行业与公司 - 行业为高端光学设备，聚焦光刻机技术[1] - 涉及公司包括ASML（i线/DUV/EUV设备制造商）、京上微装（LDI光刻机厂商）及国内光学加工设备厂商（成都、长沙等地）[16][19][22] --- 核心技术参数与原理 **光刻机基础原理** - 投影式光刻依赖波长、数值孔径（NA）、工艺因子三要素[2] - 波长演进：i线（365nm）→DUV（248nm/193nm）→EUV（13.5nm），EUV需反射镜系统[2][7] **分辨率提升路径** - NA与分辨率成正比，浸没式技术（水介质）提升NA，28nm以下节点必备[5] - 工艺因子优化包括离轴照明、掩模板设计等，需Fab厂协同[6] **关键子系统要求** - **照明系统**：均匀性需<1%，离轴照明滤基频光保留高频信息[9] - **物镜**：波像差控制在几纳米（λ/100），需解决热效应[10][14] - **工件台**：纳米级定位精度，支撑大面积曝光[11] - **光源系统**：功率稳定性关键，DUV用氟化氪/氩，EUV用等离子体激发[3][12] --- 技术难点与供应链 **光学材料挑战** - EUV无透射材料，依赖反射镜系统，研发难度高[7][8] - DUV/EUV镜片加工精度：DUV需几纳米面型精度，EUV需原子级评估[17][18] **国内供应链进展** - 高精度镜片加工仍依赖国家队，但国产设备（磁流变/离子束）已进入量产体系[19][25] - 国内光学加工能力接近海外水平，但高级镜片加工周期长（如离子束打磨DUV镜片需1个月）[19][28] --- 设备价值与应用场景 **光刻机类型与制程** - i线：微米级；DUV通过工艺优化可达7/5nm；EUV专攻10nm以下节点（已应用至3nm）[15] - 逻辑/存储芯片制造差异：按需求选择技术类型[15] **设备成本结构** - 售价：i线（千万级）→DUV（数千万至近亿美金）→EUV（数亿美金）[16] - 光学系统占比：DUV占整机成本50%，EUV更高[16] **LDI光刻机趋势** - 先进封装用LDI成本低（无需大口径物镜），但曝光面积小需多激光头并行[22] - 国内京上微装已发货500台，未来需求涵盖封装载板、光子芯片等[22] --- 其他关键信息 **设备维护与寿命** - i线易损件：反光碗（镀膜损坏）；DUV需每3-5年更换扩束镜等[21] **设计协作模式** - 国内系统设计能力初具，但分工合作仍存（如初抛外包、精抛自研）[23][24] **竞争对手** - 海外先进厂商未具体提及，需外部查询[29]

光刻工艺概述 - 光刻是半导体制造中关键工艺，每个掩模层均需光刻作为起始点，0.13μm CMOS工艺包含474个步骤中212个与光刻曝光相关[1][16] - 技术节点演进中最小特征尺寸按70%比例缩减（1/√2），电路密度提升2倍[1][16] - 光刻决定技术节点限制因素，台积电7nm DUV工艺掩模层数达87层[16] 逻辑芯片与存储芯片光刻差异 - 逻辑芯片金属互连层复杂，7nm工艺M1线/槽pitch约40nm[2][17] - 存储芯片（DRAM/NAND）采用规则线宽结构，DRAM字线pitch全局恒定，三星D1z代LPDDR5位线线宽仅13.5nm[2][17][22] - 3D NAND通过增加层数而非缩小pitch实现高密度[17][23] 光刻工艺流程 - 基本流程：旋涂光刻胶→预烘烤→曝光→显影，需配合掩模版使用[3][26] - 匀胶显影机（Track）实现涂胶/烘烤/显影等功能，浸没式工艺需增加去离子水冲洗[4][52][55] - 显影方法包括水坑式/浸没式/喷淋式，化学放大胶需后曝光烘烤（PEB）[69] 掩模版技术 - 掩模版制造含CAM处理/光刻/检测三环节，先进节点（≤130nm）采用电子束直写[3][41][42] - 相移掩模（PSM）通过相位调制提升分辨率，包括交替型/衰减型/高透射率型[43][47] - 掩模版标准尺寸152mm×152mm×6.35mm石英基板，含OPC修正和边框设计[35][41] 光刻设备与光源 - 2024年光刻相关设备市场规模293.67亿美元，2025年预计达312.74亿美元[7] - 光源演进：汞灯（365nm）→KrF/ArF准分子激光（248/193nm）→EUV激光等离子体（13.5nm）[5][87][92] - EUV光源采用锡液滴激光等离子体方案，ASML NXE:3600D功率达300-350W[96][99][100] 分辨率与工艺参数 - 分辨率公式：R=k₁·λ/NA，通过缩短波长/增大NA/降低k₁提升[84][88] - 193nm浸没式光刻使等效波长缩短，支持32-7nm工艺[92] - 套刻误差（Overlay）在3nm节点需控制在2nm内，金属线宽约20nm[73] 光刻机分类 - 接触式/接近式光刻采用1:1复制，投影式通过4:1缩小成像[78][79] - 步进扫描式（Scanner）通过狭缝扫描实现大视场曝光，支持高NA成像[79][80] - EUV光刻采用多层膜反射镜，需真空环境运行[100][101]

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1] - 上世纪八九十年代佳能和尼康曾占据全球光刻机市场大半份额，ASML当时处于技术追赶阶段[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在157nm浸没式和EUV技术跨越中落后，ASML通过整合全球资源实现超越[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 佳能押注纳米压印技术(NIL)，2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14nm线宽，有望推进至10nm[5] - 通过收购Molecular Imprints和与铠侠合作加速技术研发，2024年向美国TIE研究所交付设备[8][9][10] - 相比EUV光刻机，纳米压印设备价格低一个数量级，能耗仅为EUV的10%，设备投资成本降低至40%[14] - 该技术已应用于5nm芯片制造，打破EUV垄断，并在3D NAND闪存领域展现竞争力[12][15] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的新型ArFi光刻机，采用创新镜头和工件台设计[23] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格比竞品便宜20-30%[24][25] - 2025年推出首款面向先进封装的无掩模光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[27][28] 新兴光刻技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7nm，设备成本为EUV的1/3[34] - 欧洲Lace Lithography的原子光刻技术分辨率达2nm，成本降低50%以上，能耗仅为EUV的1/10[35] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术(DSA)，可减少30%EUV曝光次数，单晶圆成本降低20%[36] 行业竞争态势 - 佳能通过纳米压印技术开辟新路径，聚焦3D NAND等细分市场[12] - 尼康在浸没式ArF和先进封装领域寻求突破，逐步构建技术竞争力[26][32] - 多家企业探索替代EUV方案，未来光刻领域可能从垄断走向多技术并存[36][39]

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1][3] - 上世纪八九十年代佳能与尼康曾主导全球光刻机市场，占据大半份额[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在浸没式光刻和EUV技术迭代中落后，ASML实现反超[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14纳米线宽，有望推进至10纳米，支持5纳米制程[7][16] - 技术原理采用"盖印章"式压印，一次成型复杂电路，避开光学衍射限制[15] - 成本优势显著：设备价格比EUV低一个数量级，能耗仅为EUV的10%[15] - 重点布局3D NAND闪存等细分市场，与铠侠合作推进量产应用[13] - 已向美国TIE研究所交付设备，客户包括英特尔、三星等巨头[11] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的浸没式ArFi光刻机，争夺市场份额[25][26] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格低20-30%[27] - 2025年推出首款FOPLP工艺光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[29][30] - 采用无掩模技术实现1.0μm分辨率，瞄准先进封装市场[30][34] 其他颠覆性技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7纳米，成本为EUV的1/3[36] - 欧洲Lace Lithography原子光刻技术达2纳米分辨率，能耗仅EUV的1/10[37] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术，可减少30%EUV曝光次数[38] 行业未来发展趋势 - 光刻技术路线呈现多元化趋势，可能从单一垄断转向多技术并存[38][41] - 佳能尼康通过构建产业生态联盟增强竞争力，包括芯片制造商和材料供应商合作[39] - 新兴市场和细分领域（如先进封装）成为竞争焦点[34][39]

报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 报告围绕阿斯麦尔2025年Q2财报展开，25Q2营收位于指引上限、毛利率超预期、新签订单环比提升，但25Q3收入指引不及预期，2026年收入指引谨慎，公司在技术进展上取得一定成果，同时面临宏观经济和地缘政治不确定性带来的挑战 [1][4] 根据相关目录分别进行总结 财务与订单情况 - 25Q2收入76.92亿欧元，同比+23.2%/环比-0.6%，位于指引上限，设备收入55.96亿欧元，服务收入20.96亿欧元，毛利率53.7%，超指引预期 [1] - 25Q2签单55.41亿欧元，同比-0.5%/环比+40.8%，逻辑签单46.5亿欧元，同比+14.5%/环比+97.1%，存储签单8.9亿欧元，同比-41.0%/环比-43.7% [1] 机台与市场销售情况 - 25Q2 EUV/ArFi/ArF/KrF/I - line机台分别销售11/31/4/16/14台，环比-3/+6/+1/-6/+1台，EUV机台收入环比下滑，ArFi DUV收入环比上升 [3] - 25Q2来自逻辑下游收入占比69%/环比+11pcts，来自存储下游收入占比31%/环比-11pcts [3] - 25Q2来自中国大陆收入占比27%/环比持平，中国台湾地区收入占比35%/环比+19pcts，美国收入占比10%/环比-6pcts，韩国收入占比19%/环比-21pcts，日本收入占比5%/环比+4pcts [3] 业绩指引情况 - 25Q3收入预计74 - 79亿欧元，中值同比+2.5%/环比-0.5%，毛利率50 - 52%，中值同比+0.2pct/环比-2.7pcts [4] - 调整2025全年营收指引至325亿欧元，同比+15%，毛利率指引至52%，25H2毛利率低于25H1 [4] - 2026年收入指引谨慎，全年收入可能下滑，2030年营收指引440 - 600亿欧元，毛利率56% - 60% [4] 行业规模情况 - 行业股票家数509只，占比9.9%，总市值93665亿，占比10.2%，流通市值79378亿，占比9.6% [5] 行业指数情况 - 行业1m、6m、12m绝对表现分别为8.6%、12.8%、46.9%，相对表现分别为5.1%、7.4%、32.3% [7] 技术进展情况 - Low NA EUV和High NA EUV取得良好进展，NXE:3800E完成大量现场升级，新设备按完整规格发货 [23] - 发货并开始安装第一套EXE:5200B设备，生产率较EXE:5000提升约60% [24] 问答环节情况 - 解释EUV收入增长低于预期原因是业务构成从设备业务转向升级业务，中国大陆DUV业务占比提升 [25] - 认为High NA可简化客户工艺流程，符合客户向先进节点过渡策略 [27] - 指出取消对中国AI芯片出口禁令对半导体生态系统是积极信号 [28] - 预计2025年中国大陆收入占比超25%，因市场需求强劲且与未交付订单比例一致 [29] - 说明下半年毛利率下降因High NA设备确认收入增加、服务业务减少和一次性成本收益消失 [33] - 表示订单量不适合作为增长预测依据，不再提供2026年指引 [34] - 称EUV订单更偏向逻辑，DUV今年产能完全预订，部分明年处理 [35] - 解释EUV设备收入预期下调是业务构成转变导致，3800系列设备仍实现30%产能增长目标 [36] - 认为客户对关税讨论担忧增加，不确定性导致更谨慎，决策受影响 [37] - 强调关注客户EUV产能年度总增量，而非满足需求所需设备数量 [38] - 认为客户基本面强劲，关税和地缘政治讨论使决策更审慎 [39] - 指出EUV采用率在DRAM客户中提升趋势将持续，下一代平台发展规划明确 [42] - 说明存储器业务需求由HBM驱动，逻辑芯片需求增长，本季度订单占比回落正常 [43] - 表示不对2026年中国营收预测，中国市场需求强劲且健康 [44] - 说明积压订单中约14亿欧元调整与中国市场相关，绝大部分是DUV设备 [46] - 认为1.4纳米节点后光刻强度会提升，逻辑芯片客户对增加EUV层数需求乐观 [47] - 预计装机基础业务升级部分下降，服务收入持续增长，季度间无剧烈波动 [48] - 指出High NA设备需完成成熟度验证里程碑，目前处于向量产验证阶段迈进 [49]

光刻技术现状与挑战 - 光刻技术对芯片最终性能至关重要，但光刻机设备极其复杂，全球仅荷兰ASML、日本佳能和尼康三家公司能生产，2023年光刻机占全球芯片制造设备支出的近25% [5][6] - 中国在光刻技术领域仍存在空白，远未实现自给自足，多数生产线依赖ASML或尼康的老款设备 [1][6] - 光刻机涉及光学、机械、电子、化学等多学科协同，技术壁垒极高，全球仅少数企业具备生产能力 [7] 中国半导体设备国产化进展 - 中国芯片制造商中芯国际、长鑫存储、长江存储已在蚀刻、测量、沉积等工艺中用国产设备替代外国工具 [4] - 除光刻技术外，中国在几乎所有半导体设备领域取得显著进步，国产化替代加速 [6] - 2024年中国从ASML采购价值89.2亿欧元（约744.3亿元人民币）的设备，占ASML当年系统销售额的41% [5] 中国自主研发投入与政策支持 - 中国启动第三期国家集成电路产业投资基金，政府投资3440亿元人民币，重点加强光刻机供应链，预计带动1.38万亿元民间投资 [10] - 地方政府出台政策支持EUV关键部件研发，包括光刻胶、反射镜、激光器等 [10] - 上海微电子、华为、宇量昇科技等企业积极投入光刻机自主研发，华为从全球芯片领军企业招募人才 [9] 国际竞争与地缘政治影响 - 美国出口管制加速中国半导体设备国产化进程，中国顶级芯片制造商正尽可能转向国产设备 [10] - ASML受地缘政治影响，2023年美股股价下跌超20%，中国市场成为其潜在最大竞争对手 [9] - ASML CEO警告美国限制政策将促使中国加速技术突破，最终削弱ASML主导地位 [11][13] 行业专家观点 - 分析师认为中国境内大量ASML设备库存为自主研发争取了时间，预计最终会突破光刻技术 [6] - 日本供应商高管担忧中国技术突破将给非中国供应商带来巨大压力 [2][6] - 美国专家指出中国已出现应用材料、东京电子等公司的竞争对手，自主研发投入将持续加码 [10]

会议概况 - 会议名称为2025势银光刻产业大会，由势银（TrendBank）主办，将于2025年7月9日-10日在安徽合肥新站利港喜来登酒店举行 [25][30] - 会议规模约300人，涵盖三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、材料与装备 [27][30] - 报名费用分两档：6月30日前2600元/人，7月1日后2800元/人，含会议资料、自助午餐及晚宴 [31] 会议内容与亮点 - 聚焦极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，探讨光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化瓶颈与解决方案 [26] - 设置20+产业链嘉宾演讲，包括中科芯、南开大学、张江实验室等机构专家，议题覆盖异构集成、导向自组装图形化技术等 [15][18][23] - 采用"会+展"形式，促进产学研对接，构建供应链互动平台 [29] 重点企业及技术方向 - 河北奥格流体设备有限公司专注洁净搅拌罐/反应釜、系统集成技术，拥有多项压力容器及工程资质，总经理姚尧将分享半导体光刻胶领域系统集成应用 [6][7][20] - 湖北鼎龙控股副总裁肖桂林将探讨先进封装PSPI与键合胶开发趋势，潍坊星泰克董事长SAM SUN分析CAR光刻胶技术演进 [18] - 台湾永光化学研发协理黄新义提出绿色光刻胶助力集成电路ESG目标，北京创腾科技总经理曹凌霄介绍数据驱动的光刻胶智能创新 [20] 行业背景与挑战 - 国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品高纯度产品依赖进口，掩模版原料及光刻机技术受制于国际垄断 [34] - 光刻技术直接决定芯片性能与成本，是半导体产业"卡脖子"环节，需加强自主可控能力应对地缘政治风险 [34][35] - 大会旨在推动产学研合作，加速技术转化，构建完整产业生态以提升竞争力 [35][36] 议程安排 - 7月8日下午为签到环节，7月9日全天分设先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品专场，含圆桌论坛及晚宴 [12][14][17][21] - 7月10日上午为材料与装备专场，议题包括光刻设备本土化、光刻胶单体质量控制、激光直写设备产业化等 [23][24]

会议概况 - 2025势银（第五届）光刻产业大会将于7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举行，聚焦光刻技术、材料及设备国产化议题 [27][28] - 会议设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、材料与装备，覆盖全产业链 [29] - 24家产学研单位确认参会，包括中科芯、鼎龙、波米科技、复旦大学、南开大学等机构 [1][8][18] 会议议程亮点 - **先进光刻技术专场**：探讨高性能芯粒异构集成技术、纳米压印/电子束/DSA技术方向、混合键合应用等 [8][9] - **光刻胶与湿电子化学品专场**：涵盖CAR光刻胶发展史、先进封装聚酰亚胺材料、IC光刻胶表征新趋势等 [15][16] - **材料与装备专场**：聚焦半导体光刻设备本土化、DUV光刻系统有机物影响、激光直写设备产业化等 [18] 行业现状与挑战 - 国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品高纯度产品依赖进口，掩模版原料及光刻机技术受制于国际垄断 [38] - 光刻技术精度直接决定芯片性能，是半导体产业向更小尺寸发展的关键环节 [38] - 地缘政治加剧供应链风险，需通过产学研合作提升自主可控能力 [39] 参会企业与人员 - 超200家机构报名，涵盖陶氏化学、安捷伦、中芯国际、京东方等企业，以及张江实验室、中科院等科研单位 [20][21][22][23][24][25][26] - 参会职位包括研发总监、总经理、教授等，显示行业高层参与度 [20][21][22] 会议服务与费用 - 早鸟价2600元/人（6月30日前），含会议资料、自助午餐及晚宴 [33] - 协议酒店为合肥新站利港喜来登酒店，提供专属预订渠道 [35][36] 会议背景与目标 - 主办方势银(TrendBank)为国内领先产业研究机构，提供数据、咨询及会议服务 [47][48] - 大会旨在推动光刻技术产学研融合，加速国产化替代与产业升级 [39][40]

会议概况 - 2025势银（第五届）光刻产业大会将于7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举办，主题涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化进程[25][26][30] - 会议设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、材料与装备，覆盖全产业链，包含20+嘉宾演讲及圆桌论坛[27][29] - 参会规模300人，6月30日前报名费用2600元/人，含会议资料、自助午餐及晚宴[30][31] 核心议题 - **技术方向**：聚焦混合键合在先进封装的应用、导向自组装图形化技术、纳米压印胶研发等，涉及中科芯、甬江实验室、复旦大学等机构[13][21] - **材料突破**：探讨光刻胶国产化难点（张江实验室）、CAR光刻胶发展（星泰克）、聚酰亚胺材料趋势（波米科技）[14][16][21] - **设备挑战**：芯碁微装将分享激光直写光刻设备产业化思考，芯东来半导体讨论本土光刻设备机遇[7][21] 参与企业 - **芯碁微装**：专注直写光刻设备研发，拥有200+知识产权，牵头制定PCB直接成像国家标准，获工信部专精特新"小巨人"等荣誉[7] - **鼎龙控股**：副总裁肖桂林将解析先进封装PSPI与键合胶趋势[14] - **永光化学**：研发协理黄新义分享绿色光刻胶助力集成电路ESG目标[16] 行业背景 - 中国光刻产业面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品进口依赖、EUV光刻机技术差距等"卡脖子"问题，亟需通过产学研合作提升自主可控能力[34][35] - 大会旨在推动产业链协同创新，加速技术转化，构建安全生态体系[35][36] 会议议程 - **7月9日**：上午聚焦先进光刻技术（如高性能芯粒异构集成），下午讨论光刻胶与湿化学品（含安捷伦分析方案、TGV湿电子化学品挑战）[11][14][16] - **7月10日**：材料与装备专场涉及光刻胶单体质量控制（宇瑞化学）、DUV光刻系统有机物研究（集萃光敏所）等[21]

会议概况 - 2025势银（第五届）光刻产业大会将于7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举行，聚焦光刻技术、材料及设备国产化议题 [1][34] - 会议规模300人，设置先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、材料与装备三大专场，覆盖全产业链 [32][34] - 24家产学研单位确认参会，包括中科芯、鼎龙、波米科技、复旦大学、南开大学等机构代表 [1][17][19] 核心议题与嘉宾 光刻胶与湿电子化学品专场 - 圆桌论坛由沛顿科技副总经理吴政达主持，探讨中美博弈对半导体材料的影响、本土化战略路径等4大问题 [10][22] - 嘉宾包括甬江实验室张瓦利、星泰克孙逊运、鼎龙股份肖桂林等6位行业专家 [4][6][7][9][10] - 分论坛议题涵盖先进封装PSPI、CAR光刻胶、聚酰亚胺材料等，演讲嘉宾来自鼎龙、星泰克、波米科技等企业 [21][22] 先进光刻技术专场 - 议题包括高性能芯粒异构集成技术、纳米压印/电子束/DSA技术方向、混合键合应用等 [16][17] - 演讲嘉宾包括中科芯、南开大学罗锋、甬江实验室张瓦利等，聚焦前沿技术研发进展 [17][18] 材料与装备专场 - 讨论光刻设备本土化机遇、光刻胶单体质量控制等，久日新材、集萃光敏所等企业分享经验 [27] - 芯东来半导体总经理王野将分析光刻设备产业化挑战 [10][27] 行业背景与挑战 - 光刻技术是半导体制造关键环节，但国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品、掩模版、光刻机等核心环节依赖进口 [40] - 地缘政治加剧供应链风险，需加强产学研合作推动光刻技术自主可控 [41] - 大会旨在促进产业链协同，解决"卡脖子"问题，构建完整生态体系 [31][41] 会议亮点 - 采用"会+展"形式，提供上下游供应链对接平台 [33] - 设置学术研讨环节，强化产业理论基础 [33] - 20+产业链嘉宾演讲，覆盖EUV光刻、电子束光刻等前沿技术 [31][32]