文章核心观点 - 英特尔前首席执行官帕特·盖尔辛格认为，美国要从亚洲手中夺回芯片生产主导权仍需长期努力，关键在于美国本土制造的晶圆数量 [1] - 盖尔辛格将英特尔18A工艺和Panther Lake芯片的突破性进展归功于自己前期的领导与努力 [2] - 推动芯片制造业回流美国的关键催化剂是美国政府的政策，包括《芯片制造法案》激励措施和关税等，以促使英伟达、AMD等公司将英特尔代工服务视为台积电的替代方案 [3][4] 行业现状与挑战 - 全球大部分先进芯片制造仍然集中在亚洲，尤其是台湾，这种不平衡引发了美国对经济和国家安全的担忧 [1] - 芯片制造业回流美国进程缓慢，因制造业花费了数十年才转移到亚洲，不可能很快恢复 [1][4] - 英特尔晶圆代工部门的下一个重要里程碑是为其18A-P和14A等先进工艺争取外部客户，这对于推动市场接受度至关重要 [5] 公司技术与进展 - 英特尔在CES展会上发布了基于18A工艺的Panther Lake芯片，成功颠覆了消费电子行业，是其最重要的目标之一 [2] - Panther Lake的成功发布表明英特尔的晶圆代工部门正朝着正确的方向前进 [2] - 18A工艺的核心技术（如PowerVia和RibbonFET）研发始于盖尔辛格的领导，旨在提升节点能效 [3] - 盖尔辛格在离任前已将Panther Lake样品交付给联想，意味着该芯片在其领导下得到了进一步完善 [3] - 英特尔首席执行官对14A工艺的进展充满信心，公司对晶圆代工和产品部门的未来也似乎充满信心 [5] 政策与外部因素 - 特朗普政府已采取行动加强美国芯片制造业，包括收购英特尔股份，并推动将先进半导体生产带回美国本土 [1] - 美国总统特朗普在白宫会见了英特尔首席执行官，并在社交媒体上称赞了该公司 [1] - 半导体关税是广泛讨论的话题，也是台积电在美国投资数十亿美元的原因之一 [3] - 盖尔辛格强调，与美国政府的关系至关重要，政府的政策（包括芯片法案、关税及供应链回流）对制造业回归非常重要 [4]

文章核心观点 - 人工智能驱动的数据中心需求激增导致全球DRAM供应短缺，但内存制造商（以美光为例）并未放弃消费市场，而是通过OEM渠道持续服务[1][2] - 当前内存短缺是结构性行业问题，短期内难以缓解，新晶圆厂产能需至2028年才能产生实质性影响[3][7][9] - 内存制造商在扩产上态度谨慎，主要受制于产能调整的复杂性、行业周期性历史教训以及缺乏长期需求协议，而非单纯不愿投资[5][6][11][18] 美光对消费市场与AI需求的立场 - 公司强调并未忽视消费者，其消费业务很大一部分通过向戴尔、华硕等OEM厂商供应LPDDR5等内存模块的渠道进行[1][2] - 公司承认无法忽视AI领域需求，因为数据中心/企业业务的潜在市场规模（TAM）已从过去的30%-35%增长至50%-60%[2] - 公司表示欢迎来自任何地区（包括中国）的竞争，认为竞争能使公司变得更好[8][9] 内存短缺的原因与行业现状 - 短缺主因是AI基础设施快速建设消耗大量DRAM和NAND，导致供应紧张并推高价格[11] - 整个行业面临供应短缺，并非美光独有问题[3] - 供应紧张大幅提升存储器生产商业绩：美光上季度创纪录营收和利润，三星预计第四季度营业利润同比增长两倍[11] - 分析师预计今年内存芯片和硬盘价格将保持高位[14] 产能扩张的挑战与限制 - 扩产最大挑战之一是内存模块容量差异化（如同时生产8GB、12GB、16GB模块）导致生产线调整频繁，产量下降[5] - 为稳定产量，公司正与客户合作，减少芯片种类和不同DID芯片数量，这可能意味着笔记本电脑和智能手机制造商会限制内存配置选项[6] - 新建晶圆厂产能释放缓慢：美光在爱达荷州的ID1工厂预计2027年中投入使用，但需到2028年完成所有认证后才会有实质性产出[7][8] - AI客户对技术和良率的完美要求使得建立新晶圆厂更加复杂[7] 行业投资谨慎的深层原因 - 内存行业具有残酷的周期性波动历史，价格下跌曾导致美光、西部数据、希捷等公司在2023年出现年度运营亏损[14] - 尽管需求强劲，主要制造商在增加新产能上仍谨慎行事，只有希捷计划今年大幅增加资本支出以维持历史投资水平[18] - NAND闪存行业普遍缺乏长期供应协议，使得公司难以做出长期投资决策，建厂需耗费数年时间[18] - 存储器股票（如美光、希捷、西部数据、SK海力士）已成为华尔街热门，股价大幅上涨，公司有动机维持价格高位而非盲目扩产[11] AI驱动的长期需求展望 - AI计算系统（如英伟达、AMD设计）需要大量专用DRAM，并产生“数据爆炸”，推动存储需求增长[14] - 伯恩斯坦分析师预测，未来四年NAND闪存和硬盘的总数据存储出货量年均增长19%，高于过去10年的14%[14] - 科技巨头资本支出强劲：亚马逊、谷歌、微软和Meta Platforms的总资本支出在2025年预计达4070亿美元，分析师预计今年将跃升至约5230亿美元[15] - 摩根士丹利分析师认为，如果需求保持强劲，上行周期可能会持续数年[15]

行业格局与市场动态 - 国际巨头恩智浦宣布将逐步关闭其位于美国的ECHO GaN晶圆厂，并最终退出5G射频PA业务，标志着市场格局与全球供应链的深刻重构 [1] - 恩智浦的射频PA业务根基始于2015年斥资近120亿美元收购飞思卡尔，借此抓住了4G网络建设高峰期的红利，成为全球主要基站制造商的核心PA供应商 [3] - 随着5G技术演进，通信行业对带宽、速率与频率的需求迎来质的飞跃，碳化硅基氮化镓成为5G PA的“黄金标准”，恩智浦在2020年启用了ECHO 6英寸GaN晶圆厂押注5G市场 [3] - 5G发展与预期存在显著差距：据Omdia数据显示，5G产品年收入在2022年达到450亿美元峰值后，2023年与2024年连续两年各下滑50亿美元，头部设备商被迫大规模裁员以应对需求疲软 [4] - 中美欧三大市场的5G部署节奏差异巨大，导致全球市场需求分散且总量不及预期 [4] - 恩智浦在5G时代的技术响应滞后，其方案在成本与市场需求匹配度上未能获得客户广泛认可，而住友电工等竞争对手凭借快速响应的产品策略实现赶超 [4] - 恩智浦“通信基础设施及其他”业务收入在2024-2025年大幅下降，ECHO晶圆厂预计将于2027年第一季度完成最后一批GaN晶圆生产后关闭 [4][5] - 恩智浦的退出预计每年将释放出约1.5-3亿美元的市场空间 [10] - 5G大基建虽高峰已过，但行业逐步转向技术升级与场景深化的稳定发展阶段，每年仍有技术升级、基站换站等需求 [21] - 新的增长动力正在涌现，包括Sub-6GHz、n104等新频段的商业化、5G-A大规模商用，以及6G、卫星通信、车载直连、低空经济等新兴场景 [21] - 地缘政治因素推动的供应链区域化，正形成东西半球两个独立生态和产业链格局，为国产厂商创造了更大市场空间 [21] 供应链冲击与客户应对 - 恩智浦的全面退出给全球射频市场带来了直接且剧烈的冲击，依赖其供货的设备商面临供应商选择范围收窄甚至核心组件供应中断的风险 [7] - 恩智浦已启动“最后一次采购”机制，要求客户或代理商一次性购买一年、两年甚至三年的备货，且部分产品价格已大幅上调（有些产品据说上涨3倍），给客户带来短期内成本飙升的压力 [7] - 集中采购导致交期延长、排队等货，中小客户因话语权较弱受到的冲击尤为明显 [7] - 短期内，PA芯片可能面临供应紧张与价格上涨的双重压力 [9] - 客户基本不会为了未来不确定的市场而选择大量囤货，而是紧急启动产品重新设计与选型，寻找可靠的替代方案 [9] - 从当前到2027年初，将是供应链替代的关键期 [9] 竞争格局与替代机遇 - 住友电工作为当前GaN PA市场的领导者，将最大程度受益于恩智浦退出释放的市场空间，市场集中度有望进一步提升 [10] - Macom，博威等厂商也将积极参与角逐，全球5G PA市场的竞争格局正在迎来深度重构 [10] - 对于中国射频PA厂商而言，这是一个历史性的机遇窗口，华太电子是其中的核心参与者 [10] - 华太电子是目前已知唯一成功打入全球五大基站设备商供应链的国产PA供应商 [10] - 在恩智浦退出留下的市场真空中，华太电子已针对其在基站和ISM领域的众多关键型号，开发了完整的替代产品系列 [12] - 华太电子正与国际头部设备商紧密沟通替代列表，提供完整的替代产品方案，在基站应用的Doherty PA架构中，客户仅需进行局部电路调整即可完成平滑替换 [12] - 针对对讲机、射频源、医疗设备等应用场景的恩智浦热门型号，华太电子也实现了全面替代，且多数主流型号实现了封装兼容，客户无需修改PCB设计或仅需微调外围无源器件即可快速替换 [12] - 华太电子提供了详细的“市场供应链风险产品与华太射频PA对应物料清单” [13][14] - 恩智浦退出释放的1.5-2亿美元市场份额中，中国市场占比低于10%，其核心客户集中在海外 [23] 华太电子的核心竞争力 - 华太电子同时布局LDMOS与GaN两大核心技术，其中LDMOS工艺已迭代至第9代甚至第10代，相比恩智浦开发于2016-2017年的老款LDMOS产品，在效率与鲁棒性上具备显著优势 [12] - 华太电子的产品已覆盖宏基站、小基站、MIMO AAU的驱动和末级等全场景需求 [12] - 公司通过“上游材料-器件设计-晶圆厂战略合作-自有封测”的垂直整合产业链布局，构建了独特的供应保障体系，形成了全产业链闭环 [15] - 华太电子已建立高安全水位库存，在晶圆端与国内大晶圆厂保持良好战略合作，封测环节则通过自有工厂（瑶华封测厂）保障产能 [15] - 全产业链的垂直整合能灵活响应长尾客户的小批量、定制化及紧急订单需求，确保供应链的自主可控与极致弹性 [15] - 垂直整合的飞轮效应可从材料研发、产品设计、封装测试等多个核心环节推进创新，构筑起独特的竞争壁垒与差异化优势 [15] - 华太电子基站PA成功打入全球五大设备商核心供应链，其对讲机PA芯片也已占据6-7成的市场份额，且成功应用于小米汽车SU7车载对讲机等标杆产品 [16] - 截至目前，华太电子射频PA累计发货量已超过3.5亿颗，产品可靠性通过了全球顶级设备商和下游客户的严苛认证 [16] - 公司组建专项技术团队提供方案设计、仿真验证及问题排查服务，承诺替代产品的长生命周期，定期更新技术文档与产能规划 [16] - 公司产品已全面满足欧美标准，且通过了海外头部通信基站客户的质量体系审核，欧洲头部客户项目已实现成功导入 [16] - 公司聚焦技术创新与差异化布局以规避价格战，策略包括聚焦技术创新提供差异化价值、聚焦基站及ISM等高端附加值市场，以及通过技术降本提升产品竞争力 [18] - 华太电子正打造双供应链循环，既保障国内供应链稳定，又通过马来西亚、越南的海外布局及新加坡全球运营总部，满足海外客户对供应链安全的需求 [23] - 公司早在3年前就已在荷兰、北欧、韩国、新加坡等地设立办公室和分公司，2026年起将加大资源与人员投入，以新加坡全球运营总部为桥头堡支撑全球客户拓展 [23] - 未来3-5年，公司的目标是全力抢占恩智浦退出的市场份额，并与国内外头部PA厂商直面竞争，力争进入全球RF power第一梯队 [24] - 公司将持续聚焦高集成度、高可靠性、高附加值的产品方向，在高频段、大功率领域深化技术壁垒，同时布局卫星通信、低空经济等蓝海市场 [24] 行业生态与竞争态势 - 手机与WiFi PA赛道的竞争已趋于白热化，陷入典型的零和博弈困局，导致行业整体盈利空间被大幅压缩，技术迭代步伐放缓 [19] - 反观基站PA市场，凭借良性的竞争格局，近年来在技术创新与产业规模实现了双重跃升，发展势头迅猛 [19] - 构建健康、可持续的产业生态，对射频PA行业发展至关重要 [19] - 国产化不能只停留在低成本替代，核心是要回归产品竞争力，打磨内功，做出能给客户带来实际价值的产品 [23]

行业趋势：记忆体芯片缺货涨价潮蔓延至封测领域 - 记忆体芯片缺货与涨价的热潮已从上游芯片制造蔓延至下游封装测试领域[1] - 受惠于DRAM与NAND Flash大厂加足马力冲刺出货 后段封测需求强劲[1][2] - 主要记忆体封测厂产能利用率已逼近满载 并顺势调升封测价格 调幅上看三成[1][2] - 若后续供需持续紧张 不排除启动第二波涨价 今年将成为记忆体封测业价量齐扬的一年[1][2] 驱动因素：需求回温与供给排挤共同推升封测需求 - 云端、工控等需求回温 带动DDR4、DDR5与NAND芯片拉货动能强劲[2] - 三大记忆体芯片厂（三星、SK海力士、美光）全力扩充AI用的HBM产能 资源集中在先进制程与封装[1] - 上游资源集中导致标准型DRAM与NAND芯片的产出被排挤 使得旧规格产品供给转趋吃紧[1] - 工控与特殊应用客户库存去化告一段落 需求已回到正常水位以上[2] 公司动态：主要封测厂订单满载并调涨价格 - **力成**：作为全球DRAM、NAND芯片封测龙头 其DRAM封测产能利用率几近满载 NAND产能利用率亦维持高档[2] - **华东**：以利基型记忆体封测为主 工控客户已恢复下单 产能利用率明显拉升 订单能见度转强[2] - **南茂**：是传统DRAM市况复苏的代表受惠封测厂 其营收结构中DDR4产品约占七至八成 为营运核心[2] - 相关公司对于涨价议题态度低调 仅表示报价会依照市场需求进行弹性调整[1] 财务影响：涨价效益将逐步反映于财报 - 记忆体封测报价调涨后 涨价效益预计将从首季起逐步反映在财报数字[1] - 力成客户多为国际一线记忆体大厂 本波涨价效应有望直接反映在其毛利率与获利上[2] - 在产业迈入景气超级循环环境下 相关业者2026年业绩有望显著增长[1]

核心观点 - 由于英伟达、AMD和谷歌等公司的人工智能芯片消耗大量内存，2025年全球内存供应将无法满足需求，导致价格大幅上涨，并对消费电子等行业产生连锁影响 [2][5] 内存供需失衡 - 所有计算设备都需要内存进行短期数据存储，但2025年关键组件的供应量将无法满足全球需求 [2] - 英伟达、AMD和谷歌等公司在其人工智能芯片中需要消耗大量内存，并在组件供应排队序列中处于首位 [2] - 美光业务首席执行官表示，内存需求出现了非常剧烈且显著的增长，这远远超出了美光以及整个内存行业的供应能力 [2] - 美光2026年全年的RAM产能需求已提前售罄 [2][9] - 美光对某些客户只能满足其三分之二的中期内存需求 [9] 内存价格走势 - 预计2025年第一季度DRAM内存的平均价格将比2024年第四季度上涨50%至55% [3] - 内存价格如此幅度的涨幅被描述为“前所未有” [3] - 科技行业内部人士举例，几个月前花费约300美元购买的256GB电脑内存，几个月后价格涨到了约3000美元 [6] 主要内存供应商状况 - 三大主要内存供应商美光、SK海力士和三星电子几乎垄断了整个RAM市场，其业务正受益于需求激增 [2] - 美光股价在过去一年上涨了247%，其最近一个季度的净利润增长了近三倍 [2] - 三星预计其2024年12月季度的营业利润也将增长近三倍 [2] - SK海力士在韩国的股价飙升，正考虑在美国上市 [2] 高带宽内存的生产与权衡 - 英伟达等芯片制造商会为GPU布置多个快速、专用的高带宽内存块 [4] - 英伟达最近投入生产的Rubin GPU，每颗芯片配备高达288GB的下一代HBM4内存 [4] - 相比之下，智能手机通常仅配备8GB或12GB的低功耗DDR内存 [4] - HBM专为AI芯片的高带宽需求设计，生产工艺复杂，需要在一颗芯片上堆叠12到16层内存 [4] - 当美光生产1比特的HBM内存时，就必须放弃为其他设备生产3比特的传统内存，这种“三比一”的关系导致增加HBM供应会减少市场上非HBM内存的供应 [4][6] 内存分配优先级与行业影响 - 内存制造商更倾向于服务器和HBM应用，而非其他客户，因为该业务需求增长潜力更高，且云服务提供商对价格敏感度较低 [6] - 美光在2024年12月表示将停止部分针对消费级PC组装者的业务，以便为AI芯片和服务器节省供应 [6] - 内存约占笔记本电脑硬件成本的20%，而2025年上半年这一比例仅为10%至18% [8] - 戴尔在2024年11月表示，预计受内存短缺影响，所有产品的成本基础都会上升，并可能影响到设备的零售价格 [8] “内存墙”技术挑战 - AI研究人员将内存视为瓶颈，早期的AI系统对内存的需求低于目前流行的大语言模型 [7] - AI芯片运算速度越来越快，但内存却跟不上，导致强大的GPU经常处于“空转”状态，等待运行模型所需的数据，这种现象被称为“内存墙” [7] - 更多、更快的内存意味着AI系统可以运行更大的模型，同时为更多客户提供服务，并增加“上下文窗口”以提升个性化体验 [7] 行业应对与未来产能 - 英伟达CEO表示，由于AI的需求太高，需要建设更多的内存工厂 [8] - 美光正在爱达荷州和纽约州建设大型新工厂，但这些工厂要到2027年至2030年间才能上线 [9]

文章核心观点 三星电子晶圆代工业务正经历一场深刻的战略转型，从过去激进追逐先进制程节点转向以工艺稳定和良率提升为核心，并利用其垂直整合、灵活合作与差异化技术路线，在物理AI、汽车电子等新兴市场及中小客户生态中寻求错位竞争，以应对台积电的绝对市场主导地位 [1][7][20] 三星代工业务的历史与挑战 - 公司于2005年开放晶圆代工，初期年营收不足4亿美元，远低于同期营收近百亿美元的台积电 [1] - 2014年通过跳过20nm、率先量产14nm FinFET工艺实现弯道超车，抢下高通骁龙820等订单 [1] - 但在5nm节点因虚标策略和良率失控失去客户信任，错失与台积电并驾齐驱的时机 [1] - 3nm时代虽抢先量产GAA架构，但因良率过低陷入亏损，截至2025年末，代工业务市占率被挤压至6.8%，而台积电占据71%的市场份额，公司面临季度亏损高达1-2万亿韩元的困境 [2] 2nm工艺的技术攻坚与产能布局 - 从2024年起，公司将全部资源押注2nm工艺，战略核心从“全球首发”转向“工艺稳定与良率提升” [3] - 2nm工艺采用升级版MBCFET架构，相较于传统FinFET，晶体管性能提升11%至46%，变异性降低26%，漏电减少约50%，电流驱动能力提升约30% [3] - 通过优化制造流程、与Arm合作优化CPU内核、重新启用日本高纯度光刻胶等多维举措提升良率 [4] - 2nm工艺良率从2024年2月试产的30%快速爬坡，至2025年已稳定在50%-60%，其中自研Exynos 2600芯片良率达60%，基本满足商业化量产需求 [4][5] - 产能方面，计划在韩国华城S3工厂实现月产7000片晶圆，并在美国泰勒工厂建立生产线，目标在2026年底将全球2nm月产能提升至2.1万片 [5] - 规划了多版本路线图：SF2于2025年量产，SF2P于2026年就绪，2027年将推出采用背面供电技术（BSPDN）的SF2Z版本，该技术可实现17%芯片尺寸缩减与15%能效提升 [5][6] 战略转向：聚焦物理AI市场 - 公司认为在台积电主导的数据中心AI市场正面竞争胜算渺茫，因此选择新兴的物理AI市场作为换道超车的核心机遇 [7] - 物理AI指让AI具备感知、判断并执行物理动作的技术体系，覆盖自动驾驶、人形机器人、工业自动化等领域，其芯片需求多集中于4nm至14nm的成熟工艺，且对成本和大规模生产能力敏感 [7] - 公司的核心优势在于灵活的定价与供货策略，以及垂直整合的产业布局（涵盖存储器、先进封装），能在总体拥有成本（TCO）竞争中占据优势 [8] - 汽车半导体成为首要突破口：2023年与现代汽车达成合作供应Exynos Auto V920芯片；2025年7月与特斯拉签署价值165亿美元、为期8年的AI6芯片代工协议，该芯片将在美国泰勒的2nm工厂生产 [8] - 获得汽车订单标志着公司已具备物理AI领域所需的工艺稳定性与大规模运营能力，为拓展机器人、工业AI市场奠定基础 [9] 客户生态的结构性升级 - 客户体系从过度依赖高通、英伟达等大客户，转向构建覆盖大型科技巨头、细分龙头到中小型无晶圆厂企业的全层级体系 [12] - 利用台积电先进制程产能饱和、交货周期长的市场机会，凭借相对富余的产能和灵活策略吸引客户 [12] - 高通已重返三星供应链，正积极推进2纳米芯片代工合作，涉及骁龙8 Elite Gen 5优化版或Gen 6，这被视作三星2nm工艺具备市场竞争力的证明 [13] - 在韩国本土，与DeepX等企业合作打造全球首款2nm端侧生成式AI芯片DX-M2，计划2027年量产 [14] - 在日本市场取得突破：赢得长期台积电客户Preferred Networks（PFN）的2nm芯片代工订单，并拿下任天堂Switch 2的芯片代工订单 [14] - 为支撑客户生态，公司扩充销售与技术支持团队，深化与设计服务企业合作，2025年二季度其先进制程产能利用率已提升至70%以上 [15] 差异化竞争策略：成熟工艺、先进封装与垂直整合 - 在成熟工艺市场，公司与意法半导体合作，将FD-SOI工艺从28nm迭代至18nm并集成嵌入式相变存储器，成功拓展至汽车电子、航空航天等高端可靠性领域，绑定欧洲汽车供应链 [17][18] - 在先进封装领域，凭借全球最大存储器制造商的地位，推出SAINT系列解决方案，并计划在HBM4世代通过Logic Base Die替代传统DRAM Base Die，可降低30%功耗 [18] - 构建覆盖2.5D/3D的全场景封装服务体系，并于2024年7月重组架构，整合HBM与先进封装团队，打造“晶圆制造-封装测试”一站式服务能力 [19] - 垂直整合能力使客户能同步获得逻辑芯片代工、DRAM/NAND闪存采购及一体化封装服务，降低综合采购成本并提升供应链稳定性 [19] - 这套差异化策略使公司在汽车电子、物联网、工业自动化等对成本敏感、需求定制化的领域，形成了与台积电的错位竞争空间 [20]

文章核心观点 - 光协同封装（CPO）技术因能有效降低功耗并增加服务器封装间带宽而受到业界高度关注，被视为支持人工智能等超大规模服务器群发展的关键技术[1] - 在ISSCC 2025会议上，博通、英特尔及学术界展示了多项CPO相关技术进展，均以实现低功耗、高带宽为目标[19] - 行业预计CPO产品将很快进入现实市场，例如英伟达宣布其基于硅光的CPO产品将在2025年下半年推出，以支持高性能计算和AI发展[20] 博通（Broadcom）的CPO进展 - 博通在受邀行业会议上简要介绍了其Tomahawk 5 (TH5)–Bailly交换机芯片，该芯片支持51.2Tbps带宽，并实现了6皮焦耳每比特（pJ/b）的功耗效率[2] - 博通坚称TH5-Bailly自2023年就已量产，并已向客户提供样品，但未提及广泛上市时间[2] 英特尔（Intel）的CPO技术突破 - 英特尔发表论文，展示了一款基于108Gb/s PAM4 VCSEL的直接驱动光学引擎，实现了0.9皮焦耳每比特（pJ/b）的能效[4][5] - 通过采用4级脉冲幅度调制（PAM4）方案替代不归零（NRZ）调制，改善了带宽和功耗[4] - 使用3D打印聚合物波导实现直接光学布线（DOW），替代机械光学接口（MOI），将外形尺寸缩小至原面积的1/4（从11x8平方毫米减至4x6平方毫米）和原高度的1/3（从3.5毫米减至1毫米）[4] - 设计了具有复合零的连续时间线性均衡器（CTLE），使用重叠电感和分流反馈，实现了小电感面积下的高线性度，从而获得平坦的宽带响应[5] 学术研究：基于MicroLED的并行光学 - 密歇根大学Ehsan Afshari博士的论文提出使用微型发光二极管（uLED）替代激光以实现低功耗，并采用并行光学链路来增加带宽，目标市场是芯片间或封装间短距离通信[10][17] - 展示了一款演示芯片，采用130纳米CMOS工艺实现32x2Gb/s，并在台积电N16工艺芯片上集成了304个LED和光电二极管，实现了1.2Tbps带宽（4Gbps/通道 x 304通道），链路功率小于1皮焦耳每比特（pJ/b）[17] 行业趋势与展望 - 网络设备与数据中心在整体能耗中的占比正变得越来越高[3] - 尽管在ISSCC 2025上未看到真正的CPO产品运作，但行业感觉距离在现实市场中看到各种CPO产品的时间不会太长[19] - 英伟达在GTC 2025上宣布，其基于硅光的CPO产品（Quantum-X Photonics和Spectrum-X网络交换芯片）将在2025年下半年出现[20] - 为支持超强AI发展及未来如“星际之门”等大型服务器群的出现，提高性能和降低功耗的努力将持续，光链路（包括CPO）的作用备受期待[20]

Bolt Graphics Zeus GPU平台核心信息 - 加州GPU初创公司Bolt Graphics在2026年CES展会上展示了其Zeus（宙斯）GPU平台 [1] - 该平台旨在针对游戏、CAD工作负载和HPC（高性能计算）模拟 [1] - Zeus GPU围绕开源RISC-V指令集架构（ISA）命令处理器构建 [1] - 公司承诺其路径追踪性能最高可达英伟达RTX 5090的10倍 [1] Zeus平台产品配置与规格 - 原型显卡支持高达384GB的LPDDR5X和DDR5组合内存，其中包括高达128GB的板载焊接显存（VRAM） [3] - 配备四个DDR5 SO-DIMM插槽和一个800Gbps的内存接口 [3] - 功耗峰值为225W，通过单个8-pin PCIe接口供电 [3] - 拥有两个支持CXL 3.0的PCI-Express 5.0 x16插槽 [3] - 连接选项包括一个DisplayPort 2.1a和一个HDMI 2.1b输出接口 [3] - 内置400GbE和800GbE QSFP-DD端口，为大规模渲染和模拟工作负载提供先进的网络能力 [3] - 板载BMC/IPMI控制器便于数据中心将多台设备部署在机架式渲染服务器或工作站中 [3] - 确认Zeus包含纹理映射单元（TMU）和光栅操作单元（ROP），但具体规格尚未透露 [3] 性能基准测试与产品线 - Bolt Graphics声称其FP64数学基准测试以更低功耗实现比英伟达RTX 5090高出13倍的性能飞跃 [3] - Bolt的FP64电磁（EM）模拟基准测试表明，在特定受控条件下，Zeus 4C的速度比英伟达B200 Blackwell GPU快300倍 [3] - 公司尚未发布任何光栅化或传统渲染的基准测试，也未公布准确的发售日期，但曾表示Zeus预计将在2026年内上市 [3] - 入门级Zeus 1C配备单个处理单元，其路径追踪性能可达RTX 5090的2.5倍，配备32GB LPDDR5X内存（带宽273GB/s），并可通过两个SO-DIMM模块扩展高达128GB的DDR5内存（带宽80GB/s） [5] - 双芯片Zeus 2C配备高达128GB的LPDDR5X内存，声称其路径追踪性能是英伟达旗舰GPU的5倍 [5] - 四芯片Zeus 4C定位于服务器平台而非独立显卡，其性能可达RTX 5090的10倍，配置包括四个I/O小芯片、高达256GB的LPDDR5X以及多达2TB的DDR5内存 [5]

台积电2纳米制程需求与市场地位 - 台积电2纳米制程的投片量已达3纳米制程的1.5倍，显示需求十分强劲[1] - 苹果、高通与联发科是台积电2纳米制程的主要客户[1] - 得益于2纳米制程的强劲需求，台积电预计在AI加速器市场维持超过95%的市占率[1] 台积电2纳米制程产能与营收预测 - 预计到2024年底，台积电2纳米制程晶圆的月产量将达到14万片[2] - 台积电2纳米制程的营收预计将在2026年第三季度超越其3纳米与5纳米制程的营收总和[2] - 苹果作为台积电2024年最大客户，已拿下超过一半的初始2纳米产能[2] 主要客户产品规划与竞争 - 苹果计划将大部分获得的2纳米晶圆用于制造iPhone 18系列的A20与A20 Pro芯片，以及未来的M6芯片[2] - 高通与联发科也有望与苹果在同一月份发布其2纳米系统单芯片[2] - 即使英特尔也在其自家产品中增加采用台积电2纳米制程，同时展示了采用其自身18A技术的Panther Lake芯片[1] 技术发展与供应链动态 - 联发科已于2023年完成其首款2纳米制程系统单芯片的投片[1] - 台积电推出了2纳米制程的改良版N2P，可为客户提供更高的CPU频率和充分的出货量[2] - 有分析指出，苹果虽在评估使用英特尔代工服务（IFS）18A制程的可能性，但基于技术与成本考量，预计不会大量采用[3]

文章核心观点 - ASML在2026年初股价表现强劲，单周上涨近16%，主要受分析师上调建议及目标价飙升至$1,500推动[1] - 公司作为全球唯一EUV系统供应商，其2026年发展前景受到高数值孔径EUV技术采用、中国市场变化、以及DRAM/HBM需求上升等关键趋势影响[1] 高数值孔径EUV技术 - 半导体行业已进入高数值孔径EUV时代，该技术是制造最复杂、最昂贵的制造系统，每台售价约$3.8亿[3] - 高数值孔径EUV允许芯片制造商制造的特征尺寸比现有EUV系统小近一倍，对1.4纳米及未来1纳米等先进工艺节点至关重要，是先进AI处理器晶体管持续微缩的关键[3] - 技术采用已从概念走向实践，英特尔已完成首批用于量产系统的验收测试，三星也开始接收用于2纳米代工线的交付[3] - 该技术是ASML强大的竞争壁垒，目前没有其他公司具备制造能力，将推动公司收入结构向利润率更高、周期更长的方向转变[3] 中国市场动态 - 中国在2024-2025年期间贡献了ASML超过40%的销售额，但需求激增主要由出口管制收紧前的囤货行为驱动[5] - 2026年，更严格的荷兰和美国法规限制了先进EUV及高端DUV浸没式工具的交付，预计来自中国市场的收入将显著下降，可能产生暂时的增长真空期[5] - 管理层预计2026年总净销售额不会低于2025年水平，表明来自中国台湾、美国和韩国等其他地区的强劲需求足以抵消中国市场放缓[5] - 地缘政治压力正在重塑ASML的市场战略，其估值正日益依赖于全球前沿领域的投资[5] DRAM与HBM需求周期 - 生成式AI对硬件的需求催生了高带宽内存的显著上升周期，HBM正成为AI供应链中的重要瓶颈[7] - SK海力士和美光等存储巨头正迅速扩大其具备EUV生产能力的产能，以满足数据中心客户激增的需求[7] - 随着每台服务器对HBM要求的提高，存储芯片厂变得像逻辑芯片厂一样依赖EUV设备[7] - 存储市场的复苏为ASML拓宽了增长渠道，在逻辑芯片客户之外增加了第二个独立增长引擎，是保持2026年订单量强劲的关键因素[7] 公司估值与市场地位 - ASML目前交易价格约为2026财年预期收益的45倍，反映了其受益于AI驱动资本支出周期的溢价[9] - 预计科技巨头在2026年将向AI基础设施投入超过$4,000亿，其中很大一部分将流向需要ASML光刻设备的先进芯片[9] - 台积电的2纳米节点在2026年已被预订一空，这将确保ASML的Low-NA EUV机群保持高利用率[9] - ASML掌控着晶体管持续微缩的关键瓶颈，其投资逻辑建立在生成式AI核心基础设施的地位之上，并拥有巨额待执行订单、持久需求及缺乏实质性竞争对手的支撑[9]