文明进步与信息存储传递 - 文明进步与信息存储介质和传递方法密切相关 存储介质从结绳记事演进到云存储 发展速度日益加快 [2] - 信息传递方法更新较慢 高清视频接口技术沿用20余年 现有接口在超高清传输 多设备协同等场景中难以胜任 [2] GPMI技术概述 - GPMI是面向智慧场景的接口范式重构 旨在解决现有接口在新应用场景中的适配问题 被称为万物互联时代接口的「全村的希望」 [3] - GPMI技术架构分为链路层 隧道底座 适配层和业务层 链路层包括主链路 辅助链路等 其中主链路和辅助链路为必选 [3] - 隧道底座由电气层 逻辑层和传输层组成 通过适配层实现设备管理 信号传输等功能 支持去中心化管理 [5] GPMI核心优势 - 七大核心优势包括双向多流 双向控制 高功供电 生态兼容 极速传输 快速唤醒和全链安全 [7] - 双向多流能力支持视频流和数据流混合双向传输 单根线支持192Gbps带宽 最多128个节点组网 适合智能家居和商用场景 [12] - 双向控制功能实现主副设备角色动态重构 例如机顶盒可借助电视网络能力 电视可作智能家居中控屏 [15] - 高功供电整合超高清视频 控制 数据和供电 Type-B接口支持480W供电 Type-C支持240W供电 [18] - 生态兼容方面 GPMI全面兼容USB接口标准 使用USB Promoters分配的SVID'0XFF10' 融入USB生态 [21] GPMI应用前景 - 解封受限于现有接口技术的智慧场景 如智慧家庭多屏生态 海尔已首发采用GPMI接口的智能电视 [24] - 在工业生产和物联领域可打通多个工业物联网 组成互联互通的智慧体系 [24] - 硬件层面消除电源线 信号线等物理区隔 协议层面构建统一传输层 可能催生「显示即服务」等新商业模式 [24] - 为智慧家庭 汽车电子 智能制造等行业打开创新之门 [24]

台积电研发战略 - 台积电在2018年建立前瞻性研究实验室，专注于与当前产品路线图不直接相关的技术探索[2] - 研发团队由来自大学、其他公司及内部人才组成，分布在台湾新竹和美国加州圣何塞(约20人)[3] - 研发分为两个阶段：先验证基础材料与器件技术可行性，再进行技术整合[3] - 台积电开始公开未商业化的学术研究成果，改变以往只发表已商业化技术的做法[3] - 公司认为对营收数千亿美元的企业，基础研究投入相当于"战略保险"[4] 半导体技术趋势 - 光刻技术重要性可能在20年内下降，因其成本过高(高数值孔径EUV光刻机)且分辨率需求可能已达极限[4] - 当前尖端制造工艺周期长达7个月(制造5个月+CoWoS封装2个月)[4] - 背面供电和堆叠FinFET等创新技术进一步延长了生产周期[4] - 未来技术发展重点应转向缩短周期时间而非继续提升分辨率[4] 中国半导体产业 - 美国出口限制意外推动中国半导体设备产业发展，创造了本土设备市场需求[5] - 中国半导体领域研究论文数量和质量在过去5-10年显著提升，在重要会议上发表量已超过任何单一美国大学[7] - 中国大学在确立新研究方向方面仍有不足，但追赶能力突出[7] - 中国本科生占全球半导体专业学生总数一半以上[6] 行业领导力 - 台积电在7纳米节点超越英特尔成为全球芯片制造领导者[2] - 行业领导者需要前瞻性团队识别优秀技术并获取应用，避免错失机会[3] - 摩尔定律仍有效，技术发展目标指向0.1纳米(氢原子尺度)[1]

DRAM技术演变 - 1990年代采用平面n沟道MOS FET作为DRAM单元晶体管标准结构 进入21世纪后短沟道效应和关断漏电流问题促使开发横向微型化晶体管结构 [1] - 2010年代通过改进阵列布局将单元面积从"8F2"缩小至"6F2" 相同加工尺寸下面积减少25% 该布局至今仍是大容量DRAM标准 [1][3] - 10nm以下DRAM将转向"4F2"布局 采用垂直沟道晶体管(VCT)结构 位线/沟道/电容器垂直排列 [4][5][7] - 三维DRAM(3D DRAM)通过垂直堆叠单元提升容量 三星开发VS-CAT技术实现存储单元阵列与外围电路晶圆键合 [7][9] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存2010年代初达到小型化极限 3D化成为突破方向 垂直单元串结构使电荷存储量提升且干扰减少 [11][13] - 3D NAND堆叠层数从2010年代32层发展到2020年代300层 采用CMOS under Array布局缩小硅片面积 [13] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜 通过极化方向决定逻辑值 已实现4位/单元存储 可降低编程电压并抑制阈值波动 [14][15][17] 行业前沿技术动态 - imec推出纯金属栅极技术使3D NAND层间距缩至30nm 铠侠开发多级编码技术提升闪存随机存取速度 [18] - NEO Semiconductor展示类3D NAND结构的3D X-DRAM技术 Macronix改进晶闸管控制3D DRAM [18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料 佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出 [19] - 清华大学推出兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻存储器 旺宏国际优化OTS选择器性能 [19]

PCIe 6.0 SSD技术进展 - 美光公司在2025年台北国际电脑展上展示了配备PCIe 6.0 x4接口的9650 Pro SSD，其连续读写速度可能达到30.25 GB/s [1] - 该产品目前作为Astera Labs等公司的重要测试平台，用于开发下一代AI平台 [1] - Astera Labs使用美光PCIe 6.0 SSD演示了其Scorpio PCIe 6.0 4x16交换机、Aries带宽匹配Gearbox软件以及Aries 6定时器 [1] PCIe 6.0技术应用场景 - PCIe 6.0交换机可实现AI GPU和SSD之间的点对点通信，绕过CPU [2] - 与Astera的Gearbox软件和硬件搭配使用时，可以减少与PCIe 5.0主机配合使用所需的PCIe 6.0通道数量 [2] - 该技术能够在一个机箱中安装更多驱动器，对某些AI系统至关重要 [2] PCIe 6.0认证与产品开发进度 - PCI-SIG对PCIe 6.0设备的认证时间已从2024年中期推迟到2025年下半年 [3] - 美光9650 Pro SSD目前处于EVT3(工程验证测试第三次修订)阶段 [3] - EVT3版本具有接近最终版本的硬件，可用于性能验证、热性能、兼容性和互操作性测试 [3] - 产品仍需经历DVT(设计验证测试)和PVT(生产验证测试)两个迭代阶段 [4]

核心人物变动 - 阿里平头哥倚天芯片总负责人James（岱宗）加盟本土RISC-V芯片公司知合计算担任CTO [1] - James拥有近30年芯片领域经验 曾任职Intel MIPS 华为海思 主导华为自研CPU核心项目（代号泰山）和Arm服务器芯片倚天710 [1] - 职业生涯聚焦Arm芯片研发 对高性能计算有深刻见解 加盟后将加速RISC-V高性能芯片商用落地 [1] 公司团队背景 - 董事长严晓浪为集成电路行业泰斗 曾任浙大教授 复旦微电子学院院长 国家集成电路咨询委员会委员等职 [2] - CEO孟建熠为RISC-V产业领军人物 现任阿里达摩院首席科学家 中国RISC-V工委会轮值会长 曾获国家科技进步奖二等奖 [2] - COO李响为连续创业者 现任中国集成电路设计创新联盟副秘书长 [2] - 研发团队核心成员均拥有20年左右从业经验 来自阿里平头哥 Intel AMD 联发科等企业 [2] 公司业务与技术 - 知合计算成立于2022年10月 专注高性能"通推一体"RISC-V芯片研发 [1] - 产品基于自研创新芯片架构 具备全球领先的通用计算性能与高性价比AI算力 [1] 资本支持 - 已完成多轮融资 投资方包括华登国际 鼎晖投资 源码资本 上海人工智能基金等头部产业资本和国资资本 [2]

Luminar公司裁员重组 - 美国激光雷达头部企业Luminar正在进行新一轮裁员重组 具体人数尚未披露[1] - 2024年已裁减约30%员工 导致400万至600万美元额外现金支出（约合2888 1万至4332 1万元人民币） 其中第一季度裁员212人[1] - 5月15日启动最新裁员 预计带来400万至500万美元现金支出（约合2888 1万至3610 1万元人民币） 费用将在第二至第三季度入账[1] 管理层变动 - 创始人兼前CEO奥斯汀·拉塞尔被董事会撤换 CEO与董事长职务由Nuance前董事长兼CEO保罗·里奇接任[2] - 领导层调整次日 董事会成员Jun Hong Heng辞职 监管文件称其离职与公司运营分歧无关[2] - 拉塞尔通过2021年SPAC合并使公司上市后跻身亿万富翁 合并后公司估值达34亿美元 合并前完成2 5亿美元融资[2] 行业动态 - 芯片巨头市值出现大幅下跌[3] - 全球半导体行业有10万亿规模投资动向[3]

高通进军PC市场 - 高通凭借Snapdragon X系列处理器进军PC市场，已获得超过85个OEM厂商的PC设计订单，预计明年将超过100个 [1] - 公司通过收购芯片设计初创公司Nuvia及内部开发，旨在为笔记本电脑带来CPU性能和电源效率的显著提升 [1] - 戴尔推出搭载高通AI 100 PC推理卡的Pro Max Plus笔记本电脑，成为全球首款搭载企业级独立NPU的工作站 [1] 高通NPU技术进展 - NPU是骁龙X系列系统级芯片的关键组件，其卓越性能帮助高通赢得微软Copilot+ PC项目首批设备处理器供应合同 [2] - 戴尔Pro Max Plus采用两颗Cloud AI 100数据中心处理器组成的独立NPU，拥有32个AI核心、64GB板载LPDDR4x内存 [2] - 该NPU可在75瓦热范围内以每秒超过450次8位整数运算速度运行，支持高达1090亿参数的AI模型设备端推理 [2] PC市场芯片竞争格局 - PC芯片市场竞争加剧，除英特尔外，AMD、Nvidia、高通和苹果均提供多样化芯片选择 [3] - 戴尔高管表示半导体公司间的激烈竞争有助于为客户创造更好的产品，公司将选择最佳零部件 [3] - 高通独立NPU方案被视为替代传统GPU的潜在选择，尤其针对高性能台式机和笔记本电脑 [2][3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自半导体新闻综合 ，谢谢 。 据报道，台积电已发出抗议信，称其亚利桑那州晶圆厂的运营可能因美国关税政策而受到干扰。据 报道，他们表示，如果关税生效，台积电的制程成本将不可避免地上升，美国客户的需求将放缓， 这将影响正在推进的耗资超过100万亿韩元的亚利桑那工厂的建设进度。据透露，戴尔、HPE等美 国服务器公司也表达了与台积电一致的立场。 据台媒23日报道，台积电亚利桑那州公司向美方传达了公司在关税问题上的立场。据《经济日 报》报道，台积电致函称，"关税可能会提高最终用户产品的价格，减少对那些产品及其所含半导 体部件的需求，并使亚利桑那州晶圆厂的建设和运营计划变得不确定"，"我们敦促美国政府不要对 美国以外生产的半导体征收关税或其他限制"。 台积电2020年至今宣布的对美投资额为1650亿美元。台积电最初决定投资650亿美元在美国亚利桑 那州建设三家工厂，在美国关税政策公布后，台积电宣布计划在美国额外投资1000亿美元建设生 产设施。 台积电似乎在努力提高盈利能力，其亚利桑那州工厂过去四年累计亏损 394.52 亿新台币且关税负 担不断增加之际，做出了这一强 ...

功率半导体晶圆市场预测 - 全球碳化硅（SiC）晶圆市场规模预计从2024年的1436亿日元增长至2035年的6195亿日元，增幅达4.3倍[1] - 2024年SiC晶圆销量同比增长81.9%，但受低价产品影响，销售额仅增长46.1%[1] - 2025年SiC晶圆销量和销售额预计同比增长约20%，主要受8英寸生产线资本投资延迟影响[1] SiC晶圆尺寸分布 - 6英寸SiC晶圆占据90%以上市场份额，仍是主流产品[2] - 4英寸SiC晶圆需求持续下降，而8英寸晶圆预计2026年后需求将大幅增长[2] 下一代半导体晶圆发展 - 金刚石晶圆市场预计2035年达46亿日元，2英寸晶圆商业化将加速市场发展[3] - 4英寸氮化铝晶圆样品开始发货，未来将实现全面量产[3] - 二氧化锗晶片计划开发为6英寸外延晶片，预计2030年左右开始销售[3] 其他半导体晶圆趋势 - 硅晶圆市场2024年随硅功率半导体市场萎缩，预计2025年起稳步增长[3] - GaN单晶晶圆和氧化镓晶圆市场将随6英寸晶圆实用化而扩大[3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ UTAC成立于1997年，总部位于新加坡，提供半导体芯片的封装与测试服务，其应用涵盖消费电 子、计算设备、安全设备及医疗领域。 除新加坡外，该公司还在泰国、中国和印尼设有生产基地，并拥有覆盖美国、欧洲和亚洲的全球销 售网络。其客户主要包括"无晶圆厂"公司（即将芯片制造外包的公司）、集成器件制造商和晶圆代 工厂。 UTAC未披露其财务表现，但消息人士称，其年度息税折旧摊销前利润（EBITDA）估计约为3亿 美元。 参考链接 由于信息尚属机密，两位消息人士均拒绝具名。富士康对此拒绝置评，UTAC、Wise Road和杰富 瑞尚未立即回应置评请求。 近年来，全球芯片制造业受到国家安全和技术竞争的影响，尤其是在中美之间。传统上，半导体依 赖高度全球化的制造供应链，但美国已采取措施限制中国大陆获取先进芯片和高端制造工具， 消息人士表示，由于UTAC在中国大陆的业务，该公司预计将吸引非美国的财务型和战略型竞购 者。 富士康是苹果公司的主要供应商，也是全球最大的电子产品代工制造商。根据其官网，近年来富士 康已将业务拓展至半导体制造，作为其长期增长战略的一部分。 来源：内容 编译自路 ...