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英伟达,如何捍卫AI王座?
半导体芯闻· 2025-05-23 18:26
美国对高科技出口的限制已导致英伟达在中国市场份额下滑,公司不得不撤出原有芯片并推出符合 美国政策的性能下降版本。 与此同时,微软和谷歌母公司Alphabet等云计算巨头也已暗示将削减AI支出。尽管黄仁勋在过去 一个月宣布了在海湾地区数千亿美元规模的合作项目,但分析师表示此类大单将越来越罕见。 "每个国家都能像沙特那样宣布建设一个100亿美元、甚至500亿美元的数据中心吗?当然不可 能。"Seaport Research分析师Jay Goldberg说,"他们正在耗尽显而易见的交易机会。" 当路透社询问英伟达将如何应对AI支出放缓时,黄仁勋回应道:"AI基础设施正在全球范围内建 设……这也是我到处旅行的原因之一……AI基础设施将成为社会的一部分。" 新增长路径 在Computex上,黄仁勋展示了英伟达一条不依赖于主权数据中心大单的新增长路径:通过新技 术,进一步扩大其在AI市场的掌控力。 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容编译自路透 ,谢谢 。 英伟达CEO黄仁勋周五离开台北,结束了一周在中国台湾科技业界的"膜拜"之旅,并传递出这位 美国AI芯片之王在如何保持其领先地位方面一个微妙但关键的信息 ...
台积电拒绝去三个国家建厂
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
Jim Keller:RISC-V一定会胜出 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自 chinatimes ,谢谢 。 半导体已是全球最受重视的科技产业,台积电更是其中焦点,各国也争相邀请台积电设厂。最新消 息传出,台积电婉拒在印度、新加坡和卡达建厂的邀请,因台湾是最完美的生产据点,海外建厂是 逼不得已的决定。 根据《DIGITIMES》21日报导指出,供应链消息人士称,想要与台积电合作的国家相当多,但台 积电已经婉拒印度、新加坡、卡达的设厂邀约,因为台湾是最完美的生产据点,海外建厂是逼不得 已的决定,在美国、日本和德国的工厂都是在大国「巨大压力」下建立,以及考量美日德在设备、 材料与IC设计等半导体产业链中拥有领先实力。 该篇报导也提到,据供应链业者透露,中东多国可说是诚意满满,「钱不是问题」,但对台积电来 说,除了国安与复杂政治问题外,面临的主要障碍是,中东在半导体领域部署几乎是零。 参考链接 https://www.chinatimes.com/realtimenews/20250522001291-260410?ctrack=pc_money_headl_p04&chdtv 点这里加 ...
SK海力士突破:321层NAND UFS 4.1面世
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ SK海力士计划在年内获得客户认证,并从明年第一季度开始批量出货。该产品将提供两种容量类 型——512 GB和1TB。 SK海力士总裁兼首席开发官安铉表示,SK海力士计划在年内完成面向消费者和数据中心的321层 4D NAND 固 态 硬 盘 的 开 发 。 " 我 们 正 致 力 于 构 建 具 有 AI 技 术 优 势 的 产 品 组 合 , 以 巩 固 我 们 在 NAND领域作为全栈AI内存供应商的地位。" 来源:内容来自 sk hynix ,谢谢 。 SK海力士22日宣布,已开发出采用全球最高层数321层、1Tb三位元储存单元(TLC)4D NAND 快闪记忆体的UFS 4.1解决方案产品,应用于行动装置领域。 NAND Flash 产品根据每个单元中存储的比特(bit)信息数量,分为单层、多层、三层、四层和 五层。存储的信息数量越多,意味着在相同空间内可以存储的数据越多。 此次开发正值市场对 NAND 解决方案产品高性能、低功耗的需求日益增长,以确保设备端 AI 的 稳定运行。该公司预计,针对 AI 工作负载优化的 UFS 4.1 产品将有助于巩固其在旗舰智 ...
数据中心,800V供电时代来临
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
英伟达800V高压直流配电联盟 - 英伟达宣布成立数据中心800V高压直流配电供应商联盟,目标自2027年起支持1MW功率处理机架 [1] - 升级至800V电压可提升端到端电源效率高达5%,降低维护成本70%,并减少冷却成本 [1] - 联盟成员包括英飞凌、MPS、Navitas、罗姆、意法半导体、德州仪器等芯片供应商,台达、光宝等电源模块供应商,以及伊顿、施耐德电气等电源系统供应商 [1] 技术优势与效率提升 - 800V架构通过工业级整流器将13.8kV交流电直接转换为800V直流电,消除中间转换步骤,减少能量损失 [2] - 系统减少带风扇电源数量,提高可靠性并降低散热需求,使组件总数显著减少 [4] - 800V母线槽在相同尺寸导线上可多传输85%电力,降低电流需求使铜用量减少45% [4] - 直流网络消除交流电特有的趋肤效应和无功功率损耗,进一步提高效率 [4] 产品与技术创新 - 英飞凌开发12kW参考设计,采用GaN和SiC器件,基准效率约98% [5] - 纳微电子展示8.5kW电源系统,效率达98%,其IntelliWeave技术使功率因数校正级峰值效率达99.3%,功率损耗降低30% [6] - 机架级设计通过两个800V电源为DC-DC转换器供电,消除AC-DC转换元件以释放空间容纳更多计算资源 [5] 行业影响与挑战 - 该技术旨在解决AI算力增长对数据中心基础设施的挑战,推动效率与密度双重突破 [6] - 向800V系统转变需解决安全、标准和人员培训问题,包括断路器隔离机架等安全措施 [7] - 英伟达与合作伙伴正在研究传统变压器与固态变压器方案的资本支出和运营支出影响 [7]
万字长文:官方解读RISC-V
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
RISC-V发展历程 - 2010年加州大学伯克利分校团队因现有ISA无法满足需求而决定开发全新RISC架构[1][2] - 2011年5月发布首个RISC-V指令手册版本 最初仅作为学术研究工具[4][5] - 2014年Hotchips研讨会显示业界对开放ISA的强烈需求 远超团队预期[7] - 2015年成立RISC-V基金会 吸引42家创始会员包括谷歌/NVIDIA/IBM等科技巨头[13] - 2016年NVIDIA宣布用RISC-V替代专有Falcon核心 2024年交付达10亿个核心[9] - 2019年西部数据宣布每年出货超10亿RISC-V核心目标 对标IBM对Linux的10亿美元投资[16] - 2020年转型为RISC-V国际协会 总部设于瑞士确保地缘政治中立[17] 技术特性与优势 - 采用模块化设计 支持自定义指令扩展 特别适合AI/ML工作负载定制[23][27] - 矢量扩展(RVV)具有高度可扩展性 支持从边缘设备到HPC的广泛场景[26][27] - 开放架构降低芯片设计门槛 初创公司可实现当天下午即投入使用[8] - 摆脱传统ISA的历史包袱 在矢量/矩阵处理支持方面领先其他架构[27] - 功能验证成本占开发75% 3nm工艺验证需数万小时/数亿美元投入[15][16] 行业应用进展 - 汽车领域:支持软件定义汽车(SDV)需求 实现2-3年快速迭代周期[31] - HPC领域:欧洲处理器计划(EPI)等项目利用RVV扩展构建超级计算机[29] - 太空应用:Microchip与NASA合作开发抗辐射RISC-V芯片 价值5000万美元[32][33] - AI领域:ESWIN在RISC-V开发板本地运行DeepSeek LLM 实现边缘AI部署[28] - 中国生态:平头哥2019年发布玄铁910处理器 中科院推出openEuler发行版[20][21] 全球生态建设 - 学术界全面转向:MIT/苏黎世联邦理工等顶尖院校将课程材料转换为RISC-V[10] - 中国"一生一芯"计划累计培养超12000名RISC-V芯片设计人才[36] - 印度启动DIR-V计划 将RISC-V纳入国家自主创新战略[19] - RISE项目获高通/谷歌等支持 投入超百万美元建设软件生态[25] - OpenHW基金会推动工业级开源硬件 类比Linux在业界的普及[18][26] 未来发展方向 - RVA23规范为AI/汽车/Android等场景提供标准化基础[22] - 重点建设垂直领域完整解决方案 避免90%解决方案陷阱[23] - 软件生态仍是最大挑战 RISE项目推动工具链/运行时环境成熟[24][25] - 预计15年内实现主流化 台式机/笔记本与现有架构并驾齐驱[26] - 太空应用将成为长期增长点 支持50年以上任务周期需求[32][33]
富士康投资,法国将迎首个扇出型封装厂
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自 techinasia ,谢谢 。 法 国 总 统 埃 马 纽 埃 尔 · 马 克 龙 对 台 湾 鸿 海 精 密 工 业 股 份 有 限 公 司 计 划 在 法 国 投 资 约 2.5 亿 欧 元 (2.78 亿美元)成立合资企业表示感谢。 此次投资将重点关注半导体和航天工业。 富士康与法国公司泰雷兹和雷迪埃签署了两份谅解备忘录,以创建法国首个外包半导体组装和测试 (OSAT)工厂。 这将采用扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 技术,专注于汽车、空间科学、6G 移动技术和国防。 富士康还将与泰雷兹公司合作生产用于近地轨道电信的卫星。 此次投资是台湾在法国的第二大项目,仅次于辉能科技股份有限公司于 2023 年宣布的投资 52 亿 欧元(45.9 亿美元)的固态电池工厂。 参考链接 https://www.techinasia.com/news/french-president-thanks-foxconn-for-semiconductor-investment 点这里加关注,锁定更多原创内容 *免责声明:文章内容系作者个人观点,半导体芯闻转载仅为了传达 ...
65亿美元,OpenAI收购苹果设计师创立的初创公司
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
OpenAI正以65亿美元的价格收购乔尼·艾维(Jony Ive)的初创公司io Products,并将这位早期 iPhone的首席设计师招致麾下,担任创意总监,以开发适应生成式人工智能时代的产品。 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自 路透社 ,谢谢 。 "OpenAI有兴趣拥有下一个硬件平台,这样他们就不必通过苹果iOS或谷歌的安卓销售他们的产 品,"D.A. Davidson分析师吉尔·卢里亚(Gil Luria)说。 艾维离开苹果公司后创立的设计公司LoveFrom,已与OpenAI合作两年,致力于生成式人工智能 设备的研发——这是一个初创公司因高计算需求而步履维艰的领域,其中包括像Humane的AI Pin 这样的失败案例。 在艾维的领导下,OpenAI旨在将其广受欢迎的ChatGPT聊天机器人背后的技术,与曾使iPhone等 设备成为畅销产品的产品设计专长结合起来。 两家公司没有透露艾维一年前共同创立的io公司的交易财务细节。据一位知情人士透露,这笔全股 票交易根据OpenAI 3000亿美元的估值,估价为65亿美元。 据这位不愿透露姓名的知情人士称,OpenAI此前持有该公司 ...
光掩模,关键挑战
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
光刻技术发展中的关键挑战 - EUV光刻掩模成本高昂,制造、维护和更换的总费用显著高于非EUV掩模,且生命周期内价格差异巨大[1] - 非EUV光刻面临旧工具折旧问题,引入新工具将导致每小时掩模成本增加500美元,对低产量零件和价格敏感市场造成困扰[1] - EUV掩模寿命短于DUV或浸没式光刻掩模,需频繁清洁和备用掩模,进一步增加总成本[3] - EUV扫描仪需要更高剂量以实现最佳图案印刷,导致实际吞吐量低于规格,每小时处理晶圆数量线性减少[3] - 专用EUV掩模检测工具昂贵且使用频率低,每次使用成本高,推高整体掩模成本[4] - 循环时间成为比成本更大的问题,缩短原型制作和交付新设计时间是EUV扩大用户群的关键[4][5] EUV与非EUV的应用策略 - 新AI芯片开发倾向于在更便宜的193i节点验证,而非直接从EUV节点开始,待产量提升后再考虑EUV[2] - EUV主要用于大批量或极高价值产品,行业已接受其高掩模成本[2] - 非EUV前沿节点面临与EUV相似的挑战,公司需在预算和光刻限制间寻找平衡[2] - 曲线掩模等技术同时适用于EUV和非EUV光刻,帮助提升图形质量以保持竞争优势[2] - 内存行业因吞吐量考虑不使用薄膜,但需承担更频繁清洁和备用掩模的成本[3][14] 多重曝光技术的必然性 - EUV未来必然需要多重曝光技术,高数值孔径(high-NA)将使用多重曝光避免超高数值孔径需求[6] - 目前所有大批量生产节点采用单次曝光EUV,但研发中公司都在为下个节点研究EUV多重曝光[7] - 英特尔明确将在14A节点使用高NA EUV,因单次曝光无法满足规格要求[7] - 多重曝光技术可延长EUV寿命,半场高NA在成本上难以与多重曝光EUV竞争[7] - 早期EUV生产实施可能已是双重曝光接触层,因当时抗蚀剂不足支持单次曝光[8] 掩模材料与工艺演进 - EUV掩模从二元反射型演进至衰减型/低折射率反射型,改善图像对比度和减少晶圆图案问题[10] - 研究不同n和k值掩模材料以优化特定图案性能,选择性匹配吸收体特性可获更好成像效果[10] - 金属氧化物抗蚀剂比传统CARs具有更高对比度和更好耐蚀性,尤其适用于接触层和柱层[10][11] - 掩模空白特性定制化(如吸收体厚度调整)是扩大晶圆工艺裕度的重大机会[11] - 锡基外的新元素(如碲、锑)抗蚀剂研究旨在通过新化学方法获得更高EUV吸收[12] EUV薄膜的挑战与改进 - EUV薄膜面临传输率和耐用性双重挑战,光需两次穿过薄膜导致20%能量损失[14][15] - 当前多晶硅薄膜反射DUV光需特殊DGL膜过滤,额外造成20%吞吐量损失[15] - 碳纳米管薄膜对DUV反射少且EUV传输率更高,但当前仅能承受不到1万次晶圆曝光[15] - 薄膜更换需重新检查掩模,过程昂贵复杂且缺乏标准化,影响吞吐量和掩模管理[16] - 大芯片(如800平方毫米GPU)需薄膜避免致命缺陷,而内存应用可依赖冗余功能[16]
2025年一季度,内存支出大增57%
半导体芯闻· 2025-05-22 18:40
全球半导体资本支出趋势 - 2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%但同比增长27%,主要受先进逻辑、HBM及AI相关先进封装技术投资驱动 [1] - 内存领域资本支出同比大幅增长57%,非内存领域支出增长15% [1] - 晶圆厂设备(WFE)支出第一季度同比增长19%,预计第二季度再增12%,主要因先进逻辑和内存生产投资扩大 [1] 半导体设备细分市场表现 - 测试设备支出第一季度同比激增56%,预计第二季度增长53%,受AI和HBM芯片测试需求推动 [1] - 封装测试设备支出实现两位数增长,因高密度集成和先进封装技术需求上升 [1] 全球晶圆产能扩张 - 2025年第一季度全球晶圆产能超4250万片(300mm当量),环比增2%同比增7% [1] - 中国保持晶圆产能扩张领先地位,但增速预计放缓 日本和台湾地区增长最快,分别受益于功率半导体投资和尖端代工厂扩张 [2] 头部厂商资本支出动态 - 台积电2025年资本支出目标380-420亿美元(中值400亿),第一季度支出100.6亿美元(环比降10%),70%投向先进制程技术 [3] - 中芯国际计划2025年资本支出70亿美元,反映国内需求增长及自主芯片制造技术发展需求 [3] 技术投资方向 - 台积电资本支出中10-20%用于特殊技术,10-20%投向先进封装/测试/光掩模领域 亚利桑那州扩产计划潜在总投资超1000亿美元 [3]
封杀中国芯片?!歇斯底里,黔驴技穷!
半导体芯闻· 2025-05-21 18:29
美国对华为芯片的出口管制措施 - 美国商务部推出激进半导体出口管制措施,核心条款为全球任何国家或企业若使用华为昇腾910系列芯片,均被视为违反美国出口管制规定,最高面临20年监禁和100万美元罚款 [2] - 美国制造的芯片中国AI模型不能用,中国产的芯片其他地方的AI模型也不能用 [2] - 美国商务部公告指责华为昇腾芯片"很可能"使用了美国技术,属于"莫须有"的罪名 [9] 中国官方回应 - 商务部指出美方措施是典型的单边霸凌和保护主义做法,严重损害全球半导体产业链供应链稳定,剥夺其他国家发展先进计算芯片和人工智能等高科技产业的权利 [4] - 商务部强调任何组织和个人执行或协助执行美方措施,将涉嫌违反《中华人民共和国反外国制裁法》等法律法规,须承担相应法律责任 [4] - 外交部表示美方滥用出口管制和"长臂管辖",无端对中国芯片产品和人工智能产业进行恶意封锁和打压,中方对此坚决反对,绝不接受 [8] 华为昇腾芯片的技术优势 - 在一些测试中,华为昇腾芯片的效率比英伟达A100高出20% [11] - 华为云推出CloudMatrix 384超节点,基于昇腾云商用,规模、性能和可靠性全面超过英伟达NVL72 [11] 中美经贸关系的长期博弈 - 美国对华战略遏制逻辑未根本扭转,维护技术霸权、遏制中国发展的战略意图一以贯之 [9] - 中国立足14亿人的超大市场,推进"内循环",同时坚定开放,与欧盟、东盟等签下大量订单,签署中俄、中巴等联合声明 [10][11] - 分析认为美国此次全球封禁华为芯片是其"焦虑症"的再次发作,中国已为持久战做好准备 [11]