存储器价格对消费电子市场的影响 - 存储器进入强劲上行周期导致智能手机和笔电整机成本上扬，迫使终端定价上调，进而冲击消费市场 [2] - 2026年全球智能手机生产出货预测从原先的年增0.1%下修至年减2%，笔电生产出货预测从年增1.7%下修至年减2.4% [2] - 高端及中端智能手机的物料清单成本预计从2025年第一季度至2026年第三季度将增长12%，低端机型成本预计增长10% [3] 消费电子细分市场成本结构 - 在2026年第三季度，高端智能手机中DRAM和SSD成本占物料清单的23%，中端机型占21%，低端机型占20% [3] - 高端智能手机规格为32GB内存和1TB存储，中端为16GB内存和512GB存储，低端为8GB内存和256GB存储 [3] OLED显示器市场增长与格局 - 2025年第三季度全球OLED显示器出货总量约为64.4万台，季增12%，年成长率高达65% [5] - 预计2025年全年OLED显示器出货量将达262万台，年增率可望达到84% [5] - 2025年第三季度OLED显示器市场前四大品牌为ASUS（市占率21.9%）、Samsung（18.0%）、MSI（14.4%）和LGE（12.9%） [6] AI服务器推动PCB产业升级 - AI服务器设计发生结构性转变，NVIDIA Rubin平台采用无缆化架构，云端大厂自研ASIC服务器采用高层HDI设计 [6] - PCB产业进入高频、高功耗、高密度的"三高时代"，PCB成为算力释放的核心层 [6] 其他产业动态 - DDR5内存价格自9月以来上涨307%，模组成本即将飙升 [12] - 光伏产业链中，硅料价格短期弱稳，而中下游环节价格重心下移 [13]

AI服务器PCB设计结构性转变 - AI服务器PCB设计迎来结构性转变 PCB从电路载体转变为算力释放核心层 进入高频 高功耗 高密度的"三高时代" [2] - NVIDIA Rubin平台采用无缆化互连设计 过去GPU与Switch间高速传输依赖线缆 现改由Switch tray Midplane与CX9/CPX等多层PCB板直接承接 信号完整性与传输稳定性成为核心指标 [2] - Rubin平台设计逻辑成为产业共同语言 Google TPU V7 AWS Trainium3等ASIC AI服务器同样导入高层HDI 低Dk材料与极低粗糙度铜箔 [3] PCB技术规格与价值提升 - Rubin平台Switch Tray采用M8U等级材料和24层HDI板设计 Midplane与CX9/CPX导入M9材料 层数最高达104层 [3] - 材料升级与高层设计使单台服务器PCB价值比上一代提升逾两倍 设计重点从板面布线转向整机互连与散热协同 [3] - 为达成低损耗与低延迟 全面升级使用材料包括Low-Dk2 + HVLP4和Q-glass + HVLP4等 [3] 上游材料产业主导权变化 - AI服务器PCB性能需求带动上游材料质变 介电与热稳定为核心的玻纤布与铜箔成为影响整机效能关键 [4] - 日本Nittobo斥资150亿日圆扩产T-glass 预计2026年底量产 产能较现况提升三倍 T-glass价格约为E-glass的数倍 [4] - 低粗糙度HVLP4铜箔成为主流 但每升一级产能即减少约半 供应呈现长期紧张 议价权逐步由下游整机回流至上游材料端 [4] 行业展望 - 2026年将是PCB以"技术含量驱动价值"的新起点 [5]

多晶硅 - 多晶硅价格呈现弱稳态势 N型复投料均价为50 000元/公斤 N型致密料均价为48 000元/公斤 非中国区多晶硅均价为17 500美元/公斤 周度涨跌幅均为0 00% [2] - 供应端出现实质性收缩 龙头部分基地已停产 有效对冲部分需求走弱带来的负面影响 市场供应压力得到缓解 [4] - 需求端持续疲软 下游各环节价格普跌 硅片企业逐步减产 拉晶厂采购意愿极低 行业库存仍维持在43万吨以上的高位 [5] - 尽管面临高库存和低需求的双重冲击 但得益于供应端收缩及产业链反内卷共识 价格短期内获得支撑 未出现大幅下跌 [6] 硅片 - 硅片价格重心下移 N型183单晶硅片均价为1 250元/片 周度下跌1 57% N型210单晶硅片均价为1 600元/片 价格持平 N型210R单晶硅片均价为1 250元/片 周度下跌1 57% [2] - 供给端压力仍存 行业总库存维持在23GW以上的高位 厂商出货阻力大 市场策略分化 一线企业尝试挺价 二三线企业开始低价出货 [7] - 需求端持续走弱 210N产品需求明显减弱 出货压力陡增 市场整体成交氛围冷清 订单跟进不足 实际成交量甚少 [8] - 受供需失衡影响 硅片成交价格重心继续下移 183N及210R低价触及1 25元 210N低价跌至1 55元 后续下降空间取决于上游硅料成本松动及下游电池片价格下行幅度 [9] 电池片 - 电池片价格全线承压 M10L单晶TOPCon电池片均价为0 295元/W 周度下跌1 67% G12单晶TOPCon电池片均价为0 290元/W 周度下跌1 69% G12R单晶TOPCon电池片均价为0 280元/W 价格持平 [2] - 供给端出货压力普遍增大 电池环节库存维持在7天左右 结构性压力显现 此前供需偏紧的210N电池订单流失 出货阻力增加 库存周转面临挑战 [10] - 需求端呈现内外双降局面 海外印度等市场采买需求骤减导致183N电池需求疲软 国内北方集中式项目建设减弱导致210N电池需求骤降 [11] - 当前电池价格处于弱势支撑阶段 183N与210N电池价格回落至0 29元/W左右 210RN电池维持在0 28元/W低位 在需求未见好转情况下 后市仍面临进一步下行风险 [12] 光伏组件 - 组件价格重心明显下移 182mm TOPCon双面双玻组件均价为0 680元/W 210mm HJT双面双玻组件均价为0 720元/W 集中式项目TOPCon组件均价为0 680元/W 分布式项目TOPCon组件均价为0 700元/W 周度涨跌幅均为0 00% [2][3] - 供给端策略出现分化 主流组件厂商为完成年度目标冲量意愿强 积极寻求出货 部分小型生产商已传出休假及停工消息 组件厂正面临减产调整 [13] - 需求端受季节性因素影响持续萎缩 国内外整体需求均呈下降趋势 国内大版型组件需求开始减弱 12月终端需求仍有进一步走弱迹象 [14] - 受供需宽松及年底冲量影响 组件厂商释放议价空间 整体价格区间滑落至0 65-0 68元/W 低价部分触及0 65元/W 在需求持续疲软背景下 组件厂将采取减产挺价策略 价格短期内维持弱势运行 [15] 光伏玻璃 - 光伏玻璃价格保持稳定 2 0mm双层镀膜均价为13 000元/平方米 3 2mm双层镀膜均价为20 000元/平方米 2 0mm背板玻璃均价为12 000元/平方米 周度涨跌幅均为0 00% [3]

2025年11月面板价格整体走势 - 2025年11月电视面板价格全面下跌，显示器面板价格与前月持平，笔电面板部分尺寸价格下跌 [2] 电视面板价格 - 65吋电视面板均价为168美元，环比下跌3美元，跌幅1.8% [2][5] - 55吋电视面板均价为121美元，环比下跌2美元，跌幅1.6% [2][5] - 43吋电视面板均价为63美元，环比下跌1美元，跌幅1.6% [2][5] - 32吋电视面板均价为34美元，环比下跌1美元，跌幅2.9% [2][5] 显示器面板价格 - 11月显示器面板价格持稳，与前月持平 [2][6] - 27吋IPS面板均价为63美元 [2][7] - 23.8吋IPS面板均价为49.9美元 [2][8] 笔电面板价格 - 17.3吋TN面板均价为38.1美元，环比下跌0.1美元，跌幅0.3% [2][10] - 15.6吋Value IPS面板均价为40.1美元，环比下跌0.1美元，跌幅0.2% [2][10] - 14.0吋TN面板均价自2024年7月上旬以来稳定在26.9美元 [10] - 11.6吋TN面板均价自2024年7月上旬以来稳定在25.1美元 [10]

文章核心观点 - 存储器市场现货价格呈现强劲上涨趋势，DRAM和NAND闪存供应紧张推动价格快速攀升 [2][4] DRAM市场趋势 - 自9月初至今，DDR4 1Gx8颗粒现货价格环比上涨158% [2] - 自9月初至今，DDR5 2Gx8颗粒现货价格环比大幅上涨307% [2] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s本周价格上涨4.75%，从12.179美元上涨至12.757美元 [4] - 预计现货市场内存模组价格上涨速度将加快，以缩小与颗粒价格的差距 [2][4] NAND闪存市场趋势 - 由于供应极度紧张，NAND闪存现货价格持续上涨，报价呈现每日波动 [2][4] - 在原厂无额外产能释放的情况下，中小型客户转向现货市场寻求供应，推动价格持续上扬 [4] - 本周512Gb TLC Wafer现货价格上涨14.97%，单价达到7.421美元 [4] - 整体NAND闪存供给仍远不及需求 [4] 价格观察指标 - 当前现货市场并非观察价格走势的最佳指标，应着重观察合约价格的波动 [4]

全球OLED显示器市场概况 - 2025年第三季度全球OLED显示器出货总量约为64.4万台，环比增长12%，同比增长65% [2] - 产品凭借高画质、广色域、高对比度、快速响应及240Hz以上高刷新率等特性，成功引爆高阶电竞市场需求 [2] - 预计2025年全年出货量将达到262万台，年增长率有望达到84% [2] 主要厂商竞争格局 - 2025年第三季度OLED显示器市场前四大厂商分别为ASUS（市占率21.9%）、Samsung（18.0%）、MSI（14.4%）、LGE（12.9%） [3] - ASUS凭借完整产品线（包括ROG电竞显示器、ProArt专业OLED系列、便携及折叠双屏幕显示器）首次登上单季出货量榜首 [3][4] - Samsung出货表现稳定，计划在第四季度扩大新机种量产与促销规模以迎接销售旺季 [5] - MSI排名从2024年的第五名跃升至2025年前三季的第三名，产品策略有效提升市场知名度 [6] - LGE在完成生产地移转后，第三季度排名回升至第四，预计第四季度新品放量及45吋产品促销将推动其市占率进一步提升 [7]

全球消费电子市场展望 - 2026年全球市场面临不确定性，通胀持续干扰消费市场，存储器步入强劲上行周期导致整机成本上扬，迫使终端定价上调并冲击消费市场 [2] - 下修2026年全球智能手机生产出货预测，从原先年增0.1%调降至年减2% [2] - 下修2026年全球笔电生产出货预测，从原先年增1.7%调降至年减2.4% [2] 智能手机市场影响 - 2025年智能手机存储器价格上扬主要由DRAM带动，第四季DRAM合约价格对比去年同期上扬逾75% [3] - 以存储器占整机BOM cost约10~15%估算，2025年该成本已被垫高8~10% [3] - 预估2026年整机BOM cost将在2025年基础上再提升约5~7%，低端机种品牌将调降该产品占比并分层上调终端售价 [3] - 存储器供应紧张延续，规模较小的智能手机品牌资源取得难度加大，市场可能进入新一轮洗牌 [3] 笔电市场影响 - DRAM及NAND Flash合计占笔电整机BOM cost比重约10~18%，在连续数季上涨下预估该比重将扩大至20%以上 [4] - 若品牌选择将成本转嫁，预估2026年笔电终端售价将普遍上调5~15% [5] - 低价位市场预期将出现延后换机或转向二手市场，中价位市场换机动能可能显著放缓，高价位市场虽相对具韧性但部分用户可能调整至较低端配置 [5] - 存储器价格持续上涨使2026年笔电市场面临BOM cost推升、通路压力扩大、需求疲软三重压力 [5] 不同价位笔电规格与成本分析 - 高端笔电规格为32GB/1TB，BOM成本增幅为12%（1Q25 vs. 3Q26），DRAM+SSD占BOM成本比例在3Q26达23% [6] - 中端笔电规格为16GB/512GB，BOM成本增幅为12%（1Q25 vs. 3Q26），DRAM+SSD占BOM成本比例在3Q26达21% [6] - 低端笔电规格为8GB/256GB，BOM成本增幅为10%（1Q25 vs. 3Q26），DRAM+SSD占BOM成本比例在3Q26达20% [6] 显示器市场间接影响 - 显示器搭载的存储器多为小容量，受直接涨价冲击有限，其隐忧来自间接影响 [5] - 若PC零售价格大幅调涨导致整体出货下修，将连带冲击显示器出货表现，显示器年度出货将从微增0.1%转为年减0.4% [5]

智能手机面板行业 - 2025年第三季度全球智能手机面板出货量达5.86亿片，季增8.1%，年增5.3% [2] - 主要成长动能来自iPhone 17系列与其他主要手机品牌下半年新品拉货 [2] - AMOLED面板需求持续增温，LCD面板在入门手机与维修市场维持稳定出货 [2] - 预估2025年全年手机面板出货量将达22.43亿片，年增3.4%，为近年高峰 [2] 存储器产业 - 随着存储器平均销售价格持续提升，供应商获利增加，DRAM与NAND Flash后续资本支出将持续上涨 [5] - 2026年资本支出对位元产出成长的助力有限 [5] - DRAM和NAND Flash产业投资重心转变，从扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合及HBM等高附加价值产品 [5] 其他行业动态 - 预计2026年CSP合计资本支出增至6,000亿美元以上，AI硬件生态链迎新成长周期 [11]

多晶硅 - 库存量达到43万吨并持续累库 [4] - 11月产量预计12.5万吨，环比减少1.1万吨 [5] - 实际成交价格出现暗降，短期预计转入弱稳阶段 [7] 硅片 - 库存维持在23GW以上高位 [8] - 市场过剩格局延续，供给远超需求 [9] - N型183单晶硅片均价1.270元/片，下跌2.31%，N型210单晶硅片均价1.600元/片，下跌3.03% [2] - 实际成交价下跌，183N和210RN接近1.25元/片，210N降至1.6元/片 [11] 电池片 - 库存累积至7天以上 [12] - 供给端预计进入实质性减产阶段 [13] - M10L单晶TOPCon电池片均价0.300元/W，下跌1.64%，G12单晶TOPCon电池片均价0.295元/W，下跌1.67% [2] - 部分贸易商低价抛货，价格低于头部企业0.02元/W [15] 光伏组件 - 面临国内外需求持续萎缩挑战 [16] - 常规版型组件价格持续下降至0.65元/W左右 [16] - 182mm TOPCon双面双玻组件均价0.680元/W，价格稳定 [3] - 上游电池、玻璃等材料成本下降，组件价格下行压力加剧 [16] 光伏玻璃 - 2.0mm双层镀膜均价13.000元，3.2mm双层镀膜均价20.000元，价格均保持稳定 [3]

文章核心观点 - 存储器产业资本支出持续增长但投资重心发生转变，从单纯扩产转向制程技术升级和高附加值产品开发 [2] - 由于投资重心转移及无尘室空间等限制，资本支出的增加对2026年存储器位元产出增长的贡献非常有限 [2][5] - NAND Flash市场因结构性需求驱动，供不应求状态预计将延续至2026年全年 [6][7] DRAM产业资本支出 - 2025年DRAM产业资本支出预计达537亿美元，2026年将增长至613亿美元，年增率达14% [4] - 美光科技2026年资本支出最为积极，预计为135亿美元，年增23%，专注于1 gamma制程和TSV设备建置 [5] - SK海力士2026年资本支出预计为205亿美元，年增17%，主要用于应对HBM4产能扩张 [5] - 三星2026年资本支出预计为200亿美元，年增11%，用于HBM的1C制程渗透及小幅增加晶圆产能 [5] - 无尘室空间供应不足，仅三星与SK海力士有小幅扩大产线机会，美光新厂产出需等到2027年 [5] NAND Flash产业资本支出 - 2025年NAND Flash产业资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5% [4] - 铠侠/闪迪因无DRAM业务，资本支出最为积极，预计投入45亿美元，年增41%，加速BiCS8生产及BiCS9研发 [6] - 美光科技专注于NAND Flash产能微增及G9制程与Enterprise SSD业务，2026年资本支出年增幅达63% [6] - 三星和SK海力士/思得将缩减或限制NAND Flash资本支出，优先投资HBM和DRAM领域 [6] - NAND Flash需求爆发由AI储存需求急升及HDD供应不足导致云端服务供应商转单所带动，属于结构性短缺 [6] 产业趋势与市场展望 - DRAM和NAND Flash产业投资重心转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品 [2] - 2026年资本支出重心放在制程升级和导入混合键合技术而非扩产，将导致供应位元增幅有限 [7]