造项目” [10] - 瀚天天成二次递表港交所，该公司在全球率先实现8英寸碳化硅外延晶片大批量外供 [11] - 华天科技拟购买华羿微电100%股份，以拓展功率器件封装测试业务及自有品牌产品 [12] - 晶合集成控股子公司皖芯集成实施增资扩股，控股股东合肥建投拟现金出资30亿元 [14] - 台积电三季度净利润4523亿元新台币创历史新高，同比增长39.1%，毛利率59.5% [16] 消费电子与电商动态 - 小米入局短剧，旗下独立短剧APP“围观短剧”下载量达2.0万人次，目前仅面向小米手机用户 [5] - 天猫双11预售首小时35个品牌成交破亿，1802个品牌成交翻倍 [5] - 与辉同行直播间双十一专场3天销售额超3亿元，吸引近7000万人 [7] - OPPO发布首台国产eSIM手机Find X9系列，起售价4399元，搭载天玑9500旗舰芯片 [17]

本地生活与电商行业动态 - 京东、美团、饿了么在多个城市试点取消骑手超时罚款，改为“服务分”管理机制 [2] - 美团核心本地商业CEO王莆中表示餐饮堂食客单价已跌至十年前水平，行业进入超级性价比时代 [2] - 2025天猫双11预售首小时35个品牌成交破亿，1802个品牌成交翻倍，平台直播间平均流量上涨40% [5] - 淘宝天猫推出6款AI导购应用，涵盖购物攻略、商品筛选和同类推荐等功能 [5] - 与辉同行直播间双十一专场3天累计吸引近7000万人，销售额超3亿元 [7] 人工智能与模型进展 - 火山引擎发布豆包大模型系列更新，豆包大模型使用量从2024年5月的1200亿tokens增长253倍至今年9月的超30万亿tokens [4] - 智元机器人发布新一代工业级交互式具身作业机器人智元精灵G2，已获数亿元订单并开启首批商用交付 [6] - 智元精灵G2具备工业、物流、导览等多场景通用能力，集成多模态语音交互系统 [6] 半导体与硬件技术突破 - 三星电子宣布HBM4E目标引脚速度为13Gbps，计划于2027年量产，数据传输速度可达3.25TB/s，能效是HBM3E的两倍以上 [8] - 三星电子首款LPDDR6产品功率效率较LPDDR5X提高20% [8] - 晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，实现全线设备100%国产化 [9][10] - OPPO发布首台国产eSIM手机Find X9系列，搭载天玑9500芯片，起售价4399元 [18] 企业投资与资本运作 - 芯联集成拟向控股子公司芯联先锋增资18亿元，用于“三期12英寸集成电路数模混合芯片制造项目” [11] - 瀚天天成二次向港交所提交上市申请，该公司在全球率先实现8英寸碳化硅外延晶片大批量外供 [12] - 华天科技拟收购华羿微电100%股份，以拓展功率器件封装测试业务及自有品牌产品 [13] - 晶合集成控股子公司皖芯集成获控股股东合肥建投30亿元现金增资 [15] - 瑞龙诺赋完成6700万美元D轮融资，2025年1-9月融资总额突破1亿美元，创国产手术机器人领域年内融资新高 [16] 公司财报与业绩表现 - 台积电三季度合并营收9899.2亿元新台币（约331亿美元），同比增长30.3%，净利润4523亿元新台币，同比增长39.1%，创历史新高 [17] - 台积电三季度毛利率为59.5%，环比提升0.9个百分点，预计四季度毛利率在59%-61%之间 [17] - 台积电预计2025年销售额增长约30% [17] 行业合作与生态建设 - 小米集团创始人雷军呼吁智能网联汽车行业共同抵制水军、黑公关等网络乱象，强调全行业共建共享新生态 [3] - 兆丰股份与德国Neura Robotics在华子公司纽鼐机器人签订战略合作协议，围绕人形机器人等技术研发展开合作 [7] - 凯龙高科拟设立控股子公司凯奇具身智能机器人科技有限公司，注册资本1000万元，公司持股46% [14] - 小米通过全资子公司上线独立短剧APP“围观短剧”，下载量达2.0万人次，目前仅限小米手机用户 [5]

三星电子HBM4战略调整 - 三星电子正考虑解散其致力于提高10纳米级第六代（1c）DRAM良率的特别工作组，该工作组拥有400至500名员工 [1] - 此举旨在优先确保在年内为英伟达量产HBM4，即使1c DRAM良率未达标也要抢先进入英伟达供应链 [1][3] - 公司已跳过原计划在第三季度完成的HBM4用1c DRAM内部生产授权流程，直接转向建立量产系统 [1] HBM4技术路径与竞争格局 - 三星电子在HBM4中采用了更先进的下一代1c DRAM，而竞争对手SK海力士则采用第五代1b DRAM，理论上可使产品更快、更节能 [2] - 用于HBM4的1c DRAM在冷测试中良率未能达到50%，距离通常被视为量产标准的60%良率尚有差距 [2] - 今年第二季度，SK海力士占据HBM市场62%份额，美光占21%，三星电子以17%的份额首次跌至第三位 [3] 未来产品规划与技术目标 - 三星电子已将其第七代高带宽存储器HBM4E的目标带宽设定为每秒3TB以上，计划于2027年实现量产 [5] - HBM4E目标引脚速度超过13Gbps，最高带宽可达3.25TB/s，是当前HBM3E的2.5倍，能效将是HBM3E的两倍以上 [5] - 为应对英伟达要求，三星已将HBM4的针脚速度从标准8Gbps提升至11Gbps [6] 其他业务进展 - 三星电子介绍了其首款LPDDR6产品的具体规格，计划实现114.1 GB/s的带宽，每引脚10.7Gbps，与LPDDR5X相比功率效率提高20% [7] - 在晶圆代工方面，三星暗示其2纳米工艺按计划进行，与Rebellions合作开发的芯片组目标频率为3.5-4.0GHz [8]

HBM4E技术规划 - 三星电子计划于2027年量产的第七代高带宽内存HBM4E目标带宽超过3TB/s，最高可达3.25TB/s [1] - HBM4E的每引脚速度目标提升至13Gbps以上，带宽是当前第五代HBM3E的2.5倍 [1] - HBM4E的能效目标是当前HBM3E（每比特3.9皮焦）的两倍以上 [1] HBM4E研发进展与竞争态势 - 三星电子在2025年国际固态电路会议上最初公布的HBM4E目标带宽为2.5TB/s（每引脚10Gbps），后于2025年开放计算项目全球峰会将目标提升25%至3.25TB/s [2][1] - 三星电子是三家内存制造商中首家提出超过3TB/s带宽目标的企业 [3] - 公司从HBM4研发初期就瞄准了比其他公司更高的带宽，旨在实现战略逆转 [3] HBM4技术规格与客户需求 - 根据JEDEC规范，HBM4的每引脚带宽为8Gbps，总带宽为2TB/s [2] - 英伟达要求内存制造商将HBM4的每引脚速度提升至10Gbps以上，以用于其下一代AI加速器"Vera Rubin" [2] - 三星电子将HBM4的引脚速度提升至11Gbps，SK海力士也实现了相应速度，美光已交付带宽为11Gbps的HBM4样品 [2] LPDDR6产品规格 - 三星电子介绍了下一代移动DRAM LPDDR6的规格，计划实现每引脚10.7Gbps的速度，总带宽达114.1GB/s [3] - LPDDR6的能效较现有LPDDR5X提升20% [3] 代工业务进展 - 三星电子暗示计划于今年年底量产的2纳米工艺（SF2）已完成进度 [4] - 公司与AI芯片初创企业Rebellions合作，其REBEL-Quad NPU将采用三星4纳米工艺生产，新增的CPU将采用2纳米工艺生产 [4] - 采用2纳米工艺制造的REBEL-CPU目标运行频率为3.5-4.0GHz，有望超过英伟达采用台积电4纳米工艺制造的"Grace" CPU的最高速度3.44GHz [4]

行业特征与周期性 - 存储芯片是半导体第二大细分市场，2024年全球市场规模达1655亿美元，占半导体总市场26%[8] - 存储行业周期性显著，2023年市场规模同比下滑29%至923亿美元，2024年同比增长79%至1655亿美元[5][8] - DRAM市场呈寡头垄断格局，25Q2前三家厂商（三星、海力士、美光）份额超90%[5][19] - NAND Flash市场前五大厂商（三星、海力士、凯侠、美光、闪迪）25Q2份额超90%[5][19] 历史周期驱动因素 - 2016-2019年周期由DDR4技术迭代和手机游戏需求驱动，2016年中国手机游戏用户增长26%[14] - 2020-2023年周期受疫情推动，2020年笔记本电脑出货量增长27%，服务器出货量2020/2021年分别增长3.9%/6.9%[15] - 2024年新周期由AI基建需求驱动，DDR5服务器渗透率预计2025年超85%，HBM单价较DDR5高约5倍[20] 当前市场表现与展望 - 25Q2 DRAM产业营收环比增长17.1%至316.3亿美元，NAND Flash前五大厂商营收环比增长22.0%至146.7亿美元[5][22][24] - 海力士25Q2营收同比增长35.4%，DRAM业务营收同比增长57.9%，预计HBM全年销量翻倍[26] - 美光预计2025年DRAM位元需求增长15%-20%，NAND位元需求增长10%-15%，25Q3营收指引中值环比增15.0%[30] - AI服务器需求持续推动DDR5/HBM增长，但Q3价格指引疲软可能影响毛利率[5][35] 风险提示 - 行业面临市场竞争、宏观经济及研发进度不及预期风险[5][36]