会议概述 - 2025势银光刻产业大会将于7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举办，主题聚焦光刻技术、材料及设备的国产化与创新 [18] - 会议规模300人，包含20+产业链嘉宾演讲、三大专场（先进光刻技术/光刻胶与湿电子化学品/掩膜版与光刻设备）及学术研讨环节 [15][16] - 采用"会+展"形式构建产业互动平台，提供上下游供应链对接机会 [17] 核心议题 - 极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术进展与应用前景 [14] - 光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈突破 [14] - 光刻设备国产化进程中的研发、制造工艺及市场挑战 [14] 重点演讲内容 - 安捷伦科技将分享《IC光刻胶表征新趋势与安捷伦多维分析方案》，其2024财年营收65.1亿美元 [7] - 中科芯集成电路探讨高性能芯粒异构集成技术的机遇与挑战 [10] - 势银分析师发布《2025年中国大陆光刻胶市场分析》报告 [10] 行业背景 - 中国光刻产业面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品进口依赖、掩模版制造技术落后等瓶颈 [22] - 光刻机领域存在EUV设备获取困难、光源系统等技术差距显著的"卡脖子"问题 [22] - 地缘政治摩擦加剧背景下，构建自主可控的产业生态成为迫切需求 [23] 会议亮点 - 设置圆桌论坛和产学研用对接环节，加速技术创新成果转化 [10][11][23] - 涵盖从材料（如酚醛树脂国产化）到装备（激光直写设备产业化）的全产业链讨论 [11][12] - 首次纳入ESG目标议题，探讨绿色光刻胶助力集成电路可持续发展 [11]

High NA EUV光刻技术挑战 - 高数值孔径(0.55)EUV技术面临电路拼接难题，需采用6×6英寸掩模版拼接或改用6×11英寸掩模版[1] - High NA EUV的曝光场面积缩小至193nm浸没式/EUV光刻的一半(13平方毫米 vs 26平方毫米)，导致吞吐量减半[1] - 变形镜头解决方案在X/Y方向分别缩小4倍/8倍，进一步限制了曝光范围[2] 拼接技术对良率的影响 - 掩模间套刻误差2nm会导致关键尺寸误差≥10%[2] - 边界区域光刻胶线宽变异可达10%-20%，接触孔可能出现重复或椭圆形缺陷[4] - 黑色边框设计导致应力松弛，扭曲相邻多层结构，需保留未图案化空白区域[3] 设计优化方案 - 完全避开边界区域可使单核设计频率降低3%，功耗增加3%[5] - 采用拼接感知设计优化后，面积损失<0.5%，性能下降约0.2%[6] - 关键优化包括防止逻辑块分裂、集群化I/O端口、避免边界附近放置标准单元[6] 大尺寸掩模版替代方案 - 6×11英寸掩模版需改造14类设备，部分设备成本可能翻倍[9] - 面积翻倍加剧EUV掩模版的应力管理和缺陷控制挑战[10] - ASML现有EUV平台可支持6×11.2英寸掩模版，无需改动光学元件[9] 行业技术经济性考量 - High NA EUV工具成本近4亿美元，生产效率是晶圆厂成本效率的关键[10] - 1nm技术节点可能是大尺寸掩模版的潜在应用时点[11] - 更大掩模版可提升现有0.33 NA光刻机效率，受益范围超出尖端应用[11]

光刻机技术趋势 - High-NA EUV光刻机从"天价顶配"变为"仓库积灰"，英特尔、台积电、三星均推迟使用计划 [1][3][6] - High-NA EUV售价3.78亿美元，比普通EUV贵近一倍，台积电通过现有EUV+多重曝光技术实现1.4nm制程 [6] - 三星将DRAM生产中的High-NA EUV应用推迟至2030年，因3D DRAM架构无需光刻技术 [6] 刻蚀技术崛起 - 3nm以下制程中刻蚀步骤占比超50%，GAAFET架构依赖刻蚀机完成三维结构雕琢 [7][8] - 刻蚀机厂商Lam Research和东京电子订单排至2026年，ASML 2024年EUV出货量仅44台，低于预期10台 [8] - 芯片制造逻辑从"二维压缩"转向"三维堆叠"，刻蚀技术成为核心 [8] ASML市场地位变化 - 2024年ASML光刻机总销量418台，中国大陆贡献36.1%收入（约797亿人民币），DUV需求旺盛 [9] - High-NA EUV面临销售困境，ASML路线图显示现有EUV技术仅能支持至2027年1.4nm制程 [10] - 新兴技术如EUV-FEL光源、原子光刻、纳米压印可能颠覆ASML垄断地位 [11] 半导体行业新逻辑 - 摩尔定律逼近物理极限，行业转向三维堆叠、Chiplet和新材料以提升性能 [12] - 光刻技术重要性下降，行业竞争焦点转向架构优化和成本控制 [12][14] - 中国在成熟制程设备自主化进展显著，未来可能改变全球供应链格局 [11][14]

会议基本信息 - 会议名称：2025势银（第五届）光刻产业大会，主办单位为势银（TrendBank），协办单位为深圳市半导体与集成电路产业联盟，承办单位为势银芯链 [13] - 会议时间：2025年7月9日-10日，地点为安徽合肥新站利港喜来登酒店 [13] - 会议形式为“会+展”，包含主题演讲、细分专题互动、学术研讨及产业链对接 [15][16][17] 会议议程与演讲内容 - 上午专场聚焦先进光刻技术，包括纳米压印/电子束/DSA技术、混合键合应用、导向自组装图形化技术等，演讲嘉宾来自中科芯、南开大学、甬江实验室等 [6] - 下午专场覆盖光刻胶与湿电子化学品，议题涉及CAR光刻胶、聚酰亚胺材料、光刻胶表征分析等，演讲企业包括鼎龙、星泰克、安捷伦等 [6][7] - 次日议程围绕检测与装备，讨论掩膜版产业、半导体光刻设备本土化等，参与方含清溢光电、芯东来半导体等 [7] 参会企业与机构 - 24家产学研单位确认参会并演讲，包括中科芯、复旦大学、张江实验室、永光化学、圣泉集团等头部企业及高校 [1][6][7] - 报名名单涵盖产业链上下游超150家机构，如中芯国际、京东方、3M China、巴斯夫等，涉及研发、销售、投资等多岗位 [8][9][10][11][12] 行业核心议题 - 技术方向：极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术进展与应用前景 [14] - 材料瓶颈：光刻胶、湿电子化学品国产化现状与技术难点，如高端产品自给率低、纯度不足等 [14][22] - 设备挑战：光刻机本土化研发的关键问题，包括制造精度、光源系统与国际差距 [22] 会议目标与行业背景 - 旨在通过产学研合作提升光刻技术自主可控能力，应对全球供应链安全威胁 [23] - 当前国内光刻产业面临高端材料依赖进口、设备“卡脖子”等挑战，需加速技术转化与生态整合 [22][23] 会议亮点 - 设置三大专场覆盖全产业链，提供20+嘉宾演讲及圆桌论坛 [15] - 学术研讨聚焦光刻技术理论基础，推动产业创新 [16] 会议费用与配套服务 - 早鸟价2600元/人（6月30日前），含会议资料、自助午餐及晚宴 [19] - 协议酒店为合肥新站利港喜来登酒店，提供专属预订渠道 [21]

封装材料PSPI行业分析 - 封装材料PSPI是一种兼具光敏性和优异物理化学性能的高分子材料，结合聚酰亚胺的介电性能、机械强度、耐热性及光刻胶的感光性，应用于芯片表面保护、凸块钝化及重布线层绝缘 [1] - PSPI可直接光刻成型，简化集成电路制造工艺，提高图形精度，广泛应用于半导体封装、先进封装工艺及OLED显示领域 [1] - 2024年全球封装用PSPI市场规模达4.02亿美元，预计2030年将增长至8.02亿美元 [2] - 日美厂商垄断高端PSPI市场，五大头部厂商（Toray、Fujifilm、HD Microsystems、Asahi Kasei、SK Materials）占据全球95%份额 [2] - 旭化成（Asahi Kasei）于2024年5月对PSPI实施断供，冲击台积电、三星、盛合晶微等半导体企业生产计划 [2] 国内PSPI相关企业 - **湖北鼎龙控股**：半导体新材料业务涵盖集成电路芯片设计、制程工艺材料及先进封装材料，拥有1000余项国内外专利，牵头制定10余项国家标准 [5] - **波米科技**：国内率先实现PSPI量产，研发投入强度超40%，研发人员占比70%，授权60余项国家发明专利 [7][8] - **台湾永光化学**：年研发费用占营收4%以上，累计专利技术逾190篇，专注高科技化学品研发 [9] - **潍坊星泰克**：自主研发产品包括PSPI、高分辨率正性光刻胶等，部分技术指标达国际先进水平 [10][11] 2025势银光刻产业大会 - 会议聚焦极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，探讨光刻胶、湿电子化学品、掩膜版国产化现状与技术瓶颈 [22] - 设置三大专场（先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备），覆盖全产业链 [23] - 湖北鼎龙、波米科技、台湾永光化学、潍坊星泰克等企业将参与演讲 [4] - 会议规模300人，包含20+产业链嘉宾演讲及学术研讨环节 [21][24] 光刻行业挑战与机遇 - 国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品、掩膜版及光刻机技术与国际差距显著，EUV光刻机等关键设备受制于国外垄断 [30] - 全球地缘政治摩擦加剧半导体供应链风险，需加强光刻技术自主可控能力，推动产学研合作与技术创新 [31]

会议概况 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，第五届举办，主题聚焦光刻技术及产业链发展 [14][15][25] - 主办方：势银（TrendBank），协办方为深圳市半导体与集成电路产业联盟，承办方为势银芯链 [14] - 时间地点：2025年7月9日-10日于安徽合肥新站利港喜来登酒店举办，规模300人 [14][15] - 议程设置：分三大专场——先进光刻技术与产业发展、光刻胶与湿电子化学品、检测与装备，含20+主题演讲及圆桌论坛 [15][16][17] 行业背景与挑战 - 光刻技术是半导体制造核心环节，直接影响芯片性能与成本，但国内面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品进口依赖、掩模版技术不足、光刻机被国外垄断等"卡脖子"问题 [23] - 全球地缘政治加剧供应链风险，需加强自主可控能力，大会旨在推动产学研合作与资源整合 [24] 参会企业与嘉宾 - 覆盖全产业链：包括河北奥格流体（洁净设备）、宁波天璇新材料（光刻胶）、矽磐微电子（封装技术）、安捷伦（检测方案）等150+企业 [18][19][20][21] - 演讲嘉宾：中科芯、南开大学、复旦大学、张江实验室等科研机构专家，及企业高管如波米科技总经理、永光化学研发协理等 [15][16][17] 会议服务与报名 - 参会权益：含会议资料、演讲授权资料、2日自助午餐及晚宴，6月30日前早鸟价2600元/人，7月起2800元/人 [22] - 配套活动：势银提供产业研究、数据、咨询等服务，官网为www.trendbank.com [31][32] 关联企业信息 - 河北奥格流体：成立于2014年，主营洁净搅拌罐/反应釜等设备，拥有压力容器制造、机电安装等资质，产品容积覆盖10L-40万L，材质包括PFA/EP等 [2][3][5][7] - 势银（TrendBank）：中国领先产业研究公司，业务涵盖数据、咨询、会议服务，注册实体为宁波膜智信息科技 [1][31]

光引发剂行业动态 - 牡丹江旭日新材料科技有限公司计划投资2.4亿元建设年产3000吨光引发剂及中间体项目，占地面积1.2万平方米，建筑面积5000平方米，主要改扩建4个产品生产线和生产车间 [3] - 该公司成立于2017年，注册资本8800万元，拥有19项发明专利和多项实用新型专利，在光引发剂领域具有技术优势 [3][4] - 项目定位于产业链中游，同时涉及上游中间体生产，显示公司正在构建更完整的产业链布局 [4] 主要企业分析 久日新材 - 2024年营收14.88亿元，同比增长20.52%，光引发剂占比超70%；毛利润2.05亿元，同比增长88%，光引发剂占比约85% [6] - 光引发剂销量2.31万吨，同比增长20.21%，设计产能22,850吨，同时有360吨电子信息材料和4,500吨光刻胶项目进入试生产 [6][7] - 2024年归母净利润亏损0.54亿元，主要由于市场竞争激烈导致产品价格处于历史低位 [6] 扬帆新材 - 2024年营收7.31亿元，同比增长5.80%，光引发剂占比约27.07%；毛利润1.05亿元，同比下降0.49% [9] - 光引发剂年产能8,000吨，中间体年产能18,445吨，另有2,200吨中间体在建产能 [9] - 2024年归母净利润亏损0.46亿元，主要由于产品价格低迷和产能利用率较低 [9] 强力新材 - 2024年营收9.24亿元，同比增长15.93%，光引发剂占比约74.13%；毛利润1.80亿元，同比下降6.67% [10] - 拥有各类光引发剂产能合计16,573吨/年，另有7,100吨在建产能 [11] - 2024年归母净利润亏损1.82亿元，同比亏损扩大，主要由于产品价格处于低位 [10] 固润科技 - 2024年营收4.82亿元，同比增长35.21%；毛利润1.44亿元，同比增长111.76%；归母净利润0.77亿元，同比增长393.35% [13] - 产品性能优异，在阳离子型光引发剂和氧杂环丁烷等产品领域处于国内外领先地位 [12][13] 行业格局 - 国内光引发剂头部企业包括久日新材(2.285万吨)、强力新材(1.66万吨)、沃凯珑(1.3万吨)、IGM(1.2万吨)、扬帆新材(0.8万吨)、固润科技(0.5万吨)，行业集中度较高 [5]

光刻技术重要性变化 - 英特尔高管提出"光刻将不再那么重要"的观点引发业界争议 [1] - High-NA EUV光刻机面临滞销，多家芯片巨头对其实用性持保留态度 [1][3] - 随着3D晶体管结构发展，刻蚀技术重要性提升至制造环节50%以上 [7] High-NA EUV光刻机应用现状 - ASML已交付两台TWINSCAN EXE:5000系统，分别由imec和英特尔接收 [1] - 英特尔计划用High-NA EUV开发1.8nm和1.4nm工艺，当前季度产能达30000片晶圆 [4] - 台积电认为High-NA EUV大规模应用需5年以上，A16/A14工艺仍采用标准EUV [5] - 三星推迟DRAM产线应用计划，逻辑芯片领域评估1.4nm工艺2027年量产 [6] 刻蚀技术崛起 - 5nm FinFET工艺中刻蚀次数超过150次 [7] - GAAFET和CFET结构要求"从各方向包裹栅极"，横向材料去除成为关键 [7] - Lam等刻蚀设备公司作用将增强，但光刻机仍保持基础性地位 [8][9] ASML市场表现与技术路线 - 2024年出货418台光刻机（44台EUV/374台DUV），中国大陆贡献36.1%收入（101.95亿欧元） [10] - 正在研发0.75 NA的Hyper NA EUV系统，可提升打印速度和精度 [10][11] - 当前EUV技术预计主导市场10-20年，控制全球75%-80%份额 [13] 新兴光刻技术发展 - EUV-FEL技术可支持10-20台设备并联，美国Xlight公司计划2028年推出原型 [13][14] - Lace Lithography开发原子光刻技术，宣称分辨率领先EUV 15年 [14] - 纳米压印和电子束光刻在小批量高精度领域取得进展 [15][16]

会议核心内容 - 会议聚焦光刻技术产业链，涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [11] - 会议旨在通过产学研用深度融合，加速技术创新和成果转化，提升国内光刻产业自主可控能力 [20] - 会议设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、检测与装备，覆盖全产业链 [12] 会议基本信息 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，主办单位：势银（TrendBank），协办单位：深圳市半导体与集成电路产业联盟 [14] - 会议时间：2025年7月9日-10日，地点：合肥新站利港喜来登酒店，规模：300人 [14] - 报名费用：6月30日前2600元/人，7月1日后2800元/人，含会议资料、自助午餐和全体晚宴 [16] 演讲嘉宾与主题 - 潍坊星泰克董事长孙逊运博士将分享"CAR光刻胶的前世今生"，孙博士是光刻胶领域资深科学家，拥有多项国内外发明专利，填补5项国内技术空白 [4] - 其他演讲主题包括：面向AI时代的芯粒异构集成技术、混合键合在先进封装中的应用、光刻胶材料的开发和难点分析等 [7][8] 行业背景与挑战 - 国内高端光刻胶自给率低，研发和生产技术与国际先进水平存在差距 [19] - 湿电子化学品部分高纯度产品依赖进口，掩模版高端原料主要依赖进口 [19] - 光刻机被国外垄断，国内企业在技术水平、制造精度等方面与国际先进水平差距较大 [19] 会议目标 - 促进产学研用深度融合，加强国内科研机构、高校、企业之间的交流与合作 [20] - 为产业链上下游企业搭建沟通桥梁，促进资源整合和优势互补 [20] - 推动光刻技术及相关产业的升级发展，构建完整产业生态体系 [20]

会议概况 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，由势银（TrendBank）主办，深圳市半导体与集成电路产业联盟协办，势银芯链承办 [11][14] - 会议时间：2025年7月9日-10日，地点在安徽合肥新站利港喜来登酒店，规模300人 [14] - 会议费用：6月30日前报名2600元/人，7月1日后2800元/人，包含会议资料、自助午餐和晚宴 [16] 会议内容与亮点 - 讨论内容涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [11] - 设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备，覆盖全产业链 [12] - 20+产业链嘉宾演讲，包括学术研讨和会+展形式，促进产学研用融合 [12][15] 演讲嘉宾与主题 - 王野（上海芯东来半导体科技总经理）将分享"半导体光刻设备的本土产业化机遇与挑战"，其团队拥有20多年原厂经验，专注于光刻机国产化 [5][10] - 其他演讲主题包括：高性能芯粒异构集成技术、纳米压印/电子束/DSA技术、混合键合在先进封装中的应用、光刻胶研发进展等 [8][9][10] 行业背景与挑战 - 光刻技术是半导体制造的关键环节，直接决定芯片性能和生产成本 [19] - 国内光刻产业面临挑战：高端光刻胶自给率低、湿电子化学品依赖进口、掩模版制造技术难度大、光刻机被国外垄断 [19] - 全球地缘政治摩擦加剧，需加强光刻技术自主可控能力，大会旨在促进产学研合作和资源整合 [20]