收购交易概述 - 国巨集团以每股新台币229.8元公开收购茂达电子28.5%股权 溢价幅度达20% [1] - 整体收购规模最高达新台币48.9亿元 最低收购数量为茂达已发行普通股股份的5% [1] - 公开收购期间为2025年09月12日至2025年10月01日 成就条件为收购数量达最低收购数量 [1] 收购动机与战略意义 - 国巨基于财务性投资目的 预期获得长期稳定投资收益并寻求与茂达管理层合作机会 [2] - 通过国巨全球通路优势 可最大化发挥与茂达旗下大中公司的协同效应 [2] - 收购有助于提升国巨长期竞争优势 强化在功率半导体领域的话语权 [2] 标的公司经营状况 - 茂达电子8月营收达新台币6.49亿元 创历年同期新高 [2] - 前八月合并营收新台币48.86亿元 同比增长21.2% [2] - 上半年每股纯益为新台币5.3元 法人预估全年有望赚进超过一个股本 [2] 产品与技术布局 - 茂达为混合信号功率IC与感测芯片设计公司 主要产品包括风扇马达驱动IC及电源管理IC [1][2] - 应用领域从消费电子扩展至伺服器、记忆体、通讯设备、工控及汽车电子 [1][2] - 多风扇应用订单持续升温 工业应用布局开始贡献业绩 [3] 业务增长驱动因素 - 风扇驱动IC业务在游戏机、绘图卡中高阶产品出货量提升 [3] - 电源管理IC在PC、绘图卡应用拉货力道强劲 电源供应器升级带来新增订单 [3] - 储存应用订单表现优异 工业应用耕耘成效逐步显现 [3]

英伟达电力系统升级与SiC技术应用 - 英伟达启动电力系统革命 将AI服务器芯片输出电压从54V大幅提升至800V 未来计划利用SiC元件升级电力系统以打造高效能服务器机柜 [1][2] - 公司致力于推动800V高压直流数据中心架构 预计2027年实现全面量产 今年5月起已与Infineon、onsemi、Navitas等企业公开合作推进800V HVDC与SiC器件导入 [2] SiC技术特性与行业应用 - 碳化硅是一种由硅与碳化合而成的化合物半导体材料 具有更宽的能隙 耐温超过200摄氏度 高耐压特性 适合高电压环境稳定运作 散热性能优异 可提升电力转换效率 [1] - 该技术长期应用于5G通讯、电动车与充电桩电源模块、逆变器 以及可再生能源风电、太阳能逆变器和工业设备高压电源供应、伺服马达控制等领域 [1] 电力需求增长与技术挑战 - AI服务器电力消耗从千瓦级别跃升至百万瓦级别 未来电力需求预计暴增近100倍 [2] - 传统54V架构在铜耗、空间与转换效率上接近极限 多重整流和降压现象导致显著损耗与散热负担 高压快速开关环境需依赖SiC等宽能隙器件提升效率与功率密度 [2] - SiC元件在高温高压环境下具有更稳定电阻和更低损耗 但会放大某些负面效应 需更精细布线与设计 电力系统控制和安规验证复杂度增加 [4] 供应链与产业升级影响 - SiC元件导入意味着电力系统全面升级 涉及整条供应链提升 包括服务器电源供应器和高压直流配电模块 技术专业要求显著提高 [4][5] - 服务器机柜架构串联因效能提升需依赖SiC材料打造的高压电力系统 但芯片封装、CPU、GPU等核心设计制造仍依赖硅材料 SiC并非完全替代硅 [3] 历史应用限制与当前突破 - 过去因服务器电压要求不高（54V/48V供电架构） SiC的高成本优势难以发挥 且架构设计不匹配 [4] - 当前AI算力发展推动高压需求 SiC成为电源厂关键材料升级 技术应用从低阶向高阶电力系统转型 [1][4]

核心管理层变动 - 英特尔Xeon首席架构师Ronak Singhal将于本月底离职 成为公司八个月内失去的第二位Xeon首席架构师[1] - 前Xeon首席架构师Sailesh Kottapalli于今年1月离职并加入高通 负责服务器CPU业务[1] - 首席执行官Lip-Bu Tan任命Kevork Kechichian为新任执行副总裁兼数据中心事业部总经理 该业务部门经过重组后专注于CPU业务[3] 技术领导力流失影响 - Ronak Singhal被前同事称为"行业巨头" 其对x86架构发展的贡献被评价为行业顶尖水平[2] - Singhal负责领导Xeon服务器CPU整体路线图、技术战略和产品管理 职责涵盖平台技术及内存、安全与AI相关技术[2] - 其曾主导Haswell、Broadwell（首款14纳米服务器芯片）、Nehalem和Westmere等关键CPU架构的开发工作[2] 业务重组战略 - 公司正在进行大规模改组 包括裁员15%以提升组织行动效率[3] - 数据中心业务部门被重组 加速器芯片业务职责转移至新部门 使该部门聚焦CPU核心业务[3] - 公司面临来自AMD、亚马逊AWS、微软Azure、谷歌云及Nvidia基于Arm架构CPU的激烈竞争[3] 发展战略方向 - 首席执行官强调需要加强数据中心产品并招募顶尖人才 推动公司成为"以工程为中心的公司"[4] - 代号"珊瑚急流"的下一代产品被内部视为让公司"真正向前迈出一大步"的关键机会[5]

图像传感器技术发展轨迹 - 像素工艺复杂性持续增加 通过新材料和结构改进实现性能提升 包括减少串扰 增强光学性能和支持附加功能[1] - 产品开发过程伴随技术挑战 需满足市场需求如缩小像素尺寸以降低成本并增加阵列尺寸 然后转向增加高动态范围等功能[3] 堆叠技术演进 - 技术发展从前照式单金属CCD到多金属CMOS 再到背照式CMOS 最后到面对面堆叠CMOS 用于增加图像处理功能同时限制芯片尺寸[5] - 金属互连最初通过硅通孔实现 正被混合键合技术取代 利用SiO和Cu表面交联特性提供电互连[5] - 三层堆叠结构成为下一个方向 可优化光电二极管或分离图像信号处理层 需要开发背面到正面的晶圆间互连技术[8] 晶圆间互连与像素规格 - 晶圆间互连间距在2020年前稳步下降 之后趋于稳定 台积电在1.4µm间距最具竞争力[10] - 智能手机图像传感器最佳尺寸为5000万像素 像素间距0.5µm至0.7µm 技术差异体现在平面/垂直传输栅极选择及双路/三路高动态范围实现[10] - 智能手机像素采用双栅极氧化层设计 源极跟随器较薄而控制场效应晶体管较厚[12] 材料与结构创新 - 图像传感器作为集成电路和换能器 需要新颖结构和材料选择提供光电性能 包括背面结构减少暗信号并增强光学响应[13] - 背面层材料选择存在分化 AlO/ZrO用于抑制电荷产生 制造商在TaO和HfO之间选择下一层[13] - 深沟槽隔离技术降低光损耗并防止像素间串扰 蚀刻深度比在10:1到40:1之间 填充材料包括SiO、多晶硅、W等[16] 电容器与功能扩展 - 像素发展重点从缩小4T像素转向增加功能 改进的电容器是增加高动态范围和全局快门的关键[17] - 可用电容器类型包括MOS电容器、寄生FET电容器等 MIMcaps可实现具有全局电压域的小像素[17] - 因空间限制像素将混合使用多种电容器类型 SmartSens采用堆叠式MIMcap STMicro将电容器集成在光电二极管层中[17] 新兴应用与技术突破 - SPAD传感器借助小像素间距互连技术实现100%填充率 像素电路可放置在光电二极管后面[20] - 高端MILC相机应用创新 如索尼将背面光导管与内置透镜结合[23] - 增强现实眼动追踪需近红外成像 运用6.4µm光电二极管硅片、深沟槽隔离及背面倒金字塔阵列技术[25] - 多光谱智能手机相机采用3x3彩色滤光片阵列 无需传统滤光片或微透镜即可创建色彩校正信息[25] - 短波红外成像通过创新解决制造难题 如构建透明富勒烯n-p结并在硅读出集成电路上吸收PbS量子点[26] 行业发展趋势 - 图像传感器技术达到每像素成本极低水平 行业不再局限于单一主导产品 发展前景广阔[26] - 从驱动更小像素转向制造具有附加功能的像素 多层堆叠技术开辟新的可能性[26]

行业技术竞争格局 - SEMECS、韩华半导体和韩美半导体三家韩国公司正加速混合键合机的量产准备 以争夺HBM4生产设备市场[1][2] - 混合键合机被视为下一代HBM市场的"游戏规则改变者" 无需凸块即可连接芯片 支持20层以上堆叠并减少电信号损耗[2] - 美国应用材料公司与荷兰Besi联合开发的混合键合机技术稳定性优于韩国公司 目前仍是三星电子和美光的优先供应商[3] 公司战略与进展 - SEMECS正与三星电子DS部门合作评估混合键合机 目标在2024年底或2025年向三星提供量产设备[1] - 韩华半导体计划2025年初推出混合键合机 2024年曾获SK海力士价值805亿韩元的TC键合机订单[2] - 韩美半导体投资1000亿韩元在仁川建设14,600平方米混合键合机工厂 预计2025年下半年竣工[2] 市场驱动因素与挑战 - 混合键合机设备价格比现有TC键合机高出两倍以上 三星和SK海力士希望通过本土供应商建立多供应商体系以降低采购成本[1][3] - 全球混合键合机市场规模预计从2023年约7万亿韩元增长至2033年20万亿韩元 受HBM需求增长驱动[3] - 技术竞争焦点在于DRAM堆叠和热控制等难题的攻克 以及设备稳定性的验证[1][3]

行业投资与需求预测 - 2024至2030年晶圆厂支出将超过1.5万亿美元 以满足2030年价值超过1万亿美元的半导体市场需求 [1] - 投资规模与过去20年支出相当 主要受益于政府补贴和稳定供应链努力 [1] - 投资激增主要归因于全球服务器和网络市场增长 [1] 服务器与人工智能市场 - 人工智能工作负载推动全球服务器市场增长 预计2030年市场规模达3000亿美元以上 [1] - 数据中心人工智能加速器收入份额预计占总收入50%左右 [1] - 云服务提供商等主要技术参与者积极开发针对数据中心优化的AI加速器 [1] 汽车半导体增长动力 - 汽车行业是全球增长第二快的半导体应用领域 年增长率达10.7% [2] - 混合动力和电动汽车预计占2030年汽车总销量50%左右 [2] - 功率半导体可能占汽车半导体总成本50%以上 [2] 宽禁带半导体技术转型 - 2030年汽车行业功率半导体60%以上将采用GaN和SiC技术 较目前23%的份额大幅增长 [2] - SiC和GaN将取代电动汽车电力电子设备中的硅 提升效率、功率密度和充电速度 [2] 新兴应用领域增长 - 家电行业预计增长5.6% [2] - AR/VR设备预计增长24.5% [2] - 个人机器人预计增长12.9% [2] 半导体生态系统发展 - 供给侧设计和转型对强化半导体生态系统至关重要 [1] - 无晶圆厂公司、代工厂和IP供应商之间的密切合作推动行业发展 [1] 人才需求挑战 - 行业面临日益扩大的人才缺口 [1] - 到2030年需要额外10万名工程师支持预期设计增长 [1]

行业趋势与痛点 - AI技术正从云端集中式计算向端侧分布式部署转型 移动终端成为智能体验核心载体[1] - 端侧AI需求日益迫切 已从附加功能跃升为产品竞争力核心底座 要求低延迟 高流畅和长续航[1] - 传统架构难以承载高密度AI任务 存在语音助手延迟 大模型推理卡顿和游戏画质与续航失衡等痛点[1] - 芯片设计复杂度飙升导致开发周期拉长 厂商难以兼顾性能兑现与快速上市[1] Arm Lumex CSS平台概述 - Arm推出全新Lumex计算子系统平台 集成搭载SME2技术的高性能CPU GPU及系统IP[2] - 平台专为旗舰级智能手机及下一代个人电脑打造 旨在全面优化端侧AI性能[7] - 通过硬件架构深度革新与软件生态无缝协同 构建面向下一代智能终端的全栈解决方案[34] - 预计到2030年 SME与SME2技术将为超30亿台设备新增超100亿TOPS计算能力[37] CPU性能突破 - Arm C1 CPU集群采用Armv9.3架构 全系列CPU内置SME2技术[7] - 实现端侧AI性能最高5倍提升 能效最高3倍优化[8] - C1-Ultra单线程峰值性能较Cortex-X925提升25%[10] - C1-Premium实现35%的面积优化[10] - C1-Pro较Cortex-A725能效提升12% 持续性能提升16%[10] - C1-Nano能效较Cortex-A520提升26% 面积极小[10] - 配合C1-DSU实现最高26%功耗降低[12] - 语音类工作负载延迟降低4.7倍 经典大语言模型任务性能提升4.7倍 音频生成速度提升2.8倍[12] GPU性能突破 - Mali G1-Ultra GPU相较前代Immortalis-G925实现多重突破[18] - 光线追踪性能提升两倍 启用硬件光追的游戏帧率提升40%[18] - 主流图形基准测试性能提升20%[18] - AI与机器学习网络推理速度提升20% 能效优化9%[22] - 搭载Arm GPU的芯片出货量已逾120亿颗[16] 软件生态创新 - KleidiAI软件库无缝集成至PyTorch ExecuTorch Google LiteRT 阿里巴巴MNN和微软ONNX Runtime等主流AI框架[26] - 在ONNX Runtime上实现最高2.6倍AI推理提速 在Stable Audio音频生成模型上实现2.8倍速度提升[29] - 开发者无需修改代码即可激活SME2加速能力[29] - 通过libyuv库集成SME2内核 图像处理性能提升3倍[29] 实际应用案例 - vivo计算加速平台VCAP全面支持SME2指令集 在全局离线翻译等场景实现额外20%性能提升[41] - 支付宝在vivo新一代旗舰手机上完成基于SME2技术的大语言模型推理验证 prefill阶段性能超40%提升 decode阶段超25%提升[41] - 谷歌上千款应用 微软365 Copilot等已完成适配[32] 市场前景与战略意义 - 全球端侧AI市场规模预计从2025年3219亿元增长至2029年12230亿元 复合年增长率达39.6%[44] - Arm从传统IP供应商向全栈解决方案提供商跨越[44] - 平台具备从智能手机到平板 笔记本电脑的跨设备扩展性[34] - 合作伙伴可直接采用Arm交付平台或选用RTL形式进行设计配置[44]

USB标准命名混乱的现状 - USB标准旨在通用但现已变得异常复杂，成为复杂事物的象征[1] - 最新USB4标准的推出并未有效解决命名混乱问题[1] - 标准演进从USB 2.0的480 Mbps发展到USB4的80 Gbps，速度提升约166倍但命名体系混乱[2] USB 3.x系列的命名问题 - USB 3.x系列引入"Gen"符号导致标识复杂化，出现Gen 1/Gen 2/Gen 2x2等分类[2] - 不同名称可能指向相同规格，如USB 3.0更名为USB 3.1 Gen 1造成混淆[3] - 制造商可自主选择规格标注方式，导致相同规格产品出现不同名称标注[4] - 传输速度5Gbps对应USB 3.2 Gen 1/USB 3.1 Gen 1/USB 3.0，10Gbps对应USB 3.2 Gen 2/USB 3.1 Gen 2，20Gbps对应USB 3.2 Gen 2x2[5] 市场名称改革尝试 - USB-IF于2022年10月推出"USB+速度（Gbps）"的市场命名规则，如USB 5Gbps替代USB 3.2 Gen 1[6] - 新命名体系包含五种类型：USB 80Gbps/USB 40Gbps/USB 20Gbps/USB 10Gbps/USB 5Gbps[8] - Gen标识具有速度统一性：Gen 1均为5Gbps，Gen 2均为10Gbps，Gen 3均为40Gbps[9][10] 新命名规则的实施挑战 - 实践中仍存在添加版本号的现象，如"USB4 40Gbps"偏离官方命名规范[11] - Gen标识仍在被使用，例如"USB4 Gen 3x2"违背避免混淆的初衷[12] - USB4 2.0版（80 Gbps）发布后，原有版本改称USB4 1.0版，形成变相版本号分化[14] 连接器标准化进展 - USB Type-C成为最新标准，但物理形状与传输速度无必然关联[15] - USB4仅支持Type-C接口，快充USB PD和显示器连接功能也依赖Type-C[15] - Type-C线缆支持双向数据传输和供电，增加了使用复杂性但推进了接口统一[16] - 旧式连接器如USB标准B/mini-B/micro-B逐渐被淘汰，接口形状混乱问题得到改善[17]

技术突破 - 环球晶开发出12吋方形碳化硅晶圆 需解决制程设备与量测问题 因碳化硅透光特性与硅不同[1] - 环球晶已开发出非激光切割的12吋碳化硅晶圆切割技术 区别于当前8吋产品采用的激光切割方式[1] - 英飞凌成功开发12英寸碳化硅晶圆 单片晶圆芯片产出数量大幅增加 主要面向新能源汽车应用[3] 市场竞争与价格趋势 - 碳化硅晶圆价格快速下滑 6吋产品价格下跌最严重 8吋其次 非中国供应链价格压力相对较小[2] - 中国厂商每年价格腰斩式降价 导致全球市占率33%的Wolfspeed申请破产 因产能大成本高难以竞争[2] - 环球晶碳化硅业务营收占比预计明年不超过10% 量增但平均售价承压 目标成为非中阵营最具竞争力供应商[2] 应用领域拓展 - 碳化硅在高压高散热场景性能优于硅 应用覆盖汽车/5G/家电/交通建设 成本下降将加速应用普及[2] - 12吋碳化硅技术需求延伸至AR眼镜领域 Meta数据显示6吋衬底仅支持2副眼镜生产 8/12吋可实现产量翻倍与成本下降[3] - 英伟达计划将GPU芯片CoWoS先进封装中介层材料由硅替换为碳化硅 预计最晚后年进入先进封装领域[3]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容 编译自wifinowglobal. 。 苹果长期以来一直致力于内部开发Wi-Fi芯片，这已是公开的秘密。昨天，苹果终于发布了期待已久 的自主研发Wi-Fi 7芯片。N1芯片现在为从iPhone 17 Pro Max到iPhone Air的全系列新手机提供Wi- Fi连接。那么，这将如何影响Wi-Fi行业？最重要的是，新的N1芯片性能如何？ 昨天举行的苹果九月发布会（精简版可在此处查看）终于揭晓了苹果全新 Wi-Fi 芯片"N1"，同时也 标志着一个时代的终结：自 2008 年 iPhone 3G 以来，苹果一直在使用博通芯片提供 Wi-Fi 连接 （2007 年首款 iPhone 2G 使用的是 Marvell Wi-Fi 芯片）。那么，iPhone爱好者们对搭载 N1 芯片 的 Wi-Fi 7 连接有何期待呢？ N1 支持 Wi-Fi 7、蓝牙 6 和 Thread 的全部功能，但苹果公布的关于其功能的细节却寥寥无几，例 如峰值数据速率等。相反，苹果强调通过改进与其他 iPhone 硬件和软件（例如 Airdrop、个人热点 和基于 AI 的服 ...