全球存储市场涨价行情与核心驱动 - 自2025年第三季度起，全球存储芯片市场迎来颠覆性涨价行情，DRAM与NAND闪存现货价格累计上涨超过300% [1] - 行业预测2026年第一季度NAND闪存产品价格将上涨33%-38%，一般型DRAM价格将上涨55%-60% [1] - 此轮涨价核心驱动力是AI引发的结构性供需失衡，叠加供给收缩与库存低位共振 [1] 供需失衡的具体表现 - 需求端：AI服务器成为“存储巨兽”，单台内存需求是普通服务器的8-10倍，已消耗全球53%的内存月产能，挤压消费级产品供应 [1] - 供给端：三星、SK海力士等头部厂商将80%以上先进产能转向高毛利的HBM，导致成熟产能缩减 [1] - 库存状况：2025年DRAM行业平均库存周期降至10周，接近12周的安全阈值，其中原厂库存仅2-4周，处于极度紧张状态 [1] 存储公司业绩表现 - 截至2月2日，41家存储概念公司中25家披露业绩预告，其中16家预喜，多家公司在2025年第四季度业绩提升明显 [1] - 业绩预喜主要原因为AI及算力产业发展拉动，产业进入高景气周期、产品持续涨价 [1] - 佰维存储预计2025年实现营业收入100亿元至120亿元，同比增长49.36%至79.23%；预计实现归母净利润8.5亿元至10亿元，同比增长427.19%至520.22% [2] - 德明利预计2025年实现营业收入103亿元至113亿元，同比增长115.82%至136.77%；实现归母净利润6.5亿元至8亿元，同比增长85.42%至128.21% [2] - 香农芯创预计2025年全年营业收入增长超过40%，其自主品牌“海普存储”预计实现销售收入17亿元，其中第四季度预计实现13亿元，并首次实现年度规模盈利 [3] 行业周期与产能展望 - 业内普遍判断这是一轮持续2-3年的“超级周期”，关键因素在于产能释放滞后于需求增长 [3] - 花旗预计2026年DRAM与闪存产品的平均售价或将分别上涨88%、74%，高于此前预测的53%、44% [3] - 产能增长缓慢：2026年DRAM和NAND的产能年增速分别约为7.5%和6.0%，整体处于常规扩产水平 [3] - 存储原厂已开始增加资本支出，但厂房建设与产线调试量产需要较长时间，预计存储产能供应在2027年下半年才有所缓解 [3] 国产厂商的市场机遇与公司策略 - 海外厂商产能向高端倾斜，为国产成熟制程产品留出市场空间，长鑫科技、长江存储等企业的DDR4、3D NAND产品有望获得更多机会 [2] - 佰维存储在AI新兴端侧领域保持高速增长，并强化先进封装能力，晶圆级先进封测制造项目正按客户需求推进打样和验证 [2] - 德明利从2025年第三季度起受益于AI需求驱动，存储价格上行，产品销售毛利率大幅提升 [2] - 香农芯创自主品牌“海普存储”已推出企业级SSD及DRAM产品线并进入量产阶段 [3] 公司应对措施与产能布局 - 短期策略：加强备货、稳定产能、保障供给是关键，佰维存储表示积极备货，目前库存较为充足 [4] - 江波龙与多家晶圆原厂及头部智能终端设备厂商构建深度合作，UFS4.1旗舰产品在批量出货前夕，定制化端侧AI存储产品已在头部客户批量出货，并推出Wafer级SiP封装的mSSD产品 [4] - 德明利计划定增募资不超过32亿元，用于固态硬盘（SSD）扩产项目、内存产品（DRAM）扩产项目等 [4] - 行业并购活跃：普冉股份拟收购诺亚长天51%股权，从而间接控股全球第四大SLC NAND厂商SHM [4][5]；盈新发展拟以现金5.2亿元收购广东长兴半导体科技有限公司60%股权，后者深耕NAND Flash芯片封装测试 [5]

核心业绩表现 - 公司预计2025年度实现营业收入225亿元至230亿元 同比增长28.84%至31.70% [1][2] - 公司预计2025年度实现扣非净利润11.30亿元至13.50亿元 同比增长578.51%至710.60% [1][2] - 公司预计2025年度实现归母净利润12.50亿元至15.50亿元 同比增长150.66%至210.82% [2] - 2025年第四季度业绩表现尤为突出 预计扣非净利润约为6.5亿元至8.7亿元 超过前三个季度之和 [1][3] - 2025年前三季度实现营业收入167.34亿元 同比增长26.12% 实现归母净利润7.13亿元 同比增长27.95% [2] 季度业绩趋势 - 2025年第一季度业绩承压 营业收入42.56亿元同比下降4.41% 归母净利润亏损1.52亿元 扣非净利润亏损2.02亿元 [3] - 2025年第二季度业绩转好 营业收入59.39亿元同比增长29.51% 扣非净利润2.34亿元同比增长33.33% [3] - 2025年第三季度业绩爆发式增长 营业收入65.39亿元同比增长54.60% 归母净利润6.98亿元同比增长1994.42% 扣非净利润4.47亿元同比增长1162.09% [3] - 2025年第四季度预计营业收入57.66亿元至62.66亿元 同比增长37.45%至49.37% 预计归母净利润5.37亿元至8.37亿元 同比增长925.86%至1443.10% [3] 业绩驱动因素 - 业绩大幅增长主要源于存储产品价格上涨 2025年存储价格在一季度触底后企稳回升 [1][4] - 三季度末因AI服务器需求爆发及原厂产能向企业级产品倾斜 导致供给进一步失衡 存储价格持续上涨 [1][4][7] - 公司依托高端产品布局 海外业务拓展及自有品牌优势 叠加差异化的供应保障能力 使得下半年经营业绩大幅增长 [4] - 公司营业收入同比增速并不突出 但净利润因价格因素大幅增长 [4][7] 行业供需与前景 - AI技术应用持续推升云服务商对SSD的需求 叠加HDD供应短缺促使云服务商转单至SSD 带动NAND Flash需求爆发 [7] - 受制于产能建设周期的滞后性 若后续原厂资本开支回升 对2026年位元产出的增量贡献也将较为有限 短期内供给失衡状态可能持续 [7] 技术与产品创新 - 公司研发投入持续增长 2024年为9.10亿元 2025年前三季度为7.01亿元 [1][9] - 公司新产品mSSD采用Wafer级系统级封装 将主控 NAND PMIC等元件整合进单一封装体 具备明显的综合成本优势 并实现了轻薄化 紧凑化 [8] - 2025年公司成功完成UFS4.1主控芯片的首次流片 成为全球少数具备该代际主控芯片自研能力的企业之一 [1][9] - 搭载公司自研主控的UFS4.1产品在制程 读写速度以及稳定性上优于市场可比产品 已获得存储原厂及多家Tier1大客户认可 [9] - 截至2025年7月底 公司主控芯片全系列产品累计实现超过8000万颗的批量部署 [9] 市场表现 - 近一年来公司股价区间涨幅超过3倍 目前市值1408亿元 [10]

新产品与技术优势 - mSSD采用Wafer级系统级封装，整合主控、NAND、PMIC等元件，省去多道SMT环节，具备综合成本优势 [3] - mSSD作为传统SSD的升级形态，实现轻薄紧凑化，在满足低功耗要求、降低空间占用的同时，保持相当性能与更优物理特性 [3] - UFS4.1是消费级存储高端产品，为Tier1大客户旗舰智能终端首选配置，市场空间广阔 [3] - 全球仅少数企业具备芯片层面开发UFS4.1产品的能力，公司自研主控的UFS4.1产品在制程、读写速度及稳定性上优于市场可比产品 [3] - 公司UFS4.1产品已获得闪迪等存储原厂及多家Tier1大客户认可，相关导入工作正加速进行 [3] 市场前景与行业周期 - AI技术应用持续推升云服务商对SSD的需求，叠加HDD供应短缺促使云服务商转单至SSD，带动NAND Flash需求爆发 [3] - 受产能建设周期滞后性影响，即使后续原厂资本开支回升，对2026年位元产出的增量贡献也将较为有限 [3]

新产品与技术优势 - 公司推出采用Wafer级系统级封装（SiP）的mSSD新产品，将主控、NAND、PMIC等元件整合进单一封装体，省去多道SMT环节，具备综合成本优势 [3] - mSSD提供TB级别多档容量，实现轻薄紧凑化，性能满足PCIe接口高标准，并创新配备卡扣式散热拓展卡，无需工具即可灵活拓展为SSD主流规格 [3] - mSSD在满足低功耗要求、大幅降低空间占用的同时，保持了与传统SSD相当的性能水平，并具备更优异的物理特性，市场前景广阔 [3] 高端消费存储业务与产品进展 - 行业原厂NAND资源向服务器市场倾斜，美光将停止移动NAND产品开发并全面退出旗下英睿达品牌的消费级存储业务 [3] - UFS4.1作为消费级存储高端产品，是Tier1大客户旗舰智能机型的首选存储配置，全球仅少数企业具备芯片层面开发能力 [3] - 公司自研主控的UFS4.1产品在制程、读写速度及稳定性上优于市场可比产品，已获得闪迪等存储原厂及多家Tier1大客户认可，导入工作正加速进行 [3] 未来研发方向 - 公司将围绕UFS、eMMC、SD卡、PCIe SSD等领域，以无晶圆厂（Fabless）模式研发系列高性能主控芯片，以提升存储产品竞争力 [4] 存储市场趋势与价格展望 - AI技术应用持续推升云服务商对SSD需求，叠加HDD供应短缺促使云服务商转单至SSD，带动NAND Flash需求爆发 [4] - 受产能建设周期滞后影响，即便原厂资本开支回升，对2026年位元产出的增量贡献也较为有限 [4] - 根据CFM闪存市场预测，2026年第一季度：Mobile eMMC/UFS价格涨幅将达25%~30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%~35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%~35%，cSSD上涨25%~30% [4]

行业趋势与需求 - AI技术应用持续驱动云服务商对高效能存储产品的需求，TLC eSSD、QLC eSSD等产品采购量显著增长 [2] - HDD供应短缺促使部分云服务商加速转单至SSD，共同推动NAND Flash需求迎来爆发 [2] - 主要存储晶圆原厂维持审慎的产能扩张策略，即便后续资本开支回升，由于产能建设周期滞后，预计对2026年位元产出的增量贡献有限，行业供需格局有望保持紧平衡 [2] 公司产品与技术 - 新产品mSSD采用Wafer级系统级封装技术，将主控、NAND、PMIC等核心元件整合为单一封装体，省去传统SSD生产中的PCB贴片、回流焊等多道SMT工序，综合成本优势显著 [4] - mSSD提供TB级别多档容量，通过集成封装大幅压缩体积实现轻薄化，且性能仍满足PCIe接口高标准 [4] - mSSD创新性配备卡扣式散热拓展卡，无需工具即可灵活转换为当前SSD主流规格，适配性覆盖多样化存储应用场景 [4] - 公司计划围绕UFS、eMMC、SD卡、PCIe SSD等核心存储领域，推进芯片架构设计、固件算法开发及中后端设计，以无晶圆厂模式推出系列高性能主控芯片 [6] 供应链与运营管理 - 公司备货策略以需求预测为核心，综合市场走势、存储晶圆价格、现有库存及客户订单等多维度因素动态调整采购节奏 [3] - 公司已与存储晶圆原厂签署长期供货协议或商业合作备忘录，可有效确保存储晶圆的持续稳定供应，为业务规模扩张提供支撑 [3] 公司增长与盈利前景 - 公司在高端存储市场突破、海外业务拓展及自研主控芯片落地等领域持续取得进展，内生性成长因素对业绩的贡献正逐步显现且具备持续性 [5] - 随着高端产品占比提升、海外市场份额扩大及核心技术自主化，公司中长期盈利能力有望稳步增强 [5]

市场趋势与行业展望 - 存储芯片需求因AI技术应用和HDD供应短缺而迎来爆发，云服务商对高效能TLC eSSD、QLC eSSD的需求被持续推升 [3] - 主要存储晶圆原厂维持审慎的产能扩张策略，即使后续资本开支回升，对2026年位元产出的增量贡献也将较为有限 [3] 公司产品与技术 - 公司新产品mSSD采用Wafer级系统级封装，整合主控、NAND、PMIC等元件，省去多道SMT环节，具备明显的综合成本优势 [3] - mSSD提供TB级别多档容量，通过集成封装实现轻薄紧凑，性能满足PCIe接口高标准，并创新配备卡扣式散热拓展卡以提升适配性 [3] - 公司主控芯片研发将围绕UFS、eMMC、SD卡、PCIe SSD等领域，以Fabless模式推出系列高性能芯片，提升产品竞争力 [4] 公司运营与策略 - 公司备货策略以需求预测为基础，结合市场走势、价格、库存及客户订单综合分析，并通过与存储晶圆原厂签署LTA或MOU确保稳定供应 [3] - 公司在高端存储、海外业务及自研主控芯片等方面持续取得突破，内生性成长因素将更直接且持续地驱动公司盈利能力提升 [3]

行业趋势与公司定位 - AI技术的蓬勃发展正深刻改变各行各业，存储技术作为AI应用的基石越来越受重视 [1] - 江波龙是中国存储企业的优秀代表，在AI存储领域展现出创新力与市场洞察力，为AI技术普及与应用提供支撑 [1] - 随着AI技术不断下沉，端侧AI设备如AI PC、工作站、AI机器人等逐渐成为市场热点，对存储提出更高要求 [2] 企业级存储与数据中心产品 - 公司发展已有20余年，在企业级存储上拥有深厚技术积累，成功构建了覆盖AI训推全场景的企业级存储矩阵 [2] - 公司产品矩阵从eSSD到RDIMM，再到创新内存解决方案，为AI智算中心提供高效、可靠的存储支持 [2] - 公司于2025年9月发布SOCAMM2新形态内存产品，该产品基于LPDDR5/5x颗粒与CAMM模块化设计 [2] - SOCAMM2产品传输速率达8533Mbps，功耗仅为标准DDR5 RDIMM的1/3，尺寸为14×90mm，为智算中心带来容量与带宽双重提升 [2] 端侧AI存储产品与战略 - 公司将业务延伸至更具挑战性的端侧AI存储领域 [2] - 公司推出创新产品集成封装mSSD，作为推动端侧智能发展的新引擎 [3] - mSSD采用Wafer级系统级封装，一次性把主控、NAND、PMIC等元件整合进单一封装体内 [3] - mSSD以高度集成与灵活拓展的特性，成为端侧AI设备的理想存储解决方案，是"AI Storage Core"新品类的核心介质 [3] - mSSD通过硬件、固件、可靠性标准与热插拔技术的专项定制，为AI PC、工作站等场景提供更灵活、高效的存储支持 [3] - 公司表示将继续秉承创新驱动战略，围绕mSSD等核心介质迭代出更多形态、更多场景的创新封装存储 [3] - 公司将加强与产业链伙伴合作，共同深化"以存补算、以存强算"的创新实践，为AI智算中心建设注入关键存力 [3]

文章核心观点 - 江波龙推出全球首款基于mSSD的AI Storage Core产品，旨在解决AI终端设备在数据实时吞吐、小数据块随机读写及复杂环境可靠性等方面面临的挑战 [1] - 该创新产品开辟了端侧AI存储的全新技术路径，为AI电脑、游戏主机、摄影设备、智能驾驶和机器人五大核心场景提供高性能、高可靠性、高灵活性的存储解决方案 [1][10][11] - mSSD作为高速核心存储介质，通过定制化硬件、固件和封装设计，实现了从传统存储形态到AI存储卡等多元形态的创新拓展，未来公司将深化与AI终端的协同创新 [17] 基于mSSD高速存储介质拓展新形态 - AI Storage Core基于mSSD集成封装技术，在形态与性能上实现全新拓展，并非对现有产品的简单升级 [3][4] - 产品延续mSSD的高性能、高品质、高可靠性基因，并通过创新封装设计提升灵活性与环境适应性 [4] 三大优势助力AI终端 高性能 - 通过自主研发的固件算法与硬件优化，提供远超常规SD存储卡与CFexpress Type B存储卡的顺序读写速度 [6] - 未来将深化针对512B小数据块的I/O优化技术，提升AI大模型加载、图像生成等任务的实时处理效率 [6] 高可靠性 - 采用Wafer级系统级封装技术，一次性整合主控、NAND、PMIC等元件，避免阻焊异物、撞件隐患、高温高湿等可靠性问题 [8] - 具备优异防水、防尘、抗震及抗辐射特性，支持Opal、Pyrite、SM4等通用加密协议 [8] - 可为特定客户提供-40℃~85℃工业宽温支持，满足智能辅助驾驶、户外机器人等极端环境需求 [8] 高灵活性 - 新增热插拔特性，支持系统运行时安全安装或移除设备，确保性能稳定 [9] - 依托高效散热方案与PCIe总线，可直接运行Windows操作系统及应用程序，实现跨设备无缝数据调用与协作 [9] 新存储品类赋能五大核心场景 AI电脑与工作站 - 凭借超大容量与超高读写性能，实现大语言模型快速加载与高效运行，支持系统便携部署及热插拔功能 [12] AI游戏主机 - 具备高IOPS与卓越随机读取性能，有效降低游戏卡顿与载入延迟，支持高帧率渲染及实时AI交互 [13] AI摄影设备 - 满足4K/8K高分辨率视频持续高速写入需求，为实时AI分析提供稳定数据流，抗冲击与抗震设计增强户外拍摄可靠性 [14] AI智能驾驶 - 实时处理多路传感器采集的海量数据，部分待发布型号具备宽温域与抗震特性，可在-40℃至85℃极端环境稳定运行 [15] AI机器人 - 采用紧凑型集成封装适配有限空间，部分待发布型号符合工业级宽温与抗震标准，通过直接拔插实现机器人记忆能力与学习成果的便捷移植与升级 [16] 未来发展规划 - Lexar AI Storage Core只是mSSD作为核心介质灵活拓展的第一步，未来将持续深化存储硬件与AI终端的协同创新 [17] - 凭借在散热设计、掉电保护、热插拔等领域的技术积累，进一步衍生更多形态、更细分场景的集成封装创新存储产品矩阵 [17] - 通过开放生态合作，联动产业链伙伴拓展至端侧AI、智能车载、工业物联网等多元场景 [17]

SSD行业发展趋势 - SSD因其快速读写、质量轻、能耗低及体积小等优势被广泛应用于几乎所有存储场景，带动需求持续增长 [3] - 据Yole预测，2022至2028年间SSD市场的复合年增长率约为15%，预计2028年市场规模将成长至670亿美元 [3] 传统SSD面临的挑战 - 传统SSD采用PCBA分离式设计，需在不同工厂完成元件封装测试再转运至SMT工厂进行贴片，带来高能耗问题 [3] - 传统设计存在近1000个焊点，可能导致阻焊异物、撞件隐患、高温高湿、腐蚀性等可靠性问题 [3] - 传统SSD还面临体积大、热量高、接口非标准、SKU数量多、兼容性弱以及on board产品不易维护等挑战 [3] mSSD的创新设计与核心优势 - mSSD通过特定封装工艺将控制器芯片、存储芯片、无源元件等集成在一个封装体内，实现电气连接、物理保护与热管理 [6] - 采用Wafer级系统级封装，一次性整合主控、NAND、PMIC等元件，将焊点减少至0个，规避了传统设计的可靠性问题 [6] - 集成封装将SSD从PCBA质量等级提升至芯片封装质量等级，将缺陷率从≤1000 DPPM降低至≤100 DPPM，全面提升产品质量 [7] - mSSD尺寸为20×30×2.0mm，重量为2.2克，实现轻薄化 [7] - 产品顺序读取速度最高可达7400MB/s，顺序写入速度最高可达6500MB/s，4K随机读取最高1000K IOPS，4K随机写入最高820K IOPS [7] 生产效率与成本效益 - mSSD省去了传统SSD的PCB贴片、回流焊等多道SMT环节及各站点转运，实现了从Wafer到产品化的一次性封装完成 [10] - 该设计将交付效率提升了1倍以上，并使整体附加成本下降超过10% [10] - 生产流程避免了SMT环节的高能耗工序，显著降低了能源消耗与碳排放，有效控制单位产品碳足迹 [11] 产品兼容性与灵活性 - mSSD搭载TLC/QLC NAND Flash，提供512GB至4TB多档容量选择 [13] - 通过配备卡扣式散热拓展卡，无需工具即可灵活拓展为M.2 2280、M.2 2242、M.2 2230等主流规格，实现SKU多合一 [13] - 集成封装设计让客户扩展、替换SSD更便捷，维护成本随之降低 [13] 散热技术与功耗表现 - mSSD采用高导热铝合金支架、石墨烯贴片与强导热硅胶设计，构建高效散热系统，同时保持轻薄体型 [16] - 其峰值性能维持时间达到行业领先水平，满足各类高负载应用需求 [16] - 产品功耗符合NVMe协议L1.2≤3.5mW的低功耗要求，峰值功耗也符合协议规范 [19] 商业模式与未来展望 - 基于"Office is Factory"的商业理念，客户端可通过彩喷/UV打印机等设备完成产品定制化信息喷绘，并快速完成组装和零售包装 [22] - mSSD产品已完成开发、测试并申请国内外相关技术专利，目前处于量产爬坡阶段 [26] - 未来公司将基于mSSD的"集成封装、灵活制造"通用优势，赋能行业类与消费类品牌客户，满足市场对快速定制、可靠质量、紧凑交付与成本控制的综合要求 [26]