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台积电3nm,暂停接单?
半导体芯闻· 2026-01-08 18:36
台积电先进制程产能与客户策略 - 台积电3纳米制程持续供不应求,产能已被AI GPU、云端数据中心ASIC及高阶行动处理器客户全面塞满 [2] - 由于订单满载且扩产速度难以追上需求涌入,台积电今年除调高3纳米报价外,已暂时停止3纳米新案启动 [2] - 公司采取策略性举措,引导处于产品规划初期的客户直接评估导入2纳米制程,以利后续量产与成本配置 [2] 台积电2纳米制程技术优势与成本 - 2纳米是台积电先进制程的重要转捩点,首度导入纳米片电晶体架构,在效能、功耗与密度表现上具明显优势 [3] - 相较3纳米,2纳米导入原子层沉积等高阶制程后,EUV曝光层数并未大幅增加,使单位芯片整体制造成本更具竞争力 [3] - 2纳米价格并未如外界所想每片超过3万美元,但相较N3P价格确实属于有感调升,不过透过大小芯片配置与庞大出货规模可摊提成本 [2] 2纳米制程的供应链影响与客户 - 2纳米制程价值开始转移至材料端,带动中砂、升阳半、宇川精材等供应链角色浮现 [2] - 台积电2纳米制程进入量产,由苹果、高通、联发科等行动手机芯片为主要客户 [2] - GAAFET制程将晶圆制造由平面雕刻升级为立体建构,制程难度呈倍数提升,需克服多项关键难关如原子级ALD闸极包覆 [3]
黄仁勋:SRAM无法取代HBM
半导体芯闻· 2026-01-08 18:36
文章核心观点 - 英伟达执行长黄仁勋认为,尽管存在SRAM、GDDR和开放权重模型等替代方案以降低成本,但在实际大规模AI生产环境中,HBM因其在带宽、密度和应对动态工作负载方面的综合优势,仍是不可或缺的[1][2][3] 关于SRAM与HBM的技术路线讨论 - SRAM速度快且能避免外部内存延迟,对某些工作负载有效,但其容量限制是主要瓶颈,黄仁勋指出能放入SRAM的模型大小比实际需求小约100倍[1][2] - 在实际AI生产负载中,SRAM可能因容量限制难以兼顾带宽与密度,一旦模型溢出SRAM,效率优势就会崩溃,系统需依赖外部内存[1][2] - HBM能够应对AI工作负载的不断变化和规模需求,这是SRAM等替代方案在单一情境下有效,但在大规模生产环境中会与现实发生碰撞的关键原因[1] AI工作负载的多样性与硬件需求 - AI工作负载持续变化,包括混合专家模型、多模态模型、扩散模型等多种架构,每种对硬件造成的压力不同,如内存限制、互连带宽需求、延迟要求等[2] - 硬件压力会随时间动态转移,有时压力在NVLink上,有时在HBM内存上,有时三者同时承受压力[2] - 开放权重模型并不能消除对大容量内存池、高速互连或灵活执行引擎的需求,它仅仅改变了模型的拥有者[2] 对成本与需求的看法 - 尽管存在客户对HBM成本和GPU价格的抱怨,但公司认为两者之间不存在矛盾,因为AI模型尚未趋于稳定或分化成可预测的层级[3] - 黄仁勋指出,若只针对特定工作负载优化,可能导致数据中心10%甚至5%的资源未被充分利用,而这些资源本可用于其他任务[2]
想买H200?付全款!
半导体芯闻· 2026-01-08 18:36
英伟达对中国客户的H200销售条款变化 - 公司对中国客户销售H200芯片的付款条款变得特别严苛,要求客户必须全额预付货款,且订单下好后不得取消、退款或更改产品配置[1] - 在特殊情况下,客户可以提供商业保险或抵押资产作为支付现金的替代方案[1] - 过去的标准条款虽也包括预付款要求,但偶尔允许客户只付订金,而此次针对H200的条款则取消了这种灵活性[1] H200芯片的市场需求与订单情况 - 中国科技业者已预定超过200万颗H200芯片,每颗价格约为27,000美元[1] - 此预定数量超过了公司目前库存的70万颗[1] - 公司执行长表示客户对H200的需求相当高,并已要求供应链加大生产火力[1] 出口管制与监管审批状态 - 公司已为H200芯片申请出口执照,目前正在等待美国等国家政府的核准[1] - 公司执行长不认为北京政府会正式发布核准中国企业进货的声明,但表示若公司接获订单,就代表客户已经能够下单[1] - 无论出口执照是否获得核准,公司都有足够存货可供应中国客户所需,且不会影响向其他国家客户出货的能力[2]
泰国也要制造芯片
半导体芯闻· 2026-01-08 18:36
泰国半导体产业发展战略蓝图核心观点 - 泰国政府审议通过《国家半导体产业发展战略蓝图(草案)》,旨在通过五大驱动机制,将泰国建设成为区域半导体产业中心,并设定了到2050年实现“泰国制造芯片”的远景目标 [2] - 该战略计划在2026至2050年间,吸引相关领域投资总额超过2.5万亿泰铢,并累计培养23万名高素质产业人才 [2][3] - 战略聚焦于泰国具有优势的芯片品类,包括功率芯片、传感器、光子芯片、模拟芯片和分立器件,这些产品与泰国现有优势产业(如汽车、电子)高度协同 [3] 战略背景与制定过程 - 战略草案由国际咨询机构罗兰贝格研究撰写,在泰国投资促进委员会(BOI)等多个政府部门组成的专项小组指导下完成,并于2025年10月完成公众意见征询 [2] - 制定过程通过广泛调研、专家座谈和产业分析,全面评估了全球供应链格局、各国政策动向以及泰国的产业基础与竞争优势 [2] - 与新加坡、马来西亚等区域先进国家以及越南、菲律宾等新兴竞争者相比,泰国在基础设施、人才储备、营商环境、政策支持及下游应用市场等方面被认为具备显著潜力 [3] 发展目标与重点领域 - 短期(未来五年)发展重点将集中在芯片封装测试、芯片设计、先进电子产品制造等领域,同时积极引进晶圆制造项目 [3] - 长期目标是构建完整的产业生态,形成具有国际竞争力的半导体产业集群,并扶持本土潜力企业成长为行业领军者 [3] - 发展将紧密围绕泰国现有优势产业(如汽车、电子、家电)的需求,聚焦相关芯片技术,以增强全球竞争力 [4] 五大战略驱动机制 - **政策激励**:提供长期低息融资等优惠政策,定向吸引关键环节投资 [3] - **人才支撑**:深化产教融合,联合国内外院校培养半导体工程与研发人才,加强职业培训体系建设 [3] - **技术攻关**:升级微电子技术中心及高校研发平台,推动政产学研协同创新 [3] - **基建保障**:建设专业产业集群,稳定供应水电尤其是清洁能源,完善防灾与网络安全设施 [3] - **环境优化**:简化企业审批流程,推动与欧美达成贸易协定,建立政府采购机制支持本土芯片产品 [3] 产业基础与现有投资 - 自2018年至2025年11月,泰国电气与电子行业累计获得促投申请项目达1,748个,投资额达1.17万亿泰铢,占所有促投项目总投资额的19%,是该国申请项目最多的行业 [4] - 该领域投资持续增长,主要集中在印刷电路板制造、半导体封装测试、硬盘及零部件、汽车电子、医疗器械、通信设备和智能家电等环节 [5] - 多家全球半导体龙头企业已在泰国投资设厂,包括英飞凌、亚德诺半导体、微芯科技、恩智浦、索尼、东芝、罗姆半导体以及富士康旗下子公司Fiti等 [5] 战略意义与市场展望 - 泰国政府将半导体产业视为提升长期竞争力的关键抓手,预计到2030年全球半导体市场规模将达到1万亿美元 [4] - 该战略蓝图的审议标志着泰国半导体产业发展迈入系统化推进的新阶段,旨在推动泰国成为区域领先的芯片设计与制造基地 [4] - 战略强调在引进外资的同时,需注重培育本土企业参与产业链,推动技术转移,以实现可持续发展 [4]
三星DRAM,重返第一
半导体芯闻· 2026-01-08 18:36
公司业绩与市场地位 - 三星电子在去年第四季度录得有史以来最高的季度营业利润,并时隔一年重夺全球DRAM市场份额第一的位置[1] - 公司去年第四季度存储半导体业务营收达259亿美元,环比增长34%,其中DRAM营收192亿美元,NAND营收67亿美元[1] - 公司去年全年销售额达332.8万亿韩元,营业利润达43.5万亿韩元,第四季度营业利润在短短两个季度内突破20万亿韩元,业绩在六个月内增长超过四倍[3] - 公司公布的第四季度初步业绩显示,销售额达93万亿韩元(同比增长22.71%),营业利润达20万亿韩元(同比增长208.17%),均高于市场普遍预期[5] 业务驱动因素与复苏 - 存储半导体是公司业绩好转的核心,去年下半年DRAM和NAND闪存价格反弹,服务器内存出货量显著增长,得益于人工智能服务器和数据中心投资的全面展开[3] - 高附加值内存(特别是HBM)份额的提升对提高盈利能力起到了至关重要的作用,产品组合向服务器和人工智能等高附加值产品转变,带动了出货量和单价双双增长[3] - 公司对通用DRAM(尤其是服务器)的客户需求趋势响应良好,且在第六代HBM中引入的先进1c工艺节点和4纳米逻辑工艺,在速度和发热量方面达到了客户要求[2] - 分析师预测,公司核心竞争力——以半导体部门为主导的设备解决方案部门的复苏,将决定其长期增长前景[2] 代工业务进展 - 公司近期通过拓展代工业务组合,专注于汽车半导体,从而稳定了其订单结构,在现有智能手机应用处理器量产基础上,拓展至汽车和工业应用领域[3] - 高通移动应用处理器的产量回归三星晶圆代工,被视为一个积极信号,业内人士认为这将是晶圆代工盈利能力提升的转折点[4] - 预计此前因大规模投资负担和低开工率而遭受亏损的晶圆代工业务今年有望实现盈亏平衡并扭亏为盈[4] 未来增长预期 - 市场分析师预测,公司业绩的全面复苏将带来超越“短期反弹”的“长期增长”,证券行业分析师预测公司今年的年度营业利润可能超过100万亿韩元[4] - KB证券研究员预测,由于DRAM价格大幅上涨和HBM出货量激增,公司今年的营业利润预计将达到123万亿韩元[5] - 由于公司今年上半年极有可能进入英伟达和谷歌的HBM4供应链,以及ASIC公司对HBM3E订单的激增,HBM销售额预计将同比增长三倍,达到26万亿韩元[5] - Kiwoom Securities预测,公司的HBM产品将在第一季度开始向主要ASIC客户增加销量,并在第二季度开始向英伟达Rubin进行真正的销售,并公布公司今年的年度营业利润为120.2万亿韩元[5]
江波龙亮相CES 2026,旗下雷克沙携手阿根廷国家队,构筑AI存储系统能力
半导体芯闻· 2026-01-08 18:36
文章核心观点 - 人工智能从云端向终端设备(端侧)下沉,正推动存储技术从比拼单一器件性能向构建系统级能力跃迁,存储成为影响AI体验上限的关键基础设施 [1] - 江波龙及其旗下品牌雷克沙在CES 2026上的产品发布与品牌合作,展示了公司以底层技术与系统能力为根基,以AI存储创新和高端品牌为触点,向全球市场输出“半导体存储品牌”形象的清晰全球化战略路径 [19] 从器件到系统:江波龙构建AI存储系统能力 - 行业竞争焦点从“单一器件性能”转向“系统级工程能力”,考验企业从芯片设计、主控研发、封装工艺、固件算法到整机测试和场景适配的全链路整合能力 [3] - 公司已提前锚定AI趋势,在2025年陆续推出UFS 4.1、SOCAMM2、mSSD等面向AI场景的关键存储介质,服务于不同AI终端对更高带宽、更低延迟、更稳定持续性能以及与SoC、算法深度协同的系统需求 [3] - 基于mSSD高速存储介质延展出AI Storage Core技术架构,该架构通过在介质层引入更灵活的封装方式,并在固件层针对AI负载进行定向优化,使其成为AI系统中的关键数据枢纽,而不仅仅是“更快的存储” [4][6] - 具体产品包括采用创新集成封装工艺的Lexar PLAY X PCIe Gen4×4 NVMe SSD,读取速度高达7400MB/s,并兼容M.2 2230/2280主流插槽 [6] - AI-Grade产品矩阵覆盖三大类:面向AI PC的高性能SSD、面向轻薄笔电的Storage Stick,以及面向影像与实时分析场景的AI-Grade Card,覆盖了当前端侧AI最具成长性的应用领域 [8] 创新产品:ePOP5x与AI穿戴存储 - 公司发布了ePOP5x产品,通过将LPDDR5x高速内存与新一代3D NAND闪存高度集成,在极小尺寸内同时满足高速数据交互与本地存储需求 [11] - ePOP5x的DRAM传输速率达到8533Mbps,是上一代产品的两倍;在保持8×9.5mm尺寸不变的前提下,封装厚度进一步降低,最薄可至0.52mm [13] - 该产品是公司AI穿戴存储矩阵中的关键一环,使得AI眼镜、运动智能眼镜等设备能在不显著增加体积和功耗的前提下,实现本地推理、快速启动和多任务处理 [13] 从技术到品牌:Lexar三十年的进化逻辑 - 雷克沙品牌承担着将公司底层技术与系统能力转化为全球消费者认知的角色,其核心价值为“创新、可靠、用户为中心” [15] - 品牌拥有三十年历史,从制定行业首个CF卡读取速度标准到持续推出颠覆性存储解决方案,现已拥有全品类存储产品布局、全链路垂直产业链整合能力与研发实力,以及遍布六大洲的全球化渠道 [15] - 在CES 2026上,雷克沙宣布与阿根廷国家足球队达成官方全球合作伙伴关系,此次合作是价值观层面的共鸣,旨在将“可靠、专业、长期主义”的品牌内核转化为更具情感温度的全球叙事,并将存储从“功能性工具”升级为“情感与记忆的载体” [1][15][17]
长鑫正式登场:今年A股最硬核IPO全拆解
半导体芯闻· 2026-01-07 15:46
文章核心观点 - 长鑫科技在2025年末递交科创板IPO招股书,被视为中国AI算力时代最具代表性的“顶级主菜”和最深层的“护城河” [1][2] DRAM在AI算力中的核心地位 - AI算力的上限不仅取决于GPU计算速度,更取决于DRAM(动态随机存取存储器)的数据传输能力,当前AI计算的瓶颈是“内存墙” [5] - HBM(高带宽内存)是DRAM的顶尖形态,被黄仁勋称为“技术奇迹”,它通过垂直堆叠多个DRAM芯片提供数倍于传统内存的带宽,是英伟达H200及Blackwell架构等顶级AI芯片运行的必要条件 [5] - 在AI运算中,海量参数需要高频调取,DRAM因此成为AI系统的战略中枢 [5] 长鑫科技的行业地位与稀缺性 - 公司是中国目前唯一大规模量产DRAM的企业,也是理论上唯一有希望切入HBM赛道的国内选手,因为HBM本质是DRAM芯片的3D封装,没有DRAM量产能力就无法制造HBM [6] - 按产能和出货量统计,公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商,核心产品及工艺技术已达到国际先进水平 [6] - 在A股市场,公司是唯一的国产DRAM IDM(设计、制造一体化)标的,在AI算力自主可控的逻辑下具备极高的稀缺性和溢价潜力 [12] IDM模式的优势 - 与国产GPU普遍采用的Fabless(无晶圆厂)模式不同,公司采用IDM模式,集设计与制造于一体,确保了供应链安全与生产环节的自主可控 [8] - IDM模式具有设计-制造深度耦合的优势,能更深层次优化产品,是三星、美光、SK海力士等国际内存巨头采用的、经过验证的成功模式 [8] - IDM模式资产重、门槛高,一旦跑通商业闭环将形成坚固壁垒,公司已在合肥、北京建有3座12英寸DRAM晶圆厂,2025年上半年产能利用率达94.63%,构筑了硬核的资产护城河 [8] 公司的商业落地与财务表现 - 公司已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产,产品覆盖并迭代了DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X [10] - 终端客户主要为服务器、移动设备、个人电脑等领域的大型厂商,包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等,证明了产品的稳定性和市场高认可度 [10] - 2022年至2025年9月,公司累计营收达736.36亿元人民币,2022-2024年主营业务收入复合增长率达72.04%,体现了在存储周期上行与产能释放共振下的快速增长 [10] - 相比于营收仅数亿元的初创企业,公司数百亿的营收规模、多年量产经验及头部客户检验的技术水平,提供了更扎实的估值基础 [12] 行业意义与展望 - 长鑫科技此次IPO标志着国产半导体正式从追赶跨入到攻克高端市场的下半场 [12] - 在AI算力领域,如果说GPU芯片竞争是“武林大会”,那么DRAM领域则是决定整个武林生存基础的“兵器库”,公司正是中国算力生态中承载万钧的“底座” [12]
商务部:对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查
半导体芯闻· 2026-01-07 15:46
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 一、立案调查及调查期 自本公告发布之日起,商务部对原产于日本的进口二氯二氢硅进行反倾销立案调查,本次调查确定 的倾销调查期为2024年7月1日至2025年6月30日,产业损害调查期为2022年1月1日至2025年6月 30日。 二、被调查产品及调查范围 商务部公告 2026年第2号 公布对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查 中华人民共和国商务部(以下简称商务部)于2025年12月8日收到唐山三孚电子材料有限公司(以 下称申请人)代表中国二氯二氢硅产业正式提交的反倾销调查申请,申请人请求对原产于日本的进 口二氯二氢硅进行反倾销调查。商务部依据《中华人民共和国反倾销条例》有关规定,对申请人的 资格、申请调查产品有关情况、中国同类产品有关情况、申请调查产品对中国产业的影响、申请调 查国家有关情况等进行了审查。 根据申请人提供的证据和商务部的初步审查,申请人二氯二氢硅产量符合《中华人民共和国反倾销 条例》第十一条和第十三条有关国内产业提起反倾销调查申请的规定。同时,申请书中包含了《中 华人民共和国反倾销条例》第十四条、第十五条规定的反倾销调查立案所要求的内容及有关证 ...
HBM 4争夺战,正式打响
半导体芯闻· 2026-01-07 15:46
英伟达下一代AI芯片平台Vera Rubin发布 - 英伟达首席执行官黄仁勋在CES 2026特别发布会上宣布,下一代人工智能芯片平台“Vera Rubin”已进入全面量产阶段,并将在今年年底前向全球客户供货 [1] - Vera Rubin平台采用多芯片集成策略,将六颗芯片(包括Vera CPU和Rubin GPU)集成到单一平台上,以同时提升性能和效率,而非依赖增加单颗芯片的晶体管数量 [1] Vera Rubin平台的性能与架构特点 - 与上一代Blackwell平台相比,Vera Rubin将AI推理性能提高了5倍,训练性能提高了3.5倍 [2] - 其系统架构的关键在于允许多个芯片像一个整体一样运行,从而消除数据瓶颈并提高针对AI工作负载的吞吐量 [2] - Rubin GPU将配备第六代高带宽内存HBM4,预计将随该GPU的发布而迅速成为HBM市场的主流 [2] - Vera CPU将配备由英伟达主导开发的AI服务器内存模块SOCAMM2,该模块通过将低功耗DRAM放置在CPU附近来高效处理大规模计算,其功耗比现有的基于DDR的服务器模块低三分之一 [2] 内存市场竞争格局因Vera Rubin而加剧 - 随着Vera Rubin发布时间表确定,HBM4和SOCAMM2内存市场的竞争预计将更加激烈 [3] - 三星电子计划将业界首个1c(10纳米级第六代)工艺应用于HBM4,其数据处理速度可达每秒11Gb,带宽高达2.8TB/s,能效比上一代产品提升40%,并已向英伟达提供了SOCAMM2的定制样品 [3] - SK海力士在继HBM3E之后,有望继续保持HBM4市场最高的市场份额,其在今年第三季度全球HBM市场占据57%的份额,位居榜首 [3] - SK海力士计划在CES展会上首次发布其HBM4 16栈48GB产品,该产品是速度达11.7Gbps的HBM4 12栈36GB的升级版,并计划展示包括SOCAMM2在内的下一代内存解决方案 [3] - 行业观点认为,不仅英伟达,其他公司如AMD也在开发自己的AI芯片,因此从今年开始,内存公司之间的竞争将显著加剧 [4]
3D视觉赋能全链协同:光鉴科技携多维视觉感知技术方案及产品亮相2026半导体协同创新论坛
半导体芯闻· 2026-01-07 15:46
论坛活动概览 - 2026年3月18日,上海新国际博览中心将举办《从器件到网络的协同创新论坛》,该论坛是慕尼黑上海光博会的核心配套活动,由半导体行业观察与慕尼黑上海光博会联合主办 [2] - 论坛以“半导体全产业链协同攻坚”为核心使命,遵循“趋势→半导体基础(材料/EDA)→核心芯片→光器件→组件→应用→协同”的全链路逻辑,旨在链接关键领域,为国产化替代搭建高端交流平台 [2] - 论坛采用“线下精准链接+线上广泛传播”模式,线下定向邀约200位半导体全产业链核心从业者,线上通过视频号进行全域直播 [3][4] 光鉴科技公司介绍 - 光鉴科技(DEPTRUM)是一家专注于多维视觉感知领域的领军企业,以“创造新维度”为使命 [5][6] - 公司专注于研发、制造、销售与服务一体化布局,提供全栈式3D视觉解决方案与自主创新的核心器件 [6] - 公司累计申请自主知识专利超1000项,其中发明专利占比超60%,研发团队占比超80% [11] - 公司产品已应用于国内众多场景,并成功进入欧美、日韩、中东等国际市场 [11] 核心技术优势 - 公司构建了覆盖底层芯片、软件算法、硬件产品、场景解决方案的全栈式3D视觉技术体系 [7] - 自主研发了量产消费级纳米光子芯片(WFP),通过亚波长尺度光场调制技术突破传统光学物理限制 [7] - 独创了sToF技术,将结构光和ToF技术路线结合,使单组硬件可兼顾近距高精度与远距高效成像 [7] 产品矩阵与解决方案 - 公司产品矩阵覆盖所有主流3D视觉技术路线,包括Stellar ToF系列、Aurora结构光系列、Nebula sToF系列以及HandPass双模态刷掌相机 [8] - Stellar ToF系列深度相机已通过车规级认证,适用于智能座舱、机器人等中远距离场景;Aurora系列适用于刷脸支付等近距离场景;Nebula系列为机器人提供避障导航;HandPass相机实现毫秒级刷掌识别 [8] - 公司为金融支付、智能机器人、智能终端、消费电子、新零售等核心场景提供定制化解决方案 [9] 产业生态与合作 - 公司构建了“研发-生产-销售-服务”一体化产业体系,并与上下游企业深化协同合作,上游与芯片厂商联合开发核心器件,下游与生物识别、机器人等厂商深度合作 [11] - 公司积极参与行业生态共建,其技术分享能为产业链上下游提供精准对接平台,推动协同效率提升 [13][15] 论坛参与价值 - 光鉴科技将在论坛上发表演讲,分享其在多维视觉感知领域的技术突破与产业思考 [2][13] - 公司的参与为论坛注入了3D视觉感知领域的硬核技术实践,衔接了论坛“核心芯片→光器件→应用”的逻辑链条 [13] - 其分享旨在展示国产3D视觉技术创新实力、分享多行业融合应用落地经验,并搭建产业链对接平台 [15]