投资评级 - 维持"优于大市"评级 [2][4][23] 核心观点 - 聚和材料收购SK Enpulse空白掩模业务板块，交易金额680亿韩元（约3.5亿元人民币），公司直接或间接出资比例不低于95% [3][6] - 空白掩模是半导体光刻工艺中掩模版制造的关键材料，国产化率较低，此次收购覆盖7-130nm DUV国产空白市场，产品已通过海内外重点晶圆厂验证并实现量产 [3][6][8] - 收购响应国家"自主可控"战略，补齐国内关键材料短板，同时有望拓展半导体客户资源，与现有业务形成协同发展 [3][8] - 标的资产2024年末净资产507.97亿韩元（约2.5亿元人民币），交易定价体现战略协同价值 [8] 业务与市场分析 - 全球空白掩模供应商主要集中在日本、韩国和中国台湾地区，包括日本信越化学、韩国KTG、日本豪雅（HOYA）等 [8] - 国内掩模版行业第一梯队为清溢光电和路维光电，显示掩模版国内市占率合计超55%，半导体领域加速突破 [15] - 清溢光电2025年上半年营收6.22亿元（同比增长10.9%），净利润0.92亿元（同比增长12.3%），半导体芯片掩模版收入占比约17% [9][11] - 路维光电2025年上半年营收5.44亿元（同比增长37.5%），净利润1.06亿元（同比增长29.1%），半导体掩模版收入占比约20% [9][11] - 龙图光罩聚焦半导体掩模版（占比95%），2025年上半年营收1.16亿元（同比下滑6.4%），净利润0.35亿元（同比下滑28.9%） [9][11] - 冠石科技新切入半导体掩模版领域，2025年上半年营收6.92亿元，净利润亏损0.12亿元 [9][11] 财务预测 - 预计2025-2027年营收分别为139.95亿元、153.99亿元、165.39亿元，同比增长12%、10%、7% [19][23] - 预计2025-2027年归母净利润分别为4.09亿元、5.10亿元、6.41亿元，同比增长-2.3%、24.9%、25.6% [4][23] - 预计2025-2027年每股收益（EPS）分别为1.69元、2.11元、2.65元 [23] - 当前股价对应PE分别为35倍、28倍、22倍 [4][23] - 光伏银浆业务预计2025-2027年营收分别为138.85亿元、152.39亿元、162.89亿元，毛利率稳定在9%-10% [18][19] - 其他业务（含新收购空白掩模业务）预计2025-2027年营收分别为1.10亿元、1.60亿元、2.50亿元，毛利率从22%提升至30% [19]

核心财务表现 - 上半年归属于上市公司股东净利润2.47亿元，同比增长44.53% [1] - 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润2.82亿元，同比增长33.47% [1] - 经营活动现金流量净额4.76亿元，同比增长23.99% [1] - 经营业务综合毛利率31.80%，同比上升6.38个百分点 [1] - 营业收入同比下降5.02%，主产品销量略减 [1] 主营业务运营 - 水泥主产品单位成本下降14.97元/吨，其中可控成本下降6.11元/吨 [2] - 砂石骨料销量同比增长37.46% [2] - 环保业务处置各类危固废8.88万吨，实现营业收入5101.92万元 [2] - 西部新疆基地及宁夏基地等贡献收益比例上升 [2] 新能源业务发展 - 光伏发电1416.37万度，同比增长92.1% [2] - 储能放电量同比增长182% [2] - 新投运3座重卡超充站，"光、储、充、碳"初步实现系统融合 [2] - 累计发电量超4400万度，相当于节煤1.79万吨，减排二氧化碳4.4万吨 [2] 新经济股权投资 - 新增对广州新锐光掩模、合肥方晶科技、壹能科技等项目股权投资 [2] - 在半导体材料领域经过6年投资拓展积累生态链资源 [2] - 合肥晶合已上市，昂瑞微、上海超硅科创板上市获受理 [2] - 中润光能港股上市获受理，盛合晶微、长鑫科技等进入上市辅导阶段 [2] 公司治理与荣誉 - 成为首家响应独董机制改革的中小股东推荐独董非公企业上市公司 [3] - 获评中国水泥企业ESG排行榜A级，位列前十 [3] - 子公司获得"地方企业30强""纳税30强""绿色工厂""省级绿色矿山"等荣誉 [3]

财务业绩 - 上半年实现营业收入22.72亿元 同比下降5.02% [1] - 归属于上市公司股东的净利润2.47亿元 同比增长44.53% [1] - 扣除非经常性损益的净利润2.82亿元 同比增长33.47% [1] - 经营活动现金流量净额4.76亿元 同比增长23.99% [1] - 综合毛利率31.8% 同比上升6.38个百分点 [1] 主营业务表现 - 主产品单位成本下降14.97元/吨 其中可控成本下降6.11元/吨 [2] - 西部新疆基地及宁夏基地贡献收益比例上升 [2] - 骨料销售519.06万吨 同比增长37.46% [2] - 危固废收运7.85万吨 处置量8.88万吨 实现营业收入5101.92万元 [2] 新能源业务 - 光伏发电1416.37万度 同比增长92.1% [2] - 储能放电量同比增长182% [2] - 新投运3座重卡超充站 [2] - 累计发电超4400万度 相当于节煤1.79万吨 减排二氧化碳4.4万吨 [2] 股权投资布局 - 新增投资广州新锐光掩模科技 合肥方晶科技 安徽壹能汽车科技等项目 [2] - 掩模版为半导体制造光刻环节关键材料 [2] - 合肥晶合集成已上市 [3] - 北京昂瑞微电子 上海超硅半导体科创板上市申请获受理 [3] - 江苏中润光能港股上市申请获受理 [3] - 盛合晶微 长鑫科技 粤芯半导体 芯耀辉科技等进入上市辅导阶段 [3] 企业治理与荣誉 - 成为首家响应独董机制改革的非公企业上市公司 [3] - 获评中国水泥企业ESG排行榜A级 位列前十 [3] - 子公司获得地方企业30强 地方纳税30强 绿色工厂 省级绿色矿山等荣誉 [3]

光刻工艺概述 - 光刻是半导体制造中关键工艺，每个掩模层均需光刻作为起始点，0.13μm CMOS工艺包含474个步骤中212个与光刻曝光相关[1][16] - 技术节点演进中最小特征尺寸按70%比例缩减（1/√2），电路密度提升2倍[1][16] - 光刻决定技术节点限制因素，台积电7nm DUV工艺掩模层数达87层[16] 逻辑芯片与存储芯片光刻差异 - 逻辑芯片金属互连层复杂，7nm工艺M1线/槽pitch约40nm[2][17] - 存储芯片（DRAM/NAND）采用规则线宽结构，DRAM字线pitch全局恒定，三星D1z代LPDDR5位线线宽仅13.5nm[2][17][22] - 3D NAND通过增加层数而非缩小pitch实现高密度[17][23] 光刻工艺流程 - 基本流程：旋涂光刻胶→预烘烤→曝光→显影，需配合掩模版使用[3][26] - 匀胶显影机（Track）实现涂胶/烘烤/显影等功能，浸没式工艺需增加去离子水冲洗[4][52][55] - 显影方法包括水坑式/浸没式/喷淋式，化学放大胶需后曝光烘烤（PEB）[69] 掩模版技术 - 掩模版制造含CAM处理/光刻/检测三环节，先进节点（≤130nm）采用电子束直写[3][41][42] - 相移掩模（PSM）通过相位调制提升分辨率，包括交替型/衰减型/高透射率型[43][47] - 掩模版标准尺寸152mm×152mm×6.35mm石英基板，含OPC修正和边框设计[35][41] 光刻设备与光源 - 2024年光刻相关设备市场规模293.67亿美元，2025年预计达312.74亿美元[7] - 光源演进：汞灯（365nm）→KrF/ArF准分子激光（248/193nm）→EUV激光等离子体（13.5nm）[5][87][92] - EUV光源采用锡液滴激光等离子体方案，ASML NXE:3600D功率达300-350W[96][99][100] 分辨率与工艺参数 - 分辨率公式：R=k₁·λ/NA，通过缩短波长/增大NA/降低k₁提升[84][88] - 193nm浸没式光刻使等效波长缩短，支持32-7nm工艺[92] - 套刻误差（Overlay）在3nm节点需控制在2nm内，金属线宽约20nm[73] 光刻机分类 - 接触式/接近式光刻采用1:1复制，投影式通过4:1缩小成像[78][79] - 步进扫描式（Scanner）通过狭缝扫描实现大视场曝光，支持高NA成像[79][80] - EUV光刻采用多层膜反射镜，需真空环境运行[100][101]

限售股解禁 - 首发战略配售股份限售期12个月 上市流通数量5,006,250股 认购方式为网下 [1] - 首发限售股份上市数量3,298,234股 认购方式为网下 [1] - 总上市流通股数8,304,484股 上市日期为2025年8月6日 [1] 财务与业务构成 - 2024年营业收入100%来自掩模版业务 [1] - 当前市值达62亿元 [1]

会议概况 - 会议名称为2025势银光刻产业大会，由势银（TrendBank）主办，将于2025年7月9日-10日在安徽合肥新站利港喜来登酒店举行 [25][30] - 会议规模约300人，涵盖三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、材料与装备 [27][30] - 报名费用分两档：6月30日前2600元/人，7月1日后2800元/人，含会议资料、自助午餐及晚宴 [31] 会议内容与亮点 - 聚焦极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，探讨光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化瓶颈与解决方案 [26] - 设置20+产业链嘉宾演讲，包括中科芯、南开大学、张江实验室等机构专家，议题覆盖异构集成、导向自组装图形化技术等 [15][18][23] - 采用"会+展"形式，促进产学研对接，构建供应链互动平台 [29] 重点企业及技术方向 - 河北奥格流体设备有限公司专注洁净搅拌罐/反应釜、系统集成技术，拥有多项压力容器及工程资质，总经理姚尧将分享半导体光刻胶领域系统集成应用 [6][7][20] - 湖北鼎龙控股副总裁肖桂林将探讨先进封装PSPI与键合胶开发趋势，潍坊星泰克董事长SAM SUN分析CAR光刻胶技术演进 [18] - 台湾永光化学研发协理黄新义提出绿色光刻胶助力集成电路ESG目标，北京创腾科技总经理曹凌霄介绍数据驱动的光刻胶智能创新 [20] 行业背景与挑战 - 国内高端光刻胶自给率低，湿电子化学品高纯度产品依赖进口，掩模版原料及光刻机技术受制于国际垄断 [34] - 光刻技术直接决定芯片性能与成本，是半导体产业"卡脖子"环节，需加强自主可控能力应对地缘政治风险 [34][35] - 大会旨在推动产学研合作，加速技术转化，构建完整产业生态以提升竞争力 [35][36] 议程安排 - 7月8日下午为签到环节，7月9日全天分设先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品专场，含圆桌论坛及晚宴 [12][14][17][21] - 7月10日上午为材料与装备专场，议题包括光刻设备本土化、光刻胶单体质量控制、激光直写设备产业化等 [23][24]

会议概述 - 2025势银光刻产业大会将于7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举办，主题聚焦光刻技术、材料及设备的国产化与创新 [18] - 会议规模300人，包含20+产业链嘉宾演讲、三大专场（先进光刻技术/光刻胶与湿电子化学品/掩膜版与光刻设备）及学术研讨环节 [15][16] - 采用"会+展"形式构建产业互动平台，提供上下游供应链对接机会 [17] 核心议题 - 极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术进展与应用前景 [14] - 光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈突破 [14] - 光刻设备国产化进程中的研发、制造工艺及市场挑战 [14] 重点演讲内容 - 安捷伦科技将分享《IC光刻胶表征新趋势与安捷伦多维分析方案》，其2024财年营收65.1亿美元 [7] - 中科芯集成电路探讨高性能芯粒异构集成技术的机遇与挑战 [10] - 势银分析师发布《2025年中国大陆光刻胶市场分析》报告 [10] 行业背景 - 中国光刻产业面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品进口依赖、掩模版制造技术落后等瓶颈 [22] - 光刻机领域存在EUV设备获取困难、光源系统等技术差距显著的"卡脖子"问题 [22] - 地缘政治摩擦加剧背景下，构建自主可控的产业生态成为迫切需求 [23] 会议亮点 - 设置圆桌论坛和产学研用对接环节，加速技术创新成果转化 [10][11][23] - 涵盖从材料（如酚醛树脂国产化）到装备（激光直写设备产业化）的全产业链讨论 [11][12] - 首次纳入ESG目标议题，探讨绿色光刻胶助力集成电路可持续发展 [11]

会议核心内容 - 会议聚焦光刻技术产业链，涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [11] - 会议旨在通过产学研用深度融合，加速技术创新和成果转化，提升国内光刻产业自主可控能力 [20] - 会议设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、检测与装备，覆盖全产业链 [12] 会议基本信息 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，主办单位：势银（TrendBank），协办单位：深圳市半导体与集成电路产业联盟 [14] - 会议时间：2025年7月9日-10日，地点：合肥新站利港喜来登酒店，规模：300人 [14] - 报名费用：6月30日前2600元/人，7月1日后2800元/人，含会议资料、自助午餐和全体晚宴 [16] 演讲嘉宾与主题 - 潍坊星泰克董事长孙逊运博士将分享"CAR光刻胶的前世今生"，孙博士是光刻胶领域资深科学家，拥有多项国内外发明专利，填补5项国内技术空白 [4] - 其他演讲主题包括：面向AI时代的芯粒异构集成技术、混合键合在先进封装中的应用、光刻胶材料的开发和难点分析等 [7][8] 行业背景与挑战 - 国内高端光刻胶自给率低，研发和生产技术与国际先进水平存在差距 [19] - 湿电子化学品部分高纯度产品依赖进口，掩模版高端原料主要依赖进口 [19] - 光刻机被国外垄断，国内企业在技术水平、制造精度等方面与国际先进水平差距较大 [19] 会议目标 - 促进产学研用深度融合，加强国内科研机构、高校、企业之间的交流与合作 [20] - 为产业链上下游企业搭建沟通桥梁，促进资源整合和优势互补 [20] - 推动光刻技术及相关产业的升级发展，构建完整产业生态体系 [20]

会议概况 - 会议名称：2025势银光刻产业大会，由势银（TrendBank）主办，深圳市半导体与集成电路产业联盟协办，势银芯链承办 [11][14] - 会议时间：2025年7月9日-10日，地点在安徽合肥新站利港喜来登酒店，规模300人 [14] - 会议费用：6月30日前报名2600元/人，7月1日后2800元/人，包含会议资料、自助午餐和晚宴 [16] 会议内容与亮点 - 讨论内容涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [11] - 设置三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备，覆盖全产业链 [12] - 20+产业链嘉宾演讲，包括学术研讨和会+展形式，促进产学研用融合 [12][15] 演讲嘉宾与主题 - 王野（上海芯东来半导体科技总经理）将分享"半导体光刻设备的本土产业化机遇与挑战"，其团队拥有20多年原厂经验，专注于光刻机国产化 [5][10] - 其他演讲主题包括：高性能芯粒异构集成技术、纳米压印/电子束/DSA技术、混合键合在先进封装中的应用、光刻胶研发进展等 [8][9][10] 行业背景与挑战 - 光刻技术是半导体制造的关键环节，直接决定芯片性能和生产成本 [19] - 国内光刻产业面临挑战：高端光刻胶自给率低、湿电子化学品依赖进口、掩模版制造技术难度大、光刻机被国外垄断 [19] - 全球地缘政治摩擦加剧，需加强光刻技术自主可控能力，大会旨在促进产学研合作和资源整合 [20]

高NA EUV光刻技术挑战 - 高数值孔径(0.55) EUV需通过电路拼接或改用6×11英寸掩模版解决曝光场缩小问题，后者需全面更换掩模制造基础设施 [1] - 高NA EUV的曝光场面积仅为传统193nm浸没式/EUV的一半(13平方毫米 vs 26平方毫米)，导致吞吐量减半 [1] - 变形镜头设计使高NA系统在X/Y方向分别缩小4倍和8倍，进一步限制6×6英寸掩模版的可用曝光范围 [2] 拼接技术对良率的影响 - 掩模间套刻误差达2nm时，关键尺寸误差至少增加10% [2] - 缝合边界附近光刻胶线宽变异显著，接触孔可能出现重复或椭圆形缺陷 [5] - 黑色边框应力松弛导致多层结构扭曲，需保留未图案化空白区域，加剧边界对齐难度 [4][5] 设计优化方案 - 完全避开边界区域可使单核设计频率降低3%、功耗增加3% [7] - Synopsys提出拼接感知优化：逻辑块防分裂、I/O端口集群化、标准单元远离边界，将面积损失降至0.5%、性能影响降至0.2% [8] - 特定区域设计规则可改善边界特征打印质量，但需定制化标准单元尺寸 [8] 大尺寸掩模版替代方案 - 6×11英寸掩模版可消除拼接需求，ASML现有EUV平台支持6×11.2英寸尺寸 [10] - 但需改造14类掩模制造设备，部分设备成本翻倍，EUV掩模应力管理难度指数级上升 [10] - Mycronic计划2024年推出6×11英寸掩模写入器原型，1nm节点或成技术切入点 [10][11] 产能与成本权衡 - 高NA EUV场减半可能导致产能下降40%，场间扫描开销成主要成本因素 [9] - 大掩模版可避免高NA工具吞吐量下降，并提升现有0.33 NA设备效率 [11] - EUV光刻机成本已近4亿美元，光刻效率对晶圆厂成本影响远超掩模版本身 [11]