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分拆中国业务?英伟达:毫无依据
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
英伟达中国市场动态 - 有媒体爆料称英伟达正计划在中国以独立公司形式运营,通过与本土企业组建合资公司实现业务分拆,但公司回应称这些说法没有任何依据 [2] - 英伟达CEO黄仁勋近期访华时表示看好中国经济前景,愿继续深耕中国市场 [2] - 英伟达"特供"中国市场的AI芯片H20被美国政府列入出口管制,需要申请许可证方可出口 [2] - 黄仁勋表示美国政府加强芯片出口管制已对英伟达业务产生重大影响 [2] - 英伟达2025财年来自中国的营收达171.08亿美元,创历史新高,占公司总收入的53% [2] 行业观点与趋势 - 黄仁勋称HBM是个技术奇迹 [3] - Jim Keller认为RISC-V一定会胜出 [3] - 全球正在掀起一场激烈的人工智能竞赛,AI对各行业发展的推动前景广阔 [2] - 世界各国都在加速推进AI技术应用、研发创新与能力提升 [2]
SiC大厂,突然大涨
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
Wolfspeed股价波动分析 - 公司股价在无明显利多消息下连续5个交易日上涨,28日单日涨幅达26.30%至4.13美元,但过去一年累计下跌85% [2] - 股价反弹可能由空头回补买盘推动,公司空单余额比率高达41%,为半导体行业最常被做空的个股 [2] - 市场情绪转向审慎乐观,认为碳化硅终端市场(如电动车)或开始复苏 [2] 公司经营与财务表现 - 第二季度净亏损从上年同期的1.259亿美元扩大至3.722亿美元,第三季度预计亏损1.19亿至1.38亿美元 [2] - 持续投入数十亿美元在美国建设碳化硅制造产能,但长期深陷亏损且股价跌至个位数 [2] - 面临债务交换协议谈判困境及美国芯片法案补贴不确定性,3月曾因此暴跌 [2] 碳化硅行业与技术特性 - 碳化硅材料加工难度高但导电性能优异,适用于电动车、工业基础设施等高压高温场景 [2] - 电动车市场需求疲软对Wolfspeed业务造成显著冲击 [2] 管理层变动与市场关注点 - 公司将于5月1日迎来新任执行长Robert Feurle,5月8日发布财报 [2]
芯片法案,宣告失败
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
欧洲芯片法案进展分析 核心观点 - 《欧洲芯片法案》难以实现2030年占据全球半导体市场20%份额的目标 预计实际份额仅达11 7% 较2022年9 8%增幅有限 [3][4] - 欧盟面临产能提升不足问题 需将当前产能提高四倍才能达标 但现有进展远未达到要求 [3] - 资金分散且不足是关键障碍 欧盟委员会仅掌控5%资金(45亿欧元) 其余依赖成员国 导致战略执行碎片化 [3][4] 实施障碍 - **目标设定问题**: - 20%市场份额目标被ECA认定为"愿景"而非可实现的计划 缺乏现实基础 [3] - 竞争对手(中国大陆/韩国/中国台湾/日本)持续扩大产能 使欧盟追赶难度加大 [3] - **资金问题**: - 总资金860亿欧元中 欧盟委员会直接管理部分仅51亿美元 远低于台积电/三星等企业的单笔投资规模 [4] - 资金分配向大企业倾斜(如英特尔) 但相关项目已出现搁置(德国晶圆厂/波兰封装厂) [4] - **结构性缺陷**: - 成员国无需报告项目进展 导致监管盲区 德国等资金大国主导多数项目 [4] - 缺乏领先半导体企业总部 终端需求集中于汽车行业(仅需少量先进芯片) [4] 行业现状与建议 - **当前产业格局**: - 欧盟拥有IMEC研究机构/ASML设备商及STM/NXP/英飞凌等模拟芯片企业 但缺乏制造领域领导者 [4] - 唯一重大新投资为台积电德累斯顿晶圆厂 其他项目(如GlobalFoundries与STM合作)已延迟或取消 [4] - **战略调整建议**: - ECA呼吁制定"芯片法案2 0" 聚焦芯片设计/IP/专利等欧盟优势领域 而非单纯扩大制造规模 [4] - 需建立系统监测机制 设定分阶段可实现目标 参考历史战略成败经验 [3][4] 横向对比 - 类似挑战存在于美国《芯片法案》(面临预算削减风险)及英国半导体战略(被批执行不力) [4][5]
SK海力士,否认
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
韩美半导体与SK海力士的供应关系 - 韩美半导体与SK海力士已保持8年的TC键合机等半导体设备供应联盟,但近期有传言称两家公司正走向分离,双方均否认这一说法,称其"毫无根据"[2] - SK海力士决定从韩华半导体额外采购用于HBM的TC键合机设备,12台供货金额为420亿韩元,此前该设备仅由韩美半导体供应[2] - 韩美半导体要求提高HBM TC键合机的价格,并将其在SK海力士工厂的免费专用售后服务团队改为付费服务,引发摩擦[2] 市场反应与财务影响 - 传言导致韩美半导体股价收盘下跌6,600韩元(8%),盘中一度跌破75,000韩元大关;SK海力士股价收盘下跌3,100韩元(1.68%)[2] - 韩美半导体2023年销售额创历史新高(5589亿韩元),营业利润率达到45.6%[2] - 韩美半导体反对SK海力士以比其自身高出约20%的价格购买韩华半导体的设备[3] 技术合作与市场竞争 - 韩美半导体于2017年与SK海力士联合开发TC键合机,目前供应给SK海力士和美光[2] - SK海力士凭借韩美半导体的TC键合机技术,巩固了其在HBM领域全球第一的市场份额[2] - SK海力士开始多元化TC键合机供应商,去年从新加坡ASMPT订购设备,最近又从韩华半导体采购[2] - 韩美半导体正与韩华半导体就TC键合机专利侵权展开法律纠纷[2] 公司动态与战略调整 - 韩美半导体宣布将于5月12日在马来西亚、香港和新加坡面向机构投资者举办海外企业说明会,主要内容涵盖AI(HBM)市场展望、下一代HBM4量产键合机投放路线图等[3] - 原定4月22日举行的公司发布会推迟至5月中旬,业内推测可能是由于与SK海力士的冲突[3] - SK海力士在其12层HBM3E制造工艺(第五代HBM)中一直只使用韩美半导体的设备[2]
英诺赛克CEO吴金刚:GaN不仅仅是一次发展机遇,更是一次技术革命
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
化合物半导体产业博览会 - 2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会于2025年4月23日开幕,展会规模较前两届继续提档升级 [2] - 高峰论坛采用1场主论坛、11场平行论坛和逾15场同期活动的多元化架构,汇聚全球权威科研机构、领军企业及行业专家代表 [2] GaN技术优势与市场前景 - GaN FET在150V/650V电压等级的性能指标较传统Si MOSFET分别提升约7倍和8倍 [3] - 预计到2028年GaN FET成本将接近或低于传统Si基MOS FET [3] - GaN功率半导体市场规模预计从2024年32.28亿元增长至2028年501.4亿元,年均增长率高达98.5% [3] - GaN技术被视作深刻的技术革命而不仅是发展机遇 [4] GaN应用领域 - 在AI计算领域,GaN技术将在高效能芯片和数据中心发挥核心作用 [5] - 新能源领域中,GaN成为储能、光伏等应用的不可替代技术方案,具有高效率、低能耗和小型化优势 [6] - 在48V数据中心架构中,GaN提供显著效率提升和节能优势 [6] - 人形机器人领域,GaN技术使电机驱动系统体积缩小30%,转换效率提升超过5%,功率密度提升30% [6] 英诺赛克公司动态 - 公司CEO吴金刚在主论坛发表《GaN出美好芯未来》主题演讲 [3] - 公司GaN芯片累计出货量已超过14亿颗 [6] - 产品组合包括高性能半桥IC和超低导通电阻的GaN分立器件,涵盖100V/3.2mΩ和100V/1.5mΩ等规格 [6] GaN发展路径 - 产业化模式需关注IDM模式、对标工艺、CMOS工艺和扩展能力 [6] - 需构建包括上游设备/材料/技术支持和下游制造/封装/IC设计的完整行业生态系统 [6] - 企业需制定有效市场战略,建立有竞争力的产业生态以提升市场占有率 [6]
新型半导体,将功耗降低90%
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
项目概况 - 英国三所大学获得600万英镑EPSRC资助,开展名为"NEED2D"的项目,旨在开发超低能耗二维材料和器件,以降低人工智能数据中心和高性能计算的电力需求 [2] - 项目由伦敦玛丽女王大学牵头,超过20个合作伙伴贡献200万英镑,将开发新材料并制造低能耗电子设备原型 [2] - 项目目标是利用二维半导体打造超越传统材料的新电子产业 [2] 技术优势 - 使用原子级厚度的二维材料可节省数据中心和计算机90%以上的能源需求 [2] - 二维材料的电荷传输效率远高于硅,电子移动速度更快,实现超低功耗计算并减少热量浪费 [2] - 这些材料是微型化、3D堆叠以及量子和神经形态系统等新型计算架构的理想选择 [2] 行业影响 - 人工智能能源需求快速增长,英国国家电网预测到2034年数据中心电力需求将增长六倍,达总用电量的30% [2] - 台积电、英特尔和三星已将二维材料列入2040年技术路线图 [2] - 二维半导体技术不仅适用于数据中心,还可大幅降低智能手机等设备的能耗 [2] 研究团队 - 团队由伦敦玛丽女王大学Colin Humphreys爵士领导,他在工业规模展示过石墨烯潜力 [3] - 诺丁汉大学Amalia Patanè教授负责推进二维半导体的精密工程 [3] - 格拉斯哥大学David Moran教授将利用该校纳米制造中心的先进能力开发下一代低功耗设备 [3] 经济与社会效益 - 英国拥有欧洲最大数据中心市场,该技术有助于保持其科技投资吸引力 [3] - 项目有望帮助英国实现气候目标,同时建立革命性新微电子产业,创造就业和财富 [3] - 技术将降低电力成本,证明能源转型的经济潜力 [3]
纳芯微:以一站式汽车电子解决方案,驱动国产汽车芯片的新突破
半导体芯闻· 2025-04-29 17:59
公司产品布局 - 纳芯微在2024年上海国际车展展示了一站式汽车芯片解决方案,覆盖车身舒适、车灯照明、智能座舱、辅助驾驶、底盘与安全、热管理系统等多个场景[1] - 智能座舱领域推出Class D音频功放芯片NSDA6934-Q1,支持75瓦和150瓦功率级别,并展示基于HSMT公有协议的高速SerDes接口产品[3] - 推出NovoGenius®系列产品(NSUC1610/NSUC1602/NSUC1500),单芯片集成丰富接口与专有算法,支持直流有刷、无刷及步进电机控制[3] - 三电系统布局涵盖隔离电源、电源管理、采样接口、马达驱动及传感器,首次推出实时控制MCU NS800RT系列[5] - 热管理领域展示20瓦至1500瓦电机控制应用Demo,照明领域推出NSL21916/24芯片支持16/24路输出[5] 技术突破与市场表现 - 截至2024年汽车芯片出货量达6.68亿颗,汽车业务营收占比37%[7] - 数字隔离器市场占有率国内第一,累计发货超6亿颗,第三代产品优化抗电磁干扰和过电应力性能[7] - 通过ISO 26262 ASIL-D功能安全认证,嵌入式电机驱动SoC NSUC1610获"2025年度影响力汽车芯片"称号[7] - NovoGenius系列实现电源管理、通信接口、MCU处理器核和驱动模块单芯片集成[7] 行业趋势与国产化进展 - 中国新能源汽车2024年销量突破1000万辆,推动国产芯片从边缘走向核心应用[7] - 车企与国产芯片公司联合定义产品成为趋势,供应链安全需求加速国产替代[7] - 公司从单点产品供应商转型为系统级解决方案提供者,符合汽车电子平台化发展趋势[8]
芯片流片成功率暴跌,引发深思
半导体芯闻· 2025-04-28 18:15
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自Brian Bailey ,谢谢。 差不多一个月前,我们转发了一篇关于芯片首次流片成功率正在急剧下降的文章,具体可以参考阅 读 《芯片,历史低点》 的文章。针对这个问题,半导体工程的编辑Brian Bailey表示,对于芯片 来说,这只是冰山一角。在他看来,随着半导体行业的成功率下降,也许是时候重新考虑我们的优 先事项了。 他引述Wilson Research/西门子最新功能验证调查的统计数据表示,功能正确且可制造的设计数量 急剧下降。在过去一年中,这一比例从24%下降到仅14%。与此同时,落后于计划的设计数量也急 剧增加,从67%上升到75%。 他指出,未来几个月,更多数据将会发布,他预计这些数据将揭示行业存在的系统性问题。 Brian Bailey直言,出现这种问题,人们很容易把所有原因都归咎于前沿设计。它们吸引了所有人 的注意力。但这些设计的数量根本不足以解释目前所暴露问题的严重性。问题更为根本。它与人工 智能有关,尽管许多人认为它是行业的救星、新的技术驱动力、下一个前沿领域。 人工智能对计算能力的要求远超传统半导体的进步速度,甚至超过了我们在架构 ...
爱德万,创纪录
半导体芯闻· 2025-04-28 18:15
爱德万测试2024年度业绩表现 - 2024年度合并营收暴增60.3%至7,797亿日圆,合并营益飙增179.5%至2,282亿日圆,合并纯益飙增158.8%至1,612亿日圆,均创历史新高 [2] - 半导体/零件测试系统事业销售额暴增80%至5,981亿日圆,其中SoC用测试设备销售额暴增79%至4,404亿日圆,记忆体用测试设备销售额暴增84%至1,577亿日圆 [2] - 台湾市场销售额飙增201%至3,265亿日圆,中国市场销售额成长11%至1,751亿日圆,南韩销售额暴增69%至1,570亿日圆 [2] 业绩增长驱动因素 - 生成式AI用半导体需求攀高推升半导体测试设备需求,英伟达"指名购买"公司测试设备 [2] - 生成式AI芯片从研发到量产多个制程都需要公司测试设备 [2] 2025年度业绩展望 - 预估合并纯益年增11.1%至1,790亿日圆,合并营益年增6.1%至2,420亿日圆,合并营收年减3.2%至7,550亿日圆 [2] - 半导体/零件测试系统事业销售额预估年减2%至5,850亿日圆,其中SoC用测试设备销售额预估年增1%至4,450亿日圆,记忆体用测试设备销售额预估年减11%至1,400亿日圆 [3] 公司行动 - 宣布将买回库藏股,上限700亿日圆、1,900万股(占已发行股数比重2.6%),买回期间为2025年5月7日-9月22日 [3] 市场反应 - 因2025年度财测逊于市场预期(纯益较市场预估值2,194亿日圆低18%),股价重挫4.73%至5,716日圆 [2]
三星,豪赌下一代DRAM
半导体芯闻· 2025-04-28 18:15
三星电子VCT DRAM技术路线图 - 三星电子已制定三年内量产垂直通道晶体管(VCT)DRAM的路线图 该技术通过垂直排列晶体管实现高容量 被视为"游戏规则改变者" 但工艺难度远超现有DRAM [2] - 公司目前正在量产10纳米级第五代DRAM 计划今年量产第六代 明年开发第七代 最终选择跳过第八代直接采用VCT DRAM方案 [2] - 竞争对手SK海力士的路线图为第七代→1nm级第一代(0a)→垂直DRAM(VG) 若三星计划实现 将领先开启"VDRAM"时代 [2] - 行业预计VCT DRAM将在2-3年内应用于实际产品 三星此举意在通过技术超越重获行业领导地位 [2] 半导体行业动态 - 黄仁勋评价HBM(高带宽存储器)为"技术奇迹" 显示该技术在行业中的重要地位 [3] - Jim Keller预测RISC-V架构将在未来竞争中胜出 反映行业对新兴架构的关注 [3] - 全球芯片公司市值排名显示行业竞争格局正在发生变化 [3]