中芯国际晶圆厂产能分析 - 公司在北京拥有3个12英寸晶圆厂，一季度产能分别为56/76/25 KWPM，预计后续季度产能保持稳定或略微下降[3][4] - 北京12英寸晶圆厂未来产能规划显示波动，部分产线预计从55 KWPM降至50 KWPM[4] 天津生产基地情况 - 天津8英寸晶圆厂一季度产能为148 KWPM，预计后续季度将出现下降趋势[5][6] - 数据显示天津厂产能可能从148 KWPM逐步降至130 KWPM[6] 上海生产基地布局 - 上海作为重要生产基地，拥有1个8英寸和2个12英寸晶圆厂[7] - 一季度上海各厂产能分别为120/23/13 KWPM，预计8英寸厂产能下降而12英寸厂产能提升[7][8] - 12英寸厂中一个产线预计从23 KWPM提升至55 KWPM[8] 深圳工厂产能数据 - 深圳工厂包括8英寸(67 KWPM)和12英寸(33 KWPM)产线[9][10] - 8英寸产线产能可能从67 KWPM降至60 KWPM，12英寸产线则可能从33 KWPM增至39 KWPM[10]

中芯国际晶圆厂产能概况 - 公司在北京、天津、上海和深圳设有晶圆厂，涵盖8英寸和12英寸产能 [1] 北京 - 北京拥有3个12英寸晶圆厂，2025年一季度产能分别为56 KWPM、76 KWPM、25 KWPM - 预计2025年后两季度产能与上半年持平，略有下降 [2] 天津 - 天津设有一个8英寸晶圆厂，2025年一季度产能为148 KWPM - 预计后续季度产能小幅下降，2025E至4025F季度产能分别为140 KWPM、127 KWPM、130 KWPM [3][4] 上海 - 上海为重要基地，包含1个8英寸和2个12英寸晶圆厂 - 2025年一季度产能：8英寸厂120 KWPM，12英寸厂分别为23 KWPM和13 KWPM - 后续季度8英寸产能下降（2025E至4025F：128→110→100 KWPM），12英寸产能提升（23→25→未披露 KWPM；13→19→24 KWPM） [5][6] 深圳 - 深圳设有一个8英寸（67 KWPM）和一个12英寸（33 KWPM）晶圆厂 - 12英寸厂后续季度产能稳定在38-39 KWPM，8英寸厂数据部分缺失 [7][8] 其他信息 - 数据汇总以2025年一季度产能为主，未包含南海群岛区域 [8] - 文章提及GPU（H200/B200/RTX509）和FPGA（Xilinx及国产替代型号）产品推广 [10] - 科技行业研报资源涵盖SemiAnalysis、Seeking Alpha等平台，每日更新 [11][12]

报告核心观点 - 北交所排队企业整体高质量，利润体量较高，预计募集资金和中签率可能提升，建议关注 2025 年打新机会；本周北证 50 创新高后震荡，建议适当调整高估值持仓，关注稀缺性和真成长的化工新材和高端装备 [3][4] 周观点 - 2024 年北交所上市 23 只新股，2025 年 1 - 5 月上市 4 家企业，随着申报企业补充 2024 年报数据结束，上市节奏或提升 [3][11] - 首发募集资金较高的企业申购中签率也较高，2024 年 1 月 1 日 - 2025 年 5 月 23 日上市 27 家企业中签率均值 0.09%，超 2 亿募资企业平均中签率 0.14%，低于 2 亿的为 0.06% [3][14] - 截至 2025 年 5 月 23 日，94 家排队企业 2024 年归母净利润均值 8967.02 万元，高于北交所企业均值，5000 万元以上企业占比 85.11%，预计募集资金和中签率或提升 [3][15] - 预计 1500 万现金规模打新收益率在 4.8% - 10.80%，假设 2025 年发行 30 家、融资额 3 亿，新股首日涨幅 200%/300%/350%，中签率 0.10%/0.15%/0.20%，战略配售占比 20% - 30% [3][20] 北交所市场表现 - 本周创业板、北证 A 股、科创板 PE 估值下跌，北证 A 股从 50.69X 降至 48.45X [22] - 北证 A 股本周日均成交额 359.49 亿元，增长 3.11%，日均换手率 9.12%，增长 0.08pcts；创业板日均换手率 5.01%，增长 0.08pcts；科创板日均换手率 2.18%，下降 0.19pcts [23] - 北证 50、创业板、沪深 300、科创 50 指数下跌，北证 50 指数报 1370.04 点，周跌 3.68%，PE TTM71.96X [4][25] - 截至 2025 年 5 月 23 日，142 家企业 PE TTM 超 45X，占比 53.79%，58 家超 105X，占比 21.97%，与 2024 年 11 月 7 日相比，高估值企业增多 [27] - 本周开源证券北交所行业分类中，高端装备、信息技术、化工新材、消费服务、医药生物五大行业 PE TTM 分别为 39.72X、92.82X、39.10X、54.59X、51.51X [32] 北交所上市情况 - 2024 年 1 月 1 日 - 2025 年 5 月 23 日，27 家企业新发上市，发行市盈率均值 14.93X，首日涨跌幅均值 230.46% [44] - 2025 年 1 月 1 日 - 2025 年 5 月 23 日 4 家上市公司首日涨幅均值 303.91%，天工股份首日涨幅 411.93%，2024 年至今首日涨幅最大前 3 家为铜冠矿建、方正阀门、天工股份 [44] 北交所 IPO 审核一览 - 2025 年 5 月 19 日 - 2025 年 5 月 23 日，德耐尔等 4 家企业更新至已问询，沛城科技等 2 家企业更新至已受理 [51] - 2025 年 5 月 30 日，世昌股份和志高机械上会 [5]

公司概况 - 美国碳化硅晶圆龙头Wolfspeed即将申请破产 股价单日暴跌60% 市值从2021年165亿美元（约1200亿人民币）高点坠落[1] - 公司前身Cree创立于1987年 创始团队通过信用卡透支和二次抵押贷款筹集启动资金[3] - 1989年推出全球首款碳化硅基蓝光LED 1991年推出首片商用碳化硅晶圆 奠定行业先驱地位[3] - 2021年10月正式更名为Wolfspeed 转型专注第三代半导体 同年股价达139美元峰值[6] 战略失误 - 2021-2024财年激进扩张 投入数十亿美元建设莫霍克谷8英寸晶圆厂等产能 占资本支出超50%[9] - 莫霍克谷工厂最新财季仅贡献7800万美元收入 产能利用率预计2024年底仅达25%[10] - 欧美电动车市场增速不及预期 特斯拉2023年宣布减少碳化硅用量 导致订单萎缩[9] 财务危机 - 当前负债约65亿美元 包括阿波罗全球管理公司15亿美元优先贷款 年利息支出8亿美元[10] - 现金储备仅13亿美元 2024年股价累计下跌85% 市值缩水至1美元/股左右[10] - 美国《芯片与科学法案》可能被废除 6亿美元退税预期或将落空[10] 中国竞争 - 中国厂商天科合达和天岳先进2024年全球市占率分别达17.3%和17.1% 仅次于Wolfspeed的33.7%[13] - 中国厂商将6英寸衬底价格压至国际水平30% Wolfspeed8英寸衬底良率长期不足40%[13] - 天岳先进实现8英寸衬底商业化 三安光电与意法半导体合资建设国内首条8英寸车规级量产线[14] - 芯粤能获10亿元A轮融资 同光股份完成15亿元F轮融资 资本持续加码碳化硅赛道[14] 行业趋势 - 中国制造业增加值连续14年全球第一 工程师红利支撑第三代半导体技术突破[15] - 碳化硅在新能源汽车、光伏领域应用需求持续增长 但技术路线竞争加剧[6][13] - 全球碳化硅衬底市场呈现"一超多强"格局 中国厂商加速替代进程[13][14]

证券代码：603501 证券简称：韦尔股份 公告编号：2025-050 转债代码：113616 转债简称：韦尔转债 本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈 述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 上海韦尔半导体股份有限公司（以下简称"公司"）于2025年5月23日召开 的公司第六届董事会第四十六次会议、第六届监事会第三十五次会议审议通过 了《关于公司聘请H股发行并上市的审计机构的议案》，同意聘请香港立信德 豪会计师事务所有限公司（以下简称"香港立信"）为公司H股发行并上市的 审计机构。该议案尚需提交公司股东大会审议。现将相关事项公告如下： 一、拟聘任会计师事务所的基本情况 （一）基本信息 香港立信成立于1981年，注册地址为香港。香港立信是国际会计网络BDO 的成员所，具备审计依据国际财务报告准则编制的上市公司财务报告的资格并 符合香港联交所的相关要求。 截至2024年末，香港立信拥有超过60名董事及员工1,000人。 年报审计服务，具有上市公司所在行业审计业务经验。 （二）投资者保护能力 香港立信已符合香港会计师公会执业法团（专业弥偿）规则，投保有效且 足 ...

证券代码：603501 证券简称：韦尔股份 公告编号：2025-052 转债代码：113616 转债简称：韦尔转债 上海韦尔半导体股份有限公司 本公司监事会及全体监事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈 述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。 一、监事会会议召开情况 上海韦尔半导体股份有限公司（以下简称"公司"）第六届监事会第三十 五次会议于2025年5月23日以现场结合通讯方式召开，会议通知已于2025年5月 应到监事3人，实到监事3人。本次会议的召集和召开符合《公司法》等有关法 律、行政法规、部门规章、规范性文件和《公司章程》的有关规定，会议形成 的决议合法、有效。 二、监事会会议审议情况 （一）审议通过《关于公司发行 H 股股票并在香港联合交易所有限公司主 板上市的议案》 为加快公司的国际化战略及海外业务发展，增强公司的境外融资能力，进 一步提高公司的综合竞争力，根据公司总体发展战略及运营需要，公司拟发行 境外上市股份（H 股）并在香港联合交易所有限公司（以下简称"香港联交 所"）主板上市（以下简称"本次发行 H 股并上市"或"本次发行"）。 根据《中华人民共和国公司法》 ...

公司转型与市场地位 - Wolfspeed正在重组公司以提高运营效率和改善财务状况，而非申请破产[1] - 公司自90年代以来一直是SiC领域创新领导者，推出了首批1英寸至6英寸SiC衬底，并于2022年开设首家8英寸晶圆厂MHV[1] - 截至2025年，Wolfspeed是唯一一家在8英寸平台上大批量生产SiC器件的公司[1] - 过去5年功率SiC器件业务增长近4倍，从2020年占收入的20%（约1亿美元）提升至2024年的50%以上（近4亿美元），位居全球第四[3] 业务转型挑战 - 公司通过数十亿美元投资（包括与博格华纳、采埃孚、瑞萨电子的协议及《芯片法案》支持）推动业务转型，但2024年电动汽车市场放缓冲击了收入增长[5] - 8英寸平台MHV的生产复杂性导致创新落地时间超出预期，2024年SiC器件收入未能实现增长[5] - 中国SiC衬底厂商崛起，市场份额从2021年的10%增至2025年的近40%，导致SiC晶圆价格2024年下跌30%[6] - Wolfspeed的“高质量SiC材料护城河”因市场竞争加剧而失效[6] 战略调整与潜在合作 - 公司已剥离LED和射频器件业务，专注于功率SiC，未来可能进一步拆分业务[9] - Wolfspeed在n型和半绝缘SiC衬底市场仍居全球第一，其8英寸晶圆厂因美国供应链战略价值而具吸引力[9] - 潜在合作方可能包括美国公司如安森美半导体、Microchip Technology或Vishay Intertechnology，亦或美国晶圆代工企业[9]

综合日媒报道，日本多家汽车与制造业巨头高管在财报说明会或记者会上表达了对今后经营环境的深切 担忧。丰田、日产、本田、马自达等主要车企在2025财年均预估净利润将大幅下滑，其中本田预计将同 比减少70%，丰田减少34%，日产则预计将创下史上最大亏损额，高达7500亿日元。在此背景下，日本 政府与美国的第三轮部长级谈判将于美国时间5月23日后举行，各行业密切关注谈判是否能为日企争取 喘息空间。 【环球时报驻日本特约记者 潘小多 环球时报特约记者 王逸】关税阴霾下，日本企业对未来经营情况愈 发担忧。据英国《金融时报》21日报道，基于日企给出的全年业绩指引，包括丰田、索尼和瑞穗金融集 团在内的日本企业，可能面临高达4万亿日元（276亿美元）的损失。由于许多公司以"极端不确定性"为 由拒绝提供预估数据，还有一些公司尚未公布数据，因此损失总额可能还会增加。 与此同时，日本财务省21日公布的初步统计结果显示，日本对美出口同比下降1.8%，其中汽车出口下 降4.8%，为4个月来的首次负增长。钢铁、半导体制造设备、矿山机械等也同样呈现下滑态势。 "日本制造商将面临艰难时期。"穆迪分析公司日本及前沿市场经济主管安格里克告诉美国C ...

光刻技术发展中的关键挑战 - EUV光刻掩模成本高昂，制造、维护和更换的总费用显著高于非EUV掩模，且生命周期内价格差异巨大[1] - 非EUV光刻面临旧工具折旧问题，引入新工具将导致每小时掩模成本增加500美元，对低产量零件和价格敏感市场造成困扰[1] - EUV掩模寿命短于DUV或浸没式光刻掩模，需频繁清洁和备用掩模，进一步增加总成本[3] - EUV扫描仪需要更高剂量以实现最佳图案印刷，导致实际吞吐量低于规格，每小时处理晶圆数量线性减少[3] - 专用EUV掩模检测工具昂贵且使用频率低，每次使用成本高，推高整体掩模成本[4] - 循环时间成为比成本更大的问题，缩短原型制作和交付新设计时间是EUV扩大用户群的关键[4][5] EUV与非EUV的应用策略 - 新AI芯片开发倾向于在更便宜的193i节点验证，而非直接从EUV节点开始，待产量提升后再考虑EUV[2] - EUV主要用于大批量或极高价值产品，行业已接受其高掩模成本[2] - 非EUV前沿节点面临与EUV相似的挑战，公司需在预算和光刻限制间寻找平衡[2] - 曲线掩模等技术同时适用于EUV和非EUV光刻，帮助提升图形质量以保持竞争优势[2] - 内存行业因吞吐量考虑不使用薄膜，但需承担更频繁清洁和备用掩模的成本[3][14] 多重曝光技术的必然性 - EUV未来必然需要多重曝光技术，高数值孔径(high-NA)将使用多重曝光避免超高数值孔径需求[6] - 目前所有大批量生产节点采用单次曝光EUV，但研发中公司都在为下个节点研究EUV多重曝光[7] - 英特尔明确将在14A节点使用高NA EUV，因单次曝光无法满足规格要求[7] - 多重曝光技术可延长EUV寿命，半场高NA在成本上难以与多重曝光EUV竞争[7] - 早期EUV生产实施可能已是双重曝光接触层，因当时抗蚀剂不足支持单次曝光[8] 掩模材料与工艺演进 - EUV掩模从二元反射型演进至衰减型/低折射率反射型，改善图像对比度和减少晶圆图案问题[10] - 研究不同n和k值掩模材料以优化特定图案性能，选择性匹配吸收体特性可获更好成像效果[10] - 金属氧化物抗蚀剂比传统CARs具有更高对比度和更好耐蚀性，尤其适用于接触层和柱层[10][11] - 掩模空白特性定制化(如吸收体厚度调整)是扩大晶圆工艺裕度的重大机会[11] - 锡基外的新元素(如碲、锑)抗蚀剂研究旨在通过新化学方法获得更高EUV吸收[12] EUV薄膜的挑战与改进 - EUV薄膜面临传输率和耐用性双重挑战，光需两次穿过薄膜导致20%能量损失[14][15] - 当前多晶硅薄膜反射DUV光需特殊DGL膜过滤，额外造成20%吞吐量损失[15] - 碳纳米管薄膜对DUV反射少且EUV传输率更高，但当前仅能承受不到1万次晶圆曝光[15] - 薄膜更换需重新检查掩模，过程昂贵复杂且缺乏标准化，影响吞吐量和掩模管理[16] - 大芯片(如800平方毫米GPU)需薄膜避免致命缺陷，而内存应用可依赖冗余功能[16]

氮化镓(GaN)产业白皮书参编企业 - 英诺赛科、能华半导体、致能科技、万年晶半导体、京东方华灿、镓奥科技、鸿成半导体及中科无线半导体等企业参与编制《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] SiC行业融资动态 - 2025年截至5月22日已有19家SiC企业完成融资 公开总金额超33亿元[2] - 臻驱科技完成6亿元银团贷款 资金将用于IGBT/SiC功率模块研发及产能爬坡[3] - 臻驱科技2月完成数亿元E轮股权融资 资金用于新一代功率模块量产及海外项目交付[5] - 衡封新材料完成数千万元Pre-B轮融资 资金用于半导体封装材料研发与产能扩张[6] - 衡封新材料研发的低粘度环氧灌封料已应用于SiC功率模块封装 解决高温失效问题并提升封装效率[7] - 衡封新材料专注于环氧塑封料(EMC)及底部填充胶(Underfill)等半导体封装关键材料[8] 半导体检测设备企业融资 - 昂坤视觉获国家大基金二期注资 注册资本增至1163万元 资金用于提升设备精度及开发AI检测系统[10] - 昂坤视觉光学测量设备可应用于SiC衬底缺陷检测 GaN外延片均匀性分析 其AI算法提升检测效率30%[12] - 国家大基金二期加速布局半导体检测设备产业链 通过资本赋能技术创新[12] SiC产业链企业融资概况 - 2025年19家获融资SiC企业覆盖设备(优睿谱、科瑞尔)、功率器件(派恩杰半导体、尊阳电子)、衬底/外延/模块(青禾晶元、百识电子、翠展微电子)等环节[13] - SiC行业融资总额超33亿元 资本注入助力企业技术迭代与市场扩张 推动国产化进程[14] - SiC作为高壁垒、长周期赛道 持续资本支持是企业规模化发展的必要条件[15]