全球半导体架构格局的历史性转折 - 开源RISC-V架构在2025年12月末实现25%的市场渗透率，标志着专有架构垄断时代落幕 [1] - 高通以24亿美元收购Ventana Micro Systems，META战略收购Rivos，科技巨头正通过收购迈向“无ARM”路线图，以全面掌控自身芯片命运 [1] 技术突破与“无ARM”路线图 - RISC-V指令集架构具备模块化特性，允许无需许可和支付高昂专利费即可添加自定义指令，与ARM的僵化授权模式形成对比 [3] - 高通收购Ventana旨在获取其高性能Veyron系列RISC-V核心，以开发面向汽车和企业服务器的定制平台，规避专有核心的限制与法律纠纷 [3] - META收购Rivos旨在提升AI推理效率，其MTIA系列定制AI芯片正基于RISC-V重新架构，以优化大语言模型所需的特定数学运算，最大化数据中心每瓦性能 [3] - RISC-V在边缘AI和物联网的集成应用中，通过将神经处理单元直接嵌入CPU流水线，可使边缘设备时延降低高达40% [4] 半导体一线阵营的变革冲击 - 高通转向RISC-V是对抗ARM授权纠纷和知识产权成本上涨的关键对冲手段，通过掌控Ventana知识产权获得永久免专利费基础，有望在服务器和个人电脑市场与英特尔竞争 [6] - META等超大规模企业采用开源架构设计自有专用AI推理芯片，可能减弱对英伟达高利润率通用GPU的依赖，基于Rivos技术的芯片未来五年或为META节省数十亿美元资本支出 [6] - RISC-V达到25%市场渗透率降低了初创企业进入风险，成熟的工具和生态系统使新进入者能以更快速度、更低成本将专用AI芯片推向市场 [7] - ARM在移动和物联网领域的主导地位受到“免费替代方案”冲击，被迫在授权条款和技术性能上加速创新以证明其溢价合理性 [7] 地缘政治与全球芯片对冲策略 - 在贸易限制与“芯片战争”背景下，RISC-V成为各国寻求半导体独立的终极对冲工具，“半导体主权”诉求加速了全球供应链重构 [9] - RISC-V的增长主要得益于边缘AI领域对高度专用、低功耗芯片的迫切需求，预计到2031年，其知识产权总收入将达到20亿美元 [9] - RISC-V生态系统的碎片化是潜在风险，架构的高度灵活性可能导致硬件“巴尔干化”，未来核心挑战是在保障创新自由的同时确保跨芯片兼容性 [9] 未来展望：2031年及以后 - 未来3-5年，RISC-V焦点正从物联网和汽车转向高性能计算和服务器市场，专家预测到2031年该架构在数据中心芯片市场的占比或超30% [11] - 下一代超级计算机可能搭载RISC-V加速器 [11] - 行业正推进“RISC-V软件生态系统”计划，目标是确保安卓、Linux等主流操作系统能在RISC-V上原生优化运行，以消除其进入消费市场的最后障碍 [11] - 随着芯片复杂度提升，行业需开发新的自动化工具以应对大规模开源硬件的复杂度管理难题 [11] 计算新时代的开启 - RISC-V市场渗透率突破25%是科技史分水岭，标志着行业从专有硬件时代迈向透明协作、全球创新的新模式 [13] - 高通和META的收购表明全球最具影响力的企业已押注开源未来，一个更具韧性、成本效益和可定制的硬件生态系统正在诞生 [13] - 架构垄断时代结束，开源芯片时代正式来临，RISC-V在服务器和移动市场的持续扩张将是其角逐全球主导地位的最后疆场 [13]

文章核心观点 - 半导体行业正从制程竞赛转向封装创新，玻璃基板凭借其优异的电气性能、尺寸稳定性和高平整度等独特优势，成为突破先进封装性能瓶颈的关键材料，引发全球产业巨头争相布局 [1] - 玻璃基板技术主要分为应用于2.5D封装的玻璃中介层和面向3D封装的玻璃芯基板，并在光电合封领域展现出不可替代的潜力 [3][6][8] - 尽管玻璃基板市场前景广阔，但其从技术研发到规模化量产仍面临核心工艺、成本、产业链生态及可靠性标准等多重严峻挑战，行业普遍对近期大规模量产持审慎态度 [34][35][39][41] 玻璃基板的技术优势与类型 - **性能全面突破传统材料**：相比有机基板和硅中介层，玻璃基板在电气性能、尺寸稳定性和平整度上实现全面突破 [3] - **卓越电气性能**：玻璃基板在10GHz频段的信号传输损耗仅为0.3dB/mm，介电损耗较传统有机基板降低50%以上 [4] - **极佳尺寸与结构稳定性**：热膨胀系数可调控至3-5ppm/℃，与硅芯片高度匹配，使基板翘曲度减少70% [4] - **超高平整度与制造潜力**：表面粗糙度可控制在1nm以下，已能实现2μm/2μm线宽线距的超精细布线，通孔密度达105个/cm²，是传统有机基板的10倍以上 [4] - **两大技术类型**：主要分为用于2.5D封装的玻璃中介层和用于3D封装的玻璃芯基板 [3][6] - **在光电合封领域的潜力**：玻璃基板因其宽光谱透明性和技术兼容性，成为CPO技术的核心适配材料，在TGV玻璃基板优先应用领域中，光模块封装以23%的占比位居第二 [8][9][11] 全球产业巨头的布局与策略 - **英特尔**：十年深耕，累计投入超10亿美元打造研发线，其技术可使芯片裸片放置数量增加50%，图案变形减少50%，互连密度提升一个数量级，支持120x120毫米超大尺寸封装，产品预计在2026-2030年间大规模应用 [12][13] - **三星**：采取内部双线并进策略，三星电机聚焦玻璃芯基板商业化，计划2025年Q2供应样品，2026-2027年量产；三星电子聚焦玻璃中介层研发，目标2028年导入先进封装工艺 [14][15] - **台积电**：将玻璃基板与FOPLP技术深度绑定，计划2025年为英伟达生产首批基于玻璃基板的芯片，并制定了从2025年Chip-First到2027年量产复杂TGV工艺的阶梯式规划 [16][17] - **Rapidus**：以600mm×600mm方形玻璃基板为差异化切入点，计划2028年量产，其方形基板表面积可增加30%-100%，通孔密度可提升约10倍 [18] - **SKC/Absolics**：商业化进程最快，其美国佐治亚州工厂年产能达12000平方米，2025年已启动量产样品生产与客户认证，有望成为全球首家实现商业化的企业 [20] - **LG Innotek**：作为后发追赶者，重点开发面向FOWLP、射频及车载芯片的玻璃基板技术，计划2025年底前产出样品，长期目标2026年商用 [21] 国内产业链的发展现状 - **材料与设备端多点突破**：国内企业在TGV工艺、玻璃基板制备等核心环节持续突破，部分技术指标达国际先进水平 [23] - **京东方**：依托显示领域积累跨界布局，发布玻璃基面板级封装载板，规划2027年实现深宽比20:1、线宽线距8/8μm、封装尺寸110x110mm的玻璃基板量产，试验线月产能约3000片 [23][24] - **沃格光电**：其子公司通格微实现TGV通孔孔径最小至3微米、深径比高达150:1，2025年上半年玻璃基TGV线路板产品实现营收约800万元，规划产能达100万平米/年 [25][26] - **其他领先企业**：包括三叠纪科技、广东佛智芯、厦门云天半导体、五方光电、深光谷科技等，分别在TGV技术、加工能力、量产规模及光电集成应用上取得成果 [26] - **封装与系统端积极融合**：通富微电、晶方科技、长电科技、华天科技等封测巨头均已具备相关技术储备或研发布局，推动玻璃基板在先进封装场景的应用落地 [28] - **生态建设协同赋能**：国内成立首个TGV技术产业联盟，并通过产学研合作攻克关键技术，例如深光谷科技联合高校实现国产首个8英寸晶圆级TGV interposer加工，实测带宽达110GHz [30] 玻璃基板面临的挑战与瓶颈 - **技术攻坚存在多重瓶颈**：TGV工艺效率普遍低于1000孔/秒，高深宽比通孔的铜填充空洞率常超过5%，10μm以下孔径加工良率不足80% [35] - **高密度布线挑战**：实现5μm以下线宽时，传统工艺易出现线路短路或开路风险，新型工艺设备昂贵且未成熟 [36] - **键合可靠性难题**：玻璃与金属热膨胀系数不匹配，在高温工艺中焊点失效概率较有机基板高出30% [37] - **成本高企**：高纯度硼硅玻璃单价高达2000元/片以上，是传统有机基板的5-10倍，短期内难以满足消费级芯片1-2美元/片的成本要求 [39] - **产业链生态不完善**：上游高纯度玻璃晶圆供应被海外企业垄断，关键设备依赖海外供应商，国内产业链协同联动不足 [39][40] - **可靠性验证与标准缺失**：缺乏专项测试规范，在极端环境下的长期可靠性数据匮乏，部分样品经过500次热循环测试后会出现性能劣化 [41] - **市场导入周期漫长**：从验证到量产导入通常需2-3年甚至更久，行业对2026年量产前景普遍持“小批量试产”的审慎态度，IC载板大厂认为真正量产时间点可能在2028年之后 [42][43]

核心观点 - 根据行业报告，AMD和英伟达计划从2026年初开始在全球范围内多次上调GPU价格，预计AMD在1月率先行动，英伟达在2月跟进，未来数月可能每月调价一次[1][2] - 内存成本（如DDR5）的急剧上涨是推动此轮GPU涨价的核心因素之一，部分内存成本已增长两到四倍，可能导致最终显卡售价达到官方建议零售价的两倍[2] - 尽管最终零售价由板卡厂商决定，但由于GPU核心和显存模块的采购成本已占整卡成本近80%，且上游供应商提价，下游厂商几乎别无选择，只能将成本转嫁给消费者[2][3] 涨价时间与节奏 - AMD面向板卡厂品牌的GPU预计在2026年1月迎来首轮涨价，并在接下来几个月内多次上调[1] - 英伟达面向加装卡品牌的GPU预计从2026年2月开始涨价[1] - 在2025年12月期间，部分品牌已进行小幅提价，但1月是否执行涨价将由各家加装卡厂商自行决定[1] - 未来几个月里，两家公司可能会几乎每个月都上调一次GPU价格[2] 涨价原因与成本结构 - GPU核心加显存在交付给板卡厂商时，已占到整卡成本的近80%[2] - DDR5以及其他主流DRAM模块价格快速上涨，内存成本出现了两到三倍、甚至三到四倍的增长[2] - 在此成本压力下，显卡最终售价可能会达到官方建议零售价的两倍[2] - 如果AMD和英伟达向板卡厂商提供的显存模块价格上涨，下游厂商几乎只能尽快提高显卡售价[3] 产品与市场动态 - AMD RDNA 4产品线的GPU型号数量有限，而大多数上一代产品已经进入生命周期终止阶段[2] - 这意味着RX 9000系列和RTX 50系列显卡在未来两个月内都将变得更加昂贵[2] - 一些品牌已经开始通过销售溢价版本的RTX 50系列来“试水”，RTX 5090的售价可能接近5000美元[3] - AMD新一代产品线（如RX 9070 XT旗舰卡）的价格刚刚接近官方建议零售价，但很可能很快又会回到更高价位[1]

锗基超导材料的突破性发现 - 锗在与合适金属结合时能转变为超导材料，这一发现可能填补经典电子技术与下一代量子器件之间的鸿沟 [1] - 该研究发表于《自然·纳米技术》，详细阐述了科学家如何成功将锗转化为零电阻导电材料 [1] - 锗作为半导体行业支柱材料，有望成为连接量子技术与经典技术的“缺失环节”，兼具高灵敏度与已验证的可扩展性 [1] 材料制备与关键特性 - 研究人员通过向锗中重度掺杂镓原子实现超导性，用镓原子替换了17.9%的锗原子以引入大量自由电子 [2] - 团队采用“外延生长”技术逐层构建晶体结构，成功维持了完美的晶格稳定性，克服了高掺杂浓度破坏材料结构的问题 [2] - 实验结果显示，这种稳定晶体在仅3.5开尔文（-269.65°C）的温度下即可呈现超导性，该温度处于当今尖端量子系统中超导量子比特的工作温度范围之内 [2] 潜在应用与行业影响 - 该材料有望催生新一代量子电路、传感器以及高能效低温电子器件，这些器件需要超导区域与半导体区域之间具备极其洁净的接口 [3] - 一个极具前景的应用方向是约瑟夫森结，即超导量子比特的核心组件，其两个超导体均可由锗制成 [3] - 若技术完善，工程师将能够在单块晶圆上制造数百万个约瑟夫森结，这是实现量子处理器工业化规模生产的关键一步 [5] - 单一元素锗或许能首次衔接成熟的经典计算基础设施与具有变革性潜力的量子技术 [5]

UALink联盟与规范的发布 - 由AMD、Intel、Broadcom、Cisco、Google、HPE、Meta、微软等芯片、网通与云端服务大厂组成的UALink联盟，于2025年4月正式发布UALink 1.0版开放式加速器芯片互连I/O架构规范[1] - 联盟成立于2024年5月，旨在建立开放的GPU加速器互连I/O规范，为AI伺服器与丛集中的加速器提供高速、低延迟的I/O连结架构，以对抗Nvidia的NVLink技术[1] - 截至2025年1月，阿里云、苹果与Synopsys也已加入，联盟理事会加上贡献者成员超过65家[1] UALink推出的背景与目的 - Nvidia在GPU加速器市场的优势不仅在于GPU本身，其专属的NVLink高速I/O架构是维系其地位的关键“护城河”，能实现大量GPU互连以构建超大规模运算环境[1] - AMD与Intel的GPU在单卡运算效能上不亚于Nvidia，但其互连I/O架构在需要多GPU协同运作时，连结能力与频宽不如NVLink，尤其在跨节点和连结GPU数量多时差距显著[2] - UALink是“非Nvidia阵营”抗衡NVLink的解决方案，其吸引力在于提供了一套替代的开放式GPU互连I/O架构方案，并具有多供应商参与带来的通用性与成本效益[2] UALink 1.0技术规格 - UALink 1.0基于乙太网路实体层的200G规格，每通道传输速率为100 Gb/s或200 Gb/s，实际信号速率为212.5 GT/s[5] - 可以1、2、4条通道组成1个链结，在4通道下可提供800 Gb/s的资料传输频宽，即单向100 GB/s，双向200 GB/s[5] - 透过UALink交换器介接，最多可让1,024个GPU加速器互连，组成1个纵向扩展的AI Pod单元[6] UALink 1.0与NVLink的规格对比 - 在单一通道传输频宽上，UALink 1.0与NVLink 4.0/5.0相同，均为100 Gb/s或200 Gb/s[6] - 在单个链结频宽上，UALink 1.0的4通道链结提供双向200 GB/s频宽，高于NVLink 4.0/5.0的2通道链结[6] - 在单个GPU总传输频宽上，UALink 1.0为每个GPU提供最大800 GB/s的总传输频宽，远低于NVLink 4.0的900 GB/s和NVLink 5.0的1800 GB/s[6] - 在GPU互连规模上，UALink 1.0允许最多1,024个GPU互连，高于NVLink搭配交换器允许的576个直连GPU数量[6][7] - 综合来看，UALink 1.0的能力大致介于NVLink 4.0与NVLink 5.0之间，已具备竞争能力[7] 产品推出时间与未来挑战 - 第一批支援UALink 1.0的产品预计要到2026到2027年间才会推出，届时AMD与Intel的GPU加速器，以及Astera Labs、Broadcom的交换器都将支援[7] - 产品推出时间是一大弱点，因为届时Nvidia很可能也会推出新一代的NVLink 6.0，再次在效能规格上拉开与UALink的差距[7]

英特尔晶圆代工展示极致多芯片封装技术 - 英特尔晶圆代工展示了一款概念性多芯片封装设计，其尺寸可扩展至市面上最大AI芯片的12倍（光罩尺寸为12倍，超过了台积电的9.5倍）[1] - 该设计旨在面向人工智能和高性能计算应用，集成了至少16个计算单元和24个HBM5内存堆栈[1] - 英特尔此前已率先打造了由47个芯片组成的显式解耦式芯片设计，其Ponte Vecchio计算GPU保持着多芯片设计数量最多的纪录[1] 封装结构与工艺技术 - 概念设计采用2.5D/3D多芯片封装，包含16个大型计算单元（AI引擎或CPU）[1] - 计算单元采用英特尔14A甚至更先进的14A-E工艺技术制造（1.4nm级、第二代RibbonFET 2环栅晶体管、改进的PowerVia Direct背面供电）[1] - 计算单元位于八个采用18A-PT工艺（1.8nm级，通过硅通孔和背面供电增强性能）制造的基础芯片之上，这些基础芯片可执行额外计算或提供大量SRAM缓存[2] - 计算单元与基础芯片之间利用超高密度10微米以下铜对铜混合键合技术（Foveros Direct 3D）连接，以提供最大带宽和功率[2] - 基础芯片之间以及与I/O芯片的横向（2.5D）互连采用基于UCIe-A的EMIB-T（增强型嵌入式多芯片互连桥，带有TSV）技术，最多可支持24个HBM5内存堆叠[2] 互连、内存与扩展能力 - 封装提议使用基于UCIe-A的EMIB-T接口连接定制的HBM5模块，而非符合JEDEC标准的HBM5堆栈，可能是为了获得更高的性能和容量[3] - 整个封装还可容纳PCIe 7.0、光引擎、非相干结构、224G SerDes、用于安全等的专用加速器，甚至LPDDR5X内存以增加DRAM容量[3] 产品路线图与行业竞争 - 英特尔展示了两种概念设计：“中等规模”设计包含四个计算单元和12个HBM显存；“极端规模”设计包含16个计算单元和24个HBM5显存堆栈[7] - 中等规模设计以今天的标准来看相当先进，但英特尔现在就可以量产[7] - 这种极致封装概念可能会在本十年末出现，届时英特尔将完善其Foveros Direct 3D封装技术以及18A和14A生产节点[7] - 如果英特尔能在本十年末生产出这种极致封装，将使其与台积电并驾齐驱，台积电也计划推出类似产品，预计部分客户会在2027-2028年左右使用其晶圆级集成产品[7] 技术挑战 - 在短短几年内将这种极致设计变为现实是一个巨大挑战，必须确保组件在安装到主板上时不会变形，即使是在极小的公差范围内，也不会因长时间使用后的过热而发生形变[7] - 行业需要学习如何为尺寸堪比智能手机（最大可达10,296平方毫米）的巨型处理器提供充足的热量和散热[7]

日本半导体设备销售表现 - 2025年11月日本制芯片设备销售额为4,206.7亿日圆，同比增长3.7%，连续第23个月增长，月销售额连续第13个月高于4,000亿日圆，创下历年同月历史新高[1] - 2025年1-11月累计销售额达4兆6,350.21亿日圆，同比增长16.1%，远超2024年同期的3兆9,922.35亿日圆，创历史新高[2] - 2025年10月销售额为4,138.76亿日圆，同比增长7.3%，连续第22个月增长，月销售额连续第12个月高于4,000亿日圆，创历年同月历史新高[7] - 2025年1-10月累计销售额达4兆2,143.51亿日圆，同比增长17.5%，远超2024年同期的3兆5,864.47亿日圆，创历史新高[8] - 日本芯片设备全球市占率达三成，仅次于美国位居全球第二[2][8] 日本主要设备商股价与业绩 - 2025年11月26日，东京威力科创股价上涨1.09%，爱德万测试大涨2.35%，DISCO上涨1.22%，KOKUSAI大涨3.33%[1] - 2025年10月27日，东京威力科创股价大涨2.60%，爱德万测试飙涨4.34%，KOKUSAI飙涨5.16%[7] - 东京威力科创将2025财年合并营收目标从2.35兆日圆上修至2.38兆日圆，合并营益目标从5,700亿日圆上修至5,860亿日圆，合并纯益目标从4,440亿日圆上修至4,880亿日圆[8] 行业机构预测与展望 - 日本半导体制造装置协会将2025财年日本制芯片设备销售额预测自4兆6,590亿日圆上修至4兆8,634亿日圆，预计同比增长2.0%，将连续第二年创历史新高，主要因AI服务器GPU、HBM需求旺盛，台积电2纳米投资增加及韩国DRAM/HBM投资增加[2][9] - 国际半导体产业协会预测2025年全球芯片设备销售额将同比增长13.7%至1,330亿美元，创历史新高，并预计2026年将增长至1,450亿美元，2027年增长至1,560亿美元，持续创历史新高，主要驱动力来自AI相关的先进逻辑、内存及先进封装投资[4] - 国际半导体产业协会预测2025年全球前段制程设备销售额将同比增长11.0%至1,157亿美元，高于2024年的1,040亿美元，创历史新高，上修主因AI推动DRAM及HBM投资超预期，以及中国产能扩张贡献，预计2027年WFE销售额将达1,352亿美元[5] - 截至2027年，中国、台湾、韩国预计为芯片设备采购额前三大地区，中国因持续投资成熟及特定先进制程将维持龙头，但2026年后增长将放缓，台湾因先进产能扩张、韩国因HBM等先进内存技术巨额投资将支撑设备销售[5][6] - 世界半导体贸易统计组织预测，因AI数据中心投资推动，2026年全球半导体销售额将同比增长26.3%至9,754.60亿美元，逼近1万亿美元，连续第三年创历史新高[6]

文章核心观点 - 英伟达以200亿美元现金收购Groq公司的技术授权，是其史上最大规模投资，旨在获取并整合被称为“高阶TPU”的可重构数据流架构（LPU），以应对AI推理市场日益增长的需求和非GPU架构的竞争压力 [1][3][17] - 以Groq LPU和谷歌TPU为代表的非GPU架构（包括ASIC和可重构数据流芯片）在AI推理环节展现出显著优势，包括更高的速度、能效比和更低的成本，正在动摇英伟达GPU在AI算力市场的绝对主导地位 [4][13][15] - AI算力芯片市场正从以训练为中心转向推理为重，技术路线呈现GPU与非GPU（ASIC/可重构数据流）两大流派并存的格局，非GPU架构的市场份额预计将显著提升 [4][18] 交易概述与战略意义 - 交易规模达200亿美元（约1400亿元人民币），相当于英伟达606亿美元现金及短期持有资本的三分之一，超出Groq此前估值的3倍 [1][17] - 交易性质为“非排他性授权协议”，英伟达获得Groq的知识产权许可并吸纳其核心团队（包括谷歌TPU缔造者Jonathan Ross），但未收购公司实体 [1][14] - 此次收购是英伟达为补齐非GPU赛道短板、巩固算力领域主导地位的关键布局，旨在将Groq的低延迟处理器整合到其AI工厂架构中，服务更广泛的AI推理和实时工作负载 [14][17] 非GPU架构技术优势（以Groq LPU为例） - **架构创新**：采用软件定义硬件的可重构数据流架构（LPU），消除内存带宽瓶颈，实现确定性执行和零延迟，被业界誉为“高阶TPU” [2][6] - **性能表现**：在处理大语言模型时，能实现每秒数百个Token的“瞬时”吐字；基于14nm工艺，无需外部HBM，通过动态调度让数百个核心同步工作，可实现40倍于传统方案的推理性能 [2][6] - **能效与成本**：能效比英伟达GPU最高可提升10倍；制造晶圆成本可能低于每片6000美元，远低于采用5nm工艺、成本近每片16000美元的英伟达H100芯片 [9][11] - **实际案例**：Groq的AI云算力系统在72小时内将月之暗面开源模型Kimi K2的性能提升40倍；运行开源模型Mixtral 8x7b时，吞吐量最高可达其他推理服务的4倍，价格却不到Mistral本身的三分之一 [7][11] 市场竞争格局变化 - **谷歌TPU的竞争**：谷歌第七代TPU Ironwood单芯片FP8稠密算力达4.6 petaFLOPS，略高于英伟达B200的4.5 petaFLOPS；一个集成9216颗芯片的Ironwood Pod，FP8峰值性能超42.5 exaFLOPS，在特定负载下性能相当于最接近竞品系统的118倍 [16] - **客户动向**：英伟达大客户Meta正考虑在其数据中心大规模采用谷歌TPU，此消息曾导致英伟达股价单日一度暴跌6%，市值蒸发数千亿美元 [15] - **市场份额预测**：花旗预测英伟达AI芯片市场份额将从90%逐步下滑至2028年的81% [16] - **其他玩家**：英特尔正就收购另一家可重构芯片设计公司SambaNova进行初步谈判，该公司估值达50亿美元 [18] 市场前景与数据预测 - **全球市场**：IDC预计2025年AI算力芯片市场规模将超过1285亿美元，同比增长47.1%；到2030年市场规模将达4138亿美元，其中非GPU架构芯片市场规模占比将超过21%，推理芯片占比将提升至65% [18] - **中国市场**：2024年中国加速服务器市场规模达221亿美元，同比增长134%，其中非GPU加速服务器占比已超过30%；IDC预测到2029年，中国非GPU服务器市场规模占比将接近50% [21]

公司核心战略与运营现状 - 公司管理层当前首要任务与核心工作是聚焦主营业务，并采取一切必要法律手段维护公司对安世半导体的合法权益[1] - 安世中国正从两方面应对挑战：一是尽力维持生产经营有序开展，二是配合中国政府要求恢复用于民用领域的相关产品出口[1] - 自今年10月中旬恢复出货以来，安世中国已累计向全球超过800家客户交付芯片超110亿片[1] - 为确保国内客户供应稳定，公司正试图推动安世中国供应链本土化，同步开展对国内部分晶圆供应商的验证工作，预计2026年第一季度至第二季度完成新供应商验证[1] - 公司正按规划稳步推进“国内产能占公司整体产能80%、中国市场占全球销售额约50%”的目标[1] 法律行动与争议进展 - 针对相关争议事项，公司在荷兰已启动多项法律程序，已于10月15日提交了争议通知，如果问题在六个月内得不到解决，公司可能就此寻求国际仲裁，索赔金额可能高达80亿美元[2] - 2026年1月，公司将借助第二次听证会重申立场并进行积极维权[2] - 公司上周与荷兰企业法庭指派的安世半导体独立董事和股权托管人举行了首轮协商，就各自关注的问题进行了沟通[1] - 公司呼吁安世荷兰就控制权和恢复供应链问题进行协商，以切实恢复全球半导体产业供应链[1] 事件背景与外部评价 - 安世半导体荷兰管理层于10月26日单方面作出停止向安世中国供应晶圆的决定，公司认为此举直接违反了商业合同与产业链协作的基本精神，并对全球半导体供应链的稳定运行造成了实质性冲击[2] - 面对荷兰安世拒绝提供晶圆引发的困境，安世中国依照中国法律法规积极开展“生产自救”工作[2] - 中国商务部新闻发言人日前回应称，安世半导体问题的根源是荷兰政府对企业经营的不当行政干预，荷政府应立即撤销行政令，推动安世荷兰前高管从企业法庭撤诉，为企业协商创造有利条件[2]

股价表现与市场反应 - 三星电子股价于12月26日收盘报11.7万韩元，单日上涨5900韩元，涨幅达5.31%，并创下历史新高[1] - 大量外资涌入推动股价上涨，主要受日本野村证券发布报告预测公司利润将大幅增长影响[1] - 韩国多家证券公司近期大幅上调三星电子目标股价，例如SK证券从11万韩元上调至17万韩元，涨幅高达55%[1] 业绩预期与驱动因素 - 证券行业普遍预期三星电子第四季度销售额为88.2192万亿韩元，营业利润为15.6965万亿韩元，同比分别增长16.4%和141.8%[1] - 存储器业务盈利能力迅速提升，主要因第四季度通用DRAM价格上涨30%至40%，服务器DRAM价格上涨40%至60%[1] - 有分析师预测，随着谷歌、亚马逊和微软等公司增加对HBM3E的订单，英伟达明年上半年进入HBM4供应链的可能性增大[2] - KB证券研究员预测三星电子明年HBM销售额将达到26万亿韩元，较上年增长三倍，并预计其总营业利润将达到100万亿韩元[2] 投资者行为与估值分析 - 截至12月23日，个人投资者的平均买入价格为76,314韩元，平均回报率高达51.28%，亏损投资者比例为0%[2] - 12月1日至26日期间，个人投资者抛售了价值3.8909万亿韩元的股票以实现获利，同期外国投资者净买入2.9601万亿韩元，机构投资者净买入1.7486万亿韩元[2] - 有分析师认为公司股价仍被低估，指出其明年市盈率为7.6倍，市净率为1.4倍[2] - 分析师认为，考虑到DRAM周期的持续以及HBM需求的多元化，没有理由继续低估公司股价[2] 未来展望与公司战略 - 有观点认为，公司股价若想进一步上涨，除了吸引外资，还必须宣布额外的投资和股东回报计划[2] - 投资对于构建适应人工智能时代的投资组合至关重要，而解决股价相对于业绩被低估的“估值下调”现象则需要加强股东回报[2] - 为实现投资与股东回报这两个目标，需要进行结构性变革，转向盈利的存储半导体[2] - 为降低周期波动，预计公司将在2027年至2028年间增加长期供应合同的比例[2]